JPH07126100A - ニオブ酸カリウム単結晶の製造方法 - Google Patents

ニオブ酸カリウム単結晶の製造方法

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JPH07126100A JP6196976A JP19697694A JPH07126100A JP H07126100 A JPH07126100 A JP H07126100A JP 6196976 A JP6196976 A JP 6196976A JP 19697694 A JP19697694 A JP 19697694A JP H07126100 A JPH07126100 A JP H07126100A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 ニオブ酸カリウム単結晶のｃ面上に直接また
は半絶縁性物質層を介して設けられた正極と、該正極と
対向するニオブ酸カリウム単結晶のｃ面上に半絶縁性物
質層を介して設けられた負極との間に電圧を印加してニ
オブ酸カリウム単結晶を単分域化処理するニオブ酸カリ
ウム単結晶の製造方法。 【効果】 上記製造方法によれば、品質が低下すること
なくニオブ酸カリウム単結晶全体が単分域化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、波長変換素子、光変調素
子などの光学素子として用いられるニオブ酸カリウム単
結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3 ）
単結晶は、現在、非線形光学材料として、あるいは電気
光学材料として注目され、特に８６０ｎｍまたは９８０
ｎｍ近傍の単色光である半導体レーザー光をそれぞれ１
／２の高調波に変換する性質が高いため、非線形光学材
料として注目されている。
【０００３】このニオブ酸カリウム単結晶は、Ｔ．ＦＵ
ＫＵＤＡ、Ｙ．ＵＥＭＡＴＵ Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．１１
（１９７３）１６３に記載されているように、炭酸カリ
ウムと酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）との粉状混合物を１０
５０℃以上の温度に加熱融解し、得られた融液に種結晶
を浸し、融液の温度を徐々に下げて成長させることがで
きる。このようにして得られたニオブ酸カリウム単結晶
を冷却すると、約４２０℃で立方晶系から正方晶系に構
造相転移を起こし、約２１０℃で正方晶系から斜方晶系
に構造相転移し、室温では斜方晶系であって多分域状態
のニオブ酸カリウム単結晶が得られる。
【０００４】従来より、このニオブ酸カリウム単結晶を
波長変換素子、光変調素子などの光学素子として用いる
際には、図５に示すように、ニオブ酸カリウム単結晶１
のｃ面５とｃ面６に、銀粉末あるいはカーボン粉末など
の導電性粉末を含む導電性ペーストを塗布するか、ある
いは金などを蒸着して、正極２および負極３を形成し、
次いで約２００℃で１ｋＶ／ｃｍ以上の電界をニオブ酸
カリウム単結晶１の正負両極２、３間に印加して、ニオ
ブ酸カリウム単結晶１の単分域化処理すなわちポーリン
グ処理が行なわれている。
【０００５】なお、本明細書では、互いに分極方向の異
なるドメインが隣接した複数のドメイン、いわゆるポリ
ドメインが形成されている状態を多分域状態といい、こ
の多分域状態を分極方向が一様に揃ったシングルドメイ
ン状態にすることを単分域化処理という。
【０００６】しかしながら、上記のような従来のポーリ
ング処理では、ニオブ酸カリウム単結晶全体を単分域化
することは難しく、ニオブ酸カリウム単結晶の特に負極
側に多分域領域が残存してしまうという問題点があっ
た。
【０００７】さらに、上記従来のポーリング処理でニオ
ブ酸カリウム単結晶に印加する電界を大きくしたり、あ
るいはポーリング処理を長時間にわたって行なうと、得
られるニオブ酸カリウム単結晶の多分域領域は多少減少
するものの、ニオブ酸カリウム単結晶が着色したり、ニ
オブ酸カリウム単結晶の抵抗率が低下したり、あるいは
クラックが入ったりして、ニオブ酸カリウム単結晶の品
