KR100748050B1

KR100748050B1 - 가변 진폭의 ｒｆ 포락선에 응답하는 코일을 구비한플라즈마 처리기

Info

Publication number: KR100748050B1
Application number: KR1020017016487A
Authority: KR
Inventors: 존 홀랜드
Original assignee: 램 리써치 코포레이션
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 2000-06-22
Publication date: 2007-08-09
Also published as: JP2003503839A; WO2001001443B1; US6319355B1; KR20020031344A; EP1190436B1; JP5031159B2; DE60039874D1; EP1190436A1; WO2001001443A1; TW494707B

Abstract

본 진공 플라즈마 처리기는, 제조공정품에 입사되는 플라즈마가 실질적으로 균일성을 가지도록, 리액턴스적으로 플라즈마를 여기하기 위한 코일을 포함한다. 상기 코일 및 상기 코일로부터의 장(場)을 상기 플라즈마에 리액턴스적으로 결합시키는 윈도우는 대략적으로 동일한 반경을 가진다. r.f. 소스는 r.f. 캐리어를 포함하는 펄스 진폭변조된 포락선을 상기 코일에 공급한다.

Description

가변 진폭의 ＲＦ 포락선에 응답하는 코일을 구비한 플라즈마 처리기{PLASMA PROCESSOR WITH COIL RESPONSIVE TO VARIABLE AMPLITUDE RF ENVELOPE}

본 발명은 진공 챔버 내의 가스를 챔버 내의 제조공정품을 처리하는 플라즈마로 여기하기 위한 무선주파수(radio frequency; r.f.) 응답성 코일에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 코일에 인가되는 r.f. 의 포락선의 진폭을 변화시킴으로써 제조공정품에 대한 플라즈마 밀도가 제어되는 처리기 및 처리방법에 관한 것이다.

진공 챔버 내의 r.f. 플라즈마로 제조공정품을 처리하기 위한 처리기의 한가지 유형은 r.f. 소스에 응답하는 코일을 포함한다. 그 코일은 r.f. 소스에 응답하여, 챔버 내의 이온화 가능한 가스를 플라즈마로 여기하는 자기 및 전기장을 생성한다. 보통 그 코일은, 처리되는 제조공정품의 표면에 수평적으로 펼쳐지는 평면에 일반적으로 평행한 방향으로 뻗어있는 유전성 윈도우 상에 또는 그에 근접해 있다. 여기된 플라즈마는 챔버 내의 제조공정품과 상호작용을 하여 그 제조공정품을 에칭(etching)하거나 그 위에 물질을 적재한다. 제조공정품은 일반적으로 평편한 원형 표면을 가진 반도체 웨이퍼 또는 예컨대 평면 패널 디스플레에 사용되는 사각 유리층과 같은 고체 유전판이거나, 또는 금속판이다.

발명자 오글(Ogle)에 의한 미합중국 특허 제4,948,458호는 상기의 결과를 달성하기 위한 멀티-턴 나선 코일을 나타낸다. 상기 나선은, 일반적으로 아르키메데스형(Archimedes type)으로서, 임피던스 정합 회로망을 통하여 r.f. 소스에 연결된 내부 및 외부의 단자 사이에서 방사상으로(radially) 그리고 원주상으로(circumferentially) 확장한다. 이 일반적 유형의 코일은, 유전성 윈도우를 통해 전파하는 자기적 및 용량성 장 성분을 가지는 발진(發振)하는 r.f. 장을 생성하여, 윈도우 가까이 있는 챔버 내의 플라즈마 부분의 가스 내의 전자를 가열한다. 발진하는 r.f. 장은 플라즈마 내에서 그 플라즈마 내의 전자를 가열하는 전류를 유도한다. 윈도우에 가까운 플라즈마 부분 내의 자기장의 나선적 분포는 코일의 각각의 턴(turn)에 의해 생성되는 개별적인 자기장 성분의 합의 함수이다. 그 각각의 턴에 의해 생성되는 자기장 성분은 각 턴에서의 r.f. 전류의 크기의 함수인데, r.f. 소스의 주파수에서의 코일의 전송선 효과(transmission line effects) 때문에 상이한 턴 마다 상이하게 된다.

발명자 오글(Ogle)의 제'458호 특허에 기초하여 그에 의해 나타난 나선 설계에 있어서, 그 나선 코일 내의 r.f. 전류는 윈도우에 가까운 플라즈마 부분 내에 토로이드형(torroidal)의 자기장 영역을 생성하는데, 그곳에서 가스를 플라즈마로 여기하기 위하여 가스에 전력이 흡수된다. 1.0 내지 10 밀리토르 범위의 저압에서, 링 형태의 영역으로부터의 플라즈마의 확산은 챔버의 중앙 및 주변 부분에서의 제조공정품의 바로 위에 플라즈마 밀도 피크를 생성하여, 제조공정품을 처리하는 이온 및 전자의 피크 밀도는 제조공정품 중앙선 및 제조공정품 주변에 근접하여 있다. 10 내지 100 밀리토르 범위의 중간 압력 범위에서, 플라즈마 내의 전자, 이 온, 중성자의 가스 위상 충돌(gas phase collision)은 토로이드 영역의 외부로 플라즈마로 대전된 입자가 실질적으로 확산하는 것을 방지한다. 결과적으로, 제조공정품의 링과 유사한 영역에서는 상대적으로 높은 플라즈마 플럭스가 있지만, 중앙 및 주변의 제조공정품 부분에서는 낮은 플라즈마 플럭스가 있다.

이러한 상이한 동작 조건은 링 및 링의 내측과 외측의 부피 사이에서 실질적으로 큰 플라즈마 플럭스(즉, 플라즈마 밀도)의 변화를 야기하며, 이것은 제조공정품 상에 입사하는 플라즈마 플럭스의 (즉, 3 이상의) 실질적인 표준 편차를 야기한다. 제조공정품 상에 입사하는 플라즈마 플럭스의 실질적인 표준 편차는, 비-균일적인 제조공정품 처리, 즉 제조공정품의 상이한 부분이 상이한 범위까지 에칭되고 그리고/또는 그 위에 퇴적되는 분자의 양을 다르게 하는 경향을 가진다.

플라즈마의 균일성을 향상시키기 위한 많은 코일이 설계되어 왔다. 발명자 홀란드(Holland) 등의 공동발명이고 1998년 6월 2일에 특허된 미합중국 특허 제5,759,280호에서 나타내는 코일은, 상업적인 실시예에서, 12 인치의 직경을 가지며, 14.0 인치의 내벽의 원형 직경을 가지는 진공 챔버와 협력하여 동작된다. 그 코일은 14.7 인치의 직경과 0.8 인치의 균일한 두께를 가진 석영 윈도우를 통하여 자기장 및 전기장을 챔버 내부에 인가한다. 원형의 반도체 웨이퍼 제조공정품들은 윈도우의 저면의 대략 4.7 인치 아래에서 제조공정품 홀더 상에 배치되어, 각 제조공정품의 중심이 상기 코일의 중심선과 일치한다.

상기 특허 제'280호의 코일은 특허 제'458호의 코일에 비하여 제조공정품에 걸쳐 상당히 작은 플라즈마 플럭스 변화를 생성한다. 5 밀리토르에서 동작하는 챔버에서 200mm 웨어퍼 상에서 특허 제'280호의 코일에 의해 생성되는 플라즈마 플럭스의 표준 편차는 대략 2.0으로서, 동일한 조건에서 동작하는 특허 제'458호의 코일에서의 대략 3.0의 표준 편차에 대해 상당히 향상된 것이다. 특허 제'280호의 코일은 자기장이 제조공정품의 중앙에서의 플라즈마 밀도가 제조공정품의 중간 부분 보다도 크도록 하며, 중앙에서의 플라즈마 밀도는 제조공정품의 주위의 플라즈마 밀도를 초과한다. 특허 제'280호의 코일에 대한 챔버의 상이한 부분에서의 플라즈마 밀도 변화는, 보다 낮은 표준 편차를 생성하기 때문에, 동일한 동작 조건에서 특허 제'358호의 코일의 플라즈마 밀도 변화보다도 훨씬 작다.

