JPH071302A - 表面加工方法 - Google Patents
表面加工方法Info
- Publication number
- JPH071302A JPH071302A JP23717893A JP23717893A JPH071302A JP H071302 A JPH071302 A JP H071302A JP 23717893 A JP23717893 A JP 23717893A JP 23717893 A JP23717893 A JP 23717893A JP H071302 A JPH071302 A JP H071302A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- processing
- elution
- metal
- analyzing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、不純物汚染を最小限にすることの
できる表面加工方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の表面加工方法は、被加工物表面に平
滑化処理を施し、表面粗さを±０．５μｍＰ−Ｖ以下、
金属不純物溶出を０．５ｎｇ以下とすることを要旨とす
る。
できる表面加工方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の表面加工方法は、被加工物表面に平
滑化処理を施し、表面粗さを±０．５μｍＰ−Ｖ以下、
金属不純物溶出を０．５ｎｇ以下とすることを要旨とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造や環境関係な
どの微量不純物分析用器具に適用が可能な表面加工方法
に関するものである。
どの微量不純物分析用器具に適用が可能な表面加工方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年において半導体は、その集積度を急
速に高めており、この高集積化に伴い回路が微細化し、
そのための周辺技術の対応が要求されるに至っている。
例えば、半導体材料中に混入してくる微量元素の含有量
が製品の品質向上の阻害要因として問題になることがあ
る。この様な場合、これら材料の分析には、例えば、シ
リコンウエハでは硝酸／弗化水素酸を用いて分解し、こ
れを黒鉛炉原子吸光法や誘導結合プラズマ質量分析法な
どにより目的元素の定量を行っている。
速に高めており、この高集積化に伴い回路が微細化し、
そのための周辺技術の対応が要求されるに至っている。
例えば、半導体材料中に混入してくる微量元素の含有量
が製品の品質向上の阻害要因として問題になることがあ
る。この様な場合、これら材料の分析には、例えば、シ
リコンウエハでは硝酸／弗化水素酸を用いて分解し、こ
れを黒鉛炉原子吸光法や誘導結合プラズマ質量分析法な
どにより目的元素の定量を行っている。
【０００３】この分解の際には、フルオロカーボン化合
物などの耐酸性樹脂からなる微量不純物分析用器具が用
いられているが、これら器具の加工の際には鉄等を素材
とする切削用工具を用いたり、また加圧成形する際に金
属系の型を使用することから、これら金属系工具等によ
る器具自身の汚染が甚だしい場合があり問題となってい
た。
物などの耐酸性樹脂からなる微量不純物分析用器具が用
いられているが、これら器具の加工の際には鉄等を素材
とする切削用工具を用いたり、また加圧成形する際に金
属系の型を使用することから、これら金属系工具等によ
る器具自身の汚染が甚だしい場合があり問題となってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そのため、これら製作
された器具を実際に分解容器として用いるまでの洗浄工
程及び時間は、長時間となり、かつ多量の試薬を使い非
常に非効率的であった。さらに実際に使用している際に
も、酸との反応によって容器内部に残存していた金属不
純物が溶出し、分析の際の汚染原因となる問題も生じて
いる。
された器具を実際に分解容器として用いるまでの洗浄工
程及び時間は、長時間となり、かつ多量の試薬を使い非
常に非効率的であった。さらに実際に使用している際に
も、酸との反応によって容器内部に残存していた金属不
純物が溶出し、分析の際の汚染原因となる問題も生じて
いる。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、不純物汚染を最小限に止める表面加工を施すことに
より高感度な微量分析を実現できる表面加工方法を提供
することを目的とする。
で、不純物汚染を最小限に止める表面加工を施すことに
より高感度な微量分析を実現できる表面加工方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、被加工物表面に平滑化処理を施し、表面粗さ
