KR100346006B1 - 플라즈마처리장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치는 전극들 사이에서 고주파 전계를 발생시키기 위해 반응용기 내에 배치되어 있는 한 쌍의 전극들을 갖고 있는 고주파 전계 발생 메카니즘, 및 상기 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는 자계를 발생하도록 반응 용기 외부에 배치된 자계 발생 코일로 구성되는 자계 발생 메카니즘을 포함하고 있다. 반응 가스가 반응 용기 내에 공급되고, 고주파 전력이 자계 발생 코일에 공급될 때, 플라즈마는 솔레노이드 형태로 형성되는 자계에 의해 발생된다. 그러나, 자계가 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않기 때문에, 웨이퍼에 대한 건식 에칭 중에 플라즈마 밀도 및 이온 에너지가 독립적으로 제어되고 웨이퍼 상에서 자계의 영향을 방지할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치
본 발명은 반도체 디바이스를 제조하기 위해 사용되는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하기 위해 전계와 자계 사이의 상호작용을 이용한 종래의 플라즈마 처리 장치는 일본국 특허 공개 제2-51228호에 기술되이 있다. 이 종래 기술의 장치를 제1도를 참조하여 기술하겠다.
제1도는 상기 공보에 기술되는 종래의 플라즈마 처리 장치의 구성을 도시한 단면도이다. 이 플라즈마 처리 장치는 건식 에칭 장치로서 이용되고 반응 용기(1)안에 있는 고주파 전계 발생 메카니즘 및 자계 발생 메카니즘을 갖고 있다. 이 외에, 반응 용기(1)은 에칭 가스를 인입하기 위한 인입부(도시하지 않음) 및 가스를 배출하기 위한 배기부(1a)를 갖고 있다.
고주파 전계 발생 메카니즘은 상부 전극(2) 및 하부 전극(3)으로 구성되는 한 쌍으로 대향 전극 및 이들 전극들에 고주파 전원을 공급하기 위한 고주파 전원(4)를 갖고 있다. 자계 발생 메카니즘은 한 쌍의 전극(2 및 3)을 둘러싸도록 구성된 다수의 자계 발생 코일(5)로 구성된다. 자계 발생 코일(5)는 예를 들어 솔레노이드 코일(5a 내지 5f)로 구성되고, 펄스 전압 발생기(6)의 펄스 전원(6a 내지 6f)에 각각 접속되어 있다.
상술한 바와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치로 수행되는 건식 에칭이 다음과 같이 행해진다.
에칭될 물질로서 작용하는 웨이퍼(7)은 하부 전극(3)의 소정 위치에 배치되고 에칭 가스는 반응 용기(1)에 공급된다. 이와 동시에, 에칭 가스는 배기부(1a)로부터 배출되고 반응 용기(1) 내의 압력은 소정의 가스 압력이 되도록 제어된다.
이 상태에서, 고주파 전력이 고주파 전원(4)로부터 하부 전극(3)으로 공급되는 경우에, 화살표 E로 표시되는 방향의 고주파 전계가 전극들(2와 3) 사이에 발생하여 플라즈마(8)을 발생시킨다. 이때, 펄스 전압 발생기(6)으로부터의 주기적인 펄스 전압이 자계 발생 코일(5)로서 작용하는 솔레노이드 코일(5a 내지 5f)에 인가되는 경우에, 주기적인 자계가 고주파 전계와 수직한 화살표 F로 표시된 방향에서 발생된다. 이 때문에, 서로 수직한 전계 및 자계는 플라즈마(8) 내에서 전자에 영향을 미쳐 이 전자로 하여금 사이클로이드 운동(cycloid movement)을 하게 하고 에칭 가스는 효과적으로 분리되어 분리 효율을 증진시킨다. 이 방식에서, 건식 에칭이 웨이퍼(7)에 대해 수행된다.
이 종래의 기술에서, 펄스 전압이 펄스 전압 발생기(6)으로부터 자계 발생코일(5)에 주기적으로 인가되고 이 펄스 전압의 비율 등이 변화되어서 자계의 세기 또는 자계 분포의 균일성을 제어한다.
