JPH07130497A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07130497A JPH07130497A JP5294657A JP29465793A JPH07130497A JP H07130497 A JPH07130497 A JP H07130497A JP 5294657 A JP5294657 A JP 5294657A JP 29465793 A JP29465793 A JP 29465793A JP H07130497 A JPH07130497 A JP H07130497A
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- frequency power
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便な磁界制御手段で、均一な高密度プラズ
マを生成し、均一なエッチングレートを実現し、さらに
チャージアップダメージを低減するプラズマ処理装置を
提供すること。 【構成】 プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配置
された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界を
発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側でか
つ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界
と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配
置された磁界発生用コイルからなる磁界発生機構とで構
成した。
マを生成し、均一なエッチングレートを実現し、さらに
チャージアップダメージを低減するプラズマ処理装置を
提供すること。 【構成】 プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配置
された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界を
発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側でか
つ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界
と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配
置された磁界発生用コイルからなる磁界発生機構とで構
成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に使
用するプラズマ処理装置に関する。
用するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、電界と磁界の相互作用を利用した半
導体装置の製造に使用するプラズマ処理装置としては、
特開平２−５１２２８号公報に記載されるものがあっ
た。以下その構成を図３を用いて説明する。
導体装置の製造に使用するプラズマ処理装置としては、
特開平２−５１２２８号公報に記載されるものがあっ
た。以下その構成を図３を用いて説明する。
【０００３】図３は前記文献に記載された従来のプラズ
マ処理装置の一構成例を示す断面図である。このプラズ
マ処理装置はドライエッチング装置として用いるもので
あり、反応容器１内に高周波電界発生機構と磁界発生機
構を有している。また、反応容器１は、エッチングガス
を導入するための図示しない導入口と排出用の排気口１
ａを有している。
マ処理装置の一構成例を示す断面図である。このプラズ
マ処理装置はドライエッチング装置として用いるもので
あり、反応容器１内に高周波電界発生機構と磁界発生機
構を有している。また、反応容器１は、エッチングガス
を導入するための図示しない導入口と排出用の排気口１
ａを有している。
【０００４】前記高周波電界発生機構は対向配置されて
いる上部電極２と下部電極３とから成る一対の電極と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源４を
有している。また磁界発生機構は前記一対の電極２およ
び電極３を取り囲むようにして配置されている複数の磁
界発生用コイル５から構成されている。前記磁界発生用
コイル５は例えばソレノイドコイル５ａ〜５ｆから成る
もので、それぞれはパルス電圧発生器６のパルス電源６
ａ〜６ｆに接続されている。
いる上部電極２と下部電極３とから成る一対の電極と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源４を
有している。また磁界発生機構は前記一対の電極２およ
び電極３を取り囲むようにして配置されている複数の磁
界発生用コイル５から構成されている。前記磁界発生用
コイル５は例えばソレノイドコイル５ａ〜５ｆから成る
もので、それぞれはパルス電圧発生器６のパルス電源６
ａ〜６ｆに接続されている。
【０００５】以上のように構成されたプラズマ処理装置
によるドライエッチングは次のようにして行われる。
によるドライエッチングは次のようにして行われる。
