JPH07130632A - 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法Info
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- JPH07130632A JPH07130632A JP5276941A JP27694193A JPH07130632A JP H07130632 A JPH07130632 A JP H07130632A JP 5276941 A JP5276941 A JP 5276941A JP 27694193 A JP27694193 A JP 27694193A JP H07130632 A JPH07130632 A JP H07130632A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した解像力を得ること。
【構成】 照明手段１０からの露光光と投影光学系１３
に対してレチクル１１とウエハ１４とを走査することに
よりレチクル１１のデバイスパターンの像を投影光学系
１３を介してウエハ１４上に投影する段階を含む露光方
法において、レチクル１１のデバイスパターンの像とウ
エハ１４上のパターン領域を走査方向に関して正確に重
ね合わせるため投影光学系１３の投影倍率Ｎopとは異な
る速度比Ｎstでレチクル１１とウエハ１４とを走査する
時、以下の式を満たすよう投影光学系の倍率Ｎop、レチ
クル１１の走査速度とウエハ１４の走査速度等を設定
し、走査露光を行なう。 ０＜｜Ｎop−Ｎst｜・ｂ＜Δ１ ここで、ｂは前記露光光が前記原板上に形成する露光領
域の走査方向の幅、Δ１は前記基板上に投影されるパタ
ーンの前記基板上での最小線幅を示す。
に対してレチクル１１とウエハ１４とを走査することに
よりレチクル１１のデバイスパターンの像を投影光学系
１３を介してウエハ１４上に投影する段階を含む露光方
法において、レチクル１１のデバイスパターンの像とウ
エハ１４上のパターン領域を走査方向に関して正確に重
ね合わせるため投影光学系１３の投影倍率Ｎopとは異な
る速度比Ｎstでレチクル１１とウエハ１４とを走査する
時、以下の式を満たすよう投影光学系の倍率Ｎop、レチ
クル１１の走査速度とウエハ１４の走査速度等を設定
し、走査露光を行なう。 ０＜｜Ｎop−Ｎst｜・ｂ＜Δ１ ここで、ｂは前記露光光が前記原板上に形成する露光領
域の走査方向の幅、Δ１は前記基板上に投影されるパタ
ーンの前記基板上での最小線幅を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法及び該露光方
法を用いるデバイス製造方法に関し、特にレチクルに描
かれた回路パターンをウェハ上に投影し転写する露光方
法及び該露光方法を用いるテバイス製造方法に関する。
法を用いるデバイス製造方法に関し、特にレチクルに描
かれた回路パターンをウェハ上に投影し転写する露光方
法及び該露光方法を用いるテバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スリット形状の露光領域を有する投影光
学系を用いて、スリット形状の露光光で照明された原板
のパターンを基板上に投影し、露光光と投影光学系に対
して原板と基板とをスリット形状の短手方向に走査して
原板のパターンを基板上の感光剤に転写する走査露光で
は、通常、投影光学系の投影倍率と、原板の走査速度と
基板の走査速度の比（走査速度倍率）を一致させる。
学系を用いて、スリット形状の露光光で照明された原板
のパターンを基板上に投影し、露光光と投影光学系に対
して原板と基板とをスリット形状の短手方向に走査して
原板のパターンを基板上の感光剤に転写する走査露光で
は、通常、投影光学系の投影倍率と、原板の走査速度と
基板の走査速度の比（走査速度倍率）を一致させる。
【０００３】一方、走査露光中にこの走査速度比を変化
させ、基板を処理するプロセスで基板に発生する等方的
でない局所的な歪に対応して原板のパターン像と基板と
の位置ずれを局所的に補正することもできる。集積回路
などの半導体装置は複数の露光プロセスを繰り返して製
造される。２回目以降の露光では、露光前に、ウエハ上
の位置合わせマークとレチクル上の位置合わせマークと
位置ずれ検出手段とを用いてレチクルのパターンとウエ
ハのパターンの位置ずれ量を検出し、この位置ずれがな
くなるように、ウエハステージとレチクルステージを相
対的に移動させ、位置合わせを行なう。
させ、基板を処理するプロセスで基板に発生する等方的
でない局所的な歪に対応して原板のパターン像と基板と
の位置ずれを局所的に補正することもできる。集積回路
などの半導体装置は複数の露光プロセスを繰り返して製
造される。２回目以降の露光では、露光前に、ウエハ上
の位置合わせマークとレチクル上の位置合わせマークと
位置ずれ検出手段とを用いてレチクルのパターンとウエ
ハのパターンの位置ずれ量を検出し、この位置ずれがな
くなるように、ウエハステージとレチクルステージを相
対的に移動させ、位置合わせを行なう。
【０００４】また走査露光を行なう場合には、１回の走
査の対象となるレチクルとウエハの領域内に夫々走査方
向に沿って複数の位置合わせマークを配置しておき、両
位置合わせマーク間の位置ずれ量を各位置合わせマーク
の組毎に検出し、走査露光の際にレチクルとウエハの走
査速度の比を変化させて非等方的に、また局所的に転写
倍率を異ならせることによって、位置合わせ精度を向上
させる。
査の対象となるレチクルとウエハの領域内に夫々走査方
向に沿って複数の位置合わせマークを配置しておき、両
位置合わせマーク間の位置ずれ量を各位置合わせマーク
の組毎に検出し、走査露光の際にレチクルとウエハの走
査速度の比を変化させて非等方的に、また局所的に転写
倍率を異ならせることによって、位置合わせ精度を向上
させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような転写倍率の
制御を行なう露光は、露光するパターンの寸法が小さく
なると、次のような問題が発生する。