제조공정품에 입사하는 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시키기 위한 다른 조절은 또한 보통 코일의 기하도형에 관한, 기하도형적 원리에도 집중해 왔다. 예를 들어, 미합중국 특허 제5,304,279호, 제5,277,751호, 제5,226,947호, 제5,368,710호, 제5,800,619호, 제5,401,350호, 제5,847,704호에 나타나 있다.

따라서, 본 발명의 한가지 목적은 제조공정품에 입사되는 플라즈마 밀도가 의도에 따라 제어될 수 있는 새롭고 진보된 플라즈마 처리기 및 그러한 동작 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 추가적인 목적은 제조공정품에 입사되는 플라즈마 밀도가 상대적으로 높은 균일성을 가지는 새롭고 진보된 진공 플라즈마 처리기 및 그러한 동작 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 종래기술과 동일한 기하도형을 가지지만 제어가능한 플라즈마 밀도 특성을 가지도록 동작되는 새롭고 진보된 진공 플라즈마 처리기 를 제공하는 것이다.

본 발명의 부가적인 목적은 종래기술과 동일한 기하도형을 가지지만 종래기술보다도 뛰어난 플라즈마 밀도 균일 특성을 가지도록 동작되는 새롭고 진보된 진공 플라즈마 처리기를 제공하는 것이다.

본 발명의 추가적인 목적은 제조공정품에 입사되는 플라즈마 밀도가 실질적으로 2.0 이하로 동작되도록 동작되는 r.f. 활성화 코일을 포함하는 새롭고 진보된 진공 플라즈마 처리기를 제공하는 것이다.

본인은 특허 제'280호에 나타난 상기 코일과 같은 플라즈마 여기 코일에 인가되는 r.f. 의 포락선의 진폭을 변화시킴으로써 상기한 목적이 달성될 수 있다는 것을 발견하였다.

일례로, 본 발명은 (1)플라즈마로 제조공정품을 처리하는 진공 챔버, (2)제조공정품을 위한 챔버 내의 홀더, (3)챔버 내의 가스를 플라즈마로 여기하기 위한 코일, (4)상기 코일로 r.f. 캐리어를 공급하기 위한 r.f. 소스를 포함하는 제조공정품을 처리하기 위한 진공 플라즈마 처리기로서, (a)가변 포락선 진폭, (b)상기 챔버 내부의 압력, 및 (c) (i)코일,(ii)챔버,(iii)홀더의 배열들은 상기 제조공정품이 상기 홀더 상에 있는 동안 상기 플라즈마가 상기 제조공정품에 걸쳐 실질적으로 일정한 플럭스(constant flux)를 가지도록 한다.

본 발명의 다른 측면은, 자기 및 전기 플라즈마 여기장을 상기 플라즈마에 결합시키 위하여 포락선 진폭의 변화를 가지는 r.f. 캐리어를 상기 r.f. 캐리어에 응답하는 코일에 인가함으로써, 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마로 여기하여 진공 플라즈마 처리기내의 홀더 상의 제조공정품을 처리하는 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 상기 챔버, 제조공정품 및 홀더의 배열 뿐 아니라 상기 포락선 진폭 및 코일 기하도형의 변화는 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마의 밀도가 플라즈마 포락선이 균일한 진폭을 가질때 보다도 실질적으로 낮은 표준편차를 가지도록 한다. 따라서, 상기 포락선 진폭의 변화를 제어하는 것은 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마를 실질적으로 균일하게 유지한다.

본 발명의 또다른 측면은, 진공 챔버 내의 제조공정품 홀더 및 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마로 여기하기 위하여 가변 진폭 포락선을 가지는 r.f. 소스에 의해 구동되는 코일을 포함하는 진공 플라즈마 처리기에 관한 것으로서, 일정한 진폭 r.f. 포락선이 코일에 인가될 때 상기 가변 진폭, 상기 챔버 내부의 압력, 및 (a)코일, (b)챔버 및 (c)홀더의 배열은 상기 플라즈마가 코일의 중앙으로부터 떨어진 코일의 부분에 정렬된 제조공정품의 부분 보다도 코일의 중앙에 정렬된 제조공정품의 부분 상에 더 높은 플럭스를 가지도록 야기하고, 상기 가변 진폭의 포락선은, 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가, 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분으로부터 떨어진 제조공정품의 부분의 플라즈마 플럭스가 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분에서의 플라즈마 플럭스에 적어도 동일하도록 한 것이다.

본 발명의 추가적인 측면은, 고(高)진폭 세그먼트의 상호간의 공간이 증가함에 따라 고진폭 세그먼트의 진폭이 증가하도록 코일을 구동하는 소스가 배열되는 진공 플라즈마 처리기에 관한 것이다.

본 발명의 또다른 측면은, 코일의 중앙에 정렬된 제조공정품 부분으로부터 떨어진 제조공정품 부분 상의 플라즈마 플러스가 코일의 중앙에 정렬된 제조공정품 부분 상에서의 플라즈마 플럭스와 적어도 동일하도록, 코일을 구동하는 r.f. 소스의 가변 진폭의 포락선이 제어되는 플라즈마 처리기에 관한 것이다.

가변 진폭 포락선은 바람직하게는 고(高)진폭부과 저(低)진폭부을 가진다. 저진폭부는 충분히 낮은 크기를 가지고 있어서 가스 내의 전하 입자가 플라즈마로 여기하는 것을 방지한다. 각각의 저(低)진폭부의 충분한 기간 및 크기는, 제조공정품을 처리하는 상태로 플라즈마를 여기하는 높은 값을 포락선이 가질 때 발생하는 전하 입자의 확산보다도, 플라즈마 내의 전하 입자가 훨씬 큰 범위로 확산할 수 있도록 한다.

바람직하게는 가변 진폭의 포락선은 유한한 진폭 기간 사이에 존재하는 영("0") 진폭 기간(zero amplitude periods)을 가지는 펄스 유형이다. 일실시예로서, 영 진폭 기간은 그 도중에 플라즈마가 소멸하지 않을 정도로 충분히 짧고(예컨대, 그 기간은 대략 10 마이크로초이다), 두번째 실시예로서, 그 도중에 플라즈마가 소멸할 정도로 충분히 길다(예컨대, 영 진폭의 기간은 대략 10 밀리초이다).

본인은 종래기술에 플라즈마 여기 소스에 펄스를 가하는 것이 나타나 있다는 것을 알고 있다. 특히, 본인은 다음을 알고 있다: 슈미오 아시다(sumio Ashida), 엠.알.심(M.R. Shim) 및 엠.에이.리버맨(M.A. Lieberman)의 "Measurements of Pulsed-power Modulated Argon Plasmas in an Inductively coupled Plasma Source," J.Vac. Sci. Technol. A14(2),1996년 3월/4월, 1996 미국 진공 학회(American Vacuum society), 391-397쪽; 에이치. 슈게이(H. Sugai) 및 케이. 나카무라(K. Nakamura)의 "Diagnostics and Control of Radicals in an Inductively Coupled Etching Reactor," J. Vac. Sci. Technol. A13(3), 5월/6월 1995, 1995 미국 진공 학회(American Vacuum society), 887-893쪽; 세이지 사무카와(Seiji Samukawa) 및 카주오 테라다(Kazuo Terada)의 "Pulse-time Modulated Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching For Highly Seletive, Highly Anisotropic, and Less-charging Polyrystalline Silicon Patterning," J. Vac. Sci. Technol B12(6), 1994년 11월/12월, 미국 진공 학회(American Vacuum society) 3300-3305쪽; 세이지 사무카와(Seiji Samukawa)의 "Time-modulated Electron Cyclotron Resonance Plasma Discharge for Controlling the Polymerization in SiO₂ Etching," Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32(1993), 6080-6087쪽, Part 1, No.12B, 1993년 12월; 노부오 후지와라(Nobuo Fujiwara), 타카히로 마루야마(Takahiro Maruyama) 및 마사히로 요네다(Masahiro Yoneda)의 "Pulse Plasma Processing for Reduction of Profile Distortion Induced by Charge Build-up in ECR Plasma," 1995 Dry Process Symposium, 51-56쪽; 세이지 사무카와(Seiji Samukawa)의 "Highly Seletive and Highly Anisotropic SiO2 Etching in Pulse-time Modulated Electron Cyclotron Resonance Plasma," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 33(1994) 2133-2138쪽, Part 1, No.4B, April 1994; 시게노리 사카모리(Shigenori Sakamori), 타카히로 마루야마(Takahiro Maruyama), 노부오 후지와라(Nobuo Fujiwara), 히로시 미야타케(Hiroshi Miyatake) 및 마사히로 요네다(Masahiro Yoneda)의 "Reduction of Electron Shading Damage with Pulse-modulated ECR Plasma," 1997 2nd International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 5월 13-14일, Monterey, CA, 1997 미국 진공 학회(American Vacuum society), 55-58쪽; 케이. 하시모토(K.Hashimoto), 와이 히코사카(Y. Hikosaka), 에이. 하세가와(A. Hasegawa) 및 엠. 나카무라(M. Nakamura)의 "Ruduction of Electron Shading Damage by Using Synchronous Bias in Pulsed Plasma," 1995 Dry Process Symposium, 33-37쪽; 사무카와(Samukawa)의 "Plasma Processing Method and Equipment used Therefor" 미합중국 특허 제5,827,435호, 특허일자 1998년 10월 27일; 오오이와(Ooiwa) 등의 "Plasma Processing Apparatus" 미합중국 특허 제4,891,118호, 특허일자 1990년 1월 2일; 도키(Doki) 등의 "Plasma Process Apparatus and Plasma Processing Method" 미합중국 특허 제5,310,452, 특허일자 1994년 5월 10일.

