JPH07130913A - 高周波用回路基板 - Google Patents
高周波用回路基板Info
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- JPH07130913A JPH07130913A JP5276966A JP27696693A JPH07130913A JP H07130913 A JPH07130913 A JP H07130913A JP 5276966 A JP5276966 A JP 5276966A JP 27696693 A JP27696693 A JP 27696693A JP H07130913 A JPH07130913 A JP H07130913A
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- ground
- microstrip
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高周波信号をマイクロストリップラインを用
いて伝送する場合において、マイクロストリップライン
の接続部による伝送特性の劣化を防止する。 【構成】 マイクロストリップライン３間をボンディン
グワイヤまたは金リボン６にて接続する場合、誘電率の
高いゴム状物質５を挿入することによりボンディングワ
イヤまたは金リボンの接続部における特性インピーダン
スの整合をとる構成とした。 【効果】 接続するマイクロストリップライン間のボン
ディングワイヤ、または金リボンの特性インピーダンス
をマイクロストリップラインのそれと整合をとることに
より、接合部で発生する高周波信号の反射をなくし伝送
特性の損失を防ぐ。
いて伝送する場合において、マイクロストリップライン
の接続部による伝送特性の劣化を防止する。 【構成】 マイクロストリップライン３間をボンディン
グワイヤまたは金リボン６にて接続する場合、誘電率の
高いゴム状物質５を挿入することによりボンディングワ
イヤまたは金リボンの接続部における特性インピーダン
スの整合をとる構成とした。 【効果】 接続するマイクロストリップライン間のボン
ディングワイヤ、または金リボンの特性インピーダンス
をマイクロストリップラインのそれと整合をとることに
より、接合部で発生する高周波信号の反射をなくし伝送
特性の損失を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信、地上マイ
クロ波通信、移動体通信等に使用する高周波用回路基板
に関するものである。
クロ波通信、移動体通信等に使用する高周波用回路基板
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、例えば、ＩＥＥＥ １９９２
ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＡＮＤ ＭＩＬＬＩＭＥＴＥＲ−
ＷＡＶＥ ＭＯＮＯＬＩＴＨＩＣ ＣＩＲＣＵＩＴＳ
ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＤＩＧＥＳＴ ｐｐ１５０９−１
５１１，“ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＭＯＤＵＬＥ ＩＮＴＥ
ＲＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ
ＵＳＩＮＧ ＭＵＬＴＩＬＡＹＥＲ ＴＨＩＮ ＦＩＬ
Ｍ／ＴＨＩＣＫ ＦＩＬＭ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ”に
示された従来の高帯域の送受信モジュール用パッケージ
の断面図であり、図において、１６は銅／モリブデン／
銅のクラッド材を用いた基板、１７は金／錫はんだ層、
１８はエポキシ層、１９は多層厚膜回路、２０は９９．
６％アルミナ基板、２１は低融点ガラス、２２は９６％
アルミナ・シールリング、２３はＭＭＩＣ、２４はコバ
ール・リッド、２５はバイアホール、２６は薄膜回路、
２７は整合回路、２８はボンディングワイヤである。
ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＡＮＤ ＭＩＬＬＩＭＥＴＥＲ−
ＷＡＶＥ ＭＯＮＯＬＩＴＨＩＣ ＣＩＲＣＵＩＴＳ
ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＤＩＧＥＳＴ ｐｐ１５０９−１
５１１，“ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＭＯＤＵＬＥ ＩＮＴＥ
ＲＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ
ＵＳＩＮＧ ＭＵＬＴＩＬＡＹＥＲ ＴＨＩＮ ＦＩＬ
Ｍ／ＴＨＩＣＫ ＦＩＬＭ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ”に
示された従来の高帯域の送受信モジュール用パッケージ
の断面図であり、図において、１６は銅／モリブデン／
銅のクラッド材を用いた基板、１７は金／錫はんだ層、
