JPH09186074A - 露光装置および方法 - Google Patents
露光装置および方法Info
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- JPH09186074A JPH09186074A JP8014779A JP1477996A JPH09186074A JP H09186074 A JPH09186074 A JP H09186074A JP 8014779 A JP8014779 A JP 8014779A JP 1477996 A JP1477996 A JP 1477996A JP H09186074 A JPH09186074 A JP H09186074A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より効率的かつ低コストで半導体チップが製
造できるような半導体露光装置を提供する。 【解決手段】 パルス光１で原板９を照明し、原板と基
板１１を移動させながら原板のパターンを基板上に露光
転写するスキャン型の露光装置において、各パルス光発
光前の露光状態を検出する手段１２，１５と、前記露光
状態に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを判定
する情報処理手段１０４と、露光不良の領域が発生する
と判断された場合パルス発光を停止する制御手段とを具
備する。
造できるような半導体露光装置を提供する。 【解決手段】 パルス光１で原板９を照明し、原板と基
板１１を移動させながら原板のパターンを基板上に露光
転写するスキャン型の露光装置において、各パルス光発
光前の露光状態を検出する手段１２，１５と、前記露光
状態に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを判定
する情報処理手段１０４と、露光不良の領域が発生する
と判断された場合パルス発光を停止する制御手段とを具
備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
用の露光装置に関するものである。
用の露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップの製造工程におい
て、パルス光を光源とする半導体露光装置を利用して半
導体チップの回路パターン等を露光するときにステージ
の位置決め誤差からパルス光の発光強度調整だけでは露
光量を適正値にすることができない場合がある。
て、パルス光を光源とする半導体露光装置を利用して半
導体チップの回路パターン等を露光するときにステージ
の位置決め誤差からパルス光の発光強度調整だけでは露
光量を適正値にすることができない場合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うに致命的なステージ位置決め誤差が存在する場合にお
いても、そのまま露光プロセスを進行するので、位置決
め誤差の影響を受け、その位置の露光は不良となってし
まうという問題がある。
うに致命的なステージ位置決め誤差が存在する場合にお
いても、そのまま露光プロセスを進行するので、位置決
め誤差の影響を受け、その位置の露光は不良となってし
まうという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、より効率的かつ低コストで半導体チップが
製造できるような半導体露光装置を提供することにあ
る。
題点に鑑み、より効率的かつ低コストで半導体チップが
製造できるような半導体露光装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、パルス光で原板を照明し、原板と基板を移
動させながら原板のパターンを基板上に露光転写するス
キャン型の露光装置および方法において、各パルス光発
光前の露光状態を検出し、前記露光状態に基づいて露光
不良の領域が発生するか否かを判定する情報処理を行
い、露光不良の領域が発生すると判断された場合パルス
発光を停止する制御を行うことを特徴とする。
本発明では、パルス光で原板を照明し、原板と基板を移
動させながら原板のパターンを基板上に露光転写するス
キャン型の露光装置および方法において、各パルス光発
光前の露光状態を検出し、前記露光状態に基づいて露光
不良の領域が発生するか否かを判定する情報処理を行
い、露光不良の領域が発生すると判断された場合パルス
発光を停止する制御を行うことを特徴とする。
【０００６】また、前記露光状態検出では複数の情報を
検出し、前記情報処理では前記複数の情報のうち２つ以
上に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを判定す
ることを特徴とする。
検出し、前記情報処理では前記複数の情報のうち２つ以
上に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを判定す
ることを特徴とする。
【０００７】また、前記情報処理では、露光不良の領域
が発生すると判定された領域の基板上の位置を記憶する
ことを特徴とする。
が発生すると判定された領域の基板上の位置を記憶する
ことを特徴とする。
【０００８】また、前記露光状態検出では、各パルス光
の光量を検出することを特徴とする。
の光量を検出することを特徴とする。
【０００９】また、前記露光状態検出では、各パルス光
の発光に同期して前記原板と基板の位置を検出すること
を特徴とする。
の発光に同期して前記原板と基板の位置を検出すること
を特徴とする。
【００１０】また、前記露光状態検出では、前記原板と
該原板の照明領域を規定するブレードとの相対位置を検
出することを特徴とする。
該原板の照明領域を規定するブレードとの相対位置を検
出することを特徴とする。
【００１１】また、前記露光状態検出では、前記原板の
パターンが転写される際の転写倍率を各パルス光発光毎
に検出することを特徴とする。
パターンが転写される際の転写倍率を各パルス光発光毎
に検出することを特徴とする。
【００１２】また、前記情報処理では、前記基板上の所
定の点における過去の露光状態を考慮して、次回のパル
ス光の発光を行った場合の前記所定の点における積算露
光量を算出し、その結果に基づいて前記所定の点が露光
不良の領域が発生するか否かを判定することを特徴とす
る。
定の点における過去の露光状態を考慮して、次回のパル
ス光の発光を行った場合の前記所定の点における積算露
光量を算出し、その結果に基づいて前記所定の点が露光
不良の領域が発生するか否かを判定することを特徴とす
る。
【００１３】そして、前記基板上における露光光強度を
一定にする露光量制御し、該露光量制御で露光量の制御
精度を考慮して、前記情報処理では露光不良の領域が発
生するか否かを判定することを特徴とする。
一定にする露光量制御し、該露光量制御で露光量の制御
精度を考慮して、前記情報処理では露光不良の領域が発
生するか否かを判定することを特徴とする。
