JPH07142442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハをチップに分割後のチップ取扱いにお
いて、チップ上面パターンへの基板破片の付着やチップ
上面パターンの傷の発生を防ぐ。 【構成】 基板２１の上面に分離溝３２を形成する。分
離溝３２内に犠牲層３３ａを形成する。基板２１の下面
の分離部以外に裏面電極２２を形成する。裏面電極２２
をマスクとして基板２１の分離部を下面から分離溝３２
に孔３６が開くまでエッチング除去する。孔３６に犠牲
層溶融用エツチャントＥ２を供給し分離溝３２内の犠牲
層３３ａを除去する。基板２１の側壁２３に基板溶融用
エッチャントＥ１を供給し、突起３７をエッチング除去
して、基板２１の側壁２３を裏面電極２２の端部より後
退させる。 【効果】 基板２１の側壁２３を略平坦にし、基板２１
の側壁２３を裏面電極２２の端部より後退させること
で、チップ分離後のチップ取扱いで、チップ上面の外観
を保つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化合物の半導体装置の
製造方法に関し、特に支持板に接着固定されたウェハの
チップ分離に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１５は上面（パターン形成面）工程を
完了したウェハの平面図、図１６は下面に電極を形成し
た状態を示す図１５のＡ−Ａ線断面図、図１７はウェハ
（半導体基板）がチップごとに分離された状態を示す断
面図、図１８は一部拡大断面図、図１９は完成したチッ
プの斜視図を夫々示している。図２０は、チップ側面と
ピンセットの位置関係図を示す。図１５乃至図２０にお
いて、１は研削、研磨により薄く加工される前段階での
ウェハで、直径は３インチ、厚みは６００μｍである。
斜線部２はチップを表し、１×２〜３ｍｍの寸法であ
る。３はチップ間に形成される分離溝で、５〜１５μｍ
の深さである。４はウェハの結晶方位を表すオリエンテ
ーションフラットである。チップ２はオリエンテーショ
ンフラット４に対し図１５に示すように縦横に形成され
る。また、図１６において、５は研削、研磨により薄く
加工したウェハで、厚みは３０μｍである。６はウェハ
上面を保護するレジスト、７はワックス、８はウェハを
支持するガラス製の支持板である。ウェハ１はワックス
７により支持板８に接着固定され、ウェハ下面を研削、
研磨加工される。９は分離溝３と相対する位置以外のウ
ェハ基板下面上に形成される厚み３５μｍの金メッキ
（裏面電極）である。さらに、図１７において、１０は
チップごとに分割された半導体基板である。

【０００３】図１６において、金メッキ９をマスクとし
て分離溝３と相対する下面位置で、ウェハ５をウエット
エッチングし、図１７のように半導体基板１０を個別の
チップごとに分割する。その後、チップをガラス板５か
ら取り外し、ワックス７、レジスト６を除去して、図１
９の半導体装置が完成する。該半導体装置は、最終的に
は図１９および図２０の如く、半導体基板１０の側壁面
に、分離溝３の底壁部分が突起１１として棚状に残留形
成される。分離後の後工程において、チップは一括して
何度も移し替えられ、さらに図２０のように何度もピン
セット１２でチップのハンドリングが行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来例の半導体基板の
チップ形状では、図１９および図２０の如く、突起１１
が金メッキ９の側面より張り出すため、ピンセット１２
を用いたハンドリング等取扱いで、突起１１が欠け、破
片がチップの上面に付着するおそれがある。あるいは、
チップ同士の衝突などで突起１１によりチップ上面のパ
ターンに傷をつける等の問題があった。

【０００５】本発明は、上記のような課題を解消するた
めになされたもので、ハンドリング時等における破片の
付着やチップ上面パターンの傷の発生を防止し得る半導
体装置の製造方法の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、複数のチップに分離されるべき半導体
基板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程
と、少なくとも前記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層
形成工程と、前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面
電極を形成する裏面電極形成工程と、前記裏面電極をマ
スクとして半導体基板の分離部を下面からエッチング除
去する下面分離部除去工程と、該下面分離部除去工程後
に前記分離溝内の犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
エッチング除去された前記半導体基板の分離部の側壁面
から突出する突起を除去し前記半導体基板の分離部の側
壁面を略平滑にする基板側壁処理工程とを備える。

【０００７】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
複数のチップに分離されるべき半導体基板の上面の分離
部に分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝内
および前記半導体基板の上面に犠牲層を形成する犠牲層
形成工程と、前記犠牲層の上面に支持板を接着する支持
板接着工程と、前記半導体基板の下面の分離部以外に裏
面電極を形成する裏面電極形成工程と、前記裏面電極を
マスクとして半導体基板の分離部を下面から前記分離溝
内の犠牲層の底部に達するまでエッチング除去する下面
分離部除去工程と、該下面分離部除去工程後に前記分離
溝内の犠牲層を下面側からエッチング除去する犠牲層除
去工程と、エッチング除去された前記半導体基板の分離
部の側壁面から突出する突起を除去し前記半導体基板の
分離部の側壁面を略平滑にする基板側壁処理工程と、前
記支持板を前記半導体基板から離脱させる支持板離脱工
程とを備える。

【０００８】望ましくは、前記基板側壁処理工程におい
て、前記半導体基板の分離部の側壁面を前記裏面電極の
端部より内側に後退させる。

【０００９】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
複数のチップに分離されるべき半導体基板の上面の分離
部に分離溝を形成する分離溝形成工程と、少なくとも前
記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記
半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成する裏
面電極形成工程と、前記半導体基板の分離部を下面から
切削除去する下面分離部除去工程と、切削除去された前
記半導体基板の分離部の側壁面を前記裏面電極の端部よ
り内側に後退させる基板側壁処理工程と、前記犠牲層を
エッチング除去する犠牲層除去工程とを備える。

【００１０】ここで、前記基板側壁処理工程において、
前記半導体基板の分離部の側壁面をエッチャントに晒す
ことにより該側壁面を略平滑にエッチングする。

【００１１】あるいは、前記基板側壁処理工程におい
て、前記半導体基板の分離部の側壁面に流体を吹き付け
て該側壁面を略平滑化する。

【００１２】望ましくは、前記半導体基板の分離部の側
壁面に吹き付ける流体は、前記半導体基板を溶融するエ
ッチャントを含む。

【００１３】あるいは、前記半導体基板の分離部の側壁
面に吹き付ける流体は、前記半導体基板を研磨する研磨
剤を含む。

【００１４】

【作用】本発明の請求項１ないし請求項８に係る半導体
装置の製造方法では、チップ分離後に、チップを移し替
える際、チップ同士が衝突することがあるが、半導体基
板の分離部の側壁面を裏面電極の端部よりも内側まで後
退させて略平滑としているので、チップ同士が衝突して
も、半導体基板同士の当接を防止でき、チップ上面等に
傷がつく事態を防止できる。また、ピンセット等を用い
てハンドリングする際には、半導体基板の分離部の側壁
面を略平滑としているためにここから欠けが生じにく
く、その破片がチップの上面に付着する事態を防止でき
る。