이 참조문헌 중 여러가지가 코일에 의해 여기되는 플라즈마를 다루고 있지만, 그러한 여기 소스를 나타내는 참조문헌 중의 아무것도 코일을 펄스로 여기하는 것이 플라즈마 밀도의 균일성에 대해 영향을 미치는 것, 특히 향상된 플라즈마 밀도의 균일성을 나타내지 않는다. 상기 참조문헌에 언급되는 코일들은 플라즈마에게 실질적인 플러즈마 플럭스 균일성을 제공하도록 기하도형적 도전성을 가지는 것으로 나타나 있지 않기 때문에, 이것은 놀라운 것이 아니다. 한가지 경우에서, 코 일이 솔레노이드인 반면에 다른 경우에서는 코일이 전통적이고, 상대적으로 적은 전통적인 편평한 나선 코일로 나타난다.

반대로, 본 발명의 바람직한 실시예에서의 코일은 제조공정품 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일한 플라즈마 플럭스를 제공하도록 특별히 설계된다. 그 특별한 코일은 "센터패스트방식(centerfast)"으로 설계된다. 코일이 유도한 r.f. 장은, 여기 사이의 간격 동안 또는 저진폭 여기가 발생할 때, 플라즈마가 확산할 수 있도록 함으로써, "에지패스트방식(edge-fast)" 플라즈마 플럭스를 일으키도록 하고, 그럼으로써 제조공정품 전체에 걸쳐서 실질적인 플라즈마 플럭스의 균일성을 제공한다.

사무카와(Samukawa) 등은 진보된 균일성을 달성하기 위하여 1996년 11월/12월호, 진공 과학기술 출판잡지(Journal of Vacuum Science Technology publication)에서 마이크로파 전자 싸이클로트론 공진장에 펄스를 가하는 것을 나타내었지만, 마이크로파 전자 싸이클로트론 공진 동작에 관련된 메커니즘은 코일에 의해 여기되는 플라즈마에 관련된 메커니즘과는 전적으로 다르다. 전자 싸이클로트론 공진 플라즈마에서는, 대전(帶電) 입자의 필요한 소용돌이 동작을 얻기 위하여 플라즈마에 매우 실질적인 직류 자기장이 일반적으로 솔레노이드 코일에 의해 인가되어야 한다. 직류 자기장은 마이크로파 에너지와 상호작용하여 플라즈마 여기를 제공한다. r.f. 플라즈마는 큰 직류 자기장 소스나 마이크로파 발생기를 요구하지 않는다. 코일에 의해 여기되는 r.f. 플라즈마는 일반적으로 12.56 mHz의 주파수를 가지는 상대적으로 단순하고, 저렴한 r.f. (비-마이크로파) 소스와 상대적으로 저렴한 코일을 필요로 한다. 마이크로파 여기에 대한 r.f. 코일 플라즈마 여기의 또다른 이점으로는, 전자 사이클로트론 공진에서 발생할 수 있는 것 보다도 코일에 의해 여기되고 펄스를 가한 플라즈마에서 발생하는 확산이 더 훌륭하다는 것인데, 이것은 코일에 의해 여기된 플라즈마는 강력한 직류 자기장과 결합하지 않기 때문이다.

본 발명의 상기의 그리고 또다른 목적, 특징 및 이점은 특정한 다양한 실시예에 관한 다음의 상세한 설명을, 특히 첨부 도면과 연관하여 고려하면 분명하게 될 것이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 코일을 여기하는 펄스를 가한 r.f. 소스를 이용하는 진공 플라즈마 처리기의 바람직한 실시예의 개략도,

도 2는 도 1의 처리기에서 바람직한 코일의 평면도,

도 3은 도 2에 나타난 코일의 투시도.

도 1의 진공 플라즈마 제조공정품 처리기는 접지된 금속벽(12)을 가지는 실린더형으로 된 진공 챔버(10), 금속 바닥판(14)과 유전성 윈도우 구조(19)로 구성되고, 중앙로부터 주변부까지 동일한 두께를 가지는 원형의 상부판 구조(18)를 포함한다. 진공 챔버를 밀봉하는 것은 전통적인 개스켓(도시하지 않음)에 의해 제공된다. 도 1의 처리기는 반도체, 유전체 또는 금속층을 에칭하거나 또는 그러한 층 위에 분자를 퇴적하기 위해 이용될 수 있다.

플라즈마 상태로 여기될 수 있는 적절한 가스가 가스 소스(도시되지 않음)로부터 측벽(12) 안의 포트(20)를 경유하여 챔버의 내부로 공급된다. 챔버의 내부는, 바닥판(14) 안의 포트(22)에 연결된 진공 펌프(도시되지 않음)에 의해, 1-100 밀리토르(milliTorr)의 범위에서 변화할 수 있는 압력으로, 진공 조건이 유지된다.

챔버 내의 가스는 적절한 전기적 소스에 의하여 공간적으로 실질적으로 균일한 밀도를 가지는 플라즈마로 여기된다. 전기적 소스는 실질적으로 편평한 코일(24)을 포함하는데, 이것은 윈도우(19)의 바로 위에 실장되고 주기적인 펄스 소스(27)에 의해 제공되는 가변 진폭 포락선을 가지는 (일반적으로 13.56 mHz의 고정된 주파수를 가지는) 고정된 r.f. 전력 소스(26)에 의해 여기된다. 소스(27)는 소스(26)의 r.f. 출력을 시간에 따라 온(on)과 오프(off)로 바람직하게 주기적으로 전환한다. 펄스 소스(27)가 r.f. 소스(26)를 온(on)으로 전환할 때, 코일(24)에 인가되는 r.f. 전압의 진폭은 충분히 높아서, 높은 자기장을 생성하는데 필요한 충분한 전류를 코일 내에 생성한다. 코일(24) 내의 전류는 윈도우(19)에 인접하는 챔버(10) 내에 충분히 큰 자기장 플럭스를 생성하여 챔버 내의 이온화 가능한 가스를 플라즈마로 여기한다. 소스(27)가 소스(26)를 오프(off)시키거나 또는 소스 r.f. 출력의 포락선의 전압을 상대적으로 낮은 값으로 줄이면, 코일(24)이 챔버(10) 내의 가스에 인가하는 자기장은 가스를 플라즈마 상태로 여기하는데 불충분하다. 그 결과, 코일(24)에 적용되는 r.f. 포락선이 높은 값을 가질 때 발생하는 전하 입자 확산 보다도 훨씬 큰 전하 입자 확산이 발생한다.