【００１４】
【作用】これによれば、従来ステージの位置決め誤差か
ら露光不良となっていた場合であっても、その誤差をあ
らかじめ検知して露光を行なわずに、そのショットへの
露光が一通り終了した後でその部分について再度露光が
行われる。したがって、半導体チップの製造の歩留まり
が向上される。
ら露光不良となっていた場合であっても、その誤差をあ
らかじめ検知して露光を行なわずに、そのショットへの
露光が一通り終了した後でその部分について再度露光が
行われる。したがって、半導体チップの製造の歩留まり
が向上される。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係るパルス光源
を使用した走査型の半導体露光装置を示す概略図であ
り、この装置はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶
デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデ
バイスを製造する際に用いられるものである。同図にお
いて、エキシマレーザ等のパルス光を放射する光源１か
らの光束はビーム整形光学系２により所望の形状に整形
され、ハエの目レンズ等のオプティカルインテグレータ
３の光入射面に指向される。ハエの目レンズは複数の微
小なレンズの集まりからなるものであり、その光射出面
近傍に複数の２次光源が形成される。
を使用した走査型の半導体露光装置を示す概略図であ
り、この装置はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶
デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデ
バイスを製造する際に用いられるものである。同図にお
いて、エキシマレーザ等のパルス光を放射する光源１か
らの光束はビーム整形光学系２により所望の形状に整形
され、ハエの目レンズ等のオプティカルインテグレータ
３の光入射面に指向される。ハエの目レンズは複数の微
小なレンズの集まりからなるものであり、その光射出面
近傍に複数の２次光源が形成される。
【００１６】４はコンデンサレンズであり、オプティカ
ルインテグレータ３の２次光源からの光束でマスキング
ブレード６をケーラー照明している。マスキングブレー
ド６とレチクル９は結像レンズ７とミラー８により、共
役な関係に配置されており、マスキングブレード６はそ
の開口部の形状によりレチクル９における照明領域の形
と寸法が規定するため、レクチルの移動に同期させ走査
させる。１０は投影光学系であり、レチクル９に描かれ
た回路パターンを半導体基板１１に縮小投影している。
レチクル９はレチクルステージ１３に固定され、投影光
学系１０を介してウエハステージ１４上に固定された半
導体基板１１に対してアライメントされる。ウエハステ
ージ１４上には露光量検出器１５が配置されており、こ
の露光量検出器１５により光学系１０を介した際のレー
ザの露光量をモニタすることができる。１２はもう一つ
の露光量検出器であり、ハーフミラー５により分割され
たパルス光の一部の光束をモニタしている。
ルインテグレータ３の２次光源からの光束でマスキング
ブレード６をケーラー照明している。マスキングブレー
ド６とレチクル９は結像レンズ７とミラー８により、共
役な関係に配置されており、マスキングブレード６はそ
の開口部の形状によりレチクル９における照明領域の形
と寸法が規定するため、レクチルの移動に同期させ走査
させる。１０は投影光学系であり、レチクル９に描かれ
た回路パターンを半導体基板１１に縮小投影している。
レチクル９はレチクルステージ１３に固定され、投影光
学系１０を介してウエハステージ１４上に固定された半
導体基板１１に対してアライメントされる。ウエハステ
ージ１４上には露光量検出器１５が配置されており、こ
の露光量検出器１５により光学系１０を介した際のレー
ザの露光量をモニタすることができる。１２はもう一つ
の露光量検出器であり、ハーフミラー５により分割され
たパルス光の一部の光束をモニタしている。
【００１７】制御系の構造は、レーザ制御系１０３、露
光量演算器１０２、ステージ駆動制御系１０１、ＡＦ演
算器１１１、およびそれらの演算部分等を統括する主制
御系１０４からなる。レーザ制御系１０３は、主制御系
１０４において目標となる露光量が得られるように計算
されたレーザ発光強度および発振タイミング信号を受
け、トリガ信号１６および充電電圧信号１７により、光
源１が発するレーザのパルスエネルギおよび発光間隔を
制御する。露光量演算器１０２は、実際の露光が始まる
前に、露光量検出器１２および１５から得られた照度検
出信号１０８および１０９に基づいてそれらの検出期間
の相関を取ることにより、実際の露光の際に露光量検出
器１２からのデータのみでウエハ上の露光量を推定す
る。ステージ駆動制御系１０１は、レチクルステージ１
３とウエハステージ１４の現在位置を認識し、そのデー
タを主制御系１０４に送るとともに、さらに主制御系１
０４から送られてきたステージ駆動信号をもとにステー
ジ信号１０７を出力してステージ１３，１４を駆動す
る。ＡＦ演算器１１１は、ＡＦ光学系１１０により得ら
れたフォーカスずれデータから、フォーカス目標値を達
成するよう投影レンズ駆動信号１１２を出力し、フォー
カスを制御する。そのときのフォーカス状況は主制御系
１０４へ伝達され、逆にフォーカス目標値を主制御系１
０４から受け取る。以上のレーザ制御系１０３、露光量
演算器１０２、ステージ駆動制御系１０１およびＡＦ演
算器１１１はそれぞれ、パルス光を発光するためのトリ
ガ信号に同期して動作し、各データを検出する。主制御
系１０４は、露光状態を入力する入力装置１０５、露光
状況をグラフィカルに表示する表示部１０６を有する。
また、各制御系からパルス光強度、ステージ位置、フォ
ーカス状況等のデータを受け取り、それらを用いて入力
装置１０５により入力された目標露光量を達成するため
の制御演算を行なう。その制御演算の結果から、パルス
光の発光強度指令信号、ステージ駆動信号、フォーカス
目標信号等を各演算器、制御系などに送る。
光量演算器１０２、ステージ駆動制御系１０１、ＡＦ演
算器１１１、およびそれらの演算部分等を統括する主制
御系１０４からなる。レーザ制御系１０３は、主制御系
１０４において目標となる露光量が得られるように計算
されたレーザ発光強度および発振タイミング信号を受
け、トリガ信号１６および充電電圧信号１７により、光
源１が発するレーザのパルスエネルギおよび発光間隔を
制御する。露光量演算器１０２は、実際の露光が始まる
前に、露光量検出器１２および１５から得られた照度検
出信号１０８および１０９に基づいてそれらの検出期間
の相関を取ることにより、実際の露光の際に露光量検出
器１２からのデータのみでウエハ上の露光量を推定す
る。ステージ駆動制御系１０１は、レチクルステージ１
３とウエハステージ１４の現在位置を認識し、そのデー
タを主制御系１０４に送るとともに、さらに主制御系１