制御を行なう露光は、露光するパターンの寸法が小さく
なると、次のような問題が発生する。
【０００６】原板上で露光光が形成する露光領域（照明
域）の走査方向の寸法（スリット形状の露光領域の場合
はスリット幅寸法）をｂ、投影光学系の投影倍率をＮop
とする。原板上のある１点Ｒが走査移動によって露光領
域を通過すると、基板上においてその点の投影像Ｒimが
移動するが、この投影像の移動量は寸法ｂと光学系の倍
率Ｎopとの積Ｎopｂとなる。一方、原板の走査移動の速
度をＶr、基板の走査移動の速度をＶwとすると、原板上
の点Ｒが露光領域を通過するのに要する時間Ｔexはｂ／
Ｖrであるから、その間の点Ｒに対応する基板上の１点
Ｗの移動量は、ＶwＴex＝（Ｖw／Ｖr）ｂである。従っ
て、投影光学系の投影倍率Ｎopと、走査速度の倍率Ｎst
＝Ｖr／Ｖwとが異なると、露光中における原板の投影像
の移動量と基板の移動量が一致しなくなり基板に転写さ
れる投影像がぼけることになる。ぼけの程度は、露光光
の露光領域における走査移動の方向強度分布にもよる
が、原板の投影像と基板の移動量の差が、大きくなると
このぼけによる解像力の悪化が問題となる。
域）の走査方向の寸法（スリット形状の露光領域の場合
はスリット幅寸法）をｂ、投影光学系の投影倍率をＮop
とする。原板上のある１点Ｒが走査移動によって露光領
域を通過すると、基板上においてその点の投影像Ｒimが
移動するが、この投影像の移動量は寸法ｂと光学系の倍
率Ｎopとの積Ｎopｂとなる。一方、原板の走査移動の速
度をＶr、基板の走査移動の速度をＶwとすると、原板上
の点Ｒが露光領域を通過するのに要する時間Ｔexはｂ／
Ｖrであるから、その間の点Ｒに対応する基板上の１点
Ｗの移動量は、ＶwＴex＝（Ｖw／Ｖr）ｂである。従っ
て、投影光学系の投影倍率Ｎopと、走査速度の倍率Ｎst
＝Ｖr／Ｖwとが異なると、露光中における原板の投影像
の移動量と基板の移動量が一致しなくなり基板に転写さ
れる投影像がぼけることになる。ぼけの程度は、露光光
の露光領域における走査移動の方向強度分布にもよる
が、原板の投影像と基板の移動量の差が、大きくなると
このぼけによる解像力の悪化が問題となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は安定した
解像力が得られる露光方法と該露光方法を用いるデバイ
ス製造方法とを提供することにある。
解像力が得られる露光方法と該露光方法を用いるデバイ
ス製造方法とを提供することにある。
【０００８】本発明の露光方法は露光光と投影光学系に
対して原板と基板とを走査することにより前記原板のパ
ターンを前記投影光学系を介して前記基板上に投影する
段階を含む露光方法において、前記投影光学系の投影倍
率Ｎopとは異なる速度比Ｎstで前記原板と基板とを走査
する時に以下の式を満たすことを特徴とする露光方法。
対して原板と基板とを走査することにより前記原板のパ
ターンを前記投影光学系を介して前記基板上に投影する
段階を含む露光方法において、前記投影光学系の投影倍
率Ｎopとは異なる速度比Ｎstで前記原板と基板とを走査
する時に以下の式を満たすことを特徴とする露光方法。
【０００９】０＜｜Ｎop−Ｎst｜・ｂ＜Δ１ ここで、ｂは前記露光光が前記原板上に形成する露光領
域の走査方向の幅、Δ１は前記基板上に投影されるパタ
ーンの前記基板上での最小線幅を示す。
域の走査方向の幅、Δ１は前記基板上に投影されるパタ
ーンの前記基板上での最小線幅を示す。
【００１０】本発明の好ましい形態の一つは｜Ｎop−Ｎ
st｜とΔ１の値に応じてｂの値を変え、走査露光を行な
う。
st｜とΔ１の値に応じてｂの値を変え、走査露光を行な
う。
【００１１】本発明の好ましい形態の他の一つは｜Ｎop
−Ｎst｜とΔ１とｂの値に応じて前記露光領域の走査方
向に関する照度分布を変え、走査露光を行なう。
−Ｎst｜とΔ１とｂの値に応じて前記露光領域の走査方
向に関する照度分布を変え、走査露光を行なう。
【００１２】本発明のデバイス製造方法は上記露光方法
を用いてレチクルのデバイスパターンを被加工片上に転
写する段階を含むことを特徴とする。
を用いてレチクルのデバイスパターンを被加工片上に転
写する段階を含むことを特徴とする。
【００１３】
【実施例】図１は本発明が適用される露光装置を示す概
略図であり、この露光装置はスリット状露光光で照明原
板となるレチクルに描かれたデバイスパターンを投影光
学系によりウエハ上に縮小投影し、露光光と投影光学系
に対してレチクルとウエハとを互いに同期させて走査移
動させることにより、レチクルのデバイスパターンの全
部をウエハ上の所定の領域に転写するものであり、さら
にウエハをステップ移動させ、ウエハの多数個の所定の
領域に順次前記の走査露光動作を繰り返し、ウエハの全
面にデバイスパターンを転写せしめる。
略図であり、この露光装置はスリット状露光光で照明原
板となるレチクルに描かれたデバイスパターンを投影光
学系によりウエハ上に縮小投影し、露光光と投影光学系
に対してレチクルとウエハとを互いに同期させて走査移
動させることにより、レチクルのデバイスパターンの全
部をウエハ上の所定の領域に転写するものであり、さら
にウエハをステップ移動させ、ウエハの多数個の所定の
領域に順次前記の走査露光動作を繰り返し、ウエハの全
面にデバイスパターンを転写せしめる。
【００１４】図１において、１０は照明手段であり、露
光光でレチクル上に矩形の露光領域を形成する。照明手
段は照明領域変更手段１０１を備え、照明領域変更手段
１０１は、レチクル上の露光領域の寸法を変化させた
り、レチクル上の露光光の強度分布を変化させる。１０
２は照明領域変更手段の制御手段である。１１はレチク
ルであり、１２はレチクルを走査移動させるためのレチ
クルステージである。レチクルステージ１２には、レチ
クルを走査移動させるための駆動手段及び案内手段、レ
チクル１１の走査方向の位置を計測する測長手段などが
付設されている。レチクルステージ１２はレチクルステ
ージ制御手段１２１によって制御され、手段１２１によ
り露光中のステージ１２の走査移動速度Ｖrを変えるこ