【００１５】また、特に請求項２に係る半導体装置の製
造方法では、半導体基板の分離部の下面側をエッチング
除去した後、上面側の分離溝内の犠牲層をエッチング除
去しても、半導体基板の上面が犠牲層を介して支持板に
接着された状態のままなので、基板側壁処理工程におい
て、複数の半導体基板の分離部の側壁面を一度に略平滑
にできる。

【００１６】

【実施例】［第１の実施例］図１は本発明の第１の実施
例の半導体装置を示す図である。図１において、２１は
シリコン等の半導体基板、２２は金メッキ等の裏面電
極、２３は前記半導体基板２１の分離部の側壁面であ
る。そして、前記半導体基板２１の分離部の側壁面２３
は、ハンドリング時等に欠けが生じるのを防止するよ
う、前記裏面電極２２の端部よりも内側に引き込まれか
つ略平滑に形成されている。

【００１７】該半導体装置の製造方法を説明する。ま
ず、ウェハとして複数のチップが縦横に連続並置された
状態で、半導体基板２１の分離部（分割ライン）以外の
上面をレジスト等でマスキングし、前記分離部の上面を
５〜１５μｍの深さ程度に選択的にエッチング除去し
て、図２のような分離溝３２を形成する（分離溝形成工
程）。そして、半導体基板２１（ウェハ）を厚み３０μ
ｍ程度になるまで研削、研磨し、前記分離溝３２内およ
び前記半導体基板２１の上面にレジストからなる犠牲層
３３ａ，３３ｂをスピン式またはローラ式等にて形成す
る（犠牲層形成工程）。この際、該犠牲層３３ａ，３３
ｂの全上面をほぼ面一となるよう形成しておく。次に、
該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面にワックス３４を平坦
に塗布し、さらに、図３の如く、該ワックス３４の全上
面に例えばガラス等からなる一枚の支持板３５を接着す
る（支持板接着工程）。この状態で、半導体基板２１の
下面を研削、研磨加工し、該下面の分離部以外の領域
に、図４の如く、厚み３５μｍの金メッキ等の裏面電極
２２を形成する（裏面電極形成工程）。その後、前記裏
面電極２２をマスクとして、半導体基板２１の分離部に
下面から基板溶解用のエッチャントＥ１を供給してウエ
ットエッチングにより一部をエッチング除去する（下面
分離部除去工程）。ここでのエッチャントＥ１として
は、例えば酸化剤とフッ化水素水溶液との混合液等の一
般的なものを用いる。そうすると、前記基板溶解用のエ
ッチャントＥ１は隣合う裏面電極２２の間の間隙からの
み侵食進行するため、除去された部分の形状は図５およ
び図６のように断面視略半円状となる。また、ここでの
エッチング深さは、前記分離溝３２内の犠牲層３３ａの
底部に達する程度とし、故に半導体基板２１の分離溝３
２の底面に、下側に開放される所定幅ｗ１の条孔３６が
形成される。しかる後、前記条孔３６からレジスト溶解
用のエッチャントＥ２を前記分離溝３２内に侵食させ、
図７のように分離溝３２内の犠牲層３３ａのみを下面側
から選択的にエッチング除去する（犠牲層除去工程）。
そうすると、各チップは半導体基板２１の側面方向に分
離される。但し、全チップの半導体基板２１の上面が、
犠牲層３３ｂおよびワックス３４を介して一枚の支持板
３５に接着されているため、依然、全チップが縦横に連
続並置された状態が維持される。

【００１８】このとき、半導体基板２１はレジスト溶解
用のエッチャントＥ２にて溶解しないため、分離溝３２
の底壁が残留し、半導体基板２１の分離部の側壁面２３
に側方へ突出する突起３７が形成される。しかし、かか
る突起３７をそのまま残留させると、後にピンセット等
を用いてハンドリングする際に突起３７の一部に欠けが
生じ、その破片がチップの上面に付着したり、あるいは
チップ同士の衝突などで突起３７によりチップ上面のパ
ターンに傷をつけるおそれがある。そこで、犠牲層除去
工程後において、前記下面分離部除去工程で用いた基板
溶解用のエッチャントＥ１を再び下面から供給しウエッ
トエッチングを行う。そうすると、突起３７の下側から
エッチャントＥ１が侵食するとともに、エッチャントＥ
１が条孔３６を通って上面側の分離溝３２に入り込み、
突起３７の上側からもエッチャントＥ１が侵食する。し
たがって、突起３７は上下両方向からエッチングされ、
図８に示すような形状変化を起こして、突起３７の先端
が裏面電極２２の端部よりも内側まで後退し、半導体基
板２１の分離部の側壁面２３が略平滑になる（基板側壁
処理工程）。しかる後、前記支持板３５を前記半導体基
板２１から離脱させ（支持板離脱工程）、ワックス３４
を洗浄除去した後、レジスト溶解用のエッチャントＥ２
にて半導体基板２１の上面の犠牲層３３ｂをエッチング
除去し、図１に示した個々のチップに分離、完成され
る。

【００１９】かかるチップ分離後の後工程において、チ
ップを一括して何度も移し替える。このとき、チップ同
士が衝突することがあるが、本実施例では半導体基板２
１の分離部の側壁面２３を裏面電極２２の端部よりも内
側まで後退させて略平滑としているので、前述のように
チップ同士が衝突しても、半導体基板２１同士の当接を
防止でき、チップ上面に傷をつける事態を防止できる。
また、図９の如く、ピンセット３８等を用いてハンドリ
ングする際に、半導体基板２１の分離部の側壁面２３を
略平滑としているためにここから欠けが生じにくく、そ
の破片がチップの上面に付着する事態を防止できる。

