JPH07135166A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH07135166A JPH07135166A JP5282310A JP28231093A JPH07135166A JP H07135166 A JPH07135166 A JP H07135166A JP 5282310 A JP5282310 A JP 5282310A JP 28231093 A JP28231093 A JP 28231093A JP H07135166 A JPH07135166 A JP H07135166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light flux
- light
- area
- mask
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン領域を感光基板上でつなぎ合わせて
露光する露光装置において、パターン領域をつなぎ合わ
せる部分に対応する部分の光強度を減衰するための視野
絞りの透過率を精度良く調整できる視野絞りを提供する
とともに、簡単な構成でこの視野絞りの異物の検査が可
能な露光装置を提供する。 【構成】 ガラス基板１９，２０上にクロム等を蒸着し
て不透明領域１９ａ，２０ａと、減光領域１９ｂ，２０
ｂと、透明領域１９ｃ，２０ｃとを形成し、このガラス
基板どうしを蒸着面を対向させて配置して視野絞り１８
として用いる。この視野絞り１８に対して光束を照射
し、異物から生じた散乱光をレンズ系８，１５、反射鏡
１４、ピンホール板１６を介してディテクタ１７で検出
する。
露光する露光装置において、パターン領域をつなぎ合わ
せる部分に対応する部分の光強度を減衰するための視野
絞りの透過率を精度良く調整できる視野絞りを提供する
とともに、簡単な構成でこの視野絞りの異物の検査が可
能な露光装置を提供する。 【構成】 ガラス基板１９，２０上にクロム等を蒸着し
て不透明領域１９ａ，２０ａと、減光領域１９ｂ，２０
ｂと、透明領域１９ｃ，２０ｃとを形成し、このガラス
基板どうしを蒸着面を対向させて配置して視野絞り１８
として用いる。この視野絞り１８に対して光束を照射
し、異物から生じた散乱光をレンズ系８，１５、反射鏡
１４、ピンホール板１６を介してディテクタ１７で検出
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板等の大型
基板の露光に用いられる露光装置に関するものである。
基板の露光に用いられる露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソコン、テレビ等の表示素子と
して、液晶表示基板が多用されるようになった。この液
晶表示基板は、ガラス基板上に透明薄膜電極をフォトリ
ソグラフィの手法で所望の形状にパターニングして作ら
れる。このリソグラフィのための装置として、マスク上
に形成された原画パターンを投影光学系を介してガラス
基板上のフォトレジスト層に露光する投影露光装置が用
いられている。
して、液晶表示基板が多用されるようになった。この液
晶表示基板は、ガラス基板上に透明薄膜電極をフォトリ
ソグラフィの手法で所望の形状にパターニングして作ら
れる。このリソグラフィのための装置として、マスク上
に形成された原画パターンを投影光学系を介してガラス
基板上のフォトレジスト層に露光する投影露光装置が用
いられている。
【０００３】また、最近では液晶表示基板の大面積化が
要求されており、それに伴って上記の投影露光装置にお
いても露光領域の拡大が望まれている。この露光領域の
拡大の手段として、マスクのパターン領域の像の複数を
感光基板上でつなぎ合わせて露光する、所謂つなぎ露光
を行う装置が提案されている。即ち、大面積の感光基板
を複数の領域に分割し、この領域それぞれにマスクのパ
ターン領域を位置決めして転写する構成の装置である。
要求されており、それに伴って上記の投影露光装置にお
いても露光領域の拡大が望まれている。この露光領域の