とができる。１３は投影光学系であり、照明系によって
照明されたレチクル１１上のデバイスパターンを、Ｎop
倍に縮小してウエハ上に投影する。この縮小倍率Ｎ
opは、光学系１３のあるレンズを光軸方向に動かしてそ
の位置を変えることで変化させることができる。１３１
はこの可動レンズを含む光学系１３の倍率変更手段であ
り、倍率制御手段１３２によって変更手段１３１を制御
することにより倍率を変えることができる。１４はウエ
ハであり、表面には感光剤が塗布されている。１５はウ
エハを移動させるためのウエハステージである。ウエハ
ステージ１５には走査移動方向と、走査移動方向に対し
て直角の方向とウエハを動かす駆動手段および案内手
段、ウエハステージ１５の位置および姿勢を計測する測
長手段などが付設されている。ウエハステージ１５はウ
エハステージ制御手段１５１によって制御されており、
手段１５１により露光中のステージ１５の走査移動速度
Ｖwを変えることができる。１６はレチクルステージ１
２、投影光学系１３、ウエハステージ１５等を搭載する
フレームである。１７はレチクルのパターンとウエハの
パターンの相対的な位置ずれ量を検出する検出手段であ
る。１８は露光装置を制御する制御手段である。
光光でレチクル上に矩形の露光領域を形成する。照明手
段は照明領域変更手段１０１を備え、照明領域変更手段
１０１は、レチクル上の露光領域の寸法を変化させた
り、レチクル上の露光光の強度分布を変化させる。１０
２は照明領域変更手段の制御手段である。１１はレチク
ルであり、１２はレチクルを走査移動させるためのレチ
クルステージである。レチクルステージ１２には、レチ
クルを走査移動させるための駆動手段及び案内手段、レ
チクル１１の走査方向の位置を計測する測長手段などが
付設されている。レチクルステージ１２はレチクルステ
ージ制御手段１２１によって制御され、手段１２１によ
り露光中のステージ１２の走査移動速度Ｖrを変えるこ
とができる。１３は投影光学系であり、照明系によって
照明されたレチクル１１上のデバイスパターンを、Ｎop
倍に縮小してウエハ上に投影する。この縮小倍率Ｎ
opは、光学系１３のあるレンズを光軸方向に動かしてそ
の位置を変えることで変化させることができる。１３１
はこの可動レンズを含む光学系１３の倍率変更手段であ
り、倍率制御手段１３２によって変更手段１３１を制御
することにより倍率を変えることができる。１４はウエ
ハであり、表面には感光剤が塗布されている。１５はウ
エハを移動させるためのウエハステージである。ウエハ
ステージ１５には走査移動方向と、走査移動方向に対し
て直角の方向とウエハを動かす駆動手段および案内手
段、ウエハステージ１５の位置および姿勢を計測する測
長手段などが付設されている。ウエハステージ１５はウ
エハステージ制御手段１５１によって制御されており、
手段１５１により露光中のステージ１５の走査移動速度
Ｖwを変えることができる。１６はレチクルステージ１
２、投影光学系１３、ウエハステージ１５等を搭載する
フレームである。１７はレチクルのパターンとウエハの
パターンの相対的な位置ずれ量を検出する検出手段であ
る。１８は露光装置を制御する制御手段である。
【００１５】次に本実施例において、問題の所在を詳細
に説明し、装置の動作を説明する。まず、レチクル１１
上の点像の露光強度プロファイルについて説明する。図
２に示すように、レチクルステージの座標系として、レ
チクル１１の露光領域の中心を原点にとり、走査移動方
向の位置をＸとする。レチクル上の１点Ｒのレチクルス
テージ座標系での位置をＸRとし、この点が露光領域を
通過する間は走査速度Ｖrの変化が小さいとし、またＸ
＝０の線上を通過する時刻をｔ＝０とすると、 ＸR＝Ｖrｔ （１） と表される。
に説明し、装置の動作を説明する。まず、レチクル１１
上の点像の露光強度プロファイルについて説明する。図
２に示すように、レチクルステージの座標系として、レ
チクル１１の露光領域の中心を原点にとり、走査移動方
向の位置をＸとする。レチクル上の１点Ｒのレチクルス
テージ座標系での位置をＸRとし、この点が露光領域を
通過する間は走査速度Ｖrの変化が小さいとし、またＸ
＝０の線上を通過する時刻をｔ＝０とすると、 ＸR＝Ｖrｔ （１） と表される。
【００１６】照明手段１０によって定められた露光領域
の走査移動方向の幅（寸法）をｂとすると、レチクルス
テージ１２の座標系上での露光領域の境界は−ｂ／２の
位置とｂ／２の位置になる。従って、露光開始される時
刻ｔ1と露光終了時刻ｔ2はそれぞれ
の走査移動方向の幅（寸法）をｂとすると、レチクルス
テージ１２の座標系上での露光領域の境界は−ｂ／２の
位置とｂ／２の位置になる。従って、露光開始される時
刻ｔ1と露光終了時刻ｔ2はそれぞれ
【００１７】
【外１】 となる。ウエハステージ１５の座標系として、レチクル
ステージ１２の座標系の原点が投影光学系１３によって
ウエハ１４上に投影される点を原点にとり、走査移動方
向の位置をｘとする。全くぼけのない、投影倍率が一様
な投影光学系を想定すると、露光領域内ではレチクルス
テージ１２の座標系と、ウエハステージ１５の座標系と
は、次のような座標変換で結ばれている。
ステージ１２の座標系の原点が投影光学系１３によって
ウエハ１４上に投影される点を原点にとり、走査移動方
向の位置をｘとする。全くぼけのない、投影倍率が一様
な投影光学系を想定すると、露光領域内ではレチクルス
テージ１２の座標系と、ウエハステージ１５の座標系と
は、次のような座標変換で結ばれている。
【００１８】ｘ＝ＮopＸ （４） レチクル１１上の点Ｒの投影像Ｒimの、ウエハステージ
１５の座標系上の位置ｘrは、 ｘr＝ＮopＸR （５） となる。一方、時刻ｔ＝０において投影像Ｒimと位置が
同一となるウエハ１４上の１点Ｗのウエハステージ１５
の座標系の位置ｘwは ｘw＝Ｖwｔ （６） と表される。式（１）、（５）、（６）より点Ｒimの位
置と点Ｗの位置との差ｘ′は、次の様に表される。
１５の座標系上の位置ｘrは、 ｘr＝ＮopＸR （５） となる。一方、時刻ｔ＝０において投影像Ｒimと位置が