【００２０】［第２の実施例］本発明の第２の実施例の
製造方法は、図１に示した第１の実施例と同様の半導体
装置を製造するものであるが、基板側壁処理工程におい
て半導体基板２１の分離部の側壁面２３の突起を除去す
る方法が異なる。本実施例の製造方法を説明する。ま
ず、図２に示した第１の実施例と同様、ウェハとして複
数のチップが縦横に連続並置された状態で、半導体基板
２１の分離部（分割ライン）以外の上面をレジスト等で
マスキングし、前記分離部の上面を選択的にエッチング
除去して、分離溝３２を形成する（分離溝形成工程）。
そして、ウェハ研削、研磨後、分離溝３２内および半導
体基板２１の上面にレジストからなる犠牲層３３ａ，３
３ｂを形成する（犠牲層形成工程）。次に、該犠牲層３
３ａ，３３ｂの全上面にワックス３４を塗布し、さら
に、図３に示した第１の実施例と同様、該ワックス３４
の全上面に例えばガラス等からなる一枚の支持板３５を
接着する（支持板接着工程）。この状態で、半導体基板
２１の下面を研削、研磨した後、分離部以外の領域に金
メッキ等の裏面電極２２を形成する（裏面電極形成工
程）。その後、前記裏面電極２２をマスクとして、半導
体基板２１の分離部に下面から基板溶解用のエッチャン
トＥ１を供給してウエットエッチングにより一部をエッ
チング除去する（下面分離部除去工程）。そうすると、
前記基板溶解用のエッチャントＥ１は隣合う裏面電極２
２の間の間隙からのみ侵食進行するため、除去された部
分の形状は、図５および図６に示した第１の実施例と同
様、断面視略半円状となる。また、ここでのエッチング
深さを、前記分離溝３２内の犠牲層３３ａの底部に達す
る程度とすることで、半導体基板２１の分離溝３２の底
面に一定幅の条孔３６を形成する。しかる後、前記条孔
３６からレジスト溶解用のエッチャントＥ２を前記分離
溝３２内に侵食させ、分離溝３２内の犠牲層３３ａのみ
を下面側から選択的にエッチング除去する（犠牲層除去
工程）。このとき、図１０の如く、半導体基板２１の分
離溝３２の底壁部分が残留して突起３７が形成される。
そこで、半導体基板２１の分離部に水等の流体Ｆ１を図
示しない噴霧装置（スプレー）で下側から強圧で吹き付
けて噴射加工し、図１０のように突起３７を折り除き、
さらに一定時間流体Ｆ１を吹き付けることで、図１１の
如く、半導体基板２１の分離部の側壁面２３を略平滑に
する（基板側壁処理工程）。この際、裏面電極２２の端
部よりも内側まで後退させておく。しかる後、前記支持
板３５を前記半導体基板２１から離脱させ（支持板離脱
工程）、ワックス３４を洗浄除去した後、レジスト溶解
用のエッチャントＥ２にて半導体基板２１の上面の犠牲
層３３ｂをエッチング除去し、図１に示した第１の実施
例と同様、個々のチップに分離、完成される。

【００２１】本実施例によっても、チップ同士が衝突し
ても、半導体基板２１同士の当接を防止でき、チップ上
面に傷をつける事態を防止でき、また、ピンセット３８
等を用いてハンドリングする際に、半導体基板２１の分
離部の側壁面２３を略平滑としているためにここから欠
けが生じにくく、その破片がチップの上面に付着する事
態を防止できる。

【００２２】［第３の実施例］本発明の第３の実施例の
製造方法は、第２の実施例と同様の半導体装置を製造す
るものであるが、基板側壁処理工程において半導体基板
２１の分離部に吹き付ける水等の流体Ｆ１に、例えば酸
化剤とフッ化水素水溶液との混合液等の一般的な基板溶
融用エッチャントを含ませる。すなわち、図１０に示し
た第２の実施例と同様の状態で、半導体基板２１の分離
部に、基板溶融用エッチャントを含む流体Ｆ１を図示し
ない噴霧装置（スプレー）で下側から強圧で吹き付けて
噴射加工し、突起３７を物理的作用により折り除く。こ
れと同時に、流体Ｆ１中の基板溶融用エッチャントにて
半導体基板２１の分離部の側壁面２３をエッチングす
る。この際のエッチャントは、流体Ｆ１にて希薄化され
ているので、過度に半導体基板２１の分離部の側壁面２
３をエッチングすることもなく、該分離部の側壁面２３
上のざらつきをなくして平滑にする。このように基板側
壁を処理すると、第２の実施例以上に素早くかつより平
滑に処理できる。その他の処理方法は、第２の実施例と
同様である。

【００２３】［第４の実施例］本発明の第４の実施例の
製造方法は、第２の実施例と同様の半導体装置を製造す
るものであるが、基板側壁処理工程において半導体基板
２１の分離部に吹き付ける水等の流体Ｆ１に、例えばア
ルミナ質研削材、炭化ケイ素質研削材（シリカ研削
材）、人造エメリー研削材、ダイヤモンド研削材、ボラ
ゾン研削材等を用いた粒状の研磨剤（遊離砥粒）を懸濁
状に含ませる。すなわち、図１０に示した第２の実施例
と同様の状態で、半導体基板２１の分離部に、前記研磨
剤を含む流体Ｆ１を図示しない噴霧装置（スプレー）で
下側から強圧で吹き付けて噴射加工し、突起３７を物理
的作用により折り除く。これと同時に、流体Ｆ１中の研
磨剤にて半導体基板２１の分離部の側壁面２３を滑らか
に研磨する。このように基板側壁を処理すると、第２の
実施例以上に素早くかつより平滑に処理できる。その他
の処理方法は、第２の実施例と同様である。

【００２４】［第５の実施例］本発明の第５の実施例の
製造方法は、図１に示した第１の実施例と同様の半導体
装置を製造するものであるが、下面分離部除去工程にお
いて半導体基板２１の分離部を除去する方法と、基板側
壁処理工程において半導体基板２１の分離部の側壁面２
３の突起を除去する方法が異なる。本実施例の製造方法
を説明する。まず、ウェハとして複数のチップが縦横に
連続並置された状態で、半導体基板２１の分離部（分割
ライン）以外の上面をレジスト等でマスキングし、前記
分離部の上面を選択的にエッチング除去して、図１に示
した第１の実施例と同様、分離溝３２を形成する（分離
溝形成工程）。そして、ウェハ研削、研磨後、分離溝３
２内および半導体基板２１の上面にレジストからなる犠
牲層３３ａ，３３ｂを形成する（犠牲層形成工程）。次
に、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面にワックス３４を
塗布し、さらに、図３に示した第１の実施例と同様、該
ワックス３４の全上面に例えばガラス等からなる一枚の
支持板３５を接着する（支持板接着工程）。この状態
で、半導体基板２１の下面を研削、研磨した後、該下面
の分離部以外の領域に金メッキ等の裏面電極２２を形成
する（裏面電極形成工程）。その後、図１２の如く、半
導体基板２１の分離部の下面側からダイシングソーを用
いてハーフダイシングし、下面の分離部を断面視略コ字
形に除去する（下面分離部除去工程）。このときのダイ
シング深さは、分離溝３２内の犠牲層３３ａの底部に達
する程度としておく。