０４から送られてきたステージ駆動信号をもとにステー
ジ信号１０７を出力してステージ１３，１４を駆動す
る。ＡＦ演算器１１１は、ＡＦ光学系１１０により得ら
れたフォーカスずれデータから、フォーカス目標値を達
成するよう投影レンズ駆動信号１１２を出力し、フォー
カスを制御する。そのときのフォーカス状況は主制御系
１０４へ伝達され、逆にフォーカス目標値を主制御系１
０４から受け取る。以上のレーザ制御系１０３、露光量
演算器１０２、ステージ駆動制御系１０１およびＡＦ演
算器１１１はそれぞれ、パルス光を発光するためのトリ
ガ信号に同期して動作し、各データを検出する。主制御
系１０４は、露光状態を入力する入力装置１０５、露光
状況をグラフィカルに表示する表示部１０６を有する。
また、各制御系からパルス光強度、ステージ位置、フォ
ーカス状況等のデータを受け取り、それらを用いて入力
装置１０５により入力された目標露光量を達成するため
の制御演算を行なう。その制御演算の結果から、パルス
光の発光強度指令信号、ステージ駆動信号、フォーカス
目標信号等を各演算器、制御系などに送る。
【００１８】パルス光源を用いた半導体露光装置におい
て、パルス光の発光タイミングと同期させ、パルス光を
発光する前に、露光状況、すなわちレチクルとウエハの
ステージが移動した際の同期誤差、フォーカス方向のず
れ等を検出し、検出された位置決め誤差の影響が、次回
パルス光の発光強度を制御することで、露光誤差許容値
内に調整できるか判断する。その結果、露光制御で誤差
の影響を消すことができないと判断された場合には、そ
の位置におけるパルス光の発光を行なわず、その位置を
記憶する。１ショット間そのようにして露光を行なう。
１ショット露光後、未露光位置データを読み出し、その
位置についてはもう一度ステージ位置を調整し、再露光
する。
て、パルス光の発光タイミングと同期させ、パルス光を
発光する前に、露光状況、すなわちレチクルとウエハの
ステージが移動した際の同期誤差、フォーカス方向のず
れ等を検出し、検出された位置決め誤差の影響が、次回
パルス光の発光強度を制御することで、露光誤差許容値
内に調整できるか判断する。その結果、露光制御で誤差
の影響を消すことができないと判断された場合には、そ
の位置におけるパルス光の発光を行なわず、その位置を
記憶する。１ショット間そのようにして露光を行なう。
１ショット露光後、未露光位置データを読み出し、その
位置についてはもう一度ステージ位置を調整し、再露光
する。
【００１９】図２は、露光不良を判定するようにした１
つの露光フィールドに対する露光処理のフローチャート
である。同図に示すように、露光処理を開始すると、ス
テージのＸ，Ｙ，Ｚ，ωx ，ωy およびωz といった位
置誤差、回転誤差等ステージの状態を検出する（ステッ
プＳ１）。そして、前回までの露光履歴を考慮して、検
出された位置決め誤差の影響を次回の発光強度制御で消
去できるかどうかを判断する（ステップＳ２）。次に、
次回パルス光の発光強度の制御で、規定の露光量誤差範
囲内に位置決め誤差の影響を抑えることができない場合
には、その位置においてパルス光を発光せず、その時の
ステージ位置を検出し、記憶領域に記憶する（ステップ
Ｓ３）。もし、発光強度制御を行なうことで、位置誤差
の影響を打ち消すことができると判断されれば、その結
果に基づいてパルス光を発光させる（ステップＳ４，Ｓ
５）。そして、次の領域を露光するため、ステージを移
動させ（ステップＳ６）、そのときのステージ位置を検
出して１ショット分の露光が終了したか否かを判断する
（ステップＳ７）。露光が終了していなければ、再びス
テップＳ１に戻り、ステージ位置の検出以降のフローチ
ャートを繰り返す。露光が終了していれば、先に記憶し
た未露光位置を読み出し（ステップＳ８）、その位置へ
ステージを移動する（ステップＳ９）。その際に、ステ
ージの位置決め誤差が露光量誤差へ影響しない範囲内の
ものであることを確認しなくてはならない。そして、そ
の位置周辺の露光実績からその位置での露光量を計算し
（ステップＳ１０）、その計算結果に基づいてパルス光
の発光強度を制御し発光する。そして、全ての露光が終
了したかどうかを判断し（ステップＳ１１）、露光が終
了している場合は露光動作を終了する。終了していない
場合は、ステップＳ９に戻る。
つの露光フィールドに対する露光処理のフローチャート
である。同図に示すように、露光処理を開始すると、ス
テージのＸ，Ｙ，Ｚ，ωx ，ωy およびωz といった位
置誤差、回転誤差等ステージの状態を検出する（ステッ
プＳ１）。そして、前回までの露光履歴を考慮して、検
出された位置決め誤差の影響を次回の発光強度制御で消
去できるかどうかを判断する（ステップＳ２）。次に、
次回パルス光の発光強度の制御で、規定の露光量誤差範
囲内に位置決め誤差の影響を抑えることができない場合
には、その位置においてパルス光を発光せず、その時の
ステージ位置を検出し、記憶領域に記憶する（ステップ
Ｓ３）。もし、発光強度制御を行なうことで、位置誤差
の影響を打ち消すことができると判断されれば、その結
果に基づいてパルス光を発光させる（ステップＳ４，Ｓ
５）。そして、次の領域を露光するため、ステージを移
動させ（ステップＳ６）、そのときのステージ位置を検
出して１ショット分の露光が終了したか否かを判断する
（ステップＳ７）。露光が終了していなければ、再びス
テップＳ１に戻り、ステージ位置の検出以降のフローチ
ャートを繰り返す。露光が終了していれば、先に記憶し
た未露光位置を読み出し（ステップＳ８）、その位置へ
ステージを移動する（ステップＳ９）。その際に、ステ
ージの位置決め誤差が露光量誤差へ影響しない範囲内の
ものであることを確認しなくてはならない。そして、そ
の位置周辺の露光実績からその位置での露光量を計算し
（ステップＳ１０）、その計算結果に基づいてパルス光
の発光強度を制御し発光する。そして、全ての露光が終
了したかどうかを判断し（ステップＳ１１）、露光が終
了している場合は露光動作を終了する。終了していない
場合は、ステップＳ９に戻る。
【００２０】また、再露光の方法についてはいくつかの
方法が考えられる。前項目の方法のように１ショット分
の露光が終了してから、前記記憶していた露光不良部分
に戻り露光をやりなおす方法以外に、露光不良が予測さ
れるとその部分のステージ位置決め、またはフォーカス
のやり直しを行う方法、１ショット露光を行う間にステ
ージ移動方向を変化させるためから、走査速度が小さく
なるなど再露光を行い易いときに再露光を行う方法、１
つのウエハの露光が終了してから再露光を行う方法等、
再露光を行うタイミングをいずれの露光過程において行
うかは、各自の自由である。
方法が考えられる。前項目の方法のように１ショット分
の露光が終了してから、前記記憶していた露光不良部分
に戻り露光をやりなおす方法以外に、露光不良が予測さ
れるとその部分のステージ位置決め、またはフォーカス
のやり直しを行う方法、１ショット露光を行う間にステ
ージ移動方向を変化させるためから、走査速度が小さく