同一となるウエハ１４上の１点Ｗのウエハステージ１５
の座標系の位置ｘwは ｘw＝Ｖwｔ （６） と表される。式（１）、（５）、（６）より点Ｒimの位
置と点Ｗの位置との差ｘ′は、次の様に表される。
【００１９】 ｘ′＝ｘr−ｘw ＝（ＮopＶr−Ｖw）ｔ ＝（Ｎop−Ｎst）Ｖrｔ （７） ただし、
【００２０】
【外２】 ここで、ｘ′は点Ｗを原点とするウエハ１４上に固定さ
れた座標系の位置を定義している。ｘrから、ｘ′への
座標変換は式（１）、（５）、（７）より次の式で表さ
れる。
れた座標系の位置を定義している。ｘrから、ｘ′への
座標変換は式（１）、（５）、（７）より次の式で表さ
れる。
【００２１】
【外３】 式（７）は図３のようになるが、この式で表されるよう
に、ＮopとＮstとが異なると、レチクル１１の投影像が
ウエハ面上の点に対して相対的に移動する。実際にはレ
チクル１１上のパターンは、投影光学系の解像力による
ほけを伴ってウエハ１４上に結像されることになるの
で、投影光学系の倍率と、走査速度の比とが異なると、
さらにぼけの程度が増加する。
に、ＮopとＮstとが異なると、レチクル１１の投影像が
ウエハ面上の点に対して相対的に移動する。実際にはレ
チクル１１上のパターンは、投影光学系の解像力による
ほけを伴ってウエハ１４上に結像されることになるの
で、投影光学系の倍率と、走査速度の比とが異なると、
さらにぼけの程度が増加する。
【００２２】次に、式（７）で表される移動によって、
どのように解像力が悪化するかを説明する。ウエハ１４
上にレチクル像として所定の空間周波数を持ち、コント
ラストが１である正弦波状のパターンを想定し、移動に
よる平均化によって、このパターンのコントラストがど
のように低下するかを計算して解像力の低下を求める。
この計算を様々な空間周波数のパターンに対して行うこ
とは、δ関数で表現されるパターンを想定し、δ関数パ
ターンの移動像、すなわち移動によって分散される強度
分布形状をフーリエ変換することと数学的に等価であ
る。この強度分布形状は、レチクル像とウエハ１４との
相対的な移動に起因する相対位置に対する存在時間の確
率密度に、露光光の強度の重みをかけて得られる。ウエ
ハ１４上の照明強度を走査方向に関して分布を持つ関数
としてＥ（ｘ）とする。移動像の強度分布形状を、相対
位置ｘ′の関数としてＩ（ｘ′）とする。Ｉ（ｘ′）は
規格化された関数で、 ∫Ｉ（ｘ′）ｄｘ′＝１ （９） である。Ｉ（ｘ′）は、点Ｒimが微少領域Δｘ′に存在
する時間Δｔ内に照射される露光量が、全露光量Ｅall
のうちに占める割合ｒ（ｘ′）の密度として求められ
る。すなわち、
どのように解像力が悪化するかを説明する。ウエハ１４
上にレチクル像として所定の空間周波数を持ち、コント
ラストが１である正弦波状のパターンを想定し、移動に
よる平均化によって、このパターンのコントラストがど
のように低下するかを計算して解像力の低下を求める。
この計算を様々な空間周波数のパターンに対して行うこ
とは、δ関数で表現されるパターンを想定し、δ関数パ
ターンの移動像、すなわち移動によって分散される強度
分布形状をフーリエ変換することと数学的に等価であ
る。この強度分布形状は、レチクル像とウエハ１４との
相対的な移動に起因する相対位置に対する存在時間の確
率密度に、露光光の強度の重みをかけて得られる。ウエ
ハ１４上の照明強度を走査方向に関して分布を持つ関数
としてＥ（ｘ）とする。移動像の強度分布形状を、相対
位置ｘ′の関数としてＩ（ｘ′）とする。Ｉ（ｘ′）は
規格化された関数で、 ∫Ｉ（ｘ′）ｄｘ′＝１ （９） である。Ｉ（ｘ′）は、点Ｒimが微少領域Δｘ′に存在
する時間Δｔ内に照射される露光量が、全露光量Ｅall
のうちに占める割合ｒ（ｘ′）の密度として求められ
る。すなわち、
【００２３】
【外４】 と式（７）より、
【００２４】
【外５】 式（２）、（３）、（８）及び、（１０）、（１１）、
（１２）、（１３）より、
（１２）、（１３）より、
【００２５】
【外６】 ただし、
【００２６】
【外７】 式（１４）は、Ｉ（ｘ′）が照明強度分布と相似な形状
をしていることを示している。ｘ′に対して空間周波数
をｕをとった式（１４）のフーリエ変換Ｆ（ｕ）が投影
光学系１３による像から、転写される像へのＭＴＦであ
る。Ｆ（ｕ）が投影像と、ウエハ１４との相対移動に起
因するコントラストの低下、解像力低下の指標を与え
る。照明強度が露光領域内で一様な分布をしている場合
は、Ｅ（ｘ）＝ｃｏｎｓｔ．であるから、
をしていることを示している。ｘ′に対して空間周波数
をｕをとった式（１４）のフーリエ変換Ｆ（ｕ）が投影
光学系１３による像から、転写される像へのＭＴＦであ
る。Ｆ（ｕ）が投影像と、ウエハ１４との相対移動に起
因するコントラストの低下、解像力低下の指標を与え
る。照明強度が露光領域内で一様な分布をしている場合
は、Ｅ（ｘ）＝ｃｏｎｓｔ．であるから、
【００２７】
【外８】 式（１６）を図４に示す。式（１６）のフーリエ変換Ｆ
（ｕ）を求めると、
（ｕ）を求めると、
【００２８】
【外９】 式（１７）によると｜Ｎop−Ｎst｜ｂｕ＝１／２では、
Ｆ（ｕ）＝０となり、この条件ではコントラストが０と
なることを意味する。露光しようとするウエハ１４上で
のパターンの線幅をΔｌとすると、パターンの空間周波
数は、概ねｕ＝１／２Δｌである。従って、コントラス
トを確保するためには、少なくとも、
Ｆ（ｕ）＝０となり、この条件ではコントラストが０と
なることを意味する。露光しようとするウエハ１４上で
のパターンの線幅をΔｌとすると、パターンの空間周波
数は、概ねｕ＝１／２Δｌである。従って、コントラス
トを確保するためには、少なくとも、
【００２９】
【外１０】 すなわち、 ０＜｜Ｎop−Ｎst｜ｂ＜Δｌ （１９） となっているのが望ましい。転写されるパターンはレジ
ストプロセスにとって必要なコントラストを確保されて
いなければならないので、投影光学系１３のＭＴＦと式
（１７）によるＦ（ｕ）の積に、さらに振動等による、
他の解像力悪化要因を考慮する必要がある。露光装置に
よってその事情は異なるが、解像力を向上させるために