【００２５】なお、このときのダイシング幅ｗ２は、隣
合う裏面電極２２同士の間の間隙幅ｗ３に等しく設定す
るのが望ましいが、該両幅ｗ２，ｗ３を誤差なく完全に
一致させることは現実には困難である。ここで、ダイシ
ング幅ｗ２を隣合う裏面電極２２同士の間で予め設定さ
れた間隙幅ｗ３より少し大きめに設定すれば、半導体基
板２１とともに裏面電極２２の端部を同時にカットでき
るため、両幅ｗ２，ｗ３の寸法合わせが可能になるが、
この場合、裏面電極２２をメッキにて形成しているた
め、タイシングソーの刃が裏面電極２２の端部等に引っ
掛かってはがれてしまうおそれがある。このため、ここ
では、ダイシング幅ｗ２を隣合う裏面電極２２同士の間
の間隙幅ｗ３より僅かに小さく設定しておく。

【００２６】しかる後、基板溶解用のエッチャントＥ１
を下面側から供給しウエットエッチングを行う。そうす
ると、エッチャントＥ１は半導体基板２１の分離部の側
壁面２３から内部側方へ向かって侵食し、図１３の如
く、半導体基板２１の分離部の側壁面２３が裏面電極２
２の端部よりも内側まで略平滑な状態を維持しながら、
裏面電極２２の端部より内側まで後退する（基板側壁処
理工程）。しかる後、前記支持板３５を前記半導体基板
２１から離脱させ（支持板離脱工程）、ワックス３４を
洗浄除去した後、レジスト溶解用のエッチャントＥ２に
て半導体基板２１の上面および分離溝３２内の犠牲層３
３ａ，３３ｂをエッチング除去し、図１に示した第１の
実施例と同様、個々のチップに分離、完成される。

【００２７】かかるチップ分離後の後工程において、チ
ップを一括して何度も移し替える。このとき、チップ同
士が衝突することがあるが、本実施例では半導体基板２
１の分離部の側壁面２３を裏面電極２２の端部よりも内
側まで後退させているので、前述のようにチップ同士が
衝突しても、半導体基板２１同士の当接を防止でき、チ
ップ上面に傷をつける事態を防止できる。また、図１４
の如く、ピンセット３８等を用いてハンドリングする際
に、半導体基板２１の分離部の側壁面２３を略平滑とし
ているためにここから欠けが生じにくく、その破片がチ
ップの上面に付着する事態を防止できる。

【００２８】［変形例］ （１）第２乃至第４の実施例では、基板側壁処理工程に
おいて、分離部に下面から吹き付ける流体Ｆ１として水
を用いていたが、例えば基板溶融用のエッチャントＥ１
等の他の液体を吹き付けてもよく、あるいは液体以外に
気体を吹き付けてもよい。 （２）第５の実施例では、基板側壁処理工程において、
ウエットエッチングにて半導体基板２１の側壁を裏面電
極２２の端部よりも内側まで後退させていたが、これに
代えて、第２乃至第４の実施例と同様に強圧で流体Ｆ１
を吹き付けてもよい。 （３）第２乃至第４の実施例では、基板側壁処理工程に
おいて、分離部に下面から流体Ｆ１を吹き付けて突起を
折り除いた後、ウエットエッチングを行って半導体基板
２１の分離部の側壁面２３を略平滑としてもよい。 （４）上記各実施例では、全チップを支持板に接着した
状態で、基板の側壁処理を行っていたが、個々のチップ
を分割した後、基板の側壁処理を行っても良い。 （５）第３の実施例では、基板側壁処理工程において半
導体基板２１の分離部に吹き付ける流体Ｆ１に、基板溶
融用エッチャントのみを含ませ、第４の実施例では、流
体Ｆ１に研磨剤のみを含ませていたが、基板溶融用エッ
チャントと研磨剤の両方を含ませてもよい。

【００２９】

【発明の効果】本発明請求項１ないし請求項７による
と、半導体基板の分離部の側壁面を略平滑としているの
で、チップ分離後にチップを移し替える際、チップ同士
が衝突しても、半導体基板同士の当接を防止でき、チッ
プ上面等に傷がつく事態を防止できる。また、ピンセッ
ト等を用いてハンドリングする際には、半導体基板の分
離部の側壁面を略平滑としているためにここから欠けが
生じにくく、その破片がチップの上面に付着する事態を
防止できるという効果がある。

【００３０】また、請求項３および請求項８によると、
半導体基板の分離部の側壁面を裏面電極よりも内側まで
後退させているので、チップ同士が衝突しても半導体基
板同士の当接を防止でき、チップ上面等に傷がつく事態
を防止できる。また、ピンセット等を用いてハンドリン
グする際にも、ピンセットが半導体基板の分離部の側壁
面を略平滑としているためにここから欠けが生じにくく
なり、したがってその破片がチップの上面に付着する事
態を防止できるという効果がある。

【００３１】特に請求項２に係る半導体装置の製造方法
では、半導体基板の分離部の下面側をエッチング除去し
た後、上面側の分離溝内の犠牲層をエッチング除去して
も、半導体基板の上面が犠牲層を介して支持板に接着さ
れた状態のままなので、基板側壁処理工程において、複
数の半導体基板の分離部の側壁面を一度に略平滑にでき
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置を示す斜視
図である。

【図２】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。

【図６】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す一部拡大断面図である。

【図７】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す一部拡大断面図である。

【図８】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
を示す一部拡大断面図である。

【図９】本発明の第１の実施例の半導体装置をハンドリ
ングする様子を示す説明図である。

【図１０】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工
程を示す一部拡大断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工
程を示す一部拡大断面図である。

【図１２】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造工
程を示す一部拡大断面図である。

【図１３】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造工
程を示す一部拡大断面図である。

【図１４】本発明の第５の実施例の半導体装置をハンド
リングする様子を示す説明図である。

【図１５】従来例のウェハ状態の半導体装置を示す平面
図である。

【図１６】従来例の半導体装置の製造工程を示す断面図
である。

【図１７】従来例の半導体装置の製造工程を示す断面図
である。

【図１８】従来例の半導体装置の製造工程を示す一部拡
大断面図である。

【図１９】従来例の半導体装置を示す斜視図である。

【図２０】従来例の半導体装置をハンドリングする様子
を示す説明図である。

【符号の説明】

２１ 半導体基板 ２２ 裏面電極 ２３ 側壁面 ３２ 分離溝 ３３ａ，３３ｂ 犠牲層 ３５ 支持板 ３７ 突起 Ｅ１，Ｅ２ エッチャント Ｆ１ 流体

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年４月２７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項５