なるなど再露光を行い易いときに再露光を行う方法、１
つのウエハの露光が終了してから再露光を行う方法等、
再露光を行うタイミングをいずれの露光過程において行
うかは、各自の自由である。
【００２１】図７は、再露光を行うタイミングを示した
ものである。７１は走査露光光、７２は露光時の１ショ
ット分の領域を示している。７３は露光不良部分、７４
は露光光の走査方向を示している。７５は、１ショット
の終了部分を示していて、この部分で再露光を始めるこ
とが考えられる。また７６は、７３の露光不良が予想さ
れる部分を検知したタイミングを示しており、７７は、
露光過程において走査方向を変えなくてはならない部分
を、７８は、ウエハの露光が終了する部分を示してい
る。７５で示した部分以外にも、７６から７８などの部
分において、再露光を行うことが考えられる。
ものである。７１は走査露光光、７２は露光時の１ショ
ット分の領域を示している。７３は露光不良部分、７４
は露光光の走査方向を示している。７５は、１ショット
の終了部分を示していて、この部分で再露光を始めるこ
とが考えられる。また７６は、７３の露光不良が予想さ
れる部分を検知したタイミングを示しており、７７は、
露光過程において走査方向を変えなくてはならない部分
を、７８は、ウエハの露光が終了する部分を示してい
る。７５で示した部分以外にも、７６から７８などの部
分において、再露光を行うことが考えられる。
【００２２】１ショット露光終了時以外で再露光を開始
する場合は、図２のＳ７における露光終了判断における
判断基準を変化させることで対応することができる。
する場合は、図２のＳ７における露光終了判断における
判断基準を変化させることで対応することができる。
【００２３】次に露光不良を判定する一手段を示す。半
導体チップの露光不良の原因としては、まずレチクル９
とウエハ１１の同期位置ずれ誤差を考えることができ
る。図３は、同期ズレ誤差を示した図である。半導体露
光装置においては、ショット間の移動のためや、走査露
光方式の場合は露光光をスキャンさせるために、ウエハ
（走査露光方式の場合はレチクルも）を移動させること
になる。その際に、レチクルとウエハの相対速度に変動
があったり、それぞれのステージを移動する際に振動が
混入したりして、ウエハ面上で本来露光を行ないたい露
光エリア３０１とは違う露光エリア３０２にレチクルが
あてがわれてしまい、ウエハ面の意図する位置に露光を
行なうことができないことがある。
導体チップの露光不良の原因としては、まずレチクル９
とウエハ１１の同期位置ずれ誤差を考えることができ
る。図３は、同期ズレ誤差を示した図である。半導体露
光装置においては、ショット間の移動のためや、走査露
光方式の場合は露光光をスキャンさせるために、ウエハ
（走査露光方式の場合はレチクルも）を移動させること
になる。その際に、レチクルとウエハの相対速度に変動
があったり、それぞれのステージを移動する際に振動が
混入したりして、ウエハ面上で本来露光を行ないたい露
光エリア３０１とは違う露光エリア３０２にレチクルが
あてがわれてしまい、ウエハ面の意図する位置に露光を
行なうことができないことがある。
【００２４】そのときに発生する誤差の概要を示したの
が図４である。図４左図は、第１レイヤと第２レイヤと
の間の同期誤差の結果を示したものであり、右図は発光
間の同期誤差を示したものである。左図は、第１レイヤ
と第２レイヤの同期誤差により、本来であればレイヤ間
で接続されなくてはならない部分も同期誤差のために円
内で囲った部分のようにずれてしまい、所望の回路の構
成を行なうことができなくなる。また右図は、ショット
間の同期誤差により第１発光と第２発光との間でレチク
ルとウエハ間で同期ずれがでて、所望の回路形成を行な
うことができなくなっている。そこで、これらの誤差を
パルス光に同期させて、パルス光を発光する前に検知し
てこのような露光不良が予想される場合には、その位置
を未露光位置として保存して、実際にパルス光を発光さ
せず、１ショット露光が終了した後で、その位置におい
て再露光を行ない、同期位置決め誤差による不良露光を
防止するものである。
が図４である。図４左図は、第１レイヤと第２レイヤと
の間の同期誤差の結果を示したものであり、右図は発光
間の同期誤差を示したものである。左図は、第１レイヤ
と第２レイヤの同期誤差により、本来であればレイヤ間
で接続されなくてはならない部分も同期誤差のために円
内で囲った部分のようにずれてしまい、所望の回路の構
成を行なうことができなくなる。また右図は、ショット
間の同期誤差により第１発光と第２発光との間でレチク
ルとウエハ間で同期ずれがでて、所望の回路形成を行な
うことができなくなっている。そこで、これらの誤差を
パルス光に同期させて、パルス光を発光する前に検知し
てこのような露光不良が予想される場合には、その位置
を未露光位置として保存して、実際にパルス光を発光さ
せず、１ショット露光が終了した後で、その位置におい
て再露光を行ない、同期位置決め誤差による不良露光を
防止するものである。
【００２５】パルス光の発光タイミングに同期して露光
誤差を算出するとき、同期誤差の方向としては特に、ス
キャン方向Ｘ、スリット長手方向Ｙ、Ｚ軸回りの回転誤
差ωｚが考えられ、半導体チップ製造時の不良を判定す
る上で考慮しなくてはならない。露光不良判断の方法と
しては、露光エリア内のある検出点の各方向ごとについ
て、パルス光の発光ごとの誤差を足していき、そのよう
にして算出した誤差をさらに足していくなどし、その和
があらかじめ設定したしきい値を超過する場合にはその
測定点を不良露光とする方法が考えられる。また、計算
の負荷を軽減するために、それぞれの誤差方向に対して
最大誤差をあらかじめ決定しておき、その値を超過した
場合にはその露光部分に関しては不良と判断する方法も
考えられる。
誤差を算出するとき、同期誤差の方向としては特に、ス
キャン方向Ｘ、スリット長手方向Ｙ、Ｚ軸回りの回転誤
差ωｚが考えられ、半導体チップ製造時の不良を判定す
る上で考慮しなくてはならない。露光不良判断の方法と
しては、露光エリア内のある検出点の各方向ごとについ
て、パルス光の発光ごとの誤差を足していき、そのよう
にして算出した誤差をさらに足していくなどし、その和
があらかじめ設定したしきい値を超過する場合にはその
測定点を不良露光とする方法が考えられる。また、計算
の負荷を軽減するために、それぞれの誤差方向に対して
最大誤差をあらかじめ決定しておき、その値を超過した
場合にはその露光部分に関しては不良と判断する方法も
考えられる。
【００２６】また、Ｘ軸方向の誤差をΔｘ、Ｙ軸方向の
誤差をΔｙ、Ｚ軸回りの回転誤差をωz とし、基準とな
る露光エリア面内の位置を（ｘ，ｙ）と座標表示する
と、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸回転方向に誤差が生じた場合
には数１式のように各点は座標変換される。
誤差をΔｙ、Ｚ軸回りの回転誤差をωz とし、基準とな