は、Ｆ（ｕ）の値をより高く設定するのが良い。例え
ば、レジストにとって必要な解像力を得るために、
ストプロセスにとって必要なコントラストを確保されて
いなければならないので、投影光学系１３のＭＴＦと式
（１７）によるＦ（ｕ）の積に、さらに振動等による、
他の解像力悪化要因を考慮する必要がある。露光装置に
よってその事情は異なるが、解像力を向上させるために
は、Ｆ（ｕ）の値をより高く設定するのが良い。例え
ば、レジストにとって必要な解像力を得るために、
【００３０】
【外１１】 の制限を設定した場合は、式（１７）によって、
【００３１】
【外１２】 とする。露光するパターンの線幅が０．４μｍの場合
は、
は、
【００３２】
【外１３】 とするのが良い。露光中のレチクル上の露光領域寸法が
固定される場合、例えばｂ＝１０ｍｍでは、
固定される場合、例えばｂ＝１０ｍｍでは、
【００３３】
【外１４】 とする制限を設定するのが良い。
【００３４】また、露光光が露光領域中央部の強度が周
辺部の強度よりも大きい強度分布をもつ場合は、露光領
域の幅（寸法）ｂが同じでも、強度分布が一様な場合よ
り大きいＭＴＦが得られる。例えばガウス分布形状の強
度分布の場合は、σが小さいほど高いコントラストが得
られる。このような場合でも式（１４）をフーリエ変換
してＭＴＦを求めることができるので、露光するパター
ンの寸法Δｌに対して必要なコントラストを確保するた
めの｜Ｎop−Ｎst｜、ｂ、Ｅ（ｘ）の条件を設定するこ
とができる。
辺部の強度よりも大きい強度分布をもつ場合は、露光領
域の幅（寸法）ｂが同じでも、強度分布が一様な場合よ
り大きいＭＴＦが得られる。例えばガウス分布形状の強
度分布の場合は、σが小さいほど高いコントラストが得
られる。このような場合でも式（１４）をフーリエ変換
してＭＴＦを求めることができるので、露光するパター
ンの寸法Δｌに対して必要なコントラストを確保するた
めの｜Ｎop−Ｎst｜、ｂ、Ｅ（ｘ）の条件を設定するこ
とができる。
【００３５】図５は図１の露光装置を用いた露光動作の
フローチャート図である。使用するレジスト、露光する
パターンの最小寸法Δｌ、露光装置の投影光学系１３が
有する解像力、等によって定まる｜Ｎop−Ｎst｜ｂの上
限値ｍを、予め露光装置の制御手段に入力する。ｍは
フローチャート図である。使用するレジスト、露光する
パターンの最小寸法Δｌ、露光装置の投影光学系１３が
有する解像力、等によって定まる｜Ｎop−Ｎst｜ｂの上
限値ｍを、予め露光装置の制御手段に入力する。ｍは
【００３６】
【外１５】 の範囲から選ばれる。ｂは予め設定しておき、ウエハ１
４の走査移動速度はｂに応じて設定されている（ステッ
プ１）。レチクル１１、ウエハ１４の装着等の露光の前
の準備を経て、検出手段１７によって、露光をする前の
レチクル１１のアライメントマークとウエハ１４のアラ
イメントマークの相対位置が検出される（ステップ
２）。ステップ３で得られた情報は、制御手段１８に送
られ、ウエハパターンとレチクルパターンの位置合わせ
のための演算補正が行なわれる（ステップ３）。制御手
段１８は、ステップ４の結果に基づいて露光走査におい
て位置ずれが小さくなるようにウエハステージの走査移
動とレチクルステージの走査移動とにおける両者の位置
のマッチングと、走査移動中のそれぞれの位置での投影
光学系の倍率の制御パターンを計算する（ステップ
４）。尚、走査移動は連続的に行われるが、検出手段１
７による相対位置の測定値が、走査方向に離散された多
数の位置での値として得られる場合には、それぞれの測
定値をなめらかな曲線でつなぎ、測定値が得られない位
置での補完を行っても良い。また、投影光学系１３の投
影倍率は、走査移動中は固定していても良い。
４の走査移動速度はｂに応じて設定されている（ステッ
プ１）。レチクル１１、ウエハ１４の装着等の露光の前
の準備を経て、検出手段１７によって、露光をする前の
レチクル１１のアライメントマークとウエハ１４のアラ
イメントマークの相対位置が検出される（ステップ
２）。ステップ３で得られた情報は、制御手段１８に送
られ、ウエハパターンとレチクルパターンの位置合わせ
のための演算補正が行なわれる（ステップ３）。制御手
段１８は、ステップ４の結果に基づいて露光走査におい
て位置ずれが小さくなるようにウエハステージの走査移
動とレチクルステージの走査移動とにおける両者の位置
のマッチングと、走査移動中のそれぞれの位置での投影
光学系の倍率の制御パターンを計算する（ステップ
４）。尚、走査移動は連続的に行われるが、検出手段１
７による相対位置の測定値が、走査方向に離散された多
数の位置での値として得られる場合には、それぞれの測
定値をなめらかな曲線でつなぎ、測定値が得られない位
置での補完を行っても良い。また、投影光学系１３の投
影倍率は、走査移動中は固定していても良い。
【００３７】次に、制御手段１８は、走査方向の各位置
について、投影光学系１３の投影倍率とレチクルとウエ
ハの走査速度比の差と、レチクル１１上の露光領域の走
査方向の幅（寸法）ｂとの積｜Ｎop−Ｎst｜ｂを演算
し、制御手段１８は、予め入力された上限値ｍと比較し
（ステップ５）、全ての位置で上限値ｍよりも小さい場
合にはレジストに対して最適な露光量となるようにほぼ
一定の移動速度となるウエハステージの走査移動パター
ンと、ステップ４で計算された結果に基づいて、このパ
ターンにマッチングしたレチクルステージの走査移動パ
ターンと、投影光学系１３の投影倍率の制御パターンと
を作成する。これらのパターンは時間に対する制御指令
値で表現される（ステップ６）。制御手段１８は、それ
ぞれの指令値をウエハステージ制御手段１５１、レチク
ルステージ制御手段１２１、投影光学系の倍率制御手段
１３１、とに送って露光走査を行う（ステップ７）。一
部でも｜Ｎop−Ｎst｜ｂが一部でも上限値ｍを越えてい
る位置がある場合、必要な解像力が得られない位置があ
るというこうとであるから、そのまま露光を行わずに、
所定の処理を行う（ステップ８）。この所定の処理とし
ては、例えばその領域の走査露光を行わないで、同一ウ