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の詳細な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化合物の半導体装置の
製造方法に関し、特に支持板に接着固定されたウェハの
チップ分離に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１５は上面（パターン形成面）工程を
完了したウェハの平面図、図１６は下面に電極を形成し
た状態を示す図１５のＡ−Ａ線断面図、図１７はウェハ
（半導体基板）がチップごとに分離された状態を示す断
面図、図１８は図１７におけるチップ間の拡大断面図、
図１９は完成したチップの斜視図を夫々示している。図
２０は、チップをピンセットでハンドリングする際のチ
ップ側面とピンセットの位置関係図を示す。図１５乃至
図２０において、１は研削、研磨により薄く加工される
前段階でのウェハで、直径は３インチ、厚みは６００μ
ｍである。斜線部２はチップを表し、１×２〜３ｍｍの
寸法である。３はチップ間に形成される分離溝で、５〜
１５μｍの深さである。４はウェハの結晶方位を表すオ
リエンテーションフラットである。チップ２はオリエン
テーションフラット４に対し図１５に示すように縦横に
形成される。また、図１６において、５は研削、研磨に
より薄く加工したウェハで、厚みは３０μｍである。６
はウェハ上面を保護するレジスト、７はワックス、８は
ウェハを支持するガラス製の支持板である。ウェハ１は
ワックス７により支持板８に接着固定され、ウェハ下面
を研削、研磨加工される。９は分離溝３と相対する位置
以外のウェハ基板下面上に形成される厚み３５μｍの金
メッキ（裏面電極）である。さらに、図１７において、
１０はチップごとに分割された半導体基板である。

【０００３】図１６において、金メッキ９をマスクとし
て分離溝３と相対する下面位置で、ウェハ５をウエット
エッチングし、図１７のようにウェハ５を個別のチップ
ごとに分割する。その後、チップをガラス板８から取り
外し、ワックス７、レジスト６を除去して、図１９の半
導体装置が完成する。該半導体装置は、最終的には図１
９および図２０の如く、半導体基板１０の側壁面に、分
離溝３の底壁部分が突起１１として棚状に残留形成され
る。分離後の後工程において、複数のチップは一括して
何度も移し替えられ、さらに図２０のように何度もピン
セット１２でチップのハンドリングが行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本来、チップの裏面電
極を３５μｍと厚く形成しているのは、ピンセットを用
いたチップのハンドリングを裏面電極端部で行うためで
ある。しかし、従来例の半導体基板のチップ形状では、
図１９および図２０の如く、突起１１が金メッキ９の側
面より張り出すため、ピンセット１２を用いたハンドリ
ング等取扱いで、突起１１が欠け、破片がチップの上面
に付着する。あるいは、複数のチップを一括して移し替
える取扱いでチップ同士の衝突などで突起１１によりチ
ップ上面のパターンに傷をつける等の問題があった。

【０００５】本発明は、上記のような課題を解消するた
めになされたもので、チップのハンドリング時等におけ
る半導体基板破片の付着やチップ上面パターンの傷の発
生を防止し得る半導体基板側面を持つ半導体装置の製造
方法の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、複数のチップに分離されるべき半導体
基板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程
と、少なくとも前記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層
形成工程と、前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面
電極を形成する裏面電極形成工程と、前記裏面電極をマ
スクとして半導体基板の分離部を下面からエッチング除
去する下面分離部除去工程と、該下面分離部除去工程後
に前記分離溝内の犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
エッチング除去された前記半導体基板の分離部の側壁面
から突出する突起を除去し前記半導体基板の分離部の側
壁面を略平滑にする基板側壁処理工程とを備える。

【０００７】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
複数のチップに分離されるべき半導体基板の上面の分離
部に分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝内
および前記半導体基板の上面に犠牲層を形成する犠牲層
形成工程と、前記犠牲層の上面に支持板を接着する支持
板接着工程と、前記半導体基板の下面の分離部以外に裏
面電極を形成する裏面電極形成工程と、前記裏面電極を
マスクとして半導体基板の分離部を下面から前記分離溝
内の犠牲層の底部に達するまでエッチング除去する下面
分離部除去工程と、該下面分離部除去工程後に前記分離
溝内の犠牲層を下面側からエッチング除去する犠牲層除
去工程と、エッチング除去された前記半導体基板の分離
部の側壁面から突出する突起を除去し前記半導体基板の
分離部の側壁面を略平滑にする基板側壁処理工程と、前
記支持板を前記半導体基板から離脱させる支持板離脱工
程とを備える。

【０００８】ここで、前記基板側壁処理工程において、
前記半導体基板の分離部の側壁面をエッチャントに晒す
ことにより該側壁面を略平滑にエッチングする。

【０００９】あるいは、前記基板側壁処理工程におい
て、前記半導体基板の分離部の側壁面に流体を吹き付け
て該側壁面を略平滑化する。

【００１０】望ましくは、前記半導体基板の分離部の側
壁面に吹き付ける流体は、前記半導体基板を溶融するエ
ッチャントを含む。

【００１１】あるいは、前記半導体基板の分離部の側壁
面に吹き付ける流体は、前記半導体基板を研磨する研磨
剤を含む。

【００１２】望ましくは、前記基板側壁処理工程におい
て、前記半導体基板の分離部の側壁面を前記裏面電極の
端部より内側に後退させる。

【００１３】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
複数のチップに分離されるべき半導体基板の上面の分離
部に分離溝を形成する分離溝形成工程と、少なくとも前
記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記
半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成する裏
面電極形成工程と、前記半導体基板の分離部を下面から
切削除去する下面分離部除去工程と、切削除去された前
記半導体基板の分離部の側壁面を前記裏面電極の端部よ
り内側に後退させる基板側壁処理工程と、前記犠牲層を
エッチング除去する犠牲層除去工程とを備える。

【００１４】ここで、前記基板側壁処理工程において、
前記半導体基板の分離部の側壁面をエッチャントに晒す
ことにより、該側壁面を略平滑にエッチングすると供
に、前記裏面電極の端部より内側に後退させる。