１８はエポキシ層、１９は多層厚膜回路、２０は９９．
６％アルミナ基板、２１は低融点ガラス、２２は９６％
アルミナ・シールリング、２３はＭＭＩＣ、２４はコバ
ール・リッド、２５はバイアホール、２６は薄膜回路、
２７は整合回路、２８はボンディングワイヤである。
【０００３】次に動作について説明する。多層厚膜回路
１９ａから入力された高周波（マイクロ波）信号は、バ
イアホール２５ａ、アルミナ基板２０上に形成した薄膜
回路２６ａ、ボンディングワイヤ２８ａを通過して、Ｇ
ａＡｓ製のＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）
２３ａで増幅され、薄膜回路２６ｂ、ボンディングワイ
ヤ２８ｂ、バイヤホール２５ｂを通り多層厚膜回路１９
ｂを経由して他のＭＭＩＣ２３ｂへ入力される。また、
回路構成によっては、ＭＭＩＣ２３ｂと整合回路２７そ
して薄膜回路２６をボンディングワイヤ２８で接続して
信号を伝送する。
１９ａから入力された高周波（マイクロ波）信号は、バ
イアホール２５ａ、アルミナ基板２０上に形成した薄膜
回路２６ａ、ボンディングワイヤ２８ａを通過して、Ｇ
ａＡｓ製のＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）
２３ａで増幅され、薄膜回路２６ｂ、ボンディングワイ
ヤ２８ｂ、バイヤホール２５ｂを通り多層厚膜回路１９
ｂを経由して他のＭＭＩＣ２３ｂへ入力される。また、
回路構成によっては、ＭＭＩＣ２３ｂと整合回路２７そ
して薄膜回路２６をボンディングワイヤ２８で接続して
信号を伝送する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波用モジュ
ールは以上のように構成されているので、ＩＣチップ間
またはＩＣチップと伝送線路間を接続しなければなら
ず、ワイヤボンディングまたは金リボン接続することが
必要である。この接続により、伝送線路では通常、特性
インピーダンスが５０Ωに設定されているが、ボンディ
ングワイヤや金リボンにおいては、特性インピーダンス
が１００〜２００Ωと高くなるため、接続部において伝
送線路との特性インピーダンス違うことにより高周波信
号が反射し、通過損失の増大や利得が下がるなどの問題
点があった。通常、ボンディングワイヤの長さは２００
〜６００μｍで使用されるが、長さを６００μｍにした
場合の反射特性を図９に示すが、２．５ＧＨｚ以上にお
いて−２０ｄＢ以上になってしまい有効に信号が伝わっ
ていないことがわかる。
ールは以上のように構成されているので、ＩＣチップ間
またはＩＣチップと伝送線路間を接続しなければなら
ず、ワイヤボンディングまたは金リボン接続することが
必要である。この接続により、伝送線路では通常、特性
インピーダンスが５０Ωに設定されているが、ボンディ
ングワイヤや金リボンにおいては、特性インピーダンス
が１００〜２００Ωと高くなるため、接続部において伝
送線路との特性インピーダンス違うことにより高周波信
号が反射し、通過損失の増大や利得が下がるなどの問題
点があった。通常、ボンディングワイヤの長さは２００
〜６００μｍで使用されるが、長さを６００μｍにした
場合の反射特性を図９に示すが、２．５ＧＨｚ以上にお
いて−２０ｄＢ以上になってしまい有効に信号が伝わっ
ていないことがわかる。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、接続部において高周波信号の伝
送特性が劣化するのを防止できるとともに、マイクロス
トリップラインのグランドプレーンを強化できる高周波
回路用モジュールを得ることを目的とする。
ためになされたもので、接続部において高周波信号の伝
送特性が劣化するのを防止できるとともに、マイクロス
トリップラインのグランドプレーンを強化できる高周波
回路用モジュールを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる高周波
用回路基板は、マイクロストリップライン間をワイヤボ
ンディングまたは金リボンで、接続するとともに、その
接続部の特性インピーダンスをマイクロストリップライ
ンのそれと同じにしたものである。更にこの発明は、絶
縁基板に１／８波長以下でバイアを形成し、絶縁基板上
のグランドとしての働きを強化するものである。
用回路基板は、マイクロストリップライン間をワイヤボ
ンディングまたは金リボンで、接続するとともに、その
接続部の特性インピーダンスをマイクロストリップライ
ンのそれと同じにしたものである。更にこの発明は、絶
縁基板に１／８波長以下でバイアを形成し、絶縁基板上
のグランドとしての働きを強化するものである。
【０００７】
【作用】この発明における高周波用回路基板は、マイク
ロストリップラインにより高周波信号が伝送され、接続
部による伝送損失を防止する。また、この発明の製造方
法では絶縁基板にバイアを１／８波長以下で作製する第
１の工程とその基板上にグランドパターンを形成する第
２の工程によりマイクロストリップラインまたは接続部
の特性インピーダンスを支配するグランドパターン形状
を形成するので特性インピーダンスの違いによる反射が
抑えられ伝送特性が均一となる。