を±０．５μｍＰ−Ｖ以下、金属不純物溶出を０．５ｎ
ｇ以下とすることを要旨とする。
本発明は、被加工物表面に平滑化処理を施し、表面粗さ
を±０．５μｍＰ−Ｖ以下、金属不純物溶出を０．５ｎ
ｇ以下とすることを要旨とする。
【０００７】また、前記表面加工処理は摩擦熱を利用し
て被加工物の表面を微小溶融させるものであっても良
く、さらにはレーザ光、電子ビーム、イオンビームによ
り、表面溶融後に再結晶化或いは微小凹凸の除去を行
い、表面改質するものであっても良い。
て被加工物の表面を微小溶融させるものであっても良
く、さらにはレーザ光、電子ビーム、イオンビームによ
り、表面溶融後に再結晶化或いは微小凹凸の除去を行
い、表面改質するものであっても良い。
【０００８】また前記表面加工処理をダイヤモンド工具
を利用し、微小切り込み切削を行い、このときの加工温
度を２５℃以下とするものであっても良い。
を利用し、微小切り込み切削を行い、このときの加工温
度を２５℃以下とするものであっても良い。
【０００９】また前記表面加工処理を少なくともダイヤ
モンド砥石、ダイヤモンド工具によるマイクロバニシン
グ形成、ショットピーニング（ガラス製小球）のいずれ
かにより表面を微小塑性流動面を形成するものであって
も良い。
モンド砥石、ダイヤモンド工具によるマイクロバニシン
グ形成、ショットピーニング（ガラス製小球）のいずれ
かにより表面を微小塑性流動面を形成するものであって
も良い。
【００１０】また前記表面加工処理を少なくともダイヤ
モンド、炭化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素、酸
化チタン等の微細砥粒を用い鏡面研磨するものであって
も良い。
モンド、炭化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素、酸
化チタン等の微細砥粒を用い鏡面研磨するものであって
も良い。
【００１１】また前記表面加工処理を少なくともウォー
タジェット等の高水圧により微小弾性変形加工を施すも
のであっても良い。
タジェット等の高水圧により微小弾性変形加工を施すも
のであっても良い。
【００１２】尚、上述した摩擦熱による被加工物表面の
熱摩耗処理は、処理温度を２００〜３００℃の範囲で行
うことが望ましい。
熱摩耗処理は、処理温度を２００〜３００℃の範囲で行
うことが望ましい。
【００１３】
【作用】本発明の表面加工方法は、被加工物表面を表面
粗さが±０．５μｍＰ−Ｖ以下となるように平滑化処理
を施すことにより、金属不純物溶出を０．５ｎｇ以下と
する。
粗さが±０．５μｍＰ−Ｖ以下となるように平滑化処理
を施すことにより、金属不純物溶出を０．５ｎｇ以下と
する。
【００１４】また被加工物表面の熱摩耗処理によって平
滑化処理を行うときには処理温度２００〜３００℃の範
囲で、かつ少なくとも炭化けい素、酸化アルミナ、チッ
カホウ素のいずれかで行うことで不純物汚染を最小限に
止める。
滑化処理を行うときには処理温度２００〜３００℃の範
囲で、かつ少なくとも炭化けい素、酸化アルミナ、チッ
カホウ素のいずれかで行うことで不純物汚染を最小限に
止める。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１６】本実施例では、、熱溶融押出可能なふっ素
樹脂としてポリテトラフルオロエチレン（以下「ＰＴＦ
Ｅ」という）を素材として使用する。これは加圧成形焼
成法によって作られており、表面がポーラスになってい
て熱摩耗加工しやすいためである。なお、この素材とし
ては任意のふっ素樹脂が選択可能であるが、例えば押し
出し成形法で作られるテトラフルオロエチレン（以下
「ＰＦＡ」という）を用いても何等問題はない。
樹脂としてポリテトラフルオロエチレン（以下「ＰＴＦ
Ｅ」という）を素材として使用する。これは加圧成形焼
成法によって作られており、表面がポーラスになってい
て熱摩耗加工しやすいためである。なお、この素材とし
ては任意のふっ素樹脂が選択可能であるが、例えば押し
出し成形法で作られるテトラフルオロエチレン（以下
「ＰＦＡ」という）を用いても何等問題はない。
【００１７】次に、その樹脂表面を２００〜３００℃の
温度で熱摩耗処理する。このとき炭化けい素、酸化アル
ミナ、チッカホウ素（ｃＢＮ）などの少なくとも一つを
用いて行うことにより、当該樹脂表面全体にフルオロカ
ーボン化合物による覆膜が形成される。
温度で熱摩耗処理する。このとき炭化けい素、酸化アル
ミナ、チッカホウ素（ｃＢＮ）などの少なくとも一つを
用いて行うことにより、当該樹脂表面全体にフルオロカ
ーボン化合物による覆膜が形成される。
【００１８】なお、このときの熱摩耗温度を２００〜３
００℃としたが、これはふっ素樹脂の代表的成形温度で
あり、この温度において表面加工処理が最も効果的に行