質が低下するといった問題点があった。
【０００８】また、上記従来のポーリング処理では、単
結晶を加熱しながら電圧を印加すると、電圧の増加に対
して電流が非直線的に急激に増大し、電圧を例えば２倍
にすると電流は２倍以上に増加するといった事態が生じ
て、ニオブ酸カリウム単結晶が発熱してニオブ酸カリウ
ム単結晶にクラックが生じたり、あるいは、電圧が降下
してニオブ酸カリウム単結晶に有効な電界が加わらず、
例えばニオブ酸カリウム単結晶が２００℃に加熱されて
いる場合には、実質的に、ニオブ酸カリウム単結晶に１
ＫＶ／ｃｍ程度の電界しかかけられないという問題点が
あった。
【０００９】ところで、強誘電性結晶のポーリング法に
ついては、結晶工学ハンドブック（共立出版社、1985年
９月25日）の第８３０〜８３１頁にニオブ酸リチウム単
結晶をニオブ酸リチウムのセラミックスで挟持してポー
リングする方法が開示され、その第831頁、左欄７行〜
１０行目には、「セラミックスと多数の微小部分で接触
する表面では分域構造の乱れがあるが、表面から０．５
mm以上内部では完全な単一分域が得られる。」と記載さ
れている。この記載から明らかなように、この刊行物に
記載された方法では、単結晶全体を単一分域化すること
はできない。
【００１０】また、特開平１−１７２２９９号公報に
は、タンタル酸リチウム単結晶をニオブ酸の粉末または
その焼結体を媒体として一対の白金電極で挟持し、両電
極間に電圧を印加してポーリングする方法が開示されて
いる。
【００１１】上記２件の刊行物には、ニオブ酸リチウム
単結晶またはタンタル酸リチウム単結晶のポーリング法
が記載されており、ニオブ酸カリウム単結晶のポーリン
グ法に関しては何ら記載されていない。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
しようとするものであって、ニオブ酸カリウム単結晶全
体が単分域化され、しかも得られたニオブ酸カリウム単
結晶が高品質であるようなニオブ酸カリウム単結晶の製
造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【発明の概要】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の
製造方法は、ニオブ酸カリウム単結晶のｃ面の一方の面
上に設けられた電極を正極とし、該正極と対向するニオ
ブ酸カリウム単結晶のもう一方のｃ面上に半絶縁性物質
層を介して設けられた電極を負極とし、該正極と該負極
との間に電圧を印加してニオブ酸カリウム単結晶を単分
域化処理することを特徴としている。
【００１４】また、本発明に係るニオブ酸カリウム単結
晶の製造方法では、ニオブ酸カリウム単結晶のｃ面と正
極との間に半絶縁性物質層が設けられていてもよい。
【００１５】
【発明の具体的説明】以下に本発明に係るニオブ酸カリ
ウム単結晶の製造方法を図面を用いて具体的に説明す
る。
【００１６】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の製
造方法では、たとえば第１図に示すようにニオブ酸カリ
ウム単結晶１のｃ面５上に設けられた正極２と、ｃ面５
と対向するｃ面６上に半絶縁性物質層４を介して設けら
れた負極３との間に電圧を印加することによりニオブ酸
カリウム単結晶１を単分域化処理すなわちポーリング処
理している。
【００１７】単分域化されたニオブ酸カリウム単結晶を
ポーリングにより得る際の試料としては、たとえばＴＳ
ＳＧ（Top Seeded Solution Growth）法により育成し、
次いで所定方位に切出したニオブ酸カリウム単結晶が用
いられる。
【００１８】この試料として用いられるニオブ酸カリウ
ム単結晶１のｃ面５上には正極２が設けられているが、
この正極２は、ニオブ酸カリウム単結晶１のｃ面５上
に、たとえば銀粉末あるいはカーボン粉末などの導電性
粉末を含む導電性ペーストを塗布するか、あるいは金な
どの導電性物質を蒸着することにより得られる。
【００１９】また、上記ｃ面５と対向するｃ面６上に、
半絶縁性物質層４を介して負極３が設けられている。こ
の半絶縁性物質層４の体積抵抗率が大きいとＫＮｂＯ3
に加わる電界を維持するために大きな電圧が必要にな