拡大の手段として、マスクのパターン領域の像の複数を
感光基板上でつなぎ合わせて露光する、所謂つなぎ露光
を行う装置が提案されている。即ち、大面積の感光基板
を複数の領域に分割し、この領域それぞれにマスクのパ
ターン領域を位置決めして転写する構成の装置である。
【０００４】このつなぎ露光では、マスクや感光基板の
位置決め精度、および投影光学系の結像特性などの影響
により、隣合うパターン領域どうしの境界（つなぎ部）
でパターンの位置ずれが生じ、延いては液晶表示基板の
表示性能の低下することになる。この位置ずれによる影
響を軽減するため、露光装置の視野絞りと共役な位置に
視野絞りのエッジ近傍の光量をほぼ連続的に変化させる
遮光部材を設けることが考えられる。これは、マスクの
パターン領域を転写する際に、この遮光部材を用いてパ
ターン領域の周辺部の像の強度を徐々に変化させるとと
もにこの周辺部どうしを重ね合わせて露光するものであ
る。
位置決め精度、および投影光学系の結像特性などの影響
により、隣合うパターン領域どうしの境界（つなぎ部）
でパターンの位置ずれが生じ、延いては液晶表示基板の
表示性能の低下することになる。この位置ずれによる影
響を軽減するため、露光装置の視野絞りと共役な位置に
視野絞りのエッジ近傍の光量をほぼ連続的に変化させる
遮光部材を設けることが考えられる。これは、マスクの
パターン領域を転写する際に、この遮光部材を用いてパ
ターン領域の周辺部の像の強度を徐々に変化させるとと
もにこの周辺部どうしを重ね合わせて露光するものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術においては、遮光部材として例えば視野絞りのエッジ
近傍の透過率を調整することが考えられるが、光量をほ
ぼ連続的に変化させるように視野絞りのエッジの透過率
を制御することは困難であった。また、従来からある視
野絞りとは別の構成の遮光部材を用いるとしても、この
遮光部材はマスクと共役な位置、または共役な位置の近
傍に配置する必要があるため、この遮光部材に異物が付
着すると感光基板上に転写されて欠陥となるという問題
が生じる恐れがある。遮光部材上への異物の付着は事前
の清掃等で極力防止することはできるが、長期に渡って
防止することは困難であり、また定期的に清掃を行った
としても、露光装置内に検査手段を備えていないため、
確認が困難であった。
術においては、遮光部材として例えば視野絞りのエッジ
近傍の透過率を調整することが考えられるが、光量をほ
ぼ連続的に変化させるように視野絞りのエッジの透過率
を制御することは困難であった。また、従来からある視
野絞りとは別の構成の遮光部材を用いるとしても、この
遮光部材はマスクと共役な位置、または共役な位置の近
傍に配置する必要があるため、この遮光部材に異物が付
着すると感光基板上に転写されて欠陥となるという問題
が生じる恐れがある。遮光部材上への異物の付着は事前
の清掃等で極力防止することはできるが、長期に渡って
防止することは困難であり、また定期的に清掃を行った
としても、露光装置内に検査手段を備えていないため、
確認が困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点解決のため本
発明では、光源（１）からの第１の光束をマスク（１
１）上のパターン領域に選択的に照明するとともに、照
明されたパターン領域の像を感光基板（１３）上の第１
の領域に転写し、感光基板上の第１の領域に接する第２
の領域にマスクの選択されたパターン領域の像を転写す
る露光装置において、複数の透明基板（１９，２０）上
のそれぞれに遮光性部材を設けることにより第１の光束
をほぼ遮光する領域（１９ｃ，２０ｃ）と、第１の光束
の透過率がほぼ連続的に変化する領域（１９ｂ，２０
ｂ）と、第１の光束がほぼ完全に透過する領域（１９
ａ，２０ａ）とを備えるとともに、マスクとほぼ共役な
位置に配置されて照明する領域を選択する照明領域選択
手段（１８）と；照明領域選択手段に対して第２の光束
を照射する光束照射手段（２２，２３）と；第２の光束
によって生じる照明領域選択手段からの光情報を検出す