임피던스 정합 회로망(28)은, r.f. 소스(26)의 출력단자와 코일(24)의 여기단자와의 사이에 연결되어, r.f. 소스가 여기하는 가변 진폭의 포락선을 코일에 결합시킨다. 임피던스 정합 회로망(28)은, 소스(26)와 코일(24) 및 코일이 구동하는 플라즈마 부하를 포함하는 부하와의 사이의 임피던스 정합을 이루기 위하여 콘트롤러가 알려진 방식으로 변화시키는, 가변 리액턴스(도시되지 않음)를 가진다.

듀티 사이클 콘트롤러(29)는 입력장치(31)에 응답하여 소스(27)가 이끌어내는 펄스의 지속시간을 제어한다. 입력장치(31)는 전위차계(電位差計) 또는 키패드의 수치적인 듀티 싸이클 퍼센트를 나타내는 키와 같은 수동적 장치일 수 있거나, 또는 제조공정품(32)의 상이한 처리법에 대해 컴퓨터 메모리 내에 저장된 신호에 응답하는 마이크로프로세서일 수도 있다. 처리법의 변수들은 (1) 포트(22)를 통하여 챔버(10) 내부로 흘러들어가는 가스의 종류, (2) 포트(20)에 연결된 진공 펌프에 의하여 제어되는 챔버(10) 내의 압력, (3) 소스(27)가 이끌어내는 펄스에 응답하여 소스(26)가 이끌어내는 r.f. 포락선의 듀티 사이클, 및 (4) r.f. 소스(26)가 코일(24)에 공급하는 평균 전력을 포함한다.

본인은 챔버(10) 내의 플라즈마에 의하여 제조공정품(32)으로부터 물질이 에칭되는 속도가 플라즈마의 평균 전력에 의존한다는 것을 발견하였다. 일반적으로 에칭 속도는 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 결과적으로, r.f. 소스(26)의 듀티 사이클이 증가할수록 소스(26)가 이끌어내는 r.f. 전압의 포락선은 역수방식으로 감소하고 소스(26)의 듀티 싸이클의 감소에 대해서는 그 반대가 되도록, 피크 전력(peak power)과 듀티 싸이클(duty cycle)은 서로간의 역함수인 것이 바람직하다.

이 목적들을 위하여, 듀티 싸이클 콘트롤러(29)는 진폭 콘트롤러(35)에게, 콘트롤러(29)가 펄스 소스(27)에 제공하는 제어 신호의 듀티 사이클에 반비례하는 진폭을 가지는 신호를 제공한다. 진폭 콘트롤러(35)는 콘트롤러(29)로부터의 상기 신호에 응답하여 소스(26)가 코일(24)에 제공하는 r.f. 포락선의 출력 전압 및 전력을 변화시킨다. 처리법은 소스(26)가 이끌어내는 포락선의 초기의, 연속적인 파형(100% 듀티 싸이클)을 제어한다. 처리법은 또한 콘트롤러(35)로부터의 신호가 듀티 싸이클이 감소하면 포락선 크기를 증가시키도록 한다. r.f. 소스가 이끌어내는 포락선의 진폭 제어는 또한 소스(27)의 듀티 싸이클에 대응하는 방식으로 입력 장치(31)의 분리된 출력에 의해 직접적으로 제어될 수 있다.

제조공정품(32)은 챔버(10) 내에서 제조공정품 홀더(30)(즉, 척(chuck)의 포면으로 고정하여 실장된다. 제조공정품(32)을 실장하고 있는 홀더(30)의 표면은 윈도우(19)의 표면에 평행하다. 제조공정품(32)은 통상 DC 전원(도시되지 않음)의 DC 전위에 의하여 홀더(30)의 표면에 정전기적으로 고정된다. r.f. 소스(31)는 균일한 진폭의 r.f. 전압을 임피던스 정합 회로망(33)에 제공하는데, 임피던스 정합 회로망(33)은 가변 리액턴스(도시되지 않음)를 포함한다. 정합 회로망(33)은 소스(31)의 출력을 홀더(30)에 결합시킨다. 콘트롤러(도시되지 않음)는 소스(31)의 임피던스를 홀더(30)의 전극(도시되지 않음)의 임퍼던스와 정합시키기 위하여 정합 회로망(33)의 가변 리액턴스를 제어한다. 전극에 결합된 부하는 기본적으로는 챔버(10) 내의 플라즈마이다. 잘 알려진 바와 같이, 소스(31)가 홀더(30)의 전극에 인가하는 r.f. 전압은 플라즈마 내의 전하 입자와 상호작용하여 제조공정품(32) 상에 DC 바이어스를 생성한다.

측벽(12)의 내부측 직경보다 다소 큰 직경을 가지고 있는 금속 튜브 또는 캔처럼 생긴 실드(34)는, 평편한 코일(24)을 둘러싸며 상부판(18) 위로 확장되어 있다. 실드(34)는 코일(24)에서 기원하는 전자기장을 주위 환경으로부터 차단한다. 실드(34)와 코일(24)의 주변 영역과의 사이의 거리는, 코일(24)의 주변 영역에 의해 생성되는 자기장이 실드(34)에게 중대하게 흡수되는 것을 방지할 정도로 충분히 크다.

실린더형의 챔버(10)의 직경은 코일(24)의 주변 영역에 의해 생성되는 자기장이 챔버의 벽(12)에 흡수되는 것을 방지하기에 충분히 크다. 유전성 윈도우 구조(19)의 직경은, 챔버(10)의 전체 상부면이 유전성 윈도우 구조를 포함할 정도로,챔버(10)의 직경보다도 크다. 제조공정품(32)의 처리면과 유전성 윈도우 구조(19)의 바닥면과의 거리는 제조공정품의 노출되어 처리되는 표면 상에 가장 균일한 플라즈마 플럭스를 제공하도록 선택된다. 본 발명의 바람직한 실시예로서, 제조공정품의 처리면과 유전성 윈도우의 바닥과의 거리는 챔버(10)의 직경의 대략 0.3 내지 0.4 배로; 챔버(12)의 내부 직경은 14인치이고, 코일(24)의 직경은 12인치이고, 실린더형 실드(34)의 내부 직경은 14.7인치이며, 제조공정품의 처리면과 유전성 윈도우의 바닥과의 거리는 4.7인치이다.

평편한 코일(24)은 코일의 길이에 따라서 지속적인 파형(wave pattern)을 생성하기 위한 전송선으로서 기능한다. 지속적인 파형은 코일의 길이에 따라서 r.f. 전압과 전류의 크기에 변화를 가져온다. 코일에 의해 생성되는 자기 플럭스가 이 r.f. 전류의 크기에 대해 의존하는 것은, 코일의 상이한 부분 아래에서의 챔버(10)의 상이한 부분마다 생성되는 플라즈마의 양을 상이하게 한다.

코일의 상이한 부분을 흐르는 r.f. 전류 크기의 변화는 균일한 플라즈마를 이끌어내기 위하여 공간적으로 평균화된다. 코일의 상이한 부분에서의 이 상이한 전류값을 공간적으로 평균화하는 것은 실질적으로 플라즈마 밀도의 비-방사상의 비대칭성을 방지하며, 특히 코일 주변의 코일 세그먼트에서의 높은 r.f. 전류 영역에서 그러하다. 평편한 코일(24)에서, r.f. 전류의 전송선 동작은, 중앙 코일 세그먼트에 비하여 상대적으로 주변 코일 세그먼트에 의해 성성되는 자속의 양을 증가시킨다. 최대의 r.f. 전류의 영역이 주변 코일 세그먼트 상에 있도록 코일(24)을 r.f. 로 여기함으로써, 이 결과가 얻어진다.