われるためである。また、ふっ素樹脂上に直接／または
熱摩耗加工したふっ素樹脂上に溶融したフルオロカーボ
ン化合物（アモルファステフロンを含む）で覆膜するこ
とによっても同様の効果が得られる。
００℃としたが、これはふっ素樹脂の代表的成形温度で
あり、この温度において表面加工処理が最も効果的に行
われるためである。また、ふっ素樹脂上に直接／または
熱摩耗加工したふっ素樹脂上に溶融したフルオロカーボ
ン化合物（アモルファステフロンを含む）で覆膜するこ
とによっても同様の効果が得られる。
【００１９】以下、本実施例の表面加工方法を具体的に
説明する。まず市販のふっ素樹脂系分解容器（例えばＰ
ＴＦＥビーカなど）を研磨機に収容し、炭化けい素や酸
化アルミナなどの切削材を用い表面を熱摩耗加工する。
説明する。まず市販のふっ素樹脂系分解容器（例えばＰ
ＴＦＥビーカなど）を研磨機に収容し、炭化けい素や酸
化アルミナなどの切削材を用い表面を熱摩耗加工する。
【００２０】このときの温度が２００〜３００℃であ
り、これによりふっ素樹脂表面が溶け出し、表面の不安
定末端基が安定化される。この不安定末端基とは、主に
重合開始剤であり、重合中または加熱成形中に発生した
−ＣＯＦが以下に示す加水分解反応により、ふっ素イオ
ンを溶出し、各種金属汚染の原因となる。
り、これによりふっ素樹脂表面が溶け出し、表面の不安
定末端基が安定化される。この不安定末端基とは、主に
重合開始剤であり、重合中または加熱成形中に発生した
−ＣＯＦが以下に示す加水分解反応により、ふっ素イオ
ンを溶出し、各種金属汚染の原因となる。
【００２１】−ＣＯＦ＋Ｈ2 Ｏ→ＣＯＯＨ＋Ｈ+ Ｆ- また形成時に発生したふっ素イオンは成形機器を腐食
し、その部分からの金属屑が容器内に混入し汚染の要因
となる恐れがある。
し、その部分からの金属屑が容器内に混入し汚染の要因
となる恐れがある。
【００２２】本実施例では、このふっ素イオンの溶出は
ほとんどなくなり、更に表面が摩耗されたことにより内
部に残存している金属不純物イオンの溶出を抑制するこ
とが可能となった。
ほとんどなくなり、更に表面が摩耗されたことにより内
部に残存している金属不純物イオンの溶出を抑制するこ
とが可能となった。
【００２３】次に、上述した表面加工処理によって処理
された容器の溶出試験を行った。溶出試験方法は下記の
通りであった。
された容器の溶出試験を行った。溶出試験方法は下記の
通りであった。
【００２４】溶出試験を行うふっ素樹脂部材の所定量を
溶出液中に浸漬し、一定期間クリーンベンチ中に静置し
ておく。
溶出液中に浸漬し、一定期間クリーンベンチ中に静置し
ておく。
【００２５】溶出液は８０〜１００℃のホットプレート
上で蒸発乾固させ、残査を超高純度の硝酸１ｍｌで溶解
し、超純水で所定の濃度に希釈して、ＩＣＰ質量分析法
や黒鉛炉原子吸光分析法の測定に供した。
上で蒸発乾固させ、残査を超高純度の硝酸１ｍｌで溶解
し、超純水で所定の濃度に希釈して、ＩＣＰ質量分析法
や黒鉛炉原子吸光分析法の測定に供した。
【００２６】なお、不純物溶出量の測定は、以下に示す
ようにＮａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉなどの元素を
対象とした。
ようにＮａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉなどの元素を
対象とした。
【００２７】実施例１：市販のＰＴＦＥビーカ（１００
ｍｌ）を研磨機に収容し、酸化アルミナにより表面を熱
摩耗加工を行った。
ｍｌ）を研磨機に収容し、酸化アルミナにより表面を熱
摩耗加工を行った。
【００２８】その後、硝酸（６８％）溶液で３日間、１
００℃で加熱洗浄を行った。純水で洗浄後、硝酸１ｍｌ
を加えて１０分間加熱し、よく振り混ぜて表面の汚れを
溶かしこれを純水で適宜希釈後、黒鉛炉原子吸光装置に
かけてＮａ，Ｆｅの分析を行った。
００℃で加熱洗浄を行った。純水で洗浄後、硝酸１ｍｌ
を加えて１０分間加熱し、よく振り混ぜて表面の汚れを
溶かしこれを純水で適宜希釈後、黒鉛炉原子吸光装置に
かけてＮａ，Ｆｅの分析を行った。
【００２９】更に、表面の一部を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）で観察を行い、また表面粗さ計によりその表面粗
さを測定した。
ＥＭ）で観察を行い、また表面粗さ計によりその表面粗
さを測定した。
【００３０】比較例１：実施例１で用いた同様のビー
カ、市販のＰＦＡビーカを実施例１と同様に洗浄し、不
純物汚染の評価および表面観察を行った。
カ、市販のＰＦＡビーカを実施例１と同様に洗浄し、不
純物汚染の評価および表面観察を行った。
【００３１】以上の結果を表１、図１乃至図４にまとめ
て示す。表１に示すようにＮａ，Ｆｅともに洗浄前には
数ｐｐｂレベル存在していた元素が、表面加工を施した