る検出手段（１４，１５，１６，１７）とを備えること
とした。
発明では、光源（１）からの第１の光束をマスク（１
１）上のパターン領域に選択的に照明するとともに、照
明されたパターン領域の像を感光基板（１３）上の第１
の領域に転写し、感光基板上の第１の領域に接する第２
の領域にマスクの選択されたパターン領域の像を転写す
る露光装置において、複数の透明基板（１９，２０）上
のそれぞれに遮光性部材を設けることにより第１の光束
をほぼ遮光する領域（１９ｃ，２０ｃ）と、第１の光束
の透過率がほぼ連続的に変化する領域（１９ｂ，２０
ｂ）と、第１の光束がほぼ完全に透過する領域（１９
ａ，２０ａ）とを備えるとともに、マスクとほぼ共役な
位置に配置されて照明する領域を選択する照明領域選択
手段（１８）と；照明領域選択手段に対して第２の光束
を照射する光束照射手段（２２，２３）と；第２の光束
によって生じる照明領域選択手段からの光情報を検出す
る検出手段（１４，１５，１６，１７）とを備えること
とした。
【０００７】
【作用】本発明によれば、透明基板上に光吸収性の部材
を設けて遮光部材を形成し、この遮光部材をマスクとほ
ぼ共役な位置に配置するようにしたため、視野絞りのエ
ッジ近傍での透過率を精度良く調整することができる。
また、この遮光部材に対して光束を照射し、この光束に
よる遮光部材からの光情報を検出するようにしたため、
簡単な構成で定期的に異物の検査を行うことができ、感
光基板に対する異物の転写を防止することが可能とな
る。
を設けて遮光部材を形成し、この遮光部材をマスクとほ
ぼ共役な位置に配置するようにしたため、視野絞りのエ
ッジ近傍での透過率を精度良く調整することができる。
また、この遮光部材に対して光束を照射し、この光束に
よる遮光部材からの光情報を検出するようにしたため、
簡単な構成で定期的に異物の検査を行うことができ、感
光基板に対する異物の転写を防止することが可能とな
る。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の実施例による露光装置の概
略的な構成を示す図である。超高圧水銀ランプ等の照明
光源１から射出した光束は、楕円鏡２で反射され、シャ
ッター３、反射鏡４を介して波長選択フィルター５に入
射する。この波長選択フィルター５によって露光に必要
な波長が選択された後、フライアイレンズ６，レンズ系
７で構成されるオプティカルインテグレータによって光
束の強度が均一化される。強度が均一化された光束は、
２枚のガラス基板１９，２０で構成される視野絞り１８
によってマスクに対する照明範囲を制限され、レンズ系
８、反射鏡９、コンデンサーレンズ１０を介してマスク
１１に照明される。尚、視野絞り１８は不図示の駆動系
によって駆動され、照明範囲の大きさを変更する。マス
ク１１を透過した光束は、投影光学系１２を介して感光
基板１３上にマスクのパターンの像を投影する。上記の
構成において、マスク１１、感光基板１３は互いに共役
に配置され、また視野絞り１８はマスク１１とほぼ共役
な位置に配置される。
略的な構成を示す図である。超高圧水銀ランプ等の照明
光源１から射出した光束は、楕円鏡２で反射され、シャ
ッター３、反射鏡４を介して波長選択フィルター５に入
射する。この波長選択フィルター５によって露光に必要
な波長が選択された後、フライアイレンズ６，レンズ系
７で構成されるオプティカルインテグレータによって光
束の強度が均一化される。強度が均一化された光束は、
２枚のガラス基板１９，２０で構成される視野絞り１８
によってマスクに対する照明範囲を制限され、レンズ系
８、反射鏡９、コンデンサーレンズ１０を介してマスク
１１に照明される。尚、視野絞り１８は不図示の駆動系
によって駆動され、照明範囲の大きさを変更する。マス
ク１１を透過した光束は、投影光学系１２を介して感光
基板１３上にマスクのパターンの像を投影する。上記の
構成において、マスク１１、感光基板１３は互いに共役
に配置され、また視野絞り１８はマスク１１とほぼ共役
な位置に配置される。
【０００９】ところで上記の視野絞り１８は、図２
（ａ）に示すような構成となっている。即ち、透明なガ
