JPH0713215Y2 - 半導体のレジストアッシング装置 - Google Patents
半導体のレジストアッシング装置Info
- Publication number
- JPH0713215Y2 JPH0713215Y2 JP1988004781U JP478188U JPH0713215Y2 JP H0713215 Y2 JPH0713215 Y2 JP H0713215Y2 JP 1988004781 U JP1988004781 U JP 1988004781U JP 478188 U JP478188 U JP 478188U JP H0713215 Y2 JPH0713215 Y2 JP H0713215Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- plasma
- wafer
- frequency power
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988004781U JPH0713215Y2 (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 半導体のレジストアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988004781U JPH0713215Y2 (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 半導体のレジストアッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01110432U JPH01110432U (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-07-26 |
| JPH0713215Y2 true JPH0713215Y2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=31207597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988004781U Expired - Lifetime JPH0713215Y2 (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 半導体のレジストアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713215Y2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3910084B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-04-25 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628254B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1994-04-13 | フュージョン・システムズ・コーポレーション | フオトレジストの剥離装置 |
| JPS6221225A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Fujitsu Ltd | レジストのアツシング方法 |
| JPS62245634A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP1988004781U patent/JPH0713215Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01110432U (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW204411B (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JP3234091B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JP4811877B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPS63234528A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPH0713215Y2 (ja) | 半導体のレジストアッシング装置 | |
| JP2008103556A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3404023B2 (ja) | ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法 | |
| JP3653735B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| US6781086B2 (en) | Method for removing photoresist | |
| JPH10135182A (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
| JPH06236864A (ja) | エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 | |
| JPH04307734A (ja) | アッシング装置 | |
| JPS62245634A (ja) | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 | |
| JP3297416B2 (ja) | レジスト灰化装置およびウエハー昇温方法 | |
| JP2579346Y2 (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPH06104169A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05347281A (ja) | アッシング方法及びアッシング装置 | |
| JPH02183524A (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JPS6370429A (ja) | アツシング装置 | |
| JP4059216B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPS62101027A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP3025454B2 (ja) | レジストアッシング装置 | |
| JP2000323455A (ja) | アッシング装置 | |
| JPH0634244U (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS63266825A (ja) | 有機物除去方法 |