최근에, 반도체 디바이스의 집적도의 증가에 따라 고정밀 패터닝 기술이 중시되어 왔다. 이 때문에, 저압에서 이용될 수 있는 건식 에칭 기술이 고에칭율을 달성할 수 있고 충격과 무관한 상기 기술이 필수불가결하게 되었다.
그러나, 상기 구성을 갖는 플라즈마 처리 장치에서, 다음의 문제점이 제기된다. 즉, 자계 제어가 복잡해지고 웨이퍼의 게이트 산화막이 하전된 입자 전하의 편이(localization)에 의해 열화되거나 파괴된다(차지업 충격).
특히, 상기 플라즈마 처리 장치에 있어서 펄스 전압 발생기(6) 및 한 쌍의 전극(2 및 3)을 둘러싸도록 구성된 다수의 자계 발생 코일(5)가 자계 발생 메카니즘으로 사용된다. 이 때문에, 다수의 펄스 전원(6a 내지 6f)는 웨이퍼(7)의 표면의 자계가 균일하게 되도록 제어되어야 하고 결과적으로 자계 제어가 복잡해진다. 또한, 자계 발생 코일(5)에 의해 발생되는 자계가 웨이퍼(7)의 표면과 평행하기 때문에 하전된 입자는 전계와 자계 사이의 상호 작용에 의해 편이된다. 이 때문에, 웨이퍼(7)의 표면에서 전하가 불균일해진다. 이 전하의 불균일성은 차지업 충격을 야기시킬 수 있다.
본 발명은 상기 문제점을 고려하여 된 것으로, 본 발명의 목적은 균일한 고밀도 플라즈마가 간단한 자계 제어 수단에 의해 발생되고 균일한 에칭율이 실현되며 차지업 충격이 감소되는 플라즈마 처리 장치를 제공하려는 것이다.
본 발명에 따라 상기 목적을 달성하기 위해, 플라즈마 처리 장치는 전극물 사이에서 고주파 전계를 발생시키기 위해 반응 용기 내에 배치되어 있는 한 쌍의 대향 전극들을 갖고 있는 고주파 전계 발생 메카니즘, 및 상기 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는 자계를 발생하도록 반응 용기 외부에 배치된 자계 발생 코일로 구성되는 자계 발생 메카니즘을 포함하고 있다.
반응 가스가 반응 용기 내에 공급되고, 고주파 전력이 자계 발생 코일에 공급될 때, 플라즈마는 솔레노이드 형태로 형성되는 자계에 의해 발생된다. 그러나,자계는 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는다. 이 때문에, 건식 에칭이 웨이퍼에서 수행될 때, 플라즈마 밀도 및 이온 에너지가 독립적으로 제어되고 웨이퍼 상에서 자계의 영향을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 기술하겠다.
제2A도는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 코일 형상을 도시한 평면도이고, 제2B도는 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도이다.
상부 전극(10) 및 하부 전극(12)으로 구성되는 한 쌍의 대향 전극이 반응 용기(9) 내에 배치되어 있다. 상부 전극(10)은 절연판(14)에 매립되도록 배치되고 고주파 전원(13)은 매칭 박스(18)을 통해 하부 전극(12)에 접속되어 있다. 제2A도에 이중 쇄선으로 도시한 바와 같이, 반응 용기(9)의 상부 방향을 보면(즉, 평면적으로 볼 때) 반응 용기(9) 위에는 나선형 코일(15)가 상부 전극(10)과 중첩하지 않도록 배치되어 있다. 이 실시예에서, 코일(15)는 절연판(14) 위에 배치된다. 고주파 전원(11)은 매칭 박스(17)을 통해 나선형 코일(15)에 접속된다. 또한, 제1도에 도시되지는 않았지만, 반응 가스 공급 메카니즘 및 배기 메카니즘이 배치되어 있다.
상술한 바와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치에 의한 건식 에칭이 다음과 같이 수행된다.
에칭될 물질로서 작용하는 웨이퍼(16)은 하부 전극(12) 상의 소정 위치에 배치되고 반응 가스는 반응 용기(9)에 공급된다. 이와 동시에, 반응 가스가 배출되어 반응 용기(9)의 압력은 소정의 압력이 되도록 제어된다. 이 상태에서, 고주파 전력이 고주파 전원(11)로부터 나선형 코일(15)로 공급되는 경우에 플라즈마가 발생한다. 이 플라즈마를 발생시키는 과정은 다음에 기술된다.