ラス基板１９，２０上にクロム等の蒸着膜を設けること
によって、照明光源１からの光束に対して不透明な不透
明領域１９ａ，２０ａ、透過率がほぼ０％からほぼ１０
０％の範囲でほぼ連続的に変化する減光領域１９ｂ，２
０ｂ、および透過率がほぼ１００％の透明領域１９ｃ，
２０ｃを形成する。これらのガラス基板１９，２０をそ
れぞれの蒸着面どうしをほぼ平行に対向させて配置し、
１つの視野絞り１８を構成する。この視野絞り１８は、
ガラス基板１９，２０をそれぞれの平面内で移動するこ
とによって、透明領域１９ａ，２０ａでできる透過領域
（開口）の大きさを変更する。
（ａ）に示すような構成となっている。即ち、透明なガ
ラス基板１９，２０上にクロム等の蒸着膜を設けること
によって、照明光源１からの光束に対して不透明な不透
明領域１９ａ，２０ａ、透過率がほぼ０％からほぼ１０
０％の範囲でほぼ連続的に変化する減光領域１９ｂ，２
０ｂ、および透過率がほぼ１００％の透明領域１９ｃ，
２０ｃを形成する。これらのガラス基板１９，２０をそ
れぞれの蒸着面どうしをほぼ平行に対向させて配置し、
１つの視野絞り１８を構成する。この視野絞り１８は、
ガラス基板１９，２０をそれぞれの平面内で移動するこ
とによって、透明領域１９ａ，２０ａでできる透過領域
（開口）の大きさを変更する。
【００１０】上記の構成の視野絞り１８によって制限さ
れる光束の感光基板１３上での強度分布は図２（ｂ）の
ようになる。即ち、透明領域１９ａ，２０ａで形成され
た領域を透過する光束の強度は均一で最大値を示し、減
光領域１９ｂ，２０ｂで形成された領域を透過する光束
の強度は透明領域１９ａ，２０ａから離れるに従ってほ
ぼ連続的に低下する（この部分を減衰部とする）。そし
て、不透明領域１９ｃ，２０ｃで形成された領域を透過
する光束の強度はほぼ０となる。感光基板１３上では、
図２（ｂ）に示すような強度分布のうち、隣合う減衰部
どうしが重複するように露光が行われ、全体として均一
な露光強度が得られるようになっている。
れる光束の感光基板１３上での強度分布は図２（ｂ）の
ようになる。即ち、透明領域１９ａ，２０ａで形成され
た領域を透過する光束の強度は均一で最大値を示し、減
光領域１９ｂ，２０ｂで形成された領域を透過する光束
の強度は透明領域１９ａ，２０ａから離れるに従ってほ
ぼ連続的に低下する（この部分を減衰部とする）。そし
て、不透明領域１９ｃ，２０ｃで形成された領域を透過
する光束の強度はほぼ０となる。感光基板１３上では、
図２（ｂ）に示すような強度分布のうち、隣合う減衰部
どうしが重複するように露光が行われ、全体として均一
な露光強度が得られるようになっている。
【００１１】さて、図１に示す露光装置にはさらに、検
査用の光束を照射する手段として半導体レーザ２３、レ
ンズ系２２が設けられている。この半導体レーザ２３か
らのレーザ光は、レンズ系２２によって視野絞り１８の
面に対して垂直な方向に微小角度で発散し、且つ視野絞
りの面内に平行な方向にほぼ平行となるように整形さ
れ、視野絞りの蒸着面に対して、蒸着面に平行に検査用
の光束を照射する。また、レンズ系８よりマスク側の光
路中には反射鏡１４が不図示の駆動装置によって進退可
能に配置され、反射鏡１４で反射された光束はレンズ系
１５、ピンホール板１６を介してディテクタ１７に入射
する。この反射鏡１４は視野絞り１８の検査の際に光路
中に進入するものであり、このときシャッター３が閉じ
て照明光源１からの光束は反射鏡１４に入射しないよう
になっている。これらの制御は、制御装置２４によって
実行される。視野絞り１８上に異物２１が存在する場
合、レーザ光の照射によって異物２１から散乱光が発生
し、レンズ系８に入射する。レンズ系８で集光された散
乱光は、反射鏡１４で反射されてディテクタ１７によっ
て検出される。ディテクタ１７は散乱光の強度に応じた
電気信号を出力する。そして視野絞りの駆動系によって
視野絞りを図１において紙面に垂直な方向に駆動し、視
野絞りの全面を検査する。ディテクタ１７からの電気信
号は制御装置２４に入力され、制御装置２４は視野絞り