【０００６】まず、下部電極３上の所定位置に被エッチ
ング材としてのウエハ７を載置し、エッチングガスを反
応容器１内に供給する。これと同時にエッチングガスを
排気口１ａから排出して、反応容器１内が所定のガス圧
力となるように制御する。
ング材としてのウエハ７を載置し、エッチングガスを反
応容器１内に供給する。これと同時にエッチングガスを
排気口１ａから排出して、反応容器１内が所定のガス圧
力となるように制御する。
【０００７】この状態において、高周波電源４から下部
電極３に高周波電力を供給すれば、電極２および電極３
の間に矢印Ｅ方向の高周波電界が形成され、プラズマ８
が生じる。その際、磁界発生用コイル５の各ソレノイド
コイル５ａ〜５ｆにパルス電圧発生器６からの周期的な
パルス電圧を与えると、前記高周波電界に直交する矢印
Ｆ方向に周期的な磁界が発生する。これによりプラズマ
８中の電子は、互いに直交する電界と磁界との作用を受
けてサイクロイド運動を行い、エッチングガスの解離が
有効になされ、解離効率が高められる。このようにして
ウエハ７に対するドライエッチングが施される。
電極３に高周波電力を供給すれば、電極２および電極３
の間に矢印Ｅ方向の高周波電界が形成され、プラズマ８
が生じる。その際、磁界発生用コイル５の各ソレノイド
コイル５ａ〜５ｆにパルス電圧発生器６からの周期的な
パルス電圧を与えると、前記高周波電界に直交する矢印
Ｆ方向に周期的な磁界が発生する。これによりプラズマ
８中の電子は、互いに直交する電界と磁界との作用を受
けてサイクロイド運動を行い、エッチングガスの解離が
有効になされ、解離効率が高められる。このようにして
ウエハ７に対するドライエッチングが施される。
【０００８】この従来技術では、磁界発生機構として磁
界発生用コイル５にパルス電圧発生器６から周期的にパ
ルス電圧を印加し、この電圧の比率等を制御することに
よって、磁界強度やその分布の均一性を制御している。
界発生用コイル５にパルス電圧発生器６から周期的にパ
ルス電圧を印加し、この電圧の比率等を制御することに
よって、磁界強度やその分布の均一性を制御している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の半導
体デバイスの高集積化に伴い、高精度パターニング技術
が重要となってきている。そのため低圧力でしかも高エ
ッチングレートが得られダメージのないドライエッチン
グ技術が必要不可欠なものとなっている。
体デバイスの高集積化に伴い、高精度パターニング技術
が重要となってきている。そのため低圧力でしかも高エ
ッチングレートが得られダメージのないドライエッチン
グ技術が必要不可欠なものとなっている。
【００１０】しかし、上述した構成のプラズマ処理装置
では、磁界制御が複雑である点、また荷電粒子の電荷の
偏りによるウエハのゲート酸化膜の劣化やゲート酸化膜
の絶縁破壊等の問題（チャージアップダメージ）があっ
た。
では、磁界制御が複雑である点、また荷電粒子の電荷の
偏りによるウエハのゲート酸化膜の劣化やゲート酸化膜
の絶縁破壊等の問題（チャージアップダメージ）があっ
た。
【００１１】すなわち、上述のプラズマ処理装置では、
磁界発生機構として、一対の電極２および３を取り囲む
ように配置された複数の磁界発生コイル５とパルス電圧
発生器６を用いている。このため、ウエハ７表面での磁
界を均一にするため、複数のパルス電源６ａ〜６ｆを制
御する必要があり、その結果磁界制御が複雑となる。ま
た、前記磁界発生コイル５による磁界はウエハ７表面と
平行であるため、荷電粒子は、電界と磁界との相互作用
により運動し、したがってウエハ７の表面上で電荷の偏
りが生じる。この電荷の偏りによりチャージアップダメ
ージが生じる可能性がある。
磁界発生機構として、一対の電極２および３を取り囲む
ように配置された複数の磁界発生コイル５とパルス電圧
発生器６を用いている。このため、ウエハ７表面での磁
界を均一にするため、複数のパルス電源６ａ〜６ｆを制
御する必要があり、その結果磁界制御が複雑となる。ま
た、前記磁界発生コイル５による磁界はウエハ７表面と
平行であるため、荷電粒子は、電界と磁界との相互作用
により運動し、したがってウエハ７の表面上で電荷の偏
りが生じる。この電荷の偏りによりチャージアップダメ
ージが生じる可能性がある。
【００１２】本発明はこのような問題点にかんがみてな
されたものであり、その目的とするところは、簡便な磁
界制御手段で、均一な高密度プラズマを生成し、均一な
エッチングレートを実現し、さらにチャージアップダメ
ージを低減するプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
されたものであり、その目的とするところは、簡便な磁
界制御手段で、均一な高密度プラズマを生成し、均一な
エッチングレートを実現し、さらにチャージアップダメ
ージを低減するプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配
置された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界
を発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側で
かつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電
界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように
配置された磁界発生機構とで構成した。
するために、プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配
置された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界
を発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側で
かつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電
界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように
配置された磁界発生機構とで構成した。
【００１４】
【作用】反応容器内に反応ガスを供給し磁界発生用コイ
ルに高周波電力を供給すると、形成された磁界によりプ
ラズマが生成されるが、磁界と高周波電界発生機構によ
り発生される高周波電界とは空間的に重ならないので、
ウエハにドライエッチングを行う際、プラズマ密度とイ
オンエネルギーとを別々に制御することができ、またウ
エハに対する磁場の影響を避けることができる。
ルに高周波電力を供給すると、形成された磁界によりプ
ラズマが生成されるが、磁界と高周波電界発生機構によ
り発生される高周波電界とは空間的に重ならないので、
ウエハにドライエッチングを行う際、プラズマ密度とイ
オンエネルギーとを別々に制御することができ、またウ
エハに対する磁場の影響を避けることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１６】図１は本発明の実施例を示すプラズマ処理
装置を示す図であり、（ａ）はコイルの形状の平面図、
（ｂ）はプラズマ処理装置の断面図である。
装置を示す図であり、（ａ）はコイルの形状の平面図、
（ｂ）はプラズマ処理装置の断面図である。
【００１７】反応容器９内には、上部電極１０と下部電
極１２からなる一対の電極が対向して配置されている。
上部電極１０は、絶縁シールド１４に埋め込まれて設置
され、下部電極１２にはマッチングボックス１８を介し
て高周波電源１３が接続されている。反応容器９の上部
には図１（ａ）に鎖線で示すように、平面的に見たとき
に上部電極１０と重ならないようにうず巻き状コイル１
５が配置されている。この実施例では、コイル１５は、
絶縁シールド１４上に配置されている。うず巻き状コイ
ル１５にはマッチングボックス１７を介して高周波電源
１１が接続されている。さらに図１には示されていない
が、反応ガス導入機構と排気機構が設けられている。
極１２からなる一対の電極が対向して配置されている。
上部電極１０は、絶縁シールド１４に埋め込まれて設置
され、下部電極１２にはマッチングボックス１８を介し
て高周波電源１３が接続されている。反応容器９の上部
には図１（ａ）に鎖線で示すように、平面的に見たとき
に上部電極１０と重ならないようにうず巻き状コイル１
５が配置されている。この実施例では、コイル１５は、
絶縁シールド１４上に配置されている。うず巻き状コイ
ル１５にはマッチングボックス１７を介して高周波電源
１１が接続されている。さらに図１には示されていない
が、反応ガス導入機構と排気機構が設けられている。
【００１８】上述のように構成されたプラズマ処理装置
によるドライエッチングは次のように行われる。
によるドライエッチングは次のように行われる。
【００１９】まず、下部電極１２上の所定の位置に被エ
ッチング材としてのウエハ１６を載置し、反応容器９内
に反応ガスを供給し、同時に排気し、反応容器９内が所
定の圧力となるように制御する。この状態で、高周波電
源１７からうず巻き状コイル１５に高周波電力を供給す
ればプラズマが生成される。このプラズマ生成過程は以
下のように説明される。
ッチング材としてのウエハ１６を載置し、反応容器９内
に反応ガスを供給し、同時に排気し、反応容器９内が所
定の圧力となるように制御する。この状態で、高周波電
源１７からうず巻き状コイル１５に高周波電力を供給す
ればプラズマが生成される。このプラズマ生成過程は以
下のように説明される。
【００２０】供給された高周波電力によりうず巻き状コ
イル１５から絶縁シールド１４を貫通する磁場が誘導形
成される。この磁場はソレノイド状であり、絶縁シール
ド１４の直下では、絶縁シールド１４面に対しほぼ垂直
である。この磁場により、電子はらせん状に回転運動を
行い、回転運動する電子はガス分子と衝突を繰り返し、
その結果平面状の高密度プラズマが生成される。
イル１５から絶縁シールド１４を貫通する磁場が誘導形
成される。この磁場はソレノイド状であり、絶縁シール
ド１４の直下では、絶縁シールド１４面に対しほぼ垂直
である。この磁場により、電子はらせん状に回転運動を
行い、回転運動する電子はガス分子と衝突を繰り返し、
その結果平面状の高密度プラズマが生成される。
【００２１】うず巻き状コイル１５によって形成される
磁場の強さは、うず巻き状コイル１５からの距離に対し
指数関数的に減少する。また、うず巻き状コイル１５に