【００１５】

【作用】本発明の請求項１ないし請求項８に係る半導体
装置の製造方法では、チップ分離後に、チップを移し替
える際、チップ同士が衝突することがあるが、半導体基
板の分離部の側壁面を裏面電極の端部よりも内側まで後
退させて略平滑としているので、チップ同士が衝突して
も、半導体基板側面の突起によりチップ上面等に傷がつ
く事態を防止できる。また、ピンセット等を用いてハン
ドリングする際には、チップを裏面電極端部で持つこと
ができる。よって、半導体基板の分離部の側壁面から欠
けが生じないので、その破片がチップの上面に付着する
事態を防止できる。

【００１６】また、特に請求項２に係る半導体装置の製
造方法では、半導体基板の分離部の下面側をエッチング
除去した後、上面側の分離溝内の犠牲層をエッチング除
去しても、半導体基板の上面が犠牲層を介して支持板に
接着された状態のままなので、基板側壁処理工程におい
て、複数の半導体基板の分離部の側壁面を一度に略平滑
にできる。

【００１７】

【実施例】［第１の実施例］図１は本発明の第１の実施
例の半導体装置を示す図である。図１において、２１は
半導体基板、２２は金メッキ等の裏面電極、２３は前記
半導体基板２１の分離部の側壁面である。そして、前記
半導体基板２１の分離部の側壁面２３は、チップのハン
ドリング時等に欠けが生じるのを防止するよう、前記裏
面電極２２の端部よりも内側に引き込まれかつ略平滑に
形成されている。

【００１８】該半導体装置の製造方法を説明する。ま
ず、ウェハとして複数のチップが縦横に連続並置された
状態で、半導体基板２１の分離部（分割ライン）以外の
上面をレジスト等でマスキングし、前記分離部の上面を
５〜１５μｍの深さ程度に選択的にエッチング除去し
て、図２のような分離溝３２を形成する（分離溝形成工
程）。前記分離溝３２内および前記半導体基板２１の上
面にレジストからなる犠牲層３３ａ，３３ｂをスピン式
またはローラ式等にて形成する（犠牲層形成工程）。こ
の際、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面をほぼ面一とな
るよう形成しておく。次に、該犠牲層３３ａ，３３ｂの
全上面にワックス３４を平坦に塗布し、さらに、図３の
如く、該ワックス３４の全上面に例えばガラス等からな
る一枚の支持板３５を接着する（支持板接着工程）。こ
の状態で、半導体基板２１を下面より、厚み３０μｍ程
度になるまで研削、研磨加工し、該下面の分離部以外の
領域に、図４の如く、厚み３５μｍの金メッキ等の裏面
電極２２を形成する（裏面電極形成工程）。その後、前
記裏面電極２２をマスクとして、半導体基板２１の分離
部に下面から基板溶解用のエッチャントＥ１を供給して
ウエットエッチングにより一部をエッチング除去する
（下面分離部除去工程）。ここでのエッチャントＥ１と
しては、例えば酸化剤とフッ化水素水溶液との混合液等
の一般的なものを用いる。そうすると、前記基板溶解用
のエッチャントＥ１は隣合う裏面電極２２の間の間隙か
らのみ侵食進行するため、除去された部分の形状は図５
および図６のように断面視略半円状となる。また、ここ
でのエッチング深さは、前記分離溝３２内の犠牲層３３
ａの底部に達する程度とし、故に半導体基板２１の分離
溝３２の底面に、下側に開放される所定幅ｗ１の条孔３
６が形成される。しかる後、前記条孔３６からレジスト
溶解用のエッチャントＥ２を前記分離溝３２内に侵食さ
せ、図７のように分離溝３２内の犠牲層３３ａのみを下
面側から選択的にエッチング除去する（犠牲層除去工
程）。そうすると、各チップは半導体基板２１の側面方
向に分離される。但し、全チップの半導体基板２１の上
面が、犠牲層３３ｂおよびワックス３４を介して一枚の
支持板３５に接着されているため、依然、全チップが縦
横に連続並置された状態が維持される。

【００１９】このとき、半導体基板２１はレジスト溶解
用のエッチャントＥ２にて溶解しないため、分離溝３２
の底壁が残留し、半導体基板２１の分離部の側壁面２３
に側方へ突出する突起３７が形成される。しかし、かか
る突起３７をそのまま残留させると、後にピンセット等
を用いてチップをハンドリングする際に突起３７の一部
に欠けが生じ、その破片がチップの上面に付着したり、
あるいは複数のチップを移し替える際にチップ同士の衝
突などで突起３７によりチップ上面のパターンに傷をつ
ける。そこで、犠牲層除去工程後において、前記下面分
離部除去工程で用いた基板溶解用のエッチャントＥ１を
再び下面から供給しウエットエッチングを行う。そうす
ると、突起３７の下側からエッチャントＥ１が侵食する
とともに、エッチャントＥ１が条孔３６を通って上面側
の分離溝３２に入り込み、突起３７の上側からもエッチ
ャントＥ１が侵食する。したがって、突起３７は上下両
方向からエッチングされ、図８に示すような形状変化を
起こして、突起３７の先端が裏面電極２２の端部よりも
内側まで後退し、半導体基板２１の分離部の側壁面２３
が略平滑になる（基板側壁処理工程）。しかる後、前記
支持板３５を前記半導体基板２１から離脱させ（支持板
離脱工程）、ワックス３４を洗浄除去した後、レジスト
溶解用のエッチャントＥ２にて半導体基板２１の上面の
犠牲層３３ｂをエッチング除去し、図１に示した個々の
チップに分離、完成される。

【００２０】かかるチップ分離後の後工程において、チ
ップを一括して何度も移し替える。このとき、チップ同
士が衝突するが、本実施例では半導体基板２１の分離部
の側壁面２３を裏面電極２２の端部よりも内側まで後退
させて略平滑としているので、前述のようにチップ同士
が衝突しても、半導体基板２１側面の突起３７により、
チップ上面に傷をつける事態を防止できる。また、図９
の如く、ピンセット３８等を用いてチップをハンドリン
グする際に、半導体基板２１の分離部の側壁面２３を略
平滑とし、裏面電極２２の端部より内側に後退させてい
るためにチップを裏面電極２２端部でハンドリングでき
る。従って、半導体基板２１の分離部の側壁面２３から
欠けが生じないので、その破片がチップの上面に付着す
る事態を防止できる。