り、体積抵抗率が小さいと半絶縁性物質の効果が失われ
る。そこで半絶縁性物質層４には、１７０〜２２０℃で
体積抵抗率値が１０5〜１０11Ωｃｍ、好ましくは１０6
〜１０8Ωｃｍである半絶縁性物質が用いられる。
【００２０】このような半絶縁性物質としては、具体的
には、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミホ
ウケイ酸ガラスなどのガラス類、アルミナ、酸化セリウ
ム、酸化クロム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、
酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウムなどのセラ
ミックス類、また不純物をドープして体積抵抗率を調整
したシリコンなどが挙げられる。
【００２１】これらの半絶縁性物質は、非晶質体、単結
晶体または多結晶体であってもよく、また、強誘電体で
あってもよい。この半絶縁物質層の厚さの下限は、ニオ
ブ酸カリウム単結晶を単分域化するのに有効な電界分布
を与える厚さ、および半絶縁性物質層の機械的強度によ
って設定される。
【００２２】半絶縁物質層の厚さが厚くなると、電源か
ら印加する電圧の多くが半絶縁物質層にかかってしま
い、単分域化に必要な電圧が、ニオブ酸カリウム単結晶
にかからなくなる。このため、半絶縁物質層の厚さの上
限は、半絶縁物質層の電極面積と体積抵抗率、ニオブ酸
カリウム単結晶の電極面積と厚さ、体積抵抗率、ニオブ
酸カリウム単結晶を単分域化するのに必要な電界、およ
び準備可能な電源の電圧の大きさに応じて定められる。
【００２３】以上により半絶縁性物質層４の厚さは、
０．１〜１０ｍｍ、好ましくは１〜５ｍｍであることが
望ましい。また半絶縁性物質層はニオブ酸カリウム単結
晶のｃ面全面と接していればよく、半絶縁性物質層がニ
オブ酸カリウム単結晶のｃ面と接する面の大きさは、ニ
オブ酸カリウム単結晶のｃ面よりも大きくてもよい。
【００２４】本発明では、上記のようにしてニオブ酸カ
リウム単結晶１のｃ面５上に設けられた正極２と、この
ｃ面５と対向するｃ面６上に半絶縁性物質層４を介して
設けられた負極３との間に例えばスイッチ９を接続して
電源８により電圧を印加することにより、ニオブ酸カリ
ウム単結晶１の単分域化処理すなわちポーリング処理が
行なわれる。
【００２５】ニオブ酸カリウム単結晶１をポーリング処
理する際には、ニオブ酸カリウム単結晶１を加熱して電
界を印加するが、加熱温度が低すぎたり、あるいは印加
電界が低すぎたりすると充分な単分域化ができない。ま
た、加熱温度が高すぎたり、あるいは印加電界が高すぎ
たりすると、ニオブ酸カリウム単結晶にクラックが生じ
る傾向がある。そこでニオブ酸カリウム単結晶１を１７
０℃〜２２０℃の温度に加熱しながら、ニオブ酸カリウ
ム単結晶１に２．０ｋＶ／ｃｍ〜５．０ｋＶ／ｃｍの電
界が印加されるように正負両極２、３間に電圧を印加す
ることが望ましい。
【００２６】この際ニオブ酸カリウム単結晶１は、ポー
リング中に、図１に示すように、そのｃ軸が垂直になる
ように配置されていても、また、図２に示すように、水
平になるように配置されていてもよい。ニオブ酸カリウ
ム単結晶１を、そのｃ軸が水平となるように配置する場
合には、ニオブ酸カリウム単結晶１がズレ落ちないよう
に適当な力で正負電極２，３の両側から緩衝材７を押圧
しながら緩衝材７で、ニオブ酸カリウム単結晶１、半絶
縁性物質層４および正負両極２，３が挟持されていても
よい。
【００２７】また、ニオブ酸カリウム単結晶１の対向す
る２つのｃ面の温度差は小さい方が好ましく、電圧印加
中は０．５℃以下であることが好ましい。
【００２８】このニオブ酸カリウム単結晶１のポーリン
グ処理は、たとえば図３に示す工程に従って行なわれ
る。すなわち、ｉ）正負両極２、３間に配置しているニ
オブ酸カリウム単結晶１を、昇温速度Ｔ1 ／Δｔ0 （た
とえば２００℃／時間）で温度Ｔ1 （たとえば２００
℃）に達するまで加熱し、次いでii）ニオブ酸カリウム
単結晶１をこの温度に保持する。
【００２９】iii）ニオブ酸カリウム単結晶１の温度が
Ｔ1 （たとえば２００℃）に達した時点からΔｔ1 （た