도 2 및 3에 나타난 바와 같이, 평편한 코일(24)은 실질적으로 반원의 내부 루프(40,42)와 실질적으로 원형의 주변 세그먼트(46,48) 및 실질적으로 원형의 중간 세그먼트(44)를 포함한다. 루프(40,42)는 코일(24)의 반회전을 형성하는 반면에 루프(44,46,48) 각각은 거의 완전한 회전을 형성하는데, 상기 완전한 회전과 반회전은 서로 직렬로 연결되어 있다. 모든 세그먼트(40,42,44,46,48)는 챔버(10)의 중앙축과 일치하는 중앙 코일축(50)에 대해 동축이다. 코일의 중앙(24)에 있는, 마주보고 있는 여기 단자(52,54)는 리드(48,56)에 의하여 정합 회로망(28)을 경유하여 r.f. 소스(26)의 마주보고 있는 단자 및 다른 한쪽 전극이 접지된 커패시터(80)의 한쪽 전극에 각각 결합된다. 단자(60)는, 단자(52)의 반대측 루프(40)의 말단에 있으며, 전도성 스트랩(64)에 의하여 외측 루프 세그먼트(48)의 단자(66)에 연결되는데, 전도성 스트랩(64)은 코일(24)의 평면 바로 위의 영역에 배치되고 그 밑에 있는 코일 세그먼트 중 어떤 것도 건드리지 않음으로써 단자(60,66)를 제외하고는 코일(24)로부터 전기적으로 절연되도록 한다.

세그먼트(48)는 단자(66)로부터 360도보다 약간 작은 각도상으로 있는 제2 단자(68)을 가지는데; 단자(68)는 스트랩(72)을 경유하여 루프 세그먼트(46)의 단자(70)에 연결된다. 루프(46)는, 거의 360도의 각도 범위를 가지며, 스트랩(78)을 경유하여 루프(44)의 단자에 연결된 제2 단자(74)를 가진다. 루프(44)는, 거의 360도의 각도 범위를 가지며, 단자(54)로부터 반대편에 있고 스트랩(82)에 의하여 세그먼트(42)의 말단에 있는 단자(62)에 연결된 제2 단자(80)를 가진다.

커패시터(80)는, 용량 임피던스 Z_cap = 1/(j2πfC)를 가지는데(여기서 j=√(-1)이고, f는 r.f. 소스(26)의 주파수이고, C는 커패시터(30)의 용량), 위상을 변화시켜서 코일(24)의 전체 길이에 걸친 전압 및 전류 분포의 배치를 변화시킨다. 전압 및 전류 분포는 코일(24)에서 변화되어서, 코일은 제조공정품(32)의 처리면 상에 실질적으로 균일한 플라즈마 플럭스를 제공하는 r.f. 전기 및 자기장을 생성한다.

바람직한 실시예로서, 코일(24)의 전압 및 전류는, 코일 단자(54)에서의 피크 대 피크 r.f. 전류가 최소이고 코일 단자(52)에서의 피크 대 피크 r.f. 전류와 동일하도록 커패시터(80)의 값을 선택함으로써, 분배된다. 이 조건에서, 코일은 단자(52,54)에서 상호반대의 극성의 최대 피크 대 피크 r.f. 전압을 가지며, 코일 최대 r.f. 전류는 전도성 스트랩(72) 부근에서 발생한다. 코일 내의 r.f. 전압 및 전류의 분배는 대략:

V_pkpk(X) = V⁰ _pkpkcos[β(x+x⁰)],

I_pkpk(X) = I⁰ _pkpksin[β(x+x⁰)]이며,

여기서:

x 는 코일의 단자(54)로부터 측정되는 선형 거리(linear distance),

β 는 r.f. 소스(26)의 각주파수(즉,2πf)를 광속 C로 나눈 값,

x⁰ 는 커패시터(80)의 값에 의하여 결정되는 영으로부터의 오프셋,

V⁰ _pkpk 와 I⁰ _pkpk는 각각 코일 내의 최대 r.f. 피크 대 피크 전압 및 전류이다.

코일의 바람직한 실시예로서, 커패시터(80)의 값은 x⁰ 가 코일 내에 흐르는 r.f. 전류의 파장(λ=c/f)의 대략 0.15 내지 0.16배가 되도록 선택된다.

코일(24)의 주변 영역은 코일의 중앙 영역보다도 훨씬 큰 자속을 생성하는데, 이는 중앙 세그먼트의 피크 대 피크 r.f. 전류의 크기에 비하여 코일의 주변 세그먼트에서 피크 대 피크 r.f. 전류의 크기가 훨씬 크기 때문이다. 최대 피크 대 피크 r.f. 전류의 진폭은 실질적으로 원형의 루프 세그먼트(46)에서 발생한다. 인접하는 루프 세그먼트(44,48) 및 루프 세그먼트(46)의 피크 대 피크 r.f. 전류의 진폭 및 루프 세그먼트(44,46,48)의 상호간의 공간은, 이들 3개의 루프 세그먼트로부터의 자속이 공간에서 조합되어서 전체적인 자속 밀도를 윈도우(19)의 바로 아래에, 상대적으로 넓은 환상(고리모양)의 영역에 걸쳐 최대값을 가지고, 제공하도록 한다. 상기 환상의 영역은 루프 세그먼트(46,48)의 사이로부터 중간 세그먼트(44)와 내부 세그먼트(40,42)와의 사이까지 확장한다. 또한, 전체 자속은 좌표각 θ의 함수로서 상대적으로 일정하며, 좌표각 θ는 코일 중심선(50)을 통하여 확장하는 기준 각(예컨대, 기준각은 도 2에서 중심선(50)의 왼쪽으로 수평으로 확장한다)에 대한 상대적인 코일 주변각을 나타낸다.

공간적으로 평균화되고 특정 좌표값 θ을 따라 일정한 자속은 θ를 따라 방사상으로 대칭적인 플라즈마를 제공한다. 두개의 실질적으로 반원이고 동등한 반경 세그먼트(40,42)의 피크 대 피크 r.f. 전류의 진폭은 다른 세그먼트의 전류의 진폭보다 현저히 작다. 세그먼트(40,42)가 다른 세그먼트(44,46,48)로부터 나오는 자속으로 공간적으로 평균화되는 충분한 자속을 이끌어내어, 실질적으로 균일한 플라즈마 플럭스가 챔버의 직경에 걸쳐 제조공정품(32)의 처리면의 레벨에서 생성된다.

(예컨대, 동일한 좌표각 위치 θ에 있는 루프 세그먼트(46,48)의 부분 사이에서) 평편한 코일(24)의 상이한 부분에 대해 전압들을 플라즈마에 정전기적(즉, 용량성)으로 결합시키는 것은, 생성되는 플라즈마 플럭스의 균일성에 영향을 준다. 이러한 전압들의 플라즈마에 대한 용량성 결합은 코일을 플라즈마로부터 분리하는 윈도우(19)의 유전성 물질 및 두께 뿐 아니라 코일 세그먼트에서 발생하는 피크 대 피크 전압의 크기에 의존한다. r.f. 전압에 의해 성성되는 용량성 전류의 영향은 최고 r.f. 피크 대 피크 전압이 단자(52,54)에 발생하도록 함으로써 최소화된다. 코일(24)의 기하도형 및 커패시터(80)값의 적절한 선택은 최고의 r.f. 피크 대 피크 전압이 단자(52,54)에 발생하게 한다.

평편한 코일(24)의 r.f. 활성화는 종종 디스크 모양으로 된 제조공정품(32)에 완전히 걸쳐서 상대적으로 균일한 플럭스를 가지는 실질적으로 평편한 플라즈마를 생성한다. 어떤 모양이든지 불구하고, 층(32)은 플라즈마 처리 챔버(10)의 내부 체적보다도 다소 작은 외부 에지 체적을 가진다.

공동발명인 미합중국 특허 제5,759,280호 및 다른 종래기술의 참조문헌들은 펄스 소스(27)가 r.f. 소스(26)의 출력에 부과하는 r.f. 포락선의 진폭 변조를 제외하고는, 상기 도면에 관한 상세한 설명 중 상당한 부분을 나타낸다. 본인은 r.f. 소스(26)의 포락선의 진폭을 변화시키는 것, 특히 r.f. 소스에 온(on) 및 오프(off)로 펄스를 가하는 것은, 또한 제조공정품(32)에 대한 플라즈마 플럭스가 일정한 진폭의 포락선을 이끌어내는 소스(26)에 의해 달성되는 것보다 훨씬 큰 균일성을 가지도록 한다는 것을 발견하였다.

r.f. 포락선의 높은 진폭부 동안에, 코일(24)은 윈도우(18)의 바로 아래의 진공 챔버(18)의 내부에 있는 가스 및 플라즈마에 강한 토로이드형(torroidal) 자기장을 공급한다. 코일(24)은 또한, 챔버(18) 내의 가스와 플라즈마에 r.f. 정전기장을 공급한다. 토로이드형 자기장은 평면으로 볼 때, 윈도우(18)의 하부면(19)에 일반적으로 평행하게 확장하고, 코일(24)의 중앙선(50)과 실질적으로 일치하는 (자기장이 0인) 축을 가지고 있다. 강한 자기장은 플라즈마 내의 전하 입자를 여기하여 자유 전자와 양이온을 생성한다. 강한 자기장은 토로이드형 자기장으로부터 전하 캐리어가 제조공정품(32)으로 실질적으로 확산하는 것을 방지한다. 코일(24)이 챔버(18)에 결합시키는 r.f. 정전기장은 전하 입자들을 제조공정품(32)으로 가속시킨다.