エハの次の領域の露光動作へと進めて良いし、そのウエ
ハの露光を中止し、次のウエハに交換しその処理を開始
しても良いし、露光装置の動作を中断し、操作者に判断
を委ねても良いし、或いは、走査移動のパターンや、投
影光学系倍率の制御パターンを作りなおして、もう一度
｜Ｎop−Ｎst｜ｂ を演算し、ｍとの比較をやり直して
も良い。また、ｂを小さく設定し直して露光するのも良
い。また、最小パターンの寸法が局所的に異なる場合に
は、場所毎に異なる上限値ｍを複数設定し、より詳細な
判断をしても良い。
について、投影光学系１３の投影倍率とレチクルとウエ
ハの走査速度比の差と、レチクル１１上の露光領域の走
査方向の幅（寸法）ｂとの積｜Ｎop−Ｎst｜ｂを演算
し、制御手段１８は、予め入力された上限値ｍと比較し
（ステップ５）、全ての位置で上限値ｍよりも小さい場
合にはレジストに対して最適な露光量となるようにほぼ
一定の移動速度となるウエハステージの走査移動パター
ンと、ステップ４で計算された結果に基づいて、このパ
ターンにマッチングしたレチクルステージの走査移動パ
ターンと、投影光学系１３の投影倍率の制御パターンと
を作成する。これらのパターンは時間に対する制御指令
値で表現される（ステップ６）。制御手段１８は、それ
ぞれの指令値をウエハステージ制御手段１５１、レチク
ルステージ制御手段１２１、投影光学系の倍率制御手段
１３１、とに送って露光走査を行う（ステップ７）。一
部でも｜Ｎop−Ｎst｜ｂが一部でも上限値ｍを越えてい
る位置がある場合、必要な解像力が得られない位置があ
るというこうとであるから、そのまま露光を行わずに、
所定の処理を行う（ステップ８）。この所定の処理とし
ては、例えばその領域の走査露光を行わないで、同一ウ
エハの次の領域の露光動作へと進めて良いし、そのウエ
ハの露光を中止し、次のウエハに交換しその処理を開始
しても良いし、露光装置の動作を中断し、操作者に判断
を委ねても良いし、或いは、走査移動のパターンや、投
影光学系倍率の制御パターンを作りなおして、もう一度
｜Ｎop−Ｎst｜ｂ を演算し、ｍとの比較をやり直して
も良い。また、ｂを小さく設定し直して露光するのも良
い。また、最小パターンの寸法が局所的に異なる場合に
は、場所毎に異なる上限値ｍを複数設定し、より詳細な
判断をしても良い。
【００３８】図６は図１の露光装置を用いた他の露光動
作のフローチャート図である。
作のフローチャート図である。
【００３９】図６では、照明領域変更手段１０１によっ
て露光領域の幅（寸法）ｂを変化させる場合について示
す。図６中、ステップ４までは図５のフローと同じであ
り、その次に、走査移動の方向の各点について、ｍ／｜
Ｎop−Ｎst｜を演算する（ステップ５）。ｍ／｜Ｎop−
Ｎst｜ｂの値が、照明領域変更手段１０１によって設定
可能な露光領域の寸法ｂの最小値ｂminよりも小さくな
る場所がある場合は、所定の処理を行う（ステップ
６）。この処理としては、例えばその領域の走査露光を
行わないで、同一ウエハの次の領域の露光動作へと進め
ても良いし、そのウエハの露光を中止し、次のウエハの
処理を開始しても良いし、露光装置の動作を中断し、操
作者に判断を委ねても良いし、或いは、走査移動のパタ
ーンや、投影光学系倍率の制御パターンを作りなおし
て、もう一度｜Ｎop−Ｎst｜ｂを演算し、ｍとの比較を
やり直しても良い。全ての位置で、
て露光領域の幅（寸法）ｂを変化させる場合について示
す。図６中、ステップ４までは図５のフローと同じであ
り、その次に、走査移動の方向の各点について、ｍ／｜
Ｎop−Ｎst｜を演算する（ステップ５）。ｍ／｜Ｎop−
Ｎst｜ｂの値が、照明領域変更手段１０１によって設定
可能な露光領域の寸法ｂの最小値ｂminよりも小さくな
る場所がある場合は、所定の処理を行う（ステップ
６）。この処理としては、例えばその領域の走査露光を
行わないで、同一ウエハの次の領域の露光動作へと進め
ても良いし、そのウエハの露光を中止し、次のウエハの
処理を開始しても良いし、露光装置の動作を中断し、操
作者に判断を委ねても良いし、或いは、走査移動のパタ
ーンや、投影光学系倍率の制御パターンを作りなおし
て、もう一度｜Ｎop−Ｎst｜ｂを演算し、ｍとの比較を
やり直しても良い。全ての位置で、
【００４０】
【外１６】 であれば、走査移動の各位置でのｂの制御パターンを次
のような手続によって求める。｜Ｎop−Ｎst｜＝０の場
合を含めて、ｍ／｜Ｎop−Ｎst｜が設定可能なｂの最大
値ｂmaxよりも大きな位置ては、ｂ＝ｂmasとする。他の
位置では、ｂ＝ｍ／｜Ｎop−Ｎst｜とする（ステップ
７）。次に各位置でのｂの変化に対応するステージの走
査移動パターンを作成する。まず、レジストに対して最
適な露光量となる露光時間となるように、各位置でのウ
エハステージ１５の最適な走査速度を演算する。例え
ば、ｂの大きさによらず照明強度が一定である場合に
は、走査速度をｂに比例させれば良い（ステップ８）。
のような手続によって求める。｜Ｎop−Ｎst｜＝０の場
合を含めて、ｍ／｜Ｎop−Ｎst｜が設定可能なｂの最大
値ｂmaxよりも大きな位置ては、ｂ＝ｂmasとする。他の
位置では、ｂ＝ｍ／｜Ｎop−Ｎst｜とする（ステップ
７）。次に各位置でのｂの変化に対応するステージの走
査移動パターンを作成する。まず、レジストに対して最
適な露光量となる露光時間となるように、各位置でのウ
エハステージ１５の最適な走査速度を演算する。例え
ば、ｂの大きさによらず照明強度が一定である場合に
は、走査速度をｂに比例させれば良い（ステップ８）。
【００４１】次にウエハステージ１５の走査移動パター
ンを作成する。このパターンは時間に対する位置指令値
で表現される。この計算は、（ステップ８）で得られ
る、位置に対する速度の形で表現される微分方程式を解
くことと同一である（ステップ９）。次に、ステップ４
で計算された結果に基づいて、ウエハステージ１５の走
査移動パターンにマッチングしたレチクルステージ１２
の走査移動パターンを作成し、投影光学系１３の倍率Ｎ
opの制御パターン、および露光領域の寸法ｂの制御パタ
ーンをそれぞれ時間に対する指令値として作成する（ス
