JPH0218395A - ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法Info
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- JPH0218395A JPH0218395A JP16743588A JP16743588A JPH0218395A JP H0218395 A JPH0218395 A JP H0218395A JP 16743588 A JP16743588 A JP 16743588A JP 16743588 A JP16743588 A JP 16743588A JP H0218395 A JPH0218395 A JP H0218395A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はニオブ酸リチウム（以下ＬｉＮｂ０゜と記す）
単結晶の単一分域化方法に関し、特にマグネシウムを添
加して育成したＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏａ （以下Ｍｇ：
ＬｉＮｂ０ｚと記す）の単一分域化方法に関するもので
ある。
単結晶の単一分域化方法に関し、特にマグネシウムを添
加して育成したＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏａ （以下Ｍｇ：
ＬｉＮｂ０ｚと記す）の単一分域化方法に関するもので
ある。
ＬｉＮｂ０ｚ単結晶は従来からテレビの中間波フィルタ
ーを初めとして、多くの表面弾性波素子用の基板として
・使用されているが、光産業技術分野の発展に伴って本
来的に具備する電気・光学作用に着目され、近年に至っ
て光偏調機器等を初めとする光関連素子基板として次第
にその用途が拡大してきている。上記ＬｉＮｂＯ５単結
晶を製造する手段としては１例えば原材料を貴金属から
なるるつぼ内に装入して加熱溶解し、この溶融液界面に
種子結晶を接触させて引き上げる過程において５結晶化
させて棒状に成長させる手段が最も一般的なものである
。なお上記結晶は所謂多分域結晶状態であるため、前記
の各種の素子として使用するためには、所定の方向に単
一分域化する必要がある。上記多分域結晶を単一分域化
する方法としては、引上げ育成した多分域結晶に直接若
しくは導電性゛粉末を介して１対の電極を設け、電気炉
に挿入して加熱を行い、キューリー温度を若干越えた領
域において温度を一定に保持した状態で。
ーを初めとして、多くの表面弾性波素子用の基板として
・使用されているが、光産業技術分野の発展に伴って本
来的に具備する電気・光学作用に着目され、近年に至っ
て光偏調機器等を初めとする光関連素子基板として次第
にその用途が拡大してきている。上記ＬｉＮｂＯ５単結
晶を製造する手段としては１例えば原材料を貴金属から
なるるつぼ内に装入して加熱溶解し、この溶融液界面に
種子結晶を接触させて引き上げる過程において５結晶化
させて棒状に成長させる手段が最も一般的なものである
。なお上記結晶は所謂多分域結晶状態であるため、前記
の各種の素子として使用するためには、所定の方向に単
一分域化する必要がある。上記多分域結晶を単一分域化
する方法としては、引上げ育成した多分域結晶に直接若
しくは導電性゛粉末を介して１対の電極を設け、電気炉
に挿入して加熱を行い、キューリー温度を若干越えた領
域において温度を一定に保持した状態で。
前記電極間に電圧を印加して単一分域化し、この電圧を
印加した状態で徐冷する方法が知られている。上記単一
分域化方法においては３表面弾性波素子用および洸学用
の何れのＬｉＮｂＯ５単結晶も単一分域化処理は保持温
度約１２００℃、印加電圧２、ＯＶ／ｃｍ程度の条件で
行われるのが通常である。
印加した状態で徐冷する方法が知られている。上記単一
分域化方法においては３表面弾性波素子用および洸学用
の何れのＬｉＮｂＯ５単結晶も単一分域化処理は保持温
度約１２００℃、印加電圧２、ＯＶ／ｃｍ程度の条件で
行われるのが通常である。
しかしながら上記従来のＬｉＮｂＯ５単結晶には、光用
として使用する場合は光損傷が発生するため、要求され
る特性を満足できな（なっており。
として使用する場合は光損傷が発生するため、要求され
る特性を満足できな（なっており。
従来のＬｉＮｂｏ、ｊｐ結晶をそのまま光用に使用する
ことができないという問題点がある。このような問題点
を解決する一手段としてマグネシウムを添加することに
より耐光…傷が向上することが明らかにされ、注目され
ている（Ｄ、 Ａ、 Ｂｒｙａｎ ｅｔａｌ、静ｐ１．
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ４４． Ｐ、８４７．１
９８４ ） 。
ことができないという問題点がある。このような問題点
を解決する一手段としてマグネシウムを添加することに
より耐光…傷が向上することが明らかにされ、注目され
ている（Ｄ、 Ａ、 Ｂｒｙａｎ ｅｔａｌ、静ｐ１．
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ４４． Ｐ、８４７．１
９８４ ） 。
しかしマグネシウムを含有する上記Ｍｇ：ＬｉＮｂＣ）
ｓ単結晶は従来と同一の条件で処理しても単一分域化す
ることが出来ないという問題点がある。
ｓ単結晶は従来と同一の条件で処理しても単一分域化す
ることが出来ないという問題点がある。
第４図は従来方法によるＭｇ ： Ｌ １Ｎｂｏｓ単結
晶の分域化状態を模式的に示す説明図である。
晶の分域化状態を模式的に示す説明図である。
同図においてハンチングを付した部分は断面ではないが
、他の部分と逆方向に分域された部分を示している。す
なわちハンチング部１は９例えば紙面の表側かのであり
裏側がｅであるのに対し、非ハンチング部２は１紙面の
表側がｅであり裏側がｅとなっており、略同心円状に逆
方向に分域化されたｔｒＩ域が出現する。
、他の部分と逆方向に分域された部分を示している。す
なわちハンチング部１は９例えば紙面の表側かのであり
裏側がｅであるのに対し、非ハンチング部２は１紙面の
表側がｅであり裏側がｅとなっており、略同心円状に逆
方向に分域化されたｔｒＩ域が出現する。
上記の原因については明確ではないが、マグネシウムの
添加により０分域が固定され１反転が困難となると推定
される。一方マグネシウムの添加によってＬｉＮｂＯ５
単結晶のキューリー温度が上昇することが原因であると
の考え方もある（Ｂ、 Ｃ，Ｇｒａｂｓ＋ａｉｅｒ ａ
ｎｄ Ｆ、０ｔＬｏ、 Ｊ、 Ｃｒｙｓｔ。
添加により０分域が固定され１反転が困難となると推定
される。一方マグネシウムの添加によってＬｉＮｂＯ５
単結晶のキューリー温度が上昇することが原因であると
の考え方もある（Ｂ、 Ｃ，Ｇｒａｂｓ＋ａｉｅｒ ａ
ｎｄ Ｆ、０ｔＬｏ、 Ｊ、 Ｃｒｙｓｔ。
Ｇｒｏｗｔｈ ７９．６８２．１９８６ ） 、例え
ばマグネシウムを５モル％添加すると、キューリー温度
が７９’ｃ程度上昇するため、単一分域化処理温度も従
来の方法におけるものより高く設定することとなる。
ばマグネシウムを５モル％添加すると、キューリー温度
が７９’ｃ程度上昇するため、単一分域化処理温度も従
来の方法におけるものより高く設定することとなる。
しかしこのように単に単一分域化処理温度を上昇させた
のみでは、処理中に結晶表面の荒れが著しくなり、クラ
ンクを発生するという問題点がある。
のみでは、処理中に結晶表面の荒れが著しくなり、クラ
ンクを発生するという問題点がある。
第５図はＭｇ：ＬｉＮｂ０．単結晶にクランクが発生し
た状態を模式的に示す説明図である。同図において、ク
ランク３は棒状の単結晶の長平方向に延びるものであり
、このようなりラック３が存在すると１例えばウェハに
加工する場合に破１１することとなるので不都合である
。またクランク４は所謂貝殻状のものであり、単結晶の
表面に沿って発生するため、単結晶の表面の一部を剥離
させることとなり、好ましくない。
た状態を模式的に示す説明図である。同図において、ク
ランク３は棒状の単結晶の長平方向に延びるものであり
、このようなりラック３が存在すると１例えばウェハに
加工する場合に破１１することとなるので不都合である
。またクランク４は所謂貝殻状のものであり、単結晶の
表面に沿って発生するため、単結晶の表面の一部を剥離
させることとなり、好ましくない。
本発明は上記従来技術に存在する問題点を解決し、クラ
ックその他のを害な欠陥を発生することなくＭｇ ：
Ｌ １Ｎｂｏ、単結晶を単一分域化し得る方法を提供す
ることを目的とする。
ックその他のを害な欠陥を発生することなくＭｇ ：
Ｌ １Ｎｂｏ、単結晶を単一分域化し得る方法を提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために１本発明においては。
マグネシウムを７モル％以下の範囲で含有するニオブ酸
リチウムの多分域結晶に、少な（とも単一分域化する部
位に導電性を有する粉末を介して１対の電極板を設け、
キューリー温度近傍において前記電極板間に電界を印加
し、以後徐冷することにより前記多分域結晶を単一分域
化する方法において、前記電極板間における印加電圧の
結晶の単一分域化方向成分を２．０〜８．０ν／ｃｍと
する。という技術的手段を採用した。
リチウムの多分域結晶に、少な（とも単一分域化する部
位に導電性を有する粉末を介して１対の電極板を設け、
キューリー温度近傍において前記電極板間に電界を印加
し、以後徐冷することにより前記多分域結晶を単一分域
化する方法において、前記電極板間における印加電圧の
結晶の単一分域化方向成分を２．０〜８．０ν／ｃｍと
する。という技術的手段を採用した。
なお本発明において、印加電圧の結晶の単一分域化方向
成分Ｅを Ｅ ＝ （０，８６Ｍ ｇ ＋２．０）±５
（Ｖ／ｃｍ）とするとよい。
成分Ｅを Ｅ ＝ （０，８６Ｍ ｇ ＋２．０）±５
（Ｖ／ｃｍ）とするとよい。
また保持温度Ｔを Ｔ＝ （３０Ｍ ｇ ＋１１６０）
±１０（℃）（但しＭｇ＜３．０）若しくはＴ ＝ １
２５０±１０（℃）（但しＭｇ≧３．０）とするのが好
ましい。
±１０（℃）（但しＭｇ＜３．０）若しくはＴ ＝ １
２５０±１０（℃）（但しＭｇ≧３．０）とするのが好
ましい。
上記の構成により、マグネシウム添加による分域の固定
作用を回避し、単一分域化を円滑かつ容易に実現すると
いう作用を朋待できる。
作用を回避し、単一分域化を円滑かつ容易に実現すると
いう作用を朋待できる。
まずＭｇ ： Ｌ １Ｎｂｏｓ （Ｍｇ０ ５モル％
添加）のコングルエンド組成の融液によりＺ方向に引き
上げて例えば直径７５ｍｍ、長さ７０ｖ＋のＬ ｉ Ｎ
ｂ Ｏ）単結晶を作製した