ビーカでは、洗浄後確認されなかった（但し、試料表面
積は各２００ｃｍ2 ）。しかし、市販品のＰＴＦＥ，Ｐ
ＦＡビーカでは洗浄後も元素の検出がみられた。
て示す。表１に示すようにＮａ，Ｆｅともに洗浄前には
数ｐｐｂレベル存在していた元素が、表面加工を施した
ビーカでは、洗浄後確認されなかった（但し、試料表面
積は各２００ｃｍ2 ）。しかし、市販品のＰＴＦＥ，Ｐ
ＦＡビーカでは洗浄後も元素の検出がみられた。
【００３２】図１及び図２に表面粗さ計による市販品Ｐ
ＴＦＥ及び本実施例におけるビーカの測定結果を示す。
市販品では図２に示したように約７０μｍＰ−Ｖである
のに対し、図１に示した本実施例では、全体の表面粗さ
プロフィールが±０．５μｍＰ−Ｖ以下、かつ局部的な
表面粗さは±０．１μｍＰ−Ｖ以下となり、表面が滑ら
かであることが判別された。なお、ここで局部的な表面
粗さとは、全体の表面粗さの概ね平坦部分を拡大したと
きの表面粗さを示す。
ＴＦＥ及び本実施例におけるビーカの測定結果を示す。
市販品では図２に示したように約７０μｍＰ−Ｖである
のに対し、図１に示した本実施例では、全体の表面粗さ
プロフィールが±０．５μｍＰ−Ｖ以下、かつ局部的な
表面粗さは±０．１μｍＰ−Ｖ以下となり、表面が滑ら
かであることが判別された。なお、ここで局部的な表面
粗さとは、全体の表面粗さの概ね平坦部分を拡大したと
きの表面粗さを示す。
【００３３】また、図４及び図５（但し、共に５０００
倍）に示す走査型電子顕微鏡で観察して得られた表面観
察写真により市販品ではＰＦＡ、ＰＴＦＥともに洗浄前
では未反応のふっ素樹脂がみられたり、成型加工によっ
ても表面が完全に密着されていない部分が存在した。さ
らに洗浄後では未反応のふっ素樹脂が酸と反応したこと
により表面で数μｍ位の粒子が発生していることが確認
された。これら部分は金属不純物を溶出させる原因であ
ったり、また密着されていない部分に分析元素が吸着さ
れ分析誤差の原因になることが判った。
倍）に示す走査型電子顕微鏡で観察して得られた表面観
察写真により市販品ではＰＦＡ、ＰＴＦＥともに洗浄前
では未反応のふっ素樹脂がみられたり、成型加工によっ
ても表面が完全に密着されていない部分が存在した。さ
らに洗浄後では未反応のふっ素樹脂が酸と反応したこと
により表面で数μｍ位の粒子が発生していることが確認
された。これら部分は金属不純物を溶出させる原因であ
ったり、また密着されていない部分に分析元素が吸着さ
れ分析誤差の原因になることが判った。
【００３４】これに対し、本実施例の表面加工処理後に
おけるビーカでは、図３に示す表面観察図（但し、５０
００倍）のように、非面が滑らかであると共に、表面が
洗浄前後で変化しておらず、安定であり樹脂同志も良く
密着していることが明らかとなった。
おけるビーカでは、図３に示す表面観察図（但し、５０
００倍）のように、非面が滑らかであると共に、表面が
洗浄前後で変化しておらず、安定であり樹脂同志も良く
密着していることが明らかとなった。
【００３５】
【表１】 ★実施例２：市販の赤外線ホットプレート（Ｆｉｓｈｅ
ｒ製ＩＲ６０００）の鉄板部上およびその周辺部に本発
明による表面加工処理ふっ素樹脂（ＰＴＦＥ）をコーテ
ィングした。
ｒ製ＩＲ６０００）の鉄板部上およびその周辺部に本発
明による表面加工処理ふっ素樹脂（ＰＴＦＥ）をコーテ
ィングした。
【００３６】このホットプレートを用いて既知濃度（Ｆ
ｅ：０．１ｐｐｂ）の純水をビーカに採取し蒸発乾固さ
せ、適宜希釈後、黒鉛炉原子吸光装置にかけてＦｅの分
析を行った。
ｅ：０．１ｐｐｂ）の純水をビーカに採取し蒸発乾固さ
せ、適宜希釈後、黒鉛炉原子吸光装置にかけてＦｅの分
析を行った。
【００３７】その結果、３回の測定値は０．１，０．０
９，０．１２ｐｐｂと良く一致し、Ｆｅ汚染のない定量
結果が得られた。
９，０．１２ｐｐｂと良く一致し、Ｆｅ汚染のない定量
結果が得られた。
【００３８】比較例２：市販の赤外線ホットプレート
（Ｆｉｓｈｅｒ製、ＩＲ６０００）の鉄板部上に直接ビ
ーカを載せ、実施例２と同様の実験を行った。
（Ｆｉｓｈｅｒ製、ＩＲ６０００）の鉄板部上に直接ビ
ーカを載せ、実施例２と同様の実験を行った。
【００３９】その結果、３回の測定値は２．５，１０．
０，５．８ｐｐｂと明らかにＦｅの汚染がみられた。
０，５．８ｐｐｂと明らかにＦｅの汚染がみられた。
【００４０】上述したように本実施例によれば、各種分
析器具等の表面を熱摩耗処理による比較的簡易な方法で
平滑化処理することができ、これにより不純物汚染を最
小限にすることのできる表面状態を形成できることか
ら、当該表面加工を行った器具等に対する洗浄が従来法
に比較し簡便となり、作業の効率化が可能となる。さら
に、金属不純物汚染の少ない各種分析器具を構成するこ
とが可能となり、微量不純物元素の高感度な分析を行う
ことができる。