１８上に異物２１が存在するものと判断して露光動作を
実行するのを中止する。尚、蒸着膜の厚さは検出すべき
異物の大きさに比べて薄いため、蒸着膜から発生する散
乱光の強度は非常に小さい。また、ピンホール板１６の
ピンホール径を変更することにより、異物の検出感度
（ピンホールの径に反比例）と一度に検査できる視野絞
りの面積を変更することができ、検査に要する時間を調
整することができる。この検査に要する時間と検出感度
とは反比例するため、必要に応じて適当な値を選択すれ
ばよい。
査用の光束を照射する手段として半導体レーザ２３、レ
ンズ系２２が設けられている。この半導体レーザ２３か
らのレーザ光は、レンズ系２２によって視野絞り１８の
面に対して垂直な方向に微小角度で発散し、且つ視野絞
りの面内に平行な方向にほぼ平行となるように整形さ
れ、視野絞りの蒸着面に対して、蒸着面に平行に検査用
の光束を照射する。また、レンズ系８よりマスク側の光
路中には反射鏡１４が不図示の駆動装置によって進退可
能に配置され、反射鏡１４で反射された光束はレンズ系
１５、ピンホール板１６を介してディテクタ１７に入射
する。この反射鏡１４は視野絞り１８の検査の際に光路
中に進入するものであり、このときシャッター３が閉じ
て照明光源１からの光束は反射鏡１４に入射しないよう
になっている。これらの制御は、制御装置２４によって
実行される。視野絞り１８上に異物２１が存在する場
合、レーザ光の照射によって異物２１から散乱光が発生
し、レンズ系８に入射する。レンズ系８で集光された散
乱光は、反射鏡１４で反射されてディテクタ１７によっ
て検出される。ディテクタ１７は散乱光の強度に応じた
電気信号を出力する。そして視野絞りの駆動系によって
視野絞りを図１において紙面に垂直な方向に駆動し、視
野絞りの全面を検査する。ディテクタ１７からの電気信
号は制御装置２４に入力され、制御装置２４は視野絞り
１８上に異物２１が存在するものと判断して露光動作を
実行するのを中止する。尚、蒸着膜の厚さは検出すべき
異物の大きさに比べて薄いため、蒸着膜から発生する散
乱光の強度は非常に小さい。また、ピンホール板１６の
ピンホール径を変更することにより、異物の検出感度
（ピンホールの径に反比例）と一度に検査できる視野絞
りの面積を変更することができ、検査に要する時間を調
整することができる。この検査に要する時間と検出感度
とは反比例するため、必要に応じて適当な値を選択すれ
ばよい。
【００１２】本実施例では、ディテクタ１７およびピン
ホール１６を１組配置する構成としたが、半導体レーザ
２３の照明線上に重複するように複数組配置してもよ
い。また、ディテクタとしてラインセンサを半導体レー
ザ２３の照明線に対応して配置すれば複数点を同時検出
することができ、検査時間を短縮することができる。ま
た、視野絞りに照射する半導体レーザ２３からの光束
は、図３に示すような線状のものとしたが、視野絞り１
８の面内の方向に発散して一度に視野絞り全面を照明す
る構成としても構わない。
ホール１６を１組配置する構成としたが、半導体レーザ
２３の照明線上に重複するように複数組配置してもよ
い。また、ディテクタとしてラインセンサを半導体レー
ザ２３の照明線に対応して配置すれば複数点を同時検出
することができ、検査時間を短縮することができる。ま
た、視野絞りに照射する半導体レーザ２３からの光束
は、図３に示すような線状のものとしたが、視野絞り１
８の面内の方向に発散して一度に視野絞り全面を照明す
る構成としても構わない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、透明基板
上に光吸収性の部材を設けて遮光部材を形成し、この遮
光部材をマスクとほぼ共役な位置に配置するようにした
ため、エッジ近傍での透過率を精度良く調整することが
できる遮光部材を得ることができる。また、この遮光部
材に対して光束を照射し、この光束による遮光部材から
の光情報を検出するようにしたため、簡単な構成で定期
的に異物の検査を行うことができ、感光基板に対する異
物の転写を防止することが可能となる。
上に光吸収性の部材を設けて遮光部材を形成し、この遮