ロストリップラインにより高周波信号が伝送され、接続
部による伝送損失を防止する。また、この発明の製造方
法では絶縁基板にバイアを１／８波長以下で作製する第
１の工程とその基板上にグランドパターンを形成する第
２の工程によりマイクロストリップラインまたは接続部
の特性インピーダンスを支配するグランドパターン形状
を形成するので特性インピーダンスの違いによる反射が
抑えられ伝送特性が均一となる。
【０００８】また、導体パターンとゴム状の誘電体物質
により形成されるコンデンサにより、直流成分を遮断
し、高周波信号のみ通過させることが可能となる。
により形成されるコンデンサにより、直流成分を遮断
し、高周波信号のみ通過させることが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。 実施例１．図１は、この発明の高周波用回路基板の構成
を示す斜視図である。図において、１は絶縁基板、２は
導体（導体性ペーストまたは金箔）、３はマイクロスト
リップライン、４はキャパシタンス電極、５はゴム状の
誘電体物質である。図１は、従来例を示す図８の２６か
ら２７までの信号伝送経路に相当する。
する。 実施例１．図１は、この発明の高周波用回路基板の構成
を示す斜視図である。図において、１は絶縁基板、２は
導体（導体性ペーストまたは金箔）、３はマイクロスト
リップライン、４はキャパシタンス電極、５はゴム状の
誘電体物質である。図１は、従来例を示す図８の２６か
ら２７までの信号伝送経路に相当する。
【００１０】次に動作について説明する。マイクロスト
リップライン３ａとマイクロストリップライン３ｂのそ
れぞれに垂直な面にグランドと接続しない範囲の大きさ
で形成した金属性パターン４をコンデンサの電極とし、
マイクロストリップラインを直列に並べ、この電極間に
ゴム状の高誘電率物質５を挿入することによりコンデン
サを形成する。ゴム状の高誘電率物質５とは、エチレン
−プロピレン共重合体などの天然ゴムに誘電率が３８の
チタン酸バリウムなどの高誘電率の無機充填材を含んだ
ものである。高周波信号がマイクロストリップライン３
ａからマイクロストリップライン３ｂへ通過する場合、
高周波成分はこの形成したコンデンサを通過することが
可能であるが、直流成分の信号は形成したコンデンサに
よって遮断され、高周波信号が低損失で伝わることとな
る。コンデンサの容量としては、数十ｐＦのものを用
い、選定基準は使用周波数が４ＧＨｚ帯において、コン
デンサのインピーダンスがマイクロストリップラインの
特性インピーダンスに影響を与えない程、小さくなるよ
うに選択している。
リップライン３ａとマイクロストリップライン３ｂのそ
れぞれに垂直な面にグランドと接続しない範囲の大きさ
で形成した金属性パターン４をコンデンサの電極とし、
マイクロストリップラインを直列に並べ、この電極間に
ゴム状の高誘電率物質５を挿入することによりコンデン
サを形成する。ゴム状の高誘電率物質５とは、エチレン
−プロピレン共重合体などの天然ゴムに誘電率が３８の
チタン酸バリウムなどの高誘電率の無機充填材を含んだ
ものである。高周波信号がマイクロストリップライン３
ａからマイクロストリップライン３ｂへ通過する場合、
高周波成分はこの形成したコンデンサを通過することが
可能であるが、直流成分の信号は形成したコンデンサに
よって遮断され、高周波信号が低損失で伝わることとな
る。コンデンサの容量としては、数十ｐＦのものを用
い、選定基準は使用周波数が４ＧＨｚ帯において、コン
デンサのインピーダンスがマイクロストリップラインの
特性インピーダンスに影響を与えない程、小さくなるよ
うに選択している。
【００１１】高周波信号の損失が大きく、さらにキャパ
シタンス容量を大きくする場合には、マイクロストリッ
プラインの基板厚を厚くし、電極パターン４の面積を大
きくすること、マイクロストリップラインの接続間隔を
小さくすること、材料にはアルミナと同等もしくはそれ
以上の誘電率をもつゴム状の物質を選択することが望ま
しく、すくなくともゴム状物質の誘電率は１０以上とす
る。マイクロストリップラインの接続間隔は、１０μｍ
〜０．５ｍｍであり、基板厚は０．３８ｍｍ〜３ｍｍ
で、パターン面積は１．５ｍｍ2 以上である。
シタンス容量を大きくする場合には、マイクロストリッ
プラインの基板厚を厚くし、電極パターン４の面積を大
きくすること、マイクロストリップラインの接続間隔を
小さくすること、材料にはアルミナと同等もしくはそれ
以上の誘電率をもつゴム状の物質を選択することが望ま
しく、すくなくともゴム状物質の誘電率は１０以上とす
る。マイクロストリップラインの接続間隔は、１０μｍ
〜０．５ｍｍであり、基板厚は０．３８ｍｍ〜３ｍｍ
で、パターン面積は１．５ｍｍ2 以上である。
【００１２】実施例２．図２は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
６は金リボンまたはボンディングワイヤである。
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
６は金リボンまたはボンディングワイヤである。
【００１３】次に動作について説明する。高周波信号を
用いてマイクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過さ
せる場合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接
続が行われるが、この接続部の特性インピーダンスは約
１００〜２００Ωであり、通常５０Ωに設計されたマイ
クロストリップラインの特性インピーダンスとの差が大
きいために高周波信号が接続部で反射し、伝送損失が生
じる。これは、ボンディングワイヤや金リボンがグラン
ドと形成するキャパシタンス容量が減少するためである
ので、この接続部にゴム状の誘電体物質５（たとえば信
越シリコン製のＣＹ５１０３８）を挿入することによっ
て、接続部のキャパシタンス容量を増加させ、特性イン
ピーダンスをマイクロストリップラインのそれと近づけ
ることにより、高周波信号の反射を−２０ｄＢ以上に低
減させ、伝送特性の劣化を防止することができる。
用いてマイクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過さ
せる場合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接
続が行われるが、この接続部の特性インピーダンスは約
１００〜２００Ωであり、通常５０Ωに設計されたマイ
クロストリップラインの特性インピーダンスとの差が大
きいために高周波信号が接続部で反射し、伝送損失が生
じる。これは、ボンディングワイヤや金リボンがグラン
ドと形成するキャパシタンス容量が減少するためである
ので、この接続部にゴム状の誘電体物質５（たとえば信
越シリコン製のＣＹ５１０３８）を挿入することによっ
て、接続部のキャパシタンス容量を増加させ、特性イン
ピーダンスをマイクロストリップラインのそれと近づけ
ることにより、高周波信号の反射を−２０ｄＢ以上に低
減させ、伝送特性の劣化を防止することができる。
【００１４】ここで、ゴム状の誘電体物質として用いた
ＣＹ５１０３８は、誘電率が４．２、キャパシタンス容
量は、伝送特性は図３のようになり、３ＧＨｚまで−２
０ｄＢを確保することができる。これはワイヤボンドの
みによる接続と比較して反射特性を抑える効果がみら
れ、より伝送特性を良好にするためは誘電率が４．２以
上が望ましい。
ＣＹ５１０３８は、誘電率が４．２、キャパシタンス容
量は、伝送特性は図３のようになり、３ＧＨｚまで−２
０ｄＢを確保することができる。これはワイヤボンドの
みによる接続と比較して反射特性を抑える効果がみら
れ、より伝送特性を良好にするためは誘電率が４．２以
上が望ましい。
【００１５】実施例３．図４は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、７はボンディ
ングワイヤ、８はコバールなどの金属製段付きリッド、
９はアルミナまたはコバール製のサイドウォール、１０
は低融点ガラスなどの絶縁性物質である。
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、７はボンディ
ングワイヤ、８はコバールなどの金属製段付きリッド、
９はアルミナまたはコバール製のサイドウォール、１０
は低融点ガラスなどの絶縁性物質である。
【００１６】次に動作について説明する。実施例２．と
同様の原理を用いたものであり、パッケージにしてマイ
クロストリップライン間３ａ−３ｂをボンディングワイ
ヤ７で接続する場合、パッケージの基準電位に接続して
ある段８ａをもつリッド８を、ボンディングワイヤ部７
へ近づけることによりキャパシタンス容量を増加させ、
特性インピーダンスをマイクロストリップラインの特性
インピーダンスに近づけることにより、特性インピーダ
ンスの違いによる不連続部をなくし、伝送特性の劣化を
防止することができる。
同様の原理を用いたものであり、パッケージにしてマイ
クロストリップライン間３ａ−３ｂをボンディングワイ
ヤ７で接続する場合、パッケージの基準電位に接続して
ある段８ａをもつリッド８を、ボンディングワイヤ部７
へ近づけることによりキャパシタンス容量を増加させ、
特性インピーダンスをマイクロストリップラインの特性
インピーダンスに近づけることにより、特性インピーダ
ンスの違いによる不連続部をなくし、伝送特性の劣化を
防止することができる。
【００１７】実施例４．図５は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、６は金リボン
またはボンディングワイヤ、１１はグランドパターンで
ある。
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、６は金リボン
またはボンディングワイヤ、１１はグランドパターンで
ある。
【００１８】次に動作について説明する。実施例２．と
同様の原理を用いたものであり、高周波信号を用いてマ
イクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接続が行
われるが、マイクロストリップラインのグランド面積が
制約される場合、接続部すなわちマイクロストリップラ