る露光エリア面内の位置を（ｘ，ｙ）と座標表示する
と、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸回転方向に誤差が生じた場合
には数１式のように各点は座標変換される。
【００２７】
【数１】 したがって、この変換後の座標と変換前の座標との距離
を計算し、かかる距離を露光エリア内の各点について発
光ごとに加算し、その加算結果に対してしきい値を設け
て露光不良を判断する方法や、かかる露光エリア内各点
での加算結果の総和に対してしきい値を設けて露光不良
を判断する方法などが考えられる。また、かかる距離の
各点での加算結果に対してしきい値を設けて露光不良を
判断する方法では、しきい値を超過するとその露光エリ
ア全てを不良とするのではなく、露光エリア面内での露
光不良領域を限定することができる。このため、露光エ
リア内でも露光不良の部分を含むチップのみを不良とす
れば良くなるので、半導体チップの製造効率がさらに良
くなると考えられる。なお、ここで用いた、誤差Δｘ，
Δｙおよびωz は、それぞれいくつかの測定点を使用
し、それらの値を平均化するなどの方法で求めた最適な
値である。
を計算し、かかる距離を露光エリア内の各点について発
光ごとに加算し、その加算結果に対してしきい値を設け
て露光不良を判断する方法や、かかる露光エリア内各点
での加算結果の総和に対してしきい値を設けて露光不良
を判断する方法などが考えられる。また、かかる距離の
各点での加算結果に対してしきい値を設けて露光不良を
判断する方法では、しきい値を超過するとその露光エリ
ア全てを不良とするのではなく、露光エリア面内での露
光不良領域を限定することができる。このため、露光エ
リア内でも露光不良の部分を含むチップのみを不良とす
れば良くなるので、半導体チップの製造効率がさらに良
くなると考えられる。なお、ここで用いた、誤差Δｘ，
Δｙおよびωz は、それぞれいくつかの測定点を使用
し、それらの値を平均化するなどの方法で求めた最適な
値である。
【００２８】レイヤ間の露光不良判定については、ショ
ット上の同一位置におけるレチクル・ウエハ間の同期ず
れから上述の判断基準などにより、その位置における露
光状況を判断すればよい。
ット上の同一位置におけるレチクル・ウエハ間の同期ず
れから上述の判断基準などにより、その位置における露
光状況を判断すればよい。
【００２９】次に別の露光不良判定方法を示す。半導体
チップを露光する際に、レチクル・ウエハ間の距離のず
れは、光学系の焦点距離のずれを生じさせ、露光誤差に
つながる。この焦点距離のずれは、露光装置でパターン
を形成していく上で、そのパターンの鮮明さを左右する
こととなる。そして、半導体チップの露光誤差をパルス
光の発光タイミングに同期させて、フォーカスずれの観
点から検出することが考えられる。そのため、焦点距離
に作用する誤差Ｚ，Ｘ軸回りの回転誤差ωx ，Ｙ軸回り
の回転誤差ωy などを検出し、露光不良を判定すること
になる。その判定方法としては、それぞれの方向Ｚ，ω
x およびωy に対する誤差の絶対値を足していき、その
和があらかじめ設けたしきい値を超過するかどうかを調
べ、超過する場合は露光不良とすることも考えられる。
また、計算の簡素化のため、それぞれの方向に対する誤
差と、あらかじめ設けたそれぞれの方向の誤差しきい値
とを比較し、そのしきい値を超過する場合にはその部分
の露光を不良とすることが考えられる。さらには、ウエ
ハ面の座標系を、スキャン方向をＸ、スリット長手方向
をＹ、これらそれぞれの方向を軸とする回転方向をωx
およびωy 、ＸとＹとからなる平面の法線方向をＺとし
たときに、ウエハの座標系にωx およびωyなる回転誤
差が加わったとすると、数２式の座標変換が作用すると
考えられる。
チップを露光する際に、レチクル・ウエハ間の距離のず
れは、光学系の焦点距離のずれを生じさせ、露光誤差に
つながる。この焦点距離のずれは、露光装置でパターン
を形成していく上で、そのパターンの鮮明さを左右する
こととなる。そして、半導体チップの露光誤差をパルス
光の発光タイミングに同期させて、フォーカスずれの観
点から検出することが考えられる。そのため、焦点距離
に作用する誤差Ｚ，Ｘ軸回りの回転誤差ωx ，Ｙ軸回り
の回転誤差ωy などを検出し、露光不良を判定すること
になる。その判定方法としては、それぞれの方向Ｚ，ω
x およびωy に対する誤差の絶対値を足していき、その
和があらかじめ設けたしきい値を超過するかどうかを調
べ、超過する場合は露光不良とすることも考えられる。
また、計算の簡素化のため、それぞれの方向に対する誤
差と、あらかじめ設けたそれぞれの方向の誤差しきい値
とを比較し、そのしきい値を超過する場合にはその部分
の露光を不良とすることが考えられる。さらには、ウエ
ハ面の座標系を、スキャン方向をＸ、スリット長手方向
をＹ、これらそれぞれの方向を軸とする回転方向をωx
およびωy 、ＸとＹとからなる平面の法線方向をＺとし
たときに、ウエハの座標系にωx およびωyなる回転誤
差が加わったとすると、数２式の座標変換が作用すると
考えられる。
【００３０】
【数２】 である。
【００３１】誤差の入る前のウエハ面をＺ＝０とする
と、回転誤差とＺ軸方向の誤差Δｚが入った後のウエハ
面は数３式となる。
と、回転誤差とＺ軸方向の誤差Δｚが入った後のウエハ
面は数３式となる。
【００３２】
【数３】 したがって、露光エリア上の座標を数３式に代入し、フ
ォーカス方向の距離（誤差）を求めてその誤差に対して
しきい値を設ける方法、露光エリアの各点の誤差を足し
ていき、その和に対してしきい値を設ける方法なども考
えることができる。
ォーカス方向の距離（誤差）を求めてその誤差に対して
しきい値を設ける方法、露光エリアの各点の誤差を足し
ていき、その和に対してしきい値を設ける方法なども考
えることができる。
【００３３】なお、ここで用いた、誤差Δｚ，ωx およ
びωy は、それぞれいくつかの測定点を使用し、それら
の値を平均化するなどの方法で求めた最適な値である。
びωy は、それぞれいくつかの測定点を使用し、それら
の値を平均化するなどの方法で求めた最適な値である。
【００３４】パルス光源を用いた半導体露光装置の露光
の可否を判断する際に、許容露光誤差の要求が厳しい場
合などは、以上に示した誤差評価基準を独立させて採用
することができないので、少なくともその２つの評価基
準を組み合わせ判断することも考えられる。その際に
は、それらの判断基準について適切な重み等を付加し
て、それぞれの誤差を複合的に評価する方法、それぞれ
の判断基準に基づいた誤差を監視しておき、どちらかの
判断基準で不良とされた場合に露光不良とする不良判別
法も考えられる。
の可否を判断する際に、許容露光誤差の要求が厳しい場
合などは、以上に示した誤差評価基準を独立させて採用
することができないので、少なくともその２つの評価基
準を組み合わせ判断することも考えられる。その際に
は、それらの判断基準について適切な重み等を付加し
て、それぞれの誤差を複合的に評価する方法、それぞれ