析器具等の表面を熱摩耗処理による比較的簡易な方法で
平滑化処理することができ、これにより不純物汚染を最
小限にすることのできる表面状態を形成できることか
ら、当該表面加工を行った器具等に対する洗浄が従来法
に比較し簡便となり、作業の効率化が可能となる。さら
に、金属不純物汚染の少ない各種分析器具を構成するこ
とが可能となり、微量不純物元素の高感度な分析を行う
ことができる。
【００４１】尚、本発明は上記各実施例に限定されるも
のでなく、要旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施し
得ることは勿論である。以下、具体例を簡単に示す。
のでなく、要旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施し
得ることは勿論である。以下、具体例を簡単に示す。
【００４２】まず、摩擦熱を利用して被加工物表面の平
滑化処理を行う場合には、例えばダイヤモンド砥粒、炭
化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素、酸化チタンの
いずれかを用いて被加工物表面の熱摩耗処理を行い、表
面の処理温度を２００〜３００℃の範囲で微小溶融させ
ると良い。また、この熱摩耗処理の後に、若しくは単独
でエネルギビーム、例えばレーザ光、電子ビーム、イオ
ンビーム、プラズマ等により、表面溶融後に再結晶化或
いは微小凹凸の除去を行い、表面改質を計るようにして
も良い。
滑化処理を行う場合には、例えばダイヤモンド砥粒、炭
化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素、酸化チタンの
いずれかを用いて被加工物表面の熱摩耗処理を行い、表
面の処理温度を２００〜３００℃の範囲で微小溶融させ
ると良い。また、この熱摩耗処理の後に、若しくは単独
でエネルギビーム、例えばレーザ光、電子ビーム、イオ
ンビーム、プラズマ等により、表面溶融後に再結晶化或
いは微小凹凸の除去を行い、表面改質を計るようにして
も良い。
【００４３】また、表面加工処理をダイヤモンド工具に
よって、加工温度を２５℃以下で、微小切り込み切削を
行うようにしても良い。
よって、加工温度を２５℃以下で、微小切り込み切削を
行うようにしても良い。
【００４４】また、表面加工処理を少なくともダイヤモ
ンド砥石、ダイヤモンド工具によるマイクロバニシング
形成、ショットピーニング（ガラス製小球）のいずれか
により表面に微小塑性流動面が形成されるようにしても
良い。
ンド砥石、ダイヤモンド工具によるマイクロバニシング
形成、ショットピーニング（ガラス製小球）のいずれか
により表面に微小塑性流動面が形成されるようにしても
良い。
【００４５】また、表面加工処理を少なくともダイヤモ
ンド、炭化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素等の微
細砥粒を用い鏡面研磨するようにしても良く、化学エッ
チング作用のある研磨剤、例えばメカノケミカル作用、
ケモメカニカル作用、ケミカル作用等を用いても良い。
ンド、炭化けい素、酸化アルミナ、チッカホウ素等の微
細砥粒を用い鏡面研磨するようにしても良く、化学エッ
チング作用のある研磨剤、例えばメカノケミカル作用、
ケモメカニカル作用、ケミカル作用等を用いても良い。
【００４６】さらに、表面加工処理を少なくともウォー
タジェット等の高水圧により微小弾性変形加工を施すよ
うにしても良い。
タジェット等の高水圧により微小弾性変形加工を施すよ
うにしても良い。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
加工物表面に平滑化処理を施すことにより、不純物汚染
を最小限にすることのできる表面状態を形成できる。
加工物表面に平滑化処理を施すことにより、不純物汚染
を最小限にすることのできる表面状態を形成できる。
【図１】表面加工処理後におけるビーカ表面の表面粗さ
計による測定結果を示す図である。
計による測定結果を示す図である。
【図２】市販品ＰＴＦＥビーカ表面の表面粗さ計による
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
【図３】表面加工処理後におけるビーカの表面状態を走
査型電子顕微鏡写真（５０００倍）により表した図であ
る。
査型電子顕微鏡写真（５０００倍）により表した図であ
る。
【図４】市販品ＰＦＡビーカ表面の状態を走査型電子顕
微鏡写真（５０００倍）により表した図である。
微鏡写真（５０００倍）により表した図である。
【図５】市販品ＰＴＦＥビーカ表面の状態を走査型電子
顕微鏡写真（５０００倍）により表した図である。