インの間隔に銀ペーストや金箔などの導電性物質により
形成したグランドパターン１１のみの面積を広げること
によりボンディングワイヤや金リボンとのキャパシタン
ス容量を増加させ、特性インピーダンスをマイクロスト
リップラインの特性インピーダンスに近づけることによ
り、伝送特性の劣化を防止する。
同様の原理を用いたものであり、高周波信号を用いてマ
イクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接続が行
われるが、マイクロストリップラインのグランド面積が
制約される場合、接続部すなわちマイクロストリップラ
インの間隔に銀ペーストや金箔などの導電性物質により
形成したグランドパターン１１のみの面積を広げること
によりボンディングワイヤや金リボンとのキャパシタン
ス容量を増加させ、特性インピーダンスをマイクロスト
リップラインの特性インピーダンスに近づけることによ
り、伝送特性の劣化を防止する。
【００１９】実施例５．図６は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、５はゴム状の
誘電体物質、１２はフレキシブル基板、１３はグランド
接合用導電性ペーストまたは金属製テーブルである。
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、５はゴム状の
誘電体物質、１２はフレキシブル基板、１３はグランド
接合用導電性ペーストまたは金属製テーブルである。
【００２０】次に動作について説明する。高周波信号を
マイクロストリップライン間３ａ−３ｂに通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボンによる接続では、特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと違うた
め高周波信号が反射を生じ、伝送損失を増大させてしま
う。そこで、５０Ωに調整されたマイクロストリップ形
状のフレキシブル基板１２（たとえばイミドを絶縁体、
銅を配線に用いた基板）によって接続することにより特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと同じイ
ンピーダンスとなり、不整合から生じる伝送特性の劣化
を防止する。
マイクロストリップライン間３ａ−３ｂに通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボンによる接続では、特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと違うた
め高周波信号が反射を生じ、伝送損失を増大させてしま
う。そこで、５０Ωに調整されたマイクロストリップ形
状のフレキシブル基板１２（たとえばイミドを絶縁体、
銅を配線に用いた基板）によって接続することにより特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと同じイ
ンピーダンスとなり、不整合から生じる伝送特性の劣化
を防止する。
【００２１】なお、特性インピーダンスを整合するため
フレキシブル基板とマイクロストリップラインの幅に差
が生じることがある。この場合、伝送線路の幅を急激に
変化させると反射が大きくなり、伝送特性を劣化させる
ため、フレキシブル基板の導体とマイクロストリップラ
インとの接続にはテーパをつけて滑らかに変化させる。
これによって、大きな反射を防止し、−２０ｄＢ以下を
確保することができる。
フレキシブル基板とマイクロストリップラインの幅に差
が生じることがある。この場合、伝送線路の幅を急激に
変化させると反射が大きくなり、伝送特性を劣化させる
ため、フレキシブル基板の導体とマイクロストリップラ
インとの接続にはテーパをつけて滑らかに変化させる。
これによって、大きな反射を防止し、−２０ｄＢ以下を
確保することができる。
【００２２】実施例６．図７は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
１４は絶縁基板のグランド、１５はスルーホールであ
る。
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
１４は絶縁基板のグランド、１５はスルーホールであ
る。
【００２３】次に動作について説明する。絶縁基板１上
にマイクロストリップライン３を含む高周波回路を形成
する場合、基板の実装面積が増大するにつれて、基板の
表面をメタライズしてシャーシグランドと接続するだけ
では、使用周波数が高くなり分布定数回路としてみた場
合にグランドとしての役目を果たさなくなる。また、実
施例４．のようにグランド面積が限定された場合におい
てもグランド２が、分布定数回路において高周波的に不
十分となる。そこでシャーシグランド１４からマイクロ
ストリップラインを形成するグランドプレーン２までの
絶縁基板に、使用する高周波信号の１／８波長以下の間
隔でスルーホール１５を形成することにより、絶縁基板
１上に配置された高周波回路のグランドプレーン２を高
周波的に確実なグランドとする。１／８波長以下の間隔
でスルーホール１５を形成する理由としては、分布定数