テップ１０）。次に、各指令値をそれぞれウエハステー
ジ制御手段１５１、レチクルステージ制御手段１２１、
投影光学系１３の倍率制御手段１３１、照明領域変更手
段１０１に送って、走査露光を行う（ステップ１１）。
ンを作成する。このパターンは時間に対する位置指令値
で表現される。この計算は、（ステップ８）で得られ
る、位置に対する速度の形で表現される微分方程式を解
くことと同一である（ステップ９）。次に、ステップ４
で計算された結果に基づいて、ウエハステージ１５の走
査移動パターンにマッチングしたレチクルステージ１２
の走査移動パターンを作成し、投影光学系１３の倍率Ｎ
opの制御パターン、および露光領域の寸法ｂの制御パタ
ーンをそれぞれ時間に対する指令値として作成する（ス
テップ１０）。次に、各指令値をそれぞれウエハステー
ジ制御手段１５１、レチクルステージ制御手段１２１、
投影光学系１３の倍率制御手段１３１、照明領域変更手
段１０１に送って、走査露光を行う（ステップ１１）。
【００４２】照明領域変更手段１０１がレチクル１１上
の露光光の走査方向の強度分布を変化させる機能を有す
る場合には、図６のフローのステップ６、ステップ７、
ステップ８における制御量ｂの代わりにあるいはｂに加
えて、照明強度分布の広がりを代表する制御量を定義
し、必要なコントラストが得られる範囲でこれらの制御
量を制御すれば良い。これらの制御量は、パターン寸法
Δｌ、照明強度分布から、式（１４）によって計算する
ことができる。また、照明強度の制御パターンから図６
のステップ９と同様の手続きによってステージの走査移
動の指令パターンを得ることができる。
の露光光の走査方向の強度分布を変化させる機能を有す
る場合には、図６のフローのステップ６、ステップ７、
ステップ８における制御量ｂの代わりにあるいはｂに加
えて、照明強度分布の広がりを代表する制御量を定義
し、必要なコントラストが得られる範囲でこれらの制御
量を制御すれば良い。これらの制御量は、パターン寸法
Δｌ、照明強度分布から、式（１４）によって計算する
ことができる。また、照明強度の制御パターンから図６
のステップ９と同様の手続きによってステージの走査移
動の指令パターンを得ることができる。
【００４３】以上、縮小倍率を有する投影光学系を用い
た半導体チップ等のデバイス製造用の露光装置を例にし
て説明したが、本発明は、走査型露光装置において、走
査移動速度比を変えることによって走査移動方向の転写
倍率を変える、あらゆる場合について適用できる。
た半導体チップ等のデバイス製造用の露光装置を例にし
て説明したが、本発明は、走査型露光装置において、走
査移動速度比を変えることによって走査移動方向の転写
倍率を変える、あらゆる場合について適用できる。
【００４４】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の一実施例を説明する。図７は半導体デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶
パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回
路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステ
ップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成
したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラフィ技術
によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
イスの製造方法の一実施例を説明する。図７は半導体デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶
パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回
路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステ
ップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成
したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラフィ技術
によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４５】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００４６】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００４７】
【発明の効果】以上、本発明によれば、走査露光での解
像力の悪化を制限することが可能である。特に、露光す
るパターンの最小線幅に応じて、露光領域の幅（寸法）
ｂを適切に設定することが可能になり、スループットを
いたずらに低下させることなく露光装置を稼働させるこ
とができる。
像力の悪化を制限することが可能である。特に、露光す
るパターンの最小線幅に応じて、露光領域の幅（寸法）
ｂを適切に設定することが可能になり、スループットを
いたずらに低下させることなく露光装置を稼働させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される露光装置を示す概略図であ
る。
る。
【図２】レチクルと露光領域の位置関係を示す図であ
る。
る。
【図３】ウエハとレチクルの相対位置の移動を説明する
図である。
図である。
【図４】移動するパターン像の強度分布を示す図であ
る。
る。
【図５】図１の露光装置の動作を説明するためのフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図６】図１の露光装置の別の動作を説明するためのフ
ローチャート図である。
ローチャート図である。