よって形成される磁場はソレノイド状である。そのた
め、生成されたプラズマ中ではほぼ無磁場であるため、
ウエハ１６近傍での磁場の強さは非常に小さい。このた
め、ウエハ近傍に存在する磁場に起因する問題、具体的
にはチャージアップダメージなどの問題を避けることが
できる。
磁場の強さは、うず巻き状コイル１５からの距離に対し
指数関数的に減少する。また、うず巻き状コイル１５に
よって形成される磁場はソレノイド状である。そのた
め、生成されたプラズマ中ではほぼ無磁場であるため、
ウエハ１６近傍での磁場の強さは非常に小さい。このた
め、ウエハ近傍に存在する磁場に起因する問題、具体的
にはチャージアップダメージなどの問題を避けることが
できる。
【００２２】高度な異方性エッチングを行う場合には均
一なエネルギーを有し、方向の制御されたイオンを得る
ことが必要であるが、これは反応容器９内に配置された
一対の電極１０、１２間に高周波電源１３から高周波電
力を印加することで実現される。対向電極１０、１２間
に高周波電源１３から高周波電力を印加すると、ウエハ
１６に対し垂直方向の電界が生じる。上部電極１０の面
積を変えることで、ウエハ１６上での電界の大きさ、方
向を均一にできる。したがって、均一なエッチングレー
トを実現できる。うず巻き状コイル１５に印加する高周
波電源１１と下部電極に印加する高周波電源１３は、共
振などの問題を避けるために異なった周波数でも動作し
得るようになっている。
一なエネルギーを有し、方向の制御されたイオンを得る
ことが必要であるが、これは反応容器９内に配置された
一対の電極１０、１２間に高周波電源１３から高周波電
力を印加することで実現される。対向電極１０、１２間
に高周波電源１３から高周波電力を印加すると、ウエハ
１６に対し垂直方向の電界が生じる。上部電極１０の面
積を変えることで、ウエハ１６上での電界の大きさ、方
向を均一にできる。したがって、均一なエッチングレー
トを実現できる。うず巻き状コイル１５に印加する高周
波電源１１と下部電極に印加する高周波電源１３は、共
振などの問題を避けるために異なった周波数でも動作し
得るようになっている。
【００２３】このように本発明ではうず巻き状コイル１
５に高周波電力を印加することでプラズマ密度を、また
対向電極１０、１２間に高周波電力を印加することでイ
オンエネルギーをそれぞれ別々に制御できる特徴を有し
ている。
５に高周波電力を印加することでプラズマ密度を、また
対向電極１０、１２間に高周波電力を印加することでイ
オンエネルギーをそれぞれ別々に制御できる特徴を有し
ている。
【００２４】接地された上部電極１０とうず巻き状コイ
ル１５とが平面的に見たときに重なるように配置される
と上部電極１０とうず巻き状コイル１５との相互作用に
よりプラズマが生成されにくいなどの問題が生じる可能
性がある。このため、本発明では、うず巻き状コイル１
５と上部電極１０とが重ならないように配置することが
重要である。また、このように構成することにより、高
周波電源１３から高周波電力を印加することによって対
向電極１０、１２間に発生する高周波電界と、高周波電
源１１から高周波電力を印加することによって形成され
る磁界が空間的に重ならないようになる。
ル１５とが平面的に見たときに重なるように配置される
と上部電極１０とうず巻き状コイル１５との相互作用に
よりプラズマが生成されにくいなどの問題が生じる可能
性がある。このため、本発明では、うず巻き状コイル１
５と上部電極１０とが重ならないように配置することが
重要である。また、このように構成することにより、高
周波電源１３から高周波電力を印加することによって対
向電極１０、１２間に発生する高周波電界と、高周波電
源１１から高周波電力を印加することによって形成され
る磁界が空間的に重ならないようになる。
【００２５】なお、本発明は図１に示した実施例に限定
されず、種々の変形が可能であり、例えば、つぎのよう
な変形が挙げられる。 （１）図１においては、うず巻き状コイルの形状、巻き
数は図示のものに限定されることなく、用途等に応じて
自由に変形することができる。 （２）図２に示す第２の実施例のように、上部電極１
０、下部電極１２の両方の電極に高周波電力を印加する
ことも可能である。以下にこの第２の実施例について説
明する。
されず、種々の変形が可能であり、例えば、つぎのよう
な変形が挙げられる。 （１）図１においては、うず巻き状コイルの形状、巻き
数は図示のものに限定されることなく、用途等に応じて
自由に変形することができる。 （２）図２に示す第２の実施例のように、上部電極１
０、下部電極１２の両方の電極に高周波電力を印加する
ことも可能である。以下にこの第２の実施例について説
明する。
【００２６】図２に示す第２の実施例によるプラズマ処
理装置は、上部電極１０と下部電極１２の両方の電極に
高周波電力を印加する機構を有し、上部電極１０と高周
波電源１９との間に移送調整機構２０を有する構成とな
っている。他の部分については第１の実施例と共通して
いるので同じ参照数字を用いて示し特に説明は行わな
い。
理装置は、上部電極１０と下部電極１２の両方の電極に
高周波電力を印加する機構を有し、上部電極１０と高周
波電源１９との間に移送調整機構２０を有する構成とな
っている。他の部分については第１の実施例と共通して