顕微鏡写真（５０００倍）により表した図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 明治 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 林 勝 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 橋本 政弘 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 高松 浩司 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 吉田 孝 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 松永 秀樹 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (1)
- 【請求項１】 被加工物表面に平滑化処理を施し、表面
粗さを±０．５μｍＰ−Ｖ以下、金属不純物溶出を０．
５ｎｇ以下とすることを特徴とする表面加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23717893A JPH071302A (ja) | 1993-03-12 | 1993-08-31 | 表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7752993 | 1993-03-12 | ||
| JP5-77529 | 1993-03-12 | ||
| JP23717893A JPH071302A (ja) | 1993-03-12 | 1993-08-31 | 表面加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH071302A true JPH071302A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=26418608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23717893A Pending JPH071302A (ja) | 1993-03-12 | 1993-08-31 | 表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071302A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000501518A (ja) * | 1995-12-07 | 2000-02-08 | リソチェンコ ヴィタリー | マイクロシステムモジュール |
| WO2007018117A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Yuzo Mori | 電子ビームアシストｅｅｍ法 |
| JP2007071549A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fiamo:Kk | 微量金属分析用薬液容器 |
| JP2011140147A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | フッ素樹脂成形品の製造方法、分析用樹脂容器及び元素分析方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP23717893A patent/JPH071302A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000501518A (ja) * | 1995-12-07 | 2000-02-08 | リソチェンコ ヴィタリー | マイクロシステムモジュール |
| WO2007018117A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Yuzo Mori | 電子ビームアシストｅｅｍ法 |
| US8235769B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-08-07 | Yuzo Mori | Electron-beam-assisted EEM method |
| JP2007071549A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fiamo:Kk | 微量金属分析用薬液容器 |
| JP2011140147A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | フッ素樹脂成形品の製造方法、分析用樹脂容器及び元素分析方法 |
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