とえば３０分）後に正負両極２、３間に電圧を印加す
る。この際電圧はＥ1になるまでΔｔ5（たとえば１分）
の時間をかけて徐々に増加させる。
【００３０】iv）正負両極２、３間に電圧を印加し始め
てからΔｔ2 （たとえば３０分）後に、Ｔ1 ／Δｔ
3 （たとえば８０℃／時間）の速度でニオブ酸カリウム
単結晶１を冷却する。
【００３１】ｖ）ニオブ酸カリウム単結晶１を冷却し始
めてからΔｔ4 （たとえば３０分）後に正負両極２、３
間の電圧印加を停止する。電圧印加を停止する際には電
圧が０になるまでΔｔ6（たとえば１分）の時間をかけ
て徐々に電圧印加を減少させる。
【００３２】上述したニオブ酸カリウム単結晶の製造方
法では、図１に示すようにニオブ酸カリウム単結晶１の
ｃ面５上に、直接、正極２が設けられているが、図４に
示すようにニオブ酸カリウム単結晶１のｃ面５上に、半
絶縁性物質層４を介して正極２を設けてもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の
製造方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶が着色した
り、あるいはニオブ酸カリウム単結晶の抵抗率が低下す
るというような品質の低下が生じることなく、またニオ
ブ酸カリウム単結晶のｃ軸方向に充分な電界がかかり、
従来、ニオブ酸カリウム単結晶の単分域化の際に特に問
題になっていたような負極側近傍の多分域領域が残るこ
となく、ニオブ酸カリウム単結晶全体が単分域化され
る。
【００３４】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の効果を具体的
に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるも
のではない。
【００３５】
【実施例１】ニオブ酸カリウム単結晶（ＫＮｂＯ3単結
晶）はＴＳＳＧ法で育成した。すなわち、直径８０ｍ
ｍ、深さ８０ｍｍの白金ルツボにカリウム分が過剰のＫ
ＮｂＯ 3 粉末を入れ、抵抗加熱によりＫＮｂＯ3 粉末を
溶融した。次いでこの溶融液の表面にシード付けを行な
い、ＫＮｂＯ3 単結晶を回転数２０〜５０ｒｐｍで引上
げた。このようにして得られた４０×４０×２０ｍｍの
ＫＮｂＯ3 単結晶から１０×１０×５ｍｍの大きさに切
り出した。
【００３６】このようにして得られたＫＮｂＯ3 単結晶
のｃ面（１０ｍｍ×５ｍｍ）に銀ペーストを塗布して正
極を形成した。この正極と対向するＫＮｂＯ3 単結晶の
ｃ面に、片面に銀ペーストを塗布して負極を形成した２
０×１０×３ｍｍのソーダ石灰ガラスからなる半絶縁性
物質層を、負極が外側になるようにして接触させた。こ
のソーダ石灰ガラスの体積抵抗率は２００℃で３×１０
7 Ω・ｃｍである。
【００３７】図１に示すように、ｃ面５に正極２が設け
られ、このｃ面と対向するｃ面６に半絶縁性物質層４を
介して負極３が設けられたＫＮｂＯ3 単結晶１を電気炉
中にｃ軸が垂直になるように水平に設置し、両極にスイ
ッチ９を介して電圧可変直流電源８を接続した。
【００３８】次いでＫＮｂＯ3 単結晶を加熱して１時間
で２００℃に昇温させ、この温度に保持した。ＫＮｂＯ
3 単結晶の温度が２００℃に達してから３０分後に、Ｋ
ＮｂＯ3 単結晶に４ｋＶ／ｃｍの電界が印加されるよう
に正負両極間に直流電圧を徐々に増加しながら印加し
た。
【００３９】正負両極間に電圧を印加し始めてから３０
分後に、８０℃／時間の速度でＫＮｂＯ3 単結晶を冷却
した。ＫＮｂＯ3 単結晶を冷却し始めてから３０分後に
正負両極間の電圧印加を徐々に減少しながら停止した。
【００４０】このようにしてポーリング処理を施したＫ
ＮｂＯ3 単結晶の温度が室温まで低下した後、ＫＮｂＯ
3 単結晶のｂ面およびｃ面を鏡面研磨してからｃ面の斜
光観察およびｃ面の近傍に位置するｂ面の偏光顕微鏡観
察を行ない、ポーリング処理後のＫＮｂＯ3 単結晶が単
分域化されているか否かを判定した。
【００４１】次いでこのＫＮｂＯ3 単結晶を室温でＨＦ
／ＨＮＯ3 混合液中に浸漬し、ＫＮｂＯ3 単結晶のエッ
チングパターンからポーリング処理後のＫＮｂＯ3 単結
晶に多分域領域が残存するか否かを判定した。
【００４２】この結果、上記のようにしてポーリング処