光部材をマスクとほぼ共役な位置に配置するようにした
ため、エッジ近傍での透過率を精度良く調整することが
できる遮光部材を得ることができる。また、この遮光部
材に対して光束を照射し、この光束による遮光部材から
の光情報を検出するようにしたため、簡単な構成で定期
的に異物の検査を行うことができ、感光基板に対する異
物の転写を防止することが可能となる。
【図１】本発明の実施例による露光装置の概略的な構成
を示す図
を示す図
【図２】本発明の実施例による露光装置に用いる視野絞
りの構成を示す図
りの構成を示す図
１ 照明光源 ８ レンズ系 １１ マスク １３ 感光基板 １４ 反射鏡 １５ レンズ系 １６ ピンホール板 １７ ディテクタ １８ 視野絞り １９，２０ ガラス基板 １９ａ，２０ａ 透明領域 １９ｂ，２０ｂ 減光領域 １９ｃ，２０ｃ 不透明領域 ２２ レンズ系 ２３ 半導体レーザ ２４ 制御装置
Claims (4)
- 【請求項１】 光源からの第１の光束をマスク上のパタ
ーン領域に選択的に照明するとともに、該照明されたパ
ターン領域の像を感光基板上の第１の領域に転写し、前
記感光基板上の前記第１の領域に接する第２の領域に前
記マスクの選択されたパターン領域の像を転写する露光
装置において、 複数の透明基板上のそれぞれに遮光性部材を設けること
により前記第１の光束をほぼ遮光する領域と、前記第１
の光束の透過率がほぼ連続的に変化する領域と、前記第
１の光束がほぼ完全に透過する領域とを備えるととも
に、前記マスクとほぼ共役な位置に配置されて前記照明
する領域を選択する照明領域選択手段と；該照明領域選
択手段に対して第２の光束を照射する光束照射手段と；
前記第２の光束によって生じる前記照明領域選択手段か
らの光情報を検出する検出手段とを備えたことを特徴と
するする露光装置。 - 【請求項２】 前記第２の光束は、少なくとも前記透明
基板に垂直な方向に発散していることを特徴とする請求
項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記露光装置は、前記検出手段によって
検出される前記光情報に応じて前記転写を中止する露光
制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記
載の露光装置。 - 【請求項４】 前記検出手段は、前記第１の光束の光路
中に進退可能に配置された反射手段を備え、前記第２の
光束を照射した際に前記光情報を前記第１の光束の光路
から分離することによって前記光情報を検出することを
特徴とする請求項１に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282310A JPH07135166A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282310A JPH07135166A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135166A true JPH07135166A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17650758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5282310A Pending JPH07135166A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059012A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5282310A patent/JPH07135166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059012A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
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