の判断基準に基づいた誤差を監視しておき、どちらかの
判断基準で不良とされた場合に露光不良とする不良判別
法も考えられる。
【００３５】次に、マスキングブレードとステージ系の
同期誤差から露光不良と判定することも考えられる。走
査露光時にはレチクルステージに照射するビーム形状の
整形、ビーム照射領域の確定をするために、レチクルス
テージの移動に同期させて、マスキングブレードを移動
させる。しかし、マスキングブレードとレチクルステー
ジとの間に同期誤差があると、それに起因する露光不良
が発生する。そこで、マスキングブレードとレチクルス
テージの相対位置を走査露光時にモニタし、それを用い
て露光状態を判断して、その露光エリアが露光不良かど
うかを判断することが考えられる。相対位置要素として
はＸ、Ｙ、Ｚ、ωX、ωY、ωZ方向が考えられ、判断方
法はステージの同期誤差に基づく露光不良領域判定方法
と同様に、それぞれの方向に対しての許容誤差を決定し
ておき、判定領域内の複数の位置について同期誤差を算
出し、その中で最大のものを用いて判断する方法、その
ときの計測誤差の和に対し閾値を設けて露光不良を判断
する方法、測定点の誤差の統計処理結果に対して閾値を
設けておく方法などが考えられる。
同期誤差から露光不良と判定することも考えられる。走
査露光時にはレチクルステージに照射するビーム形状の
整形、ビーム照射領域の確定をするために、レチクルス
テージの移動に同期させて、マスキングブレードを移動
させる。しかし、マスキングブレードとレチクルステー
ジとの間に同期誤差があると、それに起因する露光不良
が発生する。そこで、マスキングブレードとレチクルス
テージの相対位置を走査露光時にモニタし、それを用い
て露光状態を判断して、その露光エリアが露光不良かど
うかを判断することが考えられる。相対位置要素として
はＸ、Ｙ、Ｚ、ωX、ωY、ωZ方向が考えられ、判断方
法はステージの同期誤差に基づく露光不良領域判定方法
と同様に、それぞれの方向に対しての許容誤差を決定し
ておき、判定領域内の複数の位置について同期誤差を算
出し、その中で最大のものを用いて判断する方法、その
ときの計測誤差の和に対し閾値を設けて露光不良を判断
する方法、測定点の誤差の統計処理結果に対して閾値を
設けておく方法などが考えられる。
【００３６】これらの判定方法により、マスキングブレ
ードとレチクルステージの同期誤差に起因する誤差から
露光状態を判別し、その結果露光不良と判別された部分
を記憶し、同部分を再露光することが考えられる。
ードとレチクルステージの同期誤差に起因する誤差から
露光状態を判別し、その結果露光不良と判別された部分
を記憶し、同部分を再露光することが考えられる。
【００３７】走査露光時には、ステージの位置に対して
投影光学系の目標縮小比の設定が行われている場合があ
る。そのため、ステージの位置に対して、実時間に投影
光学系の縮小倍率を制御しなくてはならない。しかしな
がら、投影光学系の目標縮小比と実際の縮小比との間に
誤差の生じることがある。図６は、スキャン露光時に投
影系の縮小倍率を変化させた場合を示した図である。図
６（Ａ）はスキャン位置における投影光学系の縮小倍率
を示した図である。点線は目標縮小倍率が一定である場
合を示しているが、実線のようにスキャン位置において
その縮小倍率を変化させる場合がある。このとき、ウエ
ハに焼きつけられる領域としては図６（Ｂ）の実線で囲
われた部分のようになる。しかし、実線の縮小倍率が図
６（Ａ）の波線のようになった場合には、ウエハに焼き
付けられる領域は図６（Ｂ）の波線で囲われた形とな
り、この波線の形が実線の形と大きく異なる場合には、
露光面の局所、または、全体に像の歪みが生じることと
なり、次層以降のオーバーレイに影響の生じることが考
えられる。従って、投影光学系のスキャン位置における
目標縮小倍率と、実際の縮小倍率の誤差から、露光状態
を判定する必要が出てくる。
投影光学系の目標縮小比の設定が行われている場合があ
る。そのため、ステージの位置に対して、実時間に投影
光学系の縮小倍率を制御しなくてはならない。しかしな
がら、投影光学系の目標縮小比と実際の縮小比との間に
誤差の生じることがある。図６は、スキャン露光時に投
影系の縮小倍率を変化させた場合を示した図である。図
６（Ａ）はスキャン位置における投影光学系の縮小倍率
を示した図である。点線は目標縮小倍率が一定である場
合を示しているが、実線のようにスキャン位置において
その縮小倍率を変化させる場合がある。このとき、ウエ
ハに焼きつけられる領域としては図６（Ｂ）の実線で囲
われた部分のようになる。しかし、実線の縮小倍率が図
６（Ａ）の波線のようになった場合には、ウエハに焼き
付けられる領域は図６（Ｂ）の波線で囲われた形とな
り、この波線の形が実線の形と大きく異なる場合には、
露光面の局所、または、全体に像の歪みが生じることと
なり、次層以降のオーバーレイに影響の生じることが考
えられる。従って、投影光学系のスキャン位置における
目標縮小倍率と、実際の縮小倍率の誤差から、露光状態
を判定する必要が出てくる。
【００３８】この投影光学系の誤差に対して、本発明の
概念を適用し、パルス露光毎の投影光学系の実際の縮小
倍率を縮小倍率検出手段により検出して、目標縮小倍率
に対する投影光学系の縮小倍率の誤差が大きい場合に
は、露光を行わないで、再露光を行うことが考えられ
る。誤差の判定には、ある評価基準に対して閾値を設
け、その閾値を基準に露光状態を判断することとなる。
その際の閾値の設け方としては、目標縮小倍率からのズ
レ量そのものに設ける方法、走査フィールド上幾つかの
測定点について目標値からのズレを計測し、それらを統
計処理してその統計値に対して閾値を設ける方法、また
回路パターンに基づき、回路パターンが他の部分と比較
して複雑であったりして、より縮小倍率に対してより厳
しい精度が必要である場合には各点での測定値に対し、
重みをかけるなどした上で、ズレ量に対して閾値を設け
る方法、統計処理を行った結果に対して閾値を設ける方
法に適用することも考えられる。
概念を適用し、パルス露光毎の投影光学系の実際の縮小
倍率を縮小倍率検出手段により検出して、目標縮小倍率
に対する投影光学系の縮小倍率の誤差が大きい場合に
は、露光を行わないで、再露光を行うことが考えられ
る。誤差の判定には、ある評価基準に対して閾値を設
け、その閾値を基準に露光状態を判断することとなる。
その際の閾値の設け方としては、目標縮小倍率からのズ
レ量そのものに設ける方法、走査フィールド上幾つかの
測定点について目標値からのズレを計測し、それらを統
計処理してその統計値に対して閾値を設ける方法、また
回路パターンに基づき、回路パターンが他の部分と比較
して複雑であったりして、より縮小倍率に対してより厳
しい精度が必要である場合には各点での測定値に対し、
重みをかけるなどした上で、ズレ量に対して閾値を設け
る方法、統計処理を行った結果に対して閾値を設ける方
法に適用することも考えられる。
【００３９】これら一連の手法を用いることにより、投