理を施したＫＮｂＯ3 単結晶は単分域化されていること
が判明した。例えばｃ面に垂直なｂ面を偏光顕微鏡で観
察すると、ｂ面全面で濃淡むらのない無地が観察され
た。これは、ポーリング処理後のＫＮｂＯ3単結晶が、
ポーリング時の電界方向に一様に分極している単分域状
態にあることを示している。
【００４３】
【実施例２】図４に示すようにＫＮｂＯ3 単結晶１のｃ
面５に、銀ペーストを塗布して正極を形成した２０×１
０×３ｍｍのソーダ石灰ガラスからなる半絶縁性物質層
４を正極が外側になるようにして接合した以外は実施例
１と同様にして、ＫＮｂＯ3単結晶のポーリング処理を
行ない、ポーリング処理後のＫＮｂＯ3 単結晶が単分域
化されているか否かを判定した。
【００４４】この結果、上記のようにしてポーリング処
理を施したＫＮｂＯ3 単結晶は単分域化されていること
が判明した。
【００４５】
【実施例３】ＫＮｂＯ3 単結晶の加熱保持温度を２２０
℃とし、ＫＮｂＯ3 単結晶に印加する電界を２ｋＶ／ｃ
ｍに調整した以外は実施例２と同様にして、ＫＮｂＯ3
単結晶のポーリング処理を行ない、ポーリング処理後の
ＫＮｂＯ3 単結晶が単分域化されているか否かを判定し
た。
【００４６】この結果、上記のようにしてポーリング処
理を施したＫＮｂＯ3 単結晶は単分域化されていること
が判明した。
【００４７】
【実施例４】ＫＮｂＯ3 単結晶の加熱保持温度を２２０
℃とし、ＫＮｂＯ3 単結晶に印加する電界を５ｋＶ／ｃ
ｍに調整した以外は実施例２と同様にして、ＫＮｂＯ3
単結晶のポーリング処理を行ない、ポーリング処理後の
ＫＮｂＯ3 単結晶が単分域化されているか否かを判定し
た。
【００４８】この結果、上記のようにしてポーリング処
理を施したＫＮｂＯ3 単結晶は単分域化されていること
が判明した。
【００４９】
【実施例５】ＫＮｂＯ3 単結晶の加熱保持温度を１７０
℃とし、ＫＮｂＯ3 単結晶に印加する電界を５ｋＶ／ｃ
ｍに調整した以外は実施例２と同様にして、ＫＮｂＯ3
単結晶のポーリング処理を行ない、ポーリング処理後の
ＫＮｂＯ3 単結晶が単分域化されているか否かを判定し
た。
【００５０】この結果、上記のようにしてポーリング処
理を施したＫＮｂＯ3 単結晶は単分域化されていること
が判明した。
【００５１】
【実施例６】実施例１で得られた４０×４０×２０ｍｍ
のＫＮｂＯ3 単結晶から３０×６×６ｍｍのＫＮｂＯ3
単結晶を切り出した。
【００５２】このようにして得られたＫＮｂＯ3 単結晶
のｃ面（３０ｍｍ×６ｍｍ）に銀ペーストを塗布して正
極を形成した。この正極と対向するＫＮｂＯ3 単結晶の
ｃ面に、片面に銀ペーストを塗布して負極を形成した４
０×２０×３ｍｍ（厚さ３ｍｍ）のソーダ石灰ガラスか
らなる半絶縁性物質層を、負極が外側になるようにして
接合した。このソーダ石灰ガラスの体積抵抗率は２００
℃で３×１０7 Ω・ｃｍである。
【００５３】このようにしてｃ面に正極が設けられ、こ
のｃ面と対向するｃ面に半絶縁性物質層を介して負極が
設けられたＫＮｂＯ3 単結晶を図２に示すように、その
ｃ軸が水平になるように電気炉中に設置した以外は実施
例１と同様にしてＫＮｂＯ3単結晶のポーリング処理を
行い、ポーリング処理後のＫＮｂＯ3 単結晶が単分域化
されているか否かを判定した。なお、ＫＮｂＯ3 単結晶
をポーリング処理する際には、ニオブ酸カリウム（ＫＮ
ｂＯ3 ）単結晶１と半絶縁性物質層４および電極をシリ
コンラバー（緩衝材７）で左右両方向から押さえ治具
（図示せず）で適度な力で押圧しながら挟持した。
【００５４】その結果、ポーリング処理を施したＫＮｂ
Ｏ3 単結晶は単分域化されていることが判明した。
【００５５】
【比較例】ニオブ酸カリウム単結晶の対向する２つのｃ
面に銀ペーストを塗布して、これを直流電源に接続し
た。
【００５６】このニオブ酸カリウム単結晶を実施例１と
同様にしてポーリング処理をしようとすると、電源の電
圧を高くすると流れる電流は非直線的に増加し、実効的
な抵抗値は減少した。このように上記方法ではニオブ酸
カリウム単結晶に加わる電界は電源電圧の増分に比例し
た量までは増大しない。
【００５７】実際、加熱しながら上記のようにしてニオ
ブ酸カリウム単結晶をポーリング処理すると、ニオブ酸