【図７】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図８】図７のウエハプロセスを示す図である。
１０ 照明手段 １０１ 照明領域可変手段 １０２ 照明領域可変手段の制御手段 １１ レチクル １２ レチクルステージ １２１ レチクルステージ制御手段 １３ 投影光学系 １３１ 投影光学系の倍率制御手段 １３２ 投影光学系の倍率制御手段の制御手段 １４ ウエハ １５ ウエハステージ １５１ ウエハステージ制御手段 １６ フレーム １７ 露光装置の制御手段
Claims (4)
- 【請求項１】 露光光と投影光学系に対して原板と基板
とを走査することにより前記原板のパターンを前記投影
光学系を介して前記基板上に投影する段階を含む露光方
法において、前記投影光学系の投影倍率Ｎopとは異なる
速度比Ｎstで前記原板と基板とを走査する時に以下の式
を満たすことを特徴とする露光方法。 ０＜｜Ｎop−Ｎst｜・ｂ＜Δ１ ここで、ｂは前記露光光が前記原板上に形成する露光領
域の走査方向の幅、Δ１は前記基板上に投影されるパタ
ーンの前記基板上での最小線幅を示す。 - 【請求項２】 ｜Ｎop−Ｎst｜とΔ１の値に応じてｂの
値を変えることを特徴とする請求項１の露光方法。 - 【請求項３】 ｜Ｎop−Ｎst｜とΔ１とｂの値に応じて
前記露光領域の走査方向に関する照度分布を変えること
を特徴とする請求項１の露光方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの露光方法を用
いてレチクルのデバイスパターンを被加工片上に転写す
る段階を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05276941A JP3101473B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
| US08/335,394 US5822043A (en) | 1993-11-05 | 1994-11-03 | Exposure method and projection exposure apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05276941A JP3101473B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130632A true JPH07130632A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3101473B2 JP3101473B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=17576547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05276941A Expired - Fee Related JP3101473B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5822043A (ja) |
| JP (1) | JP3101473B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186074A (ja) * | 1996-01-04 | 1997-07-15 | Canon Inc | 露光装置および方法 |
| EP0831376A2 (en) * | 1996-09-24 | 1998-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning exposure method and mask therefor |
| JP2019135554A (ja) * | 2013-04-18 | 2019-08-15 | 株式会社ニコン | パターン露光装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293459A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Nikon Corp | ステージ駆動制御方法及びその装置 |
| US5936710A (en) * | 1996-01-05 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning type exposure apparatus, position control apparatus, and method therefor |
| JP3531894B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2004-05-31 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
| AU4823797A (en) * | 1996-10-15 | 1998-05-22 | Megapanel Corporation | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
| DE69728126T2 (de) * | 1996-12-28 | 2005-01-20 | Canon K.K. | Projektionsbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| US6128069A (en) * | 1997-03-13 | 2000-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage mechanism for exposure apparatus |
| JP3437406B2 (ja) * | 1997-04-22 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
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