影光学系の縮小倍率の誤差に起因する露光不良を判定
し、露光不良と判別された部分を記憶し、同部分を再露
光することが考えられる。
影光学系の縮小倍率の誤差に起因する露光不良を判定
し、露光不良と判別された部分を記憶し、同部分を再露
光することが考えられる。
【００４０】さらに、ウエハ面上での露光状況および未
露光位置データは露光装置に備え付けられた表示部分に
表示することにより、オペレータに知らせることができ
る。図８は、その表示例を示したもので、未露光位置８
０１および８０２を示すとともに、その未露光部分は、
１ショットの露光が一通り終了した後で、ステージの位
置決め誤差が露光量に影響しないことを確認してから、
再露光され位置決め誤差の影響を打ち消すことができる
のである。
露光位置データは露光装置に備え付けられた表示部分に
表示することにより、オペレータに知らせることができ
る。図８は、その表示例を示したもので、未露光位置８
０１および８０２を示すとともに、その未露光部分は、
１ショットの露光が一通り終了した後で、ステージの位
置決め誤差が露光量に影響しないことを確認してから、
再露光され位置決め誤差の影響を打ち消すことができる
のである。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、多数個
のパルス光を供給する露光光供給手段と、露光光供給手
段から順次供給されるパルス光の光量を検出する光量検
出手段と、パルス光の発光に同期して原板および基板の
位置および姿勢の誤差を検出する検出手段と、それらの
誤差の検出結果からパルス発光時の露光状態を計算する
演算手段とを有し、演算手段からパルス光の発光強度制
御により露光量を許容値以下にできないと判断するとそ
の位置での発光を行なわずその位置を記憶する記憶手段
と、そのショットへの露光が一通り終了した後で記憶手
段により未露光部分を読み出し再度位置決めして再露光
する手段とを具備するようにしたため、ステージ誤差等
から露光不良となっていたチップを良品として使用でき
るようになり、チップ製造時の無駄を省くことができ
る。
のパルス光を供給する露光光供給手段と、露光光供給手
段から順次供給されるパルス光の光量を検出する光量検
出手段と、パルス光の発光に同期して原板および基板の
位置および姿勢の誤差を検出する検出手段と、それらの
誤差の検出結果からパルス発光時の露光状態を計算する
演算手段とを有し、演算手段からパルス光の発光強度制
御により露光量を許容値以下にできないと判断するとそ
の位置での発光を行なわずその位置を記憶する記憶手段
と、そのショットへの露光が一通り終了した後で記憶手
段により未露光部分を読み出し再度位置決めして再露光
する手段とを具備するようにしたため、ステージ誤差等
から露光不良となっていたチップを良品として使用でき
るようになり、チップ製造時の無駄を省くことができ
る。
【図１】 本発明の一実施例に係る走査型露光装置を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】 図１の装置の露光不良を判定するフローチャ
ートである。
ートである。
【図３】 同期ずれ誤差を示す図である。
【図４】 図３の同期ずれ誤差の概要を示す図である。
【図５】 図１の装置の表示装置に表示された表示例を
示す図である。
示す図である。
【図６】 スキャン露光時に投影系の縮小倍率を変化さ
せた場合を示す図である。
せた場合を示す図である。
【図７】 再露光を行うタイミングを示す図である。
１：光源、２：ビーム整形光学系、３：オプティカルイ
ンテグレータ、４：コンデンサレンズ、５：ハーフミラ
ー、６：マスキングブレード、７：結像レンズ、８：ミ
ラー、９：レチクル、１０：投影光学系、１１：半導体
基板、１２：露光量検出器、１３：レチクルステージ、
１４：ウエハステージ、１５：露光量検出器、１６：ト
リガ信号、１７：充電電圧信号、１０１：ステージ駆動
制御系、１０２：露光量演算器、１０３：レーザ制御
系、１０４：主制御系、１０５：入力装置、１０６：表
示部、１０７：データ出力インタフェース、１０８：照
度検出信号、１０９：照度検出信号、１１０：ＡＦ光学
系、１１１：ＡＦ演算器、１１２：投影レンズ駆動信
号、１１３：ステージ信号、３０１：本来の露光位置、
３０２：実際の露光位置、８０１：露光不良部分、８０
２：チップ。
ンテグレータ、４：コンデンサレンズ、５：ハーフミラ
ー、６：マスキングブレード、７：結像レンズ、８：ミ
ラー、９：レチクル、１０：投影光学系、１１：半導体
基板、１２：露光量検出器、１３：レチクルステージ、
１４：ウエハステージ、１５：露光量検出器、１６：ト
リガ信号、１７：充電電圧信号、１０１：ステージ駆動
制御系、１０２：露光量演算器、１０３：レーザ制御
系、１０４：主制御系、１０５：入力装置、１０６：表
示部、１０７：データ出力インタフェース、１０８：照
度検出信号、１０９：照度検出信号、１１０：ＡＦ光学
系、１１１：ＡＦ演算器、１１２：投影レンズ駆動信
号、１１３：ステージ信号、３０１：本来の露光位置、
３０２：実際の露光位置、８０１：露光不良部分、８０
２：チップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内
Claims (18)
- 【請求項１】 パルス光で原板を照明し、原板と基板を
移動させながら原板のパターンを基板上に露光転写する
スキャン型の露光装置において、各パルス光発光前の露
光状態を検出する手段と、前記露光状態に基づいて露光
不良の領域が発生するか否かを判定する情報処理手段
と、露光不良の領域が発生すると判断された場合パルス
発光を停止する制御手段とを具備することを特徴とする
露光装置。 - 【請求項２】 前記露光状態検出手段は複数の情報を検
出し、前記情報処理手段は前記複数の情報のうち２つ以
上に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを判定す
ることを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記情報処理手段は、露光不良の領域が
発生すると判定された領域の基板上の位置を記憶するこ
とを特徴とする請求項１〜２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記露光状態検出手段は、各パルス光の
光量を検出する手段を有することを特徴とする請求項１
〜３記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記露光状態検出手段は、各パルス光の
発光に同期して前記原板と基板の位置を検出する手段を
有することを特徴とする請求項１〜４記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記露光状態検出手段は、前記原板と該
原板の照明領域を規定するブレードとの相対位置を検出
する手段を有することを特徴とする請求項１〜５記載の