として取り扱う場合の目安が波長の１／８以上の回路に
おいて用いられるためである。
にマイクロストリップライン３を含む高周波回路を形成
する場合、基板の実装面積が増大するにつれて、基板の
表面をメタライズしてシャーシグランドと接続するだけ
では、使用周波数が高くなり分布定数回路としてみた場
合にグランドとしての役目を果たさなくなる。また、実
施例４．のようにグランド面積が限定された場合におい
てもグランド２が、分布定数回路において高周波的に不
十分となる。そこでシャーシグランド１４からマイクロ
ストリップラインを形成するグランドプレーン２までの
絶縁基板に、使用する高周波信号の１／８波長以下の間
隔でスルーホール１５を形成することにより、絶縁基板
１上に配置された高周波回路のグランドプレーン２を高
周波的に確実なグランドとする。１／８波長以下の間隔
でスルーホール１５を形成する理由としては、分布定数
として取り扱う場合の目安が波長の１／８以上の回路に
おいて用いられるためである。
【００２４】なお、スルーホール１５の形成において
は、金属による穴埋め方式でも、スルーホールの表面を
メタライズする方式でもかまわない。
は、金属による穴埋め方式でも、スルーホールの表面を
メタライズする方式でもかまわない。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によればマイク
ロストリップライン間を接続するボンディングワイヤ、
または金リボンによる伝送線路の不連続をなくすことに
より伝送特性の劣化を防ぐ効果がある。
ロストリップライン間を接続するボンディングワイヤ、
または金リボンによる伝送線路の不連続をなくすことに
より伝送特性の劣化を防ぐ効果がある。
【図１】この発明の実施例１．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】この発明の実施例２．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】この発明の実施例２．の測定結果を示す図であ
る。ボンディングワイヤにポッティング樹脂を施した場
合の伝送特性を表した図である。
る。ボンディングワイヤにポッティング樹脂を施した場
合の伝送特性を表した図である。
【図４】この発明の実施例３．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】この発明の実施例４．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】この発明の実施例５．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】この発明の実施例６．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】従来の高周波用モジュールを示す断面図であ
る。
る。
【図９】従来の高周波用モジュールに用いられているワ
イヤボンドのみの伝送特性を表した図である。
イヤボンドのみの伝送特性を表した図である。
１ 絶縁基板 ２ 導体（導電性ペーストまたは金箔） ３ マイクロストリップライン ４ キャパシタンス電極 ５ ゴム上の誘電体物質 ６ 金リボンまたはボンディングワイヤ ７ ボンディングワイヤ ８ 段付きリッド ９ アルミナまたはコバール製のサイドウォール １０ 低融点ガラスなどの絶縁性物質 １１ グランドパターン １２ フレキシブル基板 １３ グランド接合用導電性ペースト １４ 絶縁基板のグランド １５ スルーホール １６ 銅／モリブデン／銅のクラッド材を用いた基板 １７ 金／錫はんだ層 １８ エポキシ層 １９ 多層厚膜回路 ２０ ９９．６％アルミナ基板 ２１ 低融点ガラス ２２ ９６％アルミナ・シールリング ２３ ＭＭＩＣ ２４ コバール・リッド ２５ バイアホール ２６ 薄膜回路 ２７ 整合回路 ２８ ボンディングワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 高浜 隆 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内 (72)発明者 渡辺 伸夫 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内 (72)発明者 桜井 也寸史 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 接地導体と、高周波伝送方向に垂直な面
に信号用導体と接続した導体パターンとを形成した第１
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、それらのマイクロ
ストリップラインの端面の導体パターン間のすき間に設
置されたゴム状の誘電体物質とから構成されたことを特
徴とする高周波用回路基板。 - 【請求項２】 接地導体と、信号用導体を形成した第１
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、これらのマイクロ
ストリップライン間を電気的に接続するボンディングワ