펄스 소스(27)가 r.f. 소스(26)를 오프(off)시키거나 또는 r.f. 소스가 낮은 진폭의 포락선을 생성하도록 하면, 토로이드형의 자기장은 붕괴되며 정전기장은 오프(off)로 된다. 결과적으로, 소스(26)가 0 또는 낮은 진폭 출력을 이끌어낼 때, 플라즈마 내의 전하 입자는 자유로이 확산한다.

일례로, r.f. 플라즈마의 소멸을 방지하기 위하여, 펄스 소스(27)는, 예컨대 10 마이크로초(microsecond)와 같이, 충분히 짧은 기간동안 r.f. 소스(26)를 오프(off)시킨다. 다른 실시예에서, r.f. 플라즈마의 소멸을 확실하게 하기 위하여, 펄스 소스(21)는, 예컨대 10 밀리초(millisecond)와 같이, 충분히 긴 기간동안 r.f. 소스(26)를 오프(off)시킨다. 두 실시예에서, r.f. 소스(26)가 온(on)이고, 예컨대 1킬로와트 이상의 큰 양의 전력을 코일(24)에 공급하는 동안, 구속하는 토로이드형 자기장이 존속하는 부피로부터 구속되지 않은 자유 전자 및 양이온은 쉽게 확산되어 나갈 수 있다.

소스(31)가 제조공정품 홀더(30)에 인가하는 전압은, 토로이드형 부피로부터 쉽게 확산되어 나갈 수 있는 상기 구속되지 않은 자유전자 및 양이온을 제조공정품(32)으로 끌어당기는 데 도움을 준다. 제조공정품(32)을 향해 이끌린 구속되지 않은 전자 및 양이온은, 다른 요인과 조합하여, 제조공정품(32)에 입사되는 플라즈마 밀도가 실질적으로 균일하게 되도록 한다. 제고공정품(32) 상의 플라 즈마 밀도에 영향을 주는 요인으로는, 챔버(10) 내의 압력; 및 챔버(10), 코일(24), 제조공정품 홀더(30)와 제조공정품(32)의 통상적으로 고정된 기하도형적 배열; 및 (1) 챔버(10) 내의 압력, (2) 포트(20)를 통하여 챔버(10)로 들어가는 처리용 가스의 유속 및 유형, (3) 제조공정품(32)의 재료 및 사이즈, (4)소스(26)가 코일(24)에 인가하는 인접한 펄스 사이의 공간(펄스 소스(27)이 제어함), (5) 소스(26)가 코일(24)에 공급하는 펄스의 피크 및 최소 진폭 등으로 이루어지는 가변 파라미터; 가 포함된다.

제조공정품(32) 상에서의 고도의 플라즈마 밀도 균일성은, 14인치의 원형의 내부 직경을 가진 벽(12)를 가지는 챔버, 14.7인치의 직경을 가진 원형의 윈도우(18), 12인치의 직경을 가지는 코일(24), 윈도우(18)의 바닥면(19)으로부터 대략 4.7인치의 공간을 가지고 그에 평행하게 확장하는 상부면을 가지는 8인치 직경의 원형 제조공정품 홀더를 가지고 (아래에 설명되는 바와 같이) 달성되었다. 소스(26)에 의해 유도되는 13.56 mHz의 r.f. 캐리어의 포락선을 변조시키는 것은, 제조공정품(32)에 걸쳐서 플라즈마 플럭스, 즉 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킨다. 포락선 변조를 변화시키면, 제조공정품(32)에 입사하는 이온 플럭스의 균일성을 지정된 균일성 목표 안으로 얻기 위한, 플라즈마 처리 조건을 조절할 수 있다. 이온 플럭스 균일성을 각 처리 조건에 따라 조절하는 이러한 능력은, 펄스 소스(27)에 의해 r.f. 소스(26)를 진폭 변조하지 않는 전통적인 유도적으로 결합되는 플라즈마 소스를 사용한 경우에 가능한 것 보다도 더 넓은 범위의 동작 조건에 걸쳐 보다 양호한 플라즈마 처리 결과를 제공한다.

입력장치(31)와 콘트롤러(27)가 소스(26)가 이끌어내는 r.f. 의 듀티 싸이클을 변화시킬 수 있는 능력은, 제조공정품(32)의 에칭 특성을 제조공정품(32)의 반경에 대한 함수로서 원하는 대로 제어할 수 있도록 한다. 예를 들어, 제조공정품의 주변 영역을 훨씬 많이 에칭하는 것이 요구되면, 입력장치(31)와 콘트롤러(29)는 펄스 소스(27)를 활성화 시켜서 소스(26)가 연속적인 파형의 일정한 진폭의 포락선을 생성하도록 한다. 만약 최대의 에칭 균일성이 요구되면, 아래에 설명되는 바와 같이, 입력장치(31)는 소스(26)의 듀티 싸이클을 중간값에 세팅한다. 제조공정품의 중앙 영역에 훨씬 많은 에칭이 요구되면, 입력장치(31)와 콘트롤러(29)는 소스(27)가 r.f. 소스를 활성화 시켜서 낮은 듀티 싸이클(예컨대, 15 %)의 r.f. 출력을 생성하도록 한다.

제조공정품(32) 상의 플라즈마 플럭스의 실질적인 균일성을 얻기 위하여, 코일(24)은 제조공정품 영역을 실질적으로 초과하는 영역을 가진다. 앞에서 설명한 12인치 직경의 코일 및 챔버를 사용한 실제 실험은 실리콘 폴리 웨이퍼의 형상인 200mm(5.08인치)의 제조공정품을 에칭하는 것에 관한 것이었다. 한 실험에서, 실리콘 폴리 웨이퍼가 염소(chlorine)로 5 밀리토르의 압력에서 에칭되는 동안, 펄스 소스(27)는 35 퍼센트의 듀티 싸이클의 온(on),오프(off)의 50kHz 진폭변조를 r.f. 소스(26)의 13.56 mHz 캐리어에 인가하여, 소스(26)가 서로 13 마이크로초(microsecond)만큼 떨어진 7 마이크로초(microsecond)의 r.f. 펄스를 생성하도록 하였다. 그 에칭 동작 후에, 플라즈마에 노출되는 웨이퍼의 상부면 상의 상이한 방사상 및 원주상 위치에서의 웨이퍼 두께를, 이 상이한 위치로부터 에칭되는 물질의 양을 결정하기 위하여 관찰하였다. 각 위치에서 에칭되는 물질의 양이 각 위치에서의 플라즈마 밀도에 매우 밀접히 상관하기 때문에, 두께 측정은 플라즈마 밀도를 결정한다. 따라서, 이 두께 측정의 표준편차(σ)는 제조공정품의 노출면 상에 입사되는 플라즈마 밀도의 균일성의 정도를 제공하므로, 높은 균일성은 낮은 표준편차에 관련되고 그 반대의 경우는 상반된다.

두번째 실험에서의 소스(26)의 연속파(c.w.) 동작에 대한 2.037의 에칭 표준편차에 비하여, 앞에서 설명한 실험에서의 에칭 표준편차는 1.527이었다. 펄스변조 이외의 모든 요인은 이 두가지 실험에서 동일하였다. 듀티 사이클을 제외한 동일한 조건 하에서, 소스(26)의 연속파 동작에 대한 것보다도 85% 작은 소스(26)의 듀티 싸이클에서의 유사한 실험들은 아래의 표에 나타낸 바와 같이, 훨씬 양호한 에칭 균일성을 나타내었다.