露光装置。 - 【請求項７】 前記露光状態検出手段は、前記原板のパ
ターンが転写される際の転写倍率を各パルス光発光毎に
検出する手段を有することを特徴とする請求項１〜６記
載の露光装置。 - 【請求項８】 前記情報処理手段は、前記基板上の所定
の点における過去の露光状態を考慮して、次回のパルス
光の発光を行った場合の前記所定の点における積算露光
量を算出し、その結果に基づいて前記所定の点が露光不
良の領域が発生するか否かを判定することを特徴とする
請求項１〜７記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記基板上における露光光強度を一定に
する露光量制御手段を有し、該露光量制御手段の露光量
の制御精度を考慮して、前記情報処理手段は露光不良の
領域が発生するか否かを判定することを特徴とする請求
項８記載の露光装置。 - 【請求項１０】 パルス光で原板を照明し、原板と基板
を移動させながら原板のパターンを基板上に露光転写す
るスキャン型の露光方法において、各パルス光発光前の
露光状態を検出する工程と、前記露光状態に基づいて露
光不良の領域が発生するか否かを判定する情報処理工程
と、露光不良の領域が発生すると判断された場合パルス
発光を停止する制御工程とを具備することを特徴とする
露光方法。 - 【請求項１１】 前記露光状態検出工程では複数の情報
を検出し、前記情報処理工程では前記複数の情報のうち
２つ以上に基づいて露光不良の領域が発生するか否かを
判定することを特徴とする請求項１０記載の露光方法。 - 【請求項１２】 前記情報処理工程では、露光不良の領
域が発生すると判断された領域の基板上の位置を記憶す
ることを特徴とする請求項１０〜１１記載の露光方法。 - 【請求項１３】 前記露光状態検出工程は、各パルス光
の光量を検出する工程を有することを特徴とする請求項
１０〜１２記載の露光方法。 - 【請求項１４】 前記露光状態検出工程は、各パルス光
の発光に同期して前記原板と基板の位置を検出する工程
を有することを特徴とする請求項１０〜１３記載の露光
方法。 - 【請求項１５】 前記露光状態検出工程は、前記原板と
該原板の照明領域を規定するブレードとの相対位置を検
出する工程を有することを特徴とする請求項１０〜１４
記載の露光方法。 - 【請求項１６】 前記露光状態検出工程は、前記原板の
パターンが転写される際の転写倍率を各パルス光発光毎
に検出する工程を有することを特徴とする請求項１０〜
１５記載の露光方法。 - 【請求項１７】 前記情報処理工程では、前記基板上の
所定の点における過去の露光状態を考慮して、次回のパ
ルス光の発光を行った場合の前記所定の点における積算
露光量を算出し、その結果に基づいて前記所定の点が露
光不良の領域が発生するか否かを判定することを特徴と
する請求項１０〜１６記載の露光方法。 - 【請求項１８】 前記基板上における露光光強度を一定
にする露光量制御工程を有し、該露光量制御工程におけ
る露光量の制御精度を考慮して、前記情報処理工程では
露光不良の領域が発生するか否かを判定することを特徴
とする請求項１７記載の露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01477996A JP3647121B2 (ja) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | 走査露光装置および方法、ならびにデバイス製造方法 |
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153724A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光装置 |
| JPH0645224A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH06252022A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Nikon Corp | 露光制御装置 |
| JPH06347921A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH07130632A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Canon Inc | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
| JPH07142331A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-06-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH09115799A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153724A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光装置 |
| JPH0645224A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH06252022A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Nikon Corp | 露光制御装置 |
| JPH06347921A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH07142331A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-06-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH07130632A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Canon Inc | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
| JPH09115799A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000043838A1 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-27 | Micronic Laser Systems Ab | Laser writer |
| US6624878B1 (en) | 1999-01-21 | 2003-09-23 | Micronic Laser Systems Ab | Laser writer |
| US7612868B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
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