イヤまたは金リボンと、このボンディングワイヤを覆う
ように設置した誘電率の高いゴム状物質とを設けたこと
を特徴とする高周波用回路基板。 - 【請求項３】 接地導体と、信号用導体を形成した第１
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、これらのマイクロ
ストリップライン間を電気的に接続するボンディングワ
イヤまたは金リボンと、これらのマイクロストリップ間
の接続部のキャパシタンスの容量値を大きくし、マイク
ロストリップラインとの特性インピーダンスの整合をと
るために、パッケージ上部よりグランドとして役目を果
たすパッケージ上部のリッド（蓋）とを設けたことを特
徴とする高周波用回路基板。 - 【請求項４】 信号用導体を形成した第１のマイクロス
トリップラインと、同様な形状を所有する第２のマイク
ロストリップラインと、これらのマイクロストリップラ
イン間を電気的に接続するボンディングワイヤまたは金
リボンと、これらのマイクロストリップライン間のすき
間に用いるグランドには接地導体面積を大きくしたリボ
ン、もしくは、このすき間に置かれた導電性物質とを設
けたことを特徴とする高周波用回路基板。 - 【請求項５】 接地導体と、信号用導体を形成した第１
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、これらのマイクロ
ストリップ間を接続するフレキシブル基板で作製した５
０Ωのマイクロストリップラインとを設けたことを特徴
とする高周波用回路基板。 - 【請求項６】 マイクロストリップラインを設置する絶
縁体基材上にリボン線を施してマイクロストリップライ
ンのグランドを得るため、絶縁体基板の下面に接地した
アースへ接続する１／８波長以下の間隔をもつスルーホ
ールを形成したことを特徴とする請求項１〜５いずれか
記載の高周波用回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696693A JP3395290B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 高周波用回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696693A JP3395290B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 高周波用回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130913A true JPH07130913A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3395290B2 JP3395290B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=17576899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27696693A Expired - Fee Related JP3395290B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 高周波用回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395290B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244308A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波信号用のプローブ |
| US8217496B2 (en) | 2010-05-14 | 2012-07-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Internal matching transistor |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27696693A patent/JP3395290B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244308A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波信号用のプローブ |
| US8217496B2 (en) | 2010-05-14 | 2012-07-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Internal matching transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3395290B2 (ja) | 2003-04-07 |
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Legal Events
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