절연판(14)를 관통하는 자계가 공급된 고주파 전력에 의해 나선형 코일(15)로부터 유도되어 형성된다. 이 자계는 솔레노이드형 자계이고 절연판(14) 바로 아래에서 절연판(14) 표면과 거의 수직이다. 이 자계로 인해, 전자가 나선 형태로 회전적으로 이동하고, 이렇게 회전 이동된 전자는 반복하여 기체 분자와 충돌한다. 결과적으로, 평면형 고밀도 플라즈마가 발생된다.
나선형 코일(15)에 의해 형성된 자계 세기는 나선형 코일(15)로부터의 거리에 대해 지수 함수적으로 감소한다. 나선형 코일(15)에 의해 형성된 자계는 솔레노이드형 자계이다. 이 때문에, 발생된 플라즈마는 거의 자계가 갖고 있지 않기 때문에, 웨이퍼(16) 부근의 자계는 상당히 약하다. 그러므로, 웨이퍼 부근에서 존재하는 자계에 의해 야기되는 문제점, 특히 차지업 충격과 같은 문제점이 방지될 수 있다.
고도의 비등방성 에칭이 수행될 때, 균일한 에너지를 갖는 방향 제어된 이온(direction-controlled ion)이 얻어져야만 한다. 이들 이온들은 반응 용기(9) 내에 배치된 한 쌍의 전극(10 및 12) 양단에 고주파 전원(13)으로부터의 고주파 전력을 인가함으로써 얻어질 수 있다. 고주파 전원(13)으로부터의 고주파 전력이 대향 전극(10 및 12) 사이에 인가될 때, 웨이퍼(16)에 수직한 전계가 발생된다. 상부전극(10)의 면적이 변화할 때, 웨이퍼(16) 상의 전계의 크기 및 방향이 균일해질수 있다. 그러므로, 균일한 에칭율이 실현될 수 있다. 나선형 코일(15)에 전력을 인가하기 위한 고주파 전원(11) 및 하부 전극에 전력을 인기하기 위한 고주파 전원(13)이 공진과 같은 문제점을 해결하기 위해 상이한 주파수에서 동작되도록 각각 설계된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 특징을 갖는다. 즉, 대향하는 전극(10 및 12) 사이에 고주파 전력을 인가함으로써 제어되는 이온 에너지를 독립적으로 나선형 코일(15)에 고주파 전력을 인가함으로써 플라즈마 밀도가 제어될 수 있다.
그라운드되는 상부 전극(10) 및 나선형 코일(15)는 상부 방향을 보는 경우 서로 중첩하도록 배치되는 경우에 상부 전극(10)과 나선형 코일(15) 사이의 상호 작용 때문에 플라즈마가 쉽게 발생되지 않는 문제점이 제기될 수 있다. 이 때문에,본 발명에 따라 나선형 코일(15)와 상부 전극(10)이 서로 중첩하지 않도록 배치된다. 또한, 상기 구성에 따라 고주파 전원(13)으로부터 고주파 전력을 인가함으로써 대향 전극들(10 및 12) 사이에서 발생되는 고주파 전계, 및 고주파 전원(11)로부터 나선형 코일(15)로 고주파 전력을 인가함으로써 형성되는 자계가 서로 공간적으로 중첩하지 않도록 배치된다.
본 발명이 제2A도 및 제2B도에 도시된 실시예로 한정되지 않고 여러가지로 변형될 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 다음과 같은 유효하게 변형할 수 있다.
(1) 제2A도 및 제2B도에서, 나선형 코일의 형상 및 권선수가 제2A도 및 제2B도에 도시된 나선형 코일 형상 및 권선수로 제한되지 않고 본원에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
(2) 제3도에 도시된 제2 실시예에서와 같이, 고주파 전력이 상부 전극(10) 및 하부 전극(12) 각각에 인가될 수 있다. 제2 실시예를 다음과 같이 기술된다.