カリウム単結晶が２００℃に加熱されている場合、１Ｋ
Ｖ／ｃｍ程度の電界しかニオブ酸カリウム単結晶に形成
することができない。そこで２００℃で電界強度１ＫＶ
／ｃｍの条件下でポーリング処理をおこなった。
【００５８】その結果、ポーリング処理されたニオブ酸
カリウム単結晶は、負極側のｃ面から５ｍｍくらいまで
の範囲が多分域状態になっていることが偏光顕微鏡で観
察された。この観察結果を模式的に図６に示す。
【００５９】図６は、ニオブ酸カリウム単結晶をポーリ
ング処理した後、ｃ面に垂直なニオブ酸カリウム単結晶
のｂ面で、負極側ｃ面に近い部分を偏光顕微鏡で観察し
た結果を示している。図６に示すように、負極側ｃ面の
近傍で楔状の輪郭線を境として明暗が異なっている。こ
のうち図６に示した黒部（暗部）は図６における白部
（明部）と異なり、ポーリング時の電界方向とは異なる
方向に分極していることを示している。なお本比較例で
は、楔状暗部の突端（図６の破線上にほぼ並んでいる）
はｃ面から約５mm内側であり、暗部と明部の境界線はｃ
面に対して略４５°傾斜している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の製造方
法を説明するための図面である。
【図２】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の製造方
法を説明するための断面図である。
【図３】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の製造工
程の一例を示すダイアグラムである。
【図４】本発明に係るニオブ酸カリウム単結晶の製造方
法を説明するための図面である。
【図５】従来のニオブ酸カリウム単結晶の製造方法を説
明するための図面である。
【図６】従来のニオブ酸カリウム単結晶の製造方法によ
り作成されたニオブ酸カリウム単結晶を偏光顕微鏡で観
察した状態を模式的に表した図である。
【符号の説明】
１ …ニオブ酸カリウム単結晶 ２ …正極 ３ …負極 ４ …半絶縁性物質層 ５、６…ｃ面 ７ …緩衝材 ８ …電源 ９ …スイッチ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ニオブ酸カリウム単結晶のｃ面の一方の
    面上に設けられた電極を正極とし、該正極と対向するニ
    オブ酸カリウム単結晶のもう一方のｃ面上に半絶縁性物
    質層を介して設けられた電極を負極とし、該正極と該負
    極との間に電圧を印加してニオブ酸カリウム単結晶を単
    分域化処理することを特徴とするニオブ酸カリウム単結
    晶の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記正極が半絶縁性物質層を介してニオ
    ブ酸カリウム単結晶のｃ面上に設けられていることを特
    徴とする請求項１に記載の製造方法。
  3. 【請求項３】 正負両極間に電圧を印加するに際し、ニ
    オブ酸カリウム単結晶を１７０〜２２０℃の温度で加熱
    することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 上記半絶縁性物質の体積抵抗率が１７０
    〜２２０℃の温度範囲で１０5〜１０11Ωcmであること
    を特徴とする請求項３に記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記ニオブ酸カリウム単結晶のｃ軸が垂
    直となるように、該ニオブ酸カリウム単結晶が配置され
    ていることを特徴とする請求項１または２に記載の製造
    方法。
  6. 【請求項６】 前記電極の両側に緩衝材を配して、該緩
    衝材で、前記ニオブ酸カリウムと前記半絶縁性物質層と
    前記正負両極とを挟持し、前記ニオブ酸カリウム単結晶
    のｃ軸が水平となるように前記ニオブ酸カリウムを配置
    したことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方
    法。
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