【００２１】［第２の実施例］本発明の第２の実施例の
製造方法は、図１に示した第１の実施例と同様の半導体
装置を製造するものであるが、基板側壁処理工程におい
て半導体基板２１の分離部の側壁面２３の突起を除去す
る方法が異なる。本実施例の製造方法を説明する。ま
ず、図２に示した第１の実施例と同様、ウェハとして複
数のチップが縦横に連続並置された状態で、半導体基板
２１の分離部（分割ライン）以外の上面をレジスト等で
マスキングし、前記分離部の上面を選択的にエッチング
除去して、分離溝３２を形成する（分離溝形成工程）。
そして、分離溝３２内および半導体基板２１の上面にレ
ジストからなる犠牲層３３ａ，３３ｂを形成する（犠牲
層形成工程）。次に、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面
にワックス３４を塗布し、さらに、図３に示した第１の
実施例と同様、該ワックス３４の全上面に例えばガラス
等からなる一枚の支持板３５を接着する（支持板接着工
程）。この状態で、半導体基板２１の下面を研削、研磨
した後、分離部以外の領域に金メッキ等の裏面電極２２
を形成する（裏面電極形成工程）。その後、前記裏面電
極２２をマスクとして、半導体基板２１の分離部に下面
から基板溶解用のエッチャントＥ１を供給してウエット
エッチングにより一部をエッチング除去する（下面分離
部除去工程）。そうすると、前記基板溶解用のエッチャ
ントＥ１は隣合う裏面電極２２の間の間隙からのみ侵食
進行するため、除去された部分の形状は、図５および図
６に示した第１の実施例と同様、断面視略半円状とな
る。また、ここでのエッチング深さを、前記分離溝３２
内の犠牲層３３ａの底部に達する程度とすることで、半
導体基板２１の分離溝３２の底面に一定幅の条孔３６を
形成する。しかる後、前記条孔３６からレジスト溶解用
のエッチャントＥ２を前記分離溝３２内に侵食させ、分
離溝３２内の犠牲層３３ａのみを下面側から選択的にエ
ッチング除去する（犠牲層除去工程）。このとき、図７
の如く、半導体基板２１の分離溝３２の底壁部分が残留
して突起３７が形成される。そこで、半導体基板２１の
分離部に水等の流体Ｆ１を図示しない噴霧装置（スプレ
ー）で下側から強圧で吹き付けて噴射加工し、図１０の
ように突起３７を折り除き、図１１の如く、半導体基板
２１の分離部の側壁面２３を略平滑にする（基板側壁処
理工程）。この際、裏面電極２２の端部よりも内側まで
後退させておく。しかる後、前記支持板３５を前記半導
体基板２１から離脱させ（支持板離脱工程）、ワックス
３４を洗浄除去した後、レジスト溶解用のエッチャント
Ｅ２にて半導体基板２１の上面の犠牲層３３ｂをエッチ
ング除去し、図１に示した第１の実施例と同様、個々の
チップに分離、完成される。

【００２２】本実施例によっても、チップ同士が衝突し
ても、半導体基板２１の側面の突起３７により、チップ
上面に傷をつける事態を防止でき、また、ピンセット３
８等を用いてチップをハンドリングする際に、半導体基
板２１の分離部の側壁面２３を略平滑とし、裏面電極２
２の端部より内側に後退させているためにチップを裏面
電極２２端部でハンドリングできる。従って、半導体基
板２１の分離部の側壁面２３から欠けが生じないので、
その破片がチップの上面に付着する事態を防止できる。

【００２３】［第３の実施例］本発明の第３の実施例の
製造方法は、第２の実施例と同様の半導体装置を製造す
るものであるが、基板側壁処理工程において半導体基板
２１の分離部に吹き付ける水等の流体Ｆ１に、例えば酸
化剤とフッ化水素水溶液との混合液等の一般的な基板溶
融用エッチャントを含ませる。すなわち、図１０に示し
た第２の実施例と同様の状態で、半導体基板２１の分離
部に、基板溶融用エッチャントを含む流体Ｆ１を図示し
ない噴霧装置（スプレー）で下側から強圧で吹き付けて
噴射加工し、突起３７を物理的作用により折り除く。こ
れと同時に、流体Ｆ１中の基板溶融用エッチャントにて
半導体基板２１の分離部の側壁面２３をエッチングす
る。この際のエッチャントは、流体Ｆ１にて希薄化され
ているので、過度に半導体基板２１の分離部の側壁面２
３をエッチングすることもなく、該分離部の側壁面２３
上のざらつきをなくして平滑にする。このように基板側
壁を処理すると、第２の実施例以上に素早くかつより平
滑に処理できる。その他の処理方法は、第２の実施例と
同様である。

【００２４】［第４の実施例］本発明の第４の実施例の
製造方法は、第２の実施例と同様の半導体装置を製造す
るものであるが、基板側壁処理工程において半導体基板
２１の分離部に吹き付ける水等の流体Ｆ１に、例えばア
ルミナ質研削材、炭化ケイ素質研削材（シリカ研削
材）、人造エメリー研削材、ダイヤモンド研削材、ボラ
ゾン研削材等を用いた粒状の研磨剤（遊離砥粒）を懸濁
状に含ませる。すなわち、図１０に示した第２の実施例
と同様の状態で、半導体基板２１の分離部に、前記研磨
剤を含む流体Ｆ１を図示しない噴霧装置（スプレー）で
下側から強圧で吹き付けて噴射加工し、突起３７を物理
的作用により折り除く。これと同時に、流体Ｆ１中の研
磨剤にて半導体基板２１の分離部の側壁面２３を滑らか
に研磨する。このように基板側壁を処理すると、第２の
実施例以上に素早くかつより平滑に処理できる。その他
の処理方法は、第２の実施例と同様である。

【００２５】［第５の実施例］本発明の第５の実施例の
製造方法は、図１に示した第１の実施例と同様の半導体
装置を製造するものであるが、下面分離部除去工程にお
いて半導体基板２１の分離部を除去する方法が異なる。
本実施例の製造方法を説明する。まず、ウェハとして複
数のチップが縦横に連続並置された状態で、半導体基板
２１の分離部（分割ライン）以外の上面をレジスト等で
マスキングし、前記分離部の上面を選択的にエッチング
除去して、図２に示した第１の実施例と同様、分離溝３
２を形成する（分離溝形成工程）。そして、分離溝３２
内および半導体基板２１の上面にレジストからなる犠牲
層３３ａ，３３ｂを形成する（犠牲層形成工程）。次
に、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面にワックス３４を
塗布し、さらに、図３に示した第１の実施例と同様、該
ワックス３４の全上面に例えばガラス等からなる一枚の
支持板３５を接着する（支持板接着工程）。この状態
で、半導体基板２１の下面を研削、研磨した後、該下面
の分離部以外の領域に金メッキ等の裏面電極２２を形成
する（裏面電極形成工程）。その後、図１２の如く、半
導体基板２１の分離部の下面側からダイシングソーを用
いてハーフダイシングし、下面の分離部を断面視略コ字
形に除去する（下面分離部除去工程）。このときのダイ
シング深さは、分離溝３２内の犠牲層３３ａの底部に達
する程度としておく。また、ここでは、ダイシング幅ｗ
２を隣合う裏面電極２２同士の間の間隙幅ｗ３より僅か
に小さく設定しておく。