제3도에 도시된 제2 실시예에 따른 플라즈마 치리 장치는 상부 및 하부 전극(10 및 12) 모두에 고주파 전력을 인가시키기 위한 메카니즘을 갖고, 상부 전극(10)과 고주파 전원(19) 사이에 배열된 위상 이동 메카니즘(20)을 갖는 구성으로 이루어진다. 이 장치의 나머지 부분은 제1 실시예의 것과 동일하기 때문에 제1 실시예에와 같이 동일한 도면 부호를 제2 실시예에서의 동일 부분에 병기하였고 그 설명은 삭제하였다.
상기 구성에서, 동일한 주파수, 예를 들어 13.56 MHz를 갖는 고주파 전력이 상부 전극(10) 및 하부 전극(12)의 각각에 인가된다. 이 때에, 상부 전극(10)에 인가되는 고주파 전력의 위상은 하부 전극(12)에 인가되는 고주파 전력의 위상에 대해 변화될 수 있다. 상부 전극(10) 및 하부 전극(12)에 각각 인가되는 고주파 전력의 위상이 서로 전이되는 경우에, 이온 에너지를 플라즈마 상태를 변화시키지 않고 자유롭게 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 위상이 180˚변화될 때, 웨이퍼(16) 상에서 하부 전극(10)에만 100W의 고주파 전력을 인가함으로써 얻이지는 이온 에너지와 동일한 이온 에너지가 상부 전극(10) 및 하부 전극(12)에 50W의 고주파 전력을 각각 인가함으로써 얻어질 수 있다. 그러므로, 고주파 전력이 하부 전극(12)에만 인가되는 경우 반응 용기(9)의 내벽과 플라즈마 사이에서 발생되는 작용보다 작은 작용이 얻어질 수 있기 때문에, 안정한 플라즈마가 유효하게 얻어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 플라즈마를 발생시키기 위한 나선형 코일이 플라즈마 처리 장치의 반응 용기 위에 배치되고 상부 전극이 반응 용기의 상부 방향을 보는 경우 코일과 중첩하지 않도록 배치된다. 이 때문에, 플라즈마 밀도 및 이온 에너지가 독립적으로 제어될 수 있기 때문에 균일한 고밀도 플라즈마가 발생될 수 있고 균일한 에너지를 갖는 방향 제어된 이온이 얻어질 수 있다. 그러므로, 웨이퍼에 대한 균일한 에칭율이 실현될 수 있다.
또한, 나선형 코일에 의해 발생되는 자계는 자계와 코일 사이의 거리에 대해 지수 함수적으로 감소하고 솔레노이드형 자계이다. 이 때문에, 웨이퍼 표면 상의 자계의 세기는 거의 영(zero)이다. 그러므로, 자계의 존재시 차지 업 충격과 같은 문제점이 제기되지 않는다.
제1도는 종래의 플라즈마 처리 장치의 구성을 도시한 단면도.
제2A도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 코일 형상을 도시한 평면도.
제2B도는 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도.
제3도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
9 : 반응 용기
10 : 상부 전극
11, 13, 19 : 고주파 전원
12 : 하부 전극
14 : 절연판
15 : 나선형 코일
16 : 웨이퍼
17, 18 : 매칭 박스
20 : 위상 이동 메카니즘

Claims (4)

  1. 한 쌍의 대향 전극들을 가지며 상기 전극들 사이에서 고주파 전계를 발생시키도록 반응 용기 내에 배치되어 있는 고주파 전계 발생 메카니즘, 및 상기 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는 자계를 발생하도록 상기 반응 용기 외부에 배치된 자계 발생 코일로 구성되는, 자계발생 메카니즘을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자계 발생 메카니즘은 자계를 발생시키기 위한 나선형 코일로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전계 발생 메카니즘 내에 포함되는 상기 한 쌍의 전극들 중 최소한 1개의 전극에 접속되는 고주파 전원과, 상기 자계 발생 코일에 접속되는 고주파 전원이 각각 상이한 주파수에서 동작되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전계 발생 메카니즘 내에 포함된 상기 한 쌍의 전극들이 고주파 전원들 각각에 접속되고, 상기 전극들 각각에 인가되는 고주파 전력의 위상을 변화시키기 위한 위상 이동 메카니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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