いるので同じ参照数字を用いて示し特に説明は行わな
い。
【００２７】上述の構成で上部電極１０と下部電極１２
には同一周波数、例えば１３．５６ＭＨz の高周波電力
を印加する。この時、位相調整機構２０により、上部電
極１０に印加される高周波電力の位相を、下部電極１２
に印加される高周波電力に対して変えることができる。
このように上部電極１０と下部電極１２に印加する高周
波電力の位相を変えることにより、プラズマ状態を変化
させることなく、イオンエネルギーを自由に変えること
ができる。例えば、位相を１８０°変化させると、ウエ
ハ１６上において、下部電極１２だけに高周波電力を１
００Ｗ印加した場合に得られるのと同等のイオンエネル
ギーを、上部電極１０と下部電極１２とにそれぞれ高周
波電力を５０Ｗ印加することで得ることができる。それ
により、下部電極１２だけに高周波電力を印加した場合
よりも、反応容器９の内壁との作用を小さくできるた
め、プラズマの安定性にも有効である。
には同一周波数、例えば１３．５６ＭＨz の高周波電力
を印加する。この時、位相調整機構２０により、上部電
極１０に印加される高周波電力の位相を、下部電極１２
に印加される高周波電力に対して変えることができる。
このように上部電極１０と下部電極１２に印加する高周
波電力の位相を変えることにより、プラズマ状態を変化
させることなく、イオンエネルギーを自由に変えること
ができる。例えば、位相を１８０°変化させると、ウエ
ハ１６上において、下部電極１２だけに高周波電力を１
００Ｗ印加した場合に得られるのと同等のイオンエネル
ギーを、上部電極１０と下部電極１２とにそれぞれ高周
波電力を５０Ｗ印加することで得ることができる。それ
により、下部電極１２だけに高周波電力を印加した場合
よりも、反応容器９の内壁との作用を小さくできるた
め、プラズマの安定性にも有効である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、プラズマ処理装置の反応容器上部にプラズマ生成用
のうず巻き状コイルを配置し、そのコイルと平面的にみ
て重ならないように上部電極を配置することによって、
プラズマ密度とイオンエネルギーとを別々に制御するこ
とができるので、均一な高密度プラズマを生成すること
ができ、また均一なエネルギーを有し方向の制御された
イオンを得ることができる。これにより、ウエハに対す
る均一なエッチングレートを実現できる。
は、プラズマ処理装置の反応容器上部にプラズマ生成用
のうず巻き状コイルを配置し、そのコイルと平面的にみ
て重ならないように上部電極を配置することによって、
プラズマ密度とイオンエネルギーとを別々に制御するこ
とができるので、均一な高密度プラズマを生成すること
ができ、また均一なエネルギーを有し方向の制御された
イオンを得ることができる。これにより、ウエハに対す
る均一なエッチングレートを実現できる。
【００２９】また、うず巻き状コイルによる磁場はコイ
ルからの距離に対し指数関数的に減少し、また、ソレノ
イド状であるため、ウエハ表面上での磁場の強さはほぼ
０である。このため、磁場の存在に起因するチャージア
ップダメージなどの問題は生じない。
ルからの距離に対し指数関数的に減少し、また、ソレノ
イド状であるため、ウエハ表面上での磁場の強さはほぼ
０である。このため、磁場の存在に起因するチャージア
ップダメージなどの問題は生じない。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の第１の実施例
を示す図であり、（ａ）はコイルの形状の平面図、
（ｂ）はプラズマ処理装置の断面図である。
を示す図であり、（ａ）はコイルの形状の平面図、
（ｂ）はプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】本発明によるプラズマ処理装置の第２の実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図３】従来のプラズマ処理装置の一構成例を示す断面
図である。
図である。
９ 反応容器 １０ 上部電極 １１、１３ 高周波電源 １２ 下部電極 １４ 絶縁シールド １５ うず巻き状コイル １６ ウエハ １７、１８ マッチングボックス １９ 高周波電源 ２０ 位相調整機構
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器内に対向配置された一対の電極
を有し、該電極間に高周波電界を発生させる高周波電界
発生機構と、前記反応容器の外側でかつ前記高周波電界
発生機構により発生される高周波電界と空間的に重なら
ないような磁界を発生させるように配置磁界発生機構と
を備えたプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記磁界発生機構が磁界発生用のうず巻
状コイルからなる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294657A JP2679756B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | プラズマ処理装置 |
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