【００２６】しかる後、基板溶解用のエッチャントＥ１
を下面側から供給しウエットエッチングを行う。そうす
ると、エッチャントＥ１は半導体基板２１の分離部の側
壁面２３から内部側方へ向かって侵食し、図１３の如
く、半導体基板２１の分離部の側壁面２３が略平滑な状
態を維持しながら、裏面電極２２の端部より内側まで後
退する（基板側壁処理工程）。しかる後、前記支持板３
５を前記半導体基板２１から離脱させ（支持板離脱工
程）、ワックス３４を洗浄除去した後、レジスト溶解用
のエッチャントＥ２にて半導体基板２１の上面および分
離溝３２内の犠牲層３３ａ，３３ｂをエッチング除去
し、図１に示した第１の実施例と同様、個々のチップに
分離、完成される。

【００２７】かかるチップ分離後の後工程において、チ
ップを一括して何度も移し替える。このとき、チップ同
士が衝突することがあるが、本実施例では半導体基板２
１の分離部の側壁面２３を裏面電極２２の端部よりも内
側まで後退させているので、前述のようにチップ同士が
衝突しても、半導体基板２１側面の突起３７により、チ
ップ上面に傷をつける事態を防止できる。また、図１４
の如く、ピンセット３８等を用いてチップをハンドリン
グする際に、半導体基板２１の分離部の側壁面２３を略
平滑とし、裏面電極２２の端部より内側に後退させてい
るためにチップを裏面電極２２端部でハンドリングでき
る。従って、半導体基板２１の分離部の側壁面２３から
欠けが生じないので、その破片がチップの上面に付着す
る事態を防止できる。

【００２８】［変形例］（１）第２の実施例では、基板
側壁処理工程において、分離部に下面から吹き付ける流
体Ｆ１として水を用いていたが、例えば基板溶融用のエ
ッチャントＥ１等の他の液体を吹き付けてもよく、ある
いは液体以外に気体を吹き付けてもよい。（２）第３の
実施例では、基板側壁処理工程において半導体基板２１
の分離部に吹き付ける流体Ｆ１に、基板溶融用エッチャ
ントのみを含ませ、第４の実施例では、流体Ｆ１に研磨
剤のみを含ませていたが、基板溶融用エッチャントと研
磨剤の両方を含ませてもよい。

【００２９】

【発明の効果】本発明請求項１から請求項８によると、
半導体基板の分離部の側壁面を略平滑としているので、
チップ分離後にチップを移し替える際、チップ同士が衝
突しても、半導体基板側面の突起により、チップ上面等
に傷がつく事態を防止できる。また、ピンセット等を用
いてチップをハンドリングする際には、半導体基板の分
離部の側壁面を略平滑とし、裏面電極の端部よりも内側
に後退させているためにチップのハンドリングを裏面電
極端部で行うことができる。従って、半導体基板の分離
部の側壁面から欠けが生じないので、その破片がチップ
の上面に付着する事態を防止できるという効果がある。

【００３０】特に請求項２に係る半導体装置の製造方法
では、半導体基板の分離部の下面側をエッチング除去し
た後、上面側の分離溝内の犠牲層をエッチング除去して
も、半導体基板の上面が犠牲層を介して支持板に接着さ
れた状態のままなので、基板側壁処理工程において、複
数の半導体基板の分離部の側壁面を一度に略平滑にでき
るという効果がある。

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１３】

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のチップに分離されるべき半導体基
   板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程
   と、 少なくとも前記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層形成
   工程と、 前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成す
   る裏面電極形成工程と、 前記裏面電極をマスクとして半導体基板の分離部を下面
   からエッチング除去する下面分離部除去工程と、 該下面分離部除去工程後に前記分離溝内の犠牲層を除去
   する犠牲層除去工程と、 エッチング除去された前記半導体基板の分離部の側壁面
   から突出する突起を除去し前記半導体基板の分離部の側
   壁面を略平滑にする基板側壁処理工程とを備える半導体
   装置の製造方法。
2. 【請求項２】 複数のチップに分離されるべき半導体基
   板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程
   と、 前記分離溝内および前記半導体基板の上面に犠牲層を形
   成する犠牲層形成工程と、 前記犠牲層の上面に支持板を接着する支持板接着工程
   と、 前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成す
   る裏面電極形成工程と、 前記裏面電極をマスクとして半導体基板の分離部を下面
   から前記分離溝内の犠牲層の底部に達するまでエッチン
   グ除去する下面分離部除去工程と、 該下面分離部除去工程後に前記分離溝内の犠牲層を下面
   側からエッチング除去する犠牲層除去工程と、 エッチング除去された前記半導体基板の分離部の側壁面
   から突出する突起を除去し前記半導体基板の分離部の側
   壁面を略平滑にする基板側壁処理工程と、 前記支持板を前記半導体基板から離脱させる支持板離脱
   工程とを備える半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 複数のチップに分離されるべき半導体基
   板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程
   と、 少なくとも前記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層形成
   工程と、 前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成す
   る裏面電極形成工程と、 前記半導体基板の分離部を下面から切削除去する下面分
   離部除去工程と、 切削除去された前記半導体基板の分離部の側壁面を前記
   裏面電極の端部より内側に後退させる基板側壁処理工程
   と、 前記犠牲層をエッチング除去する犠牲層除去工程とを備
   える半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記基板側壁処理工程において、前記半
   導体基板の分離部の側壁面をエッチャントに晒すことに
   より該側壁面を略平滑にエッチングする、請求項１、請
   求項２または請求項３記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記基板側壁処理工程において、前記半
   導体基板の分離部の側壁面に流体を吹き付けて該側壁面
   を略平滑化する、請求項１、請求項２または請求項３記
   載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記半導体基板の分離部の側壁面に吹き
   付ける流体は、前記半導体基板を溶融するエッチャント
   を含む、請求項５記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記半導体基板の分離部の側壁面に吹き
   付ける流体は、前記半導体基板を研磨する研磨剤を含
   む、請求項５記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記基板側壁処理工程において、前記半
   導体基板の分離部の側壁面を前記裏面電極の端部より内
   側に後退させる、請求項１または請求項２記載の半導体
   装置の製造方法。