[표]

------------------------------------------------------------------

듀티 싸이클(%) 에칭 표준편차(σ)

------------------------------------------------------------------

100 (연속파) 2.037

85 2.017

75 1.823

65 1.565

50 1.653

35 1.527

25 1.845

16 1.864

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16% 와 75%의 사이의 듀티 사이클에 대해 실질적으로 감소되는 에칭 표준편차는, 소스(26)의 연속파 동작에 대해서 보다도 펄스를 가한 소스(26)의(즉, 진폭변조된) 동작에 대해서 실질적으로 훨씬 양호한 플라즈마 밀도 균일성을 의미한다. 35% 듀티 싸이클은, 가장 양호한 에칭 균일성을 가질 뿐 아니라, 중앙 및 주변 영역 사이의 중간 영역에서 보다도 중앙 및 주변 영역에서 에칭되는 물질의 양이 보다 낮았다. 따라서, 35% 듀티 사이클에 대해서, 웨이퍼의 중앙에 입사되는 플라즈마의 밀도는 그 웨이퍼의 중앙을 둘러싸는 웨이퍼 부분 상의 플라즈마 밀도 보다도 낮았다. 센터패스트방식으로 알려진, 이 조건은 특히 양호한 플라즈마 밀도 균일성이 수반될 때, 통상적으로 매우 유익한 것으로 간주된다.

25% 및 16%의 듀티 싸이클은 중간 및 주변부의 에칭보다도 많은 중앙 에칭을 야기하였다. 85% 및 75% 듀티 사이클은 중간 및 중앙의 에칭보다도 많은 주변부 에칭을 야기하였다. 따라서, 듀티 싸이클을 변화시키는 것은 반경의 함수로서, 에칭 속도를 조절하는 것이 가능하다.

본 발명에 대한 복수의 특정 실시예가 설명되고 예시되었지만, 첨부된 특허 청구범위에서 정의되는 본 발명의 진실된 기술적 사상 및 범위를 벗어 나지 않고, 특별히 예시되고 설명되어진 실시예의 상세를 변경할 수 있다는 것은 분명하다.

Claims

제조공정품 처리용 진공 플라즈마 처리기로서,

상기 제조공정품을 플라즈마 처리하기 위한 진공 챔버,

상기 제조공정품을 위한 상기 진공 챔버 내의 홀더,

상기 진공 챔버 내의 가스를 상기 플라즈마로 여기하기 위한 코일, 및

상기 코일에 가변 진폭의 포락선을 가지는 r.f. 캐리어를 공급하기 위한 r.f. 소스를 포함하고,

상기 가변 진폭, 상기 진공 챔버 내부의 압력, 및 (a)상기 코일, (b)상기 진공 챔버 및 (c)상기 홀더의 배열은, 상기 제조공정품이 상기 홀더 상에 있는 동안, 상기 플라즈마가 상기 제조공정품에 걸쳐서 실질적으로 일정한 플럭스를 갖도록 하는 것인, 진공 플라즈마 처리기.
제1항에 있어서,

상기 가변 진폭은 펄스의 형태로 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제2항에 있어서,

상기 펄스는 상기 r.f. 포락선이 0 (zero) 진폭을 갖도록 하는, 진공 플라즈마 처리기.
제3항에 있어서,

인접한 펄스 사이의 공간은 대략 10 마이크로초(μsec)인, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 코일은 내부 및 외부의 활모양 세그먼트, 및 상기 r.f. 소스에 연결되도록 구성된 제1 및 제2 여기 단자를 포함하고,

상기 제1 단자는 상기 코일의 일 말단 및 상기 내부의 활모양 세그먼트의 일 말단에 있고, 상기 외부의 활모양 세그먼트는 상기 내부의 활모양 세그먼트로부터 방사상으로 떨어져 있고, 상기 제2 단자는 상기 내부의 활모양 세그먼트와는 다른 상기 활모양 세그먼트 중의 하나에 있으며, 상기 단자들 중의 하나는 상기 r.f. 소스로 리액턴스에 의해 연결되며, 상기 리액턴스 값, 상기 코일의 길이 및 r.f. 활성화는, 상기 코일 내의 피크 대 피크 r.f. 전압 V_pkpk(x) 및 전류 I_pkpk(x)가 대략적으로,

V_pkpk(X) = V⁰ _pkpkcos[β(x+x⁰)] 및 I_pkpk(X) = I⁰ _pkpksin[β(x+x⁰)]

이 되도록 하는 주파수를 가지며,

여기서, 상기 x 는 상기 r.f. 소스에 연결된 상기 코일의 입력 단자로부터 측정되는 선형 거리(linear distance)이고,

상기 β는 r.f. 활성화 주파수에 의해 결정되는 상수이고,

상기 x⁰는 r.f. 활성화 주파수에서 상기 리액턴스의 임피던스에 의해 결정되는 0 으로부터의 오프셋이고,

상기 V⁰ _pkpk와 상기 I⁰ _pkpk는 상기 코일 내의 최대 r.f. 피크 대 피크 전압 및 전류값인, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 r.f. 소스는, 상기 코일내의 피크 대 피크 r.f. 전압의 크기가 상기 코일의 제1 단자에서 제1 극성의 최대값을 가지고 상기 코일의 제2 단자에서 제2 극성의 최대값을 가지도록, 상기 코일의 제1 및 제2 단자에 연결되는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 코일은 대략 한 턴(a turn)의 활모양의 범위를 가지는 복수의 활모양 세그먼트를 포함하고, 대략 한 턴의 활모양의 범위를 가지는 최외각 활모양 세그먼트 및 대략 한 턴의 활모양의 범위를 가지는 그 다음의 최외각 활모양 세그먼트를 가지며, 상기 r.f. 소스는 상기 코일에 연결되고, 상기 코일은 상기 최외각 활모양 세그먼트 및 그 다음의 최외각 활모양 세그먼트에서의 r.f. 전류가 상기 코일의 내부 세그먼트에서의 전류보다도 실질적으로 크도록 구성되는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 r.f. 소스는 상기 코일의 제1 및 제2 단자에 연결되고, 상기 코일은 상기 제1 단자에서의 피크 대 피크 r.f. 전류의 크기가 상기 제2 단자의 피크 대 피크 r.f. 전류와 대략 동일하도록 이루어지고, 상기 제1 및 제2 단자에서의 상기 동일한 전류는 상기 코일에서의 임의의 다른 전류보다도 더 작은 진폭을 가지는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항에 있어서,

상기 코일 및 상기 r.f. 소스와 직렬로 연결된 리액턴스를 더 포함하고,

상기 리액턴스는 소정값, 및 상기 코일과 상기 r.f. 소스와의 연결부를 가지며,

상기 코일은 상기 코일의 여기 단자에서 대략적으로 동일한 크기의 피크 대 피크 r.f. 전류를 제공하는 구성을 가지는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 진공 챔버는 소정의 내경을 가지는 금속 측벽 배열을 가지고, 상기 코일은 상기 소정의 내경과 대략 동일한 직경을 가지고, 상기 진공 챔버는 상기 벽에 실질적으로 직각으로 있는 유전성 윈도우를 포함하며, 상기 코일은 상기 진공 챔버의 외부에 배치되고 상기 윈도우에 가까이 배치되어 상기 코일로부터의 장(場)이 상기 윈도우를 통하여 상기 플라즈마에 결합되도록 하는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 가변 진폭은 충분한 기간 및 크기의 저진폭부를 가짐으로써, 상기 가변 진폭이 상기 제조공정품을 처리하게 하는 상태로 상기 플라즈마를 여기시키는 높은 값을 가질 때 발생하는 전하 입자 확산보다도, 상기 플라즈마 내의 전하 입자가 상기 진공 챔버내에서 훨씬 큰 범위로 확산할 수 있도록 하는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항에 있어서,

상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서 저진폭부의 기간 및 진폭이 소멸되지 않도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항에 있어서,

상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서 저진폭부의 기간 및 진폭이 소멸되도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 진공 챔버 내부의 상기 압력, 및 (a)상기 코일, (b)상기 진공 챔버 및 (c)상기 홀더의 배열은, 상기 플라즈마가 일정한 진폭의 r.f. 포락선이 상기 코일에 인가될 때 상기 코일의 중앙으로부터 떨어진 코일의 부분에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 보다도 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 더 높은 플럭스를 가지도록 하고, 상기 가변 진폭의 포락선은 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 실질적으로 일정하도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
진공 플라즈마 처리기 챔버내 홀더 상의 제조공정품의 플라즈마 처리 방법으로서,

포락선의 진폭 변화를 가지는 r.f. 캐리어를 코일에 인가함으로써 챔버내의 가스를 플라즈마로 여기시키는 단계를 포함하고,

상기 코일이 상기 r.f. 캐리어에 응답하여 자기적 및 전기적 플라즈마 여기장을 상기 플라즈마에 결합하고,

상기 포락선의 진폭 변화, 및 상기 코일, 챔버, 제조공정품 및 홀더 파라미터들은 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마의 밀도가 상기 플라즈마 포락선이 일정한 진폭을 가질 때 보다도 실질적으로 더 낮은 표준편차를 가지도록 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
제15항에 있어서,

상기 코일은 일정한 진폭의 r.f. 포락선이 상기 코일에 인가될 때 상기 코일의 상기 중앙으로부터 떨어진 상기 코일의 부분에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 보다도 상기 코일의 상기 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 더 높은 플라즈마 플럭스가 존재하도록 이루어지고,

상기 포락선의 진폭 변화는 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 실질적으로 일정하도록 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
진공 플라즈마 처리기 챔버내 홀더 상의 제조공정품의 플라즈마 처리 방법으로서,

포락선 진폭의 변화를 가지는 r.f. 캐리어를 코일에 인가함으로써 챔버내의 가스를 플라즈마로 여기하는 단계로서, 상기 코일은 상기 r.f. 캐리어에 응답하여 상기 플라즈마에 자기적 및 전기적 플라즈마 여기장을 결합시키는, 상기 여기 단계; 및

상기 플라즈마 포락선이 일정한 진폭을 가질 때 보다도 상기 플라즈마 포락선이 상기 진폭 변화를 가지는 동안에 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 밀도가 실질적으로 더 낮은 표준편차를 가지도록, 상기 포락선 진폭의 변화를 제어함으로써 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마의 밀도를 실질적으로 일정하게 유지하는 단계를 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
제17항에 있어서,

상기 가변 진폭은 펄스의 형태로 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
제18항에 있어서,

상기 펄스는 상기 r.f. 포락선이 0 진폭을 가지도록 하는, 플라즈마 처리 방법.
제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 가변 진폭은 충분한 기간 및 크기의 저진폭부를 가짐으로써, 상기 가변 진폭이 상기 제조공정품을 처리하게 하는 상태로 상기 플라즈마를 여기하는 높은 값을 가질 때 발생하는 전하 입자 확산보다도, 상기 플라즈마 내의 전하 입자가 상기 챔버 내에서 훨씬 큰 범위로 계속적으로 확산할 수 있도록 하는, 플라즈마 처리 방법.
제17항에 있어서,

상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서 저진폭부의 기간 및 진폭이 소멸되지 않도록 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
제17항에 있어서,

상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서 저진폭부의 기간 및 진폭이 소멸되도록 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
제조공정품을 처리하기 위한 진공 플라즈마 처리기로서,

상기 제조공정품을 플라즈마 처리하기 위한 진공 챔버,

상기 제조공정품을 위한 상기 진공 챔버 내의 홀더,

상기 진공 챔버 내의 가스를 상기 플라즈마로 여기하기 위한 코일, 및

상기 코일에 가변 진폭의 포락선을 가지는 r.f. 캐리어를 공급하기 위한 r.f. 소스를 포함하고,

상기 가변 진폭, 상기 진공 챔버 내부의 압력, 및 (a)상기 코일, (b)상기 진공 챔버 및 (c)상기 홀더의 배열은, 상기 코일에 일정한 진폭의 r.f. 포락선이 인가될 때 상기 플라즈마가 상기 코일의 중앙으로부터 떨어진 상기 코일의 부분에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 보다도 상기 코일의 상기 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 더 높은 플럭스를 가지도록 하고,

상기 가변 진폭의 포락선은 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분으로부터 떨어진 상기 제조공정품의 부분에서의 플라즈마 플럭스가 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분에서의 상기 플라즈마 플럭스에 적어도 동일하도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제23항에 있어서,

상기 r.f. 소스는 상기 포락선의 진폭이 상이한 값을 가지도록 배열되어, 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 실질적으로 일정하도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제23항에 있어서,

상기 r.f. 소스는 상기 포락선의 진폭이 상이한 값을 가지도록 배열되어, 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 상기 제조공정품의 내부 상의 상기 플라즈마 플럭스 보다도 상기 제조공정품의 주변부 상의 상기 플라즈마 플럭스에서 더 크도록 이루어지는, 진공 플라즈마 처리기.
제23항에 있어서,

상기 r.f. 소스는 상기 포락선이 제어가능한 고진폭을 가진 세그먼트와 제어가능한 기간의 저진폭 세그먼트를 가진 세그먼트를 포함하도록 배열되고, 상기 고진폭 세그먼트는 낮은 피크 진폭 세그먼트만큼 서로 이격되고,

상기 r.f. 소스는 상기 고진폭 세그먼트의 상호간의 이격 간격이 증가함에 따라 상기 고진폭 세그먼트의 상기 진폭이 증가하도록 배열되는, 진공 플라즈마 처리기.
제26항에 있어서,

상기 진폭 및 기간이 변화되어도 상기 제조공정품에 입사되는 상기 플라즈마 플럭스의 시평균 전력이 실질적으로 일정하도록 하기 위하여, 상기 고진폭 세그먼트 및 저진폭 세그먼트의 상기 진폭 및 기간을 변경하도록 상기 r.f. 소스가 배열되는, 진공 플라즈마 처리기.
진공 플라즈마 처리기 챔버내 홀더 상의 제조공정품의 플라즈마 처리 방법으로서,

포락선 진폭의 변화를 가지는 r.f. 캐리어를 코일에 인가함으로써 챔버내의 가스를 플라즈마로 여기시키는 단계로서, 상기 코일은 상기 r.f. 캐리어에 응답하여 상기 플라즈마에 자기적 및 전기적 플라즈마 여기장을 결합시키고, 상기 챔버 내부의 압력, (a)상기 코일, (b)상기 챔버 및 (c)상기 홀더의 배열은 상기 코일에 일정한 진폭의 r.f. 포락선이 인가될 때 상기 플라즈마가 상기 코일의 중앙으로부터 떨어진 상기 코일의 부분에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 보다도 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 더 높은 플럭스를 가지도록 하는 단계; 및

상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분으로부터 떨어진 상기 제조공정품의 부분 상에서의 상기 플라즈마 플럭스가 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분에서의 상기 플라즈마 플럭스와 적어도 동일하도록, 가변 진폭의 포락선을 제어하는 단계를 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
제28항에 있어서,

상기 가변 진폭의 포락선은, 상기 제조공정품의 주변부 상에서의 상기 플라즈마 플럭스가 상기 제조공정품의 내부 상의 상기 플라즈마 플럭스보다도 크도록 이루어지는, 플라즈마 처리 방법.
제28항에 있어서,

상기 r.f. 소스는 상기 포락선이 제어가능한 고진폭을 가진 세그먼트와 제어가능한 기간의 저진폭 세그먼트를 가진 세그먼트를 포함하도록 조절되고,

상기 고진폭 세그먼트는 낮은 피크 진폭 세그먼트만큼 서로 이격되고, 상기 r.f. 소스는 상기 고진폭 세그먼트의 상호간의 상기 이격 간격이 증가함에 따라 상기 고진폭 세그먼트의 상기 진폭이 증가하도록 조절되는, 플라즈마 처리 방법.
제30항에 있어서,

상기 진폭 및 기간이 변화되어도 상기 제조공정품에 입사되는 상기 플라즈마 플럭스의 시평균 전력이 실질적으로 일정하도록 하기 위하여, 상기 고진폭 세그먼트 및 저진폭 세그먼트의 상기 진폭 및 기간을 변경하도록 상기 r.f. 소스가 제어되는, 플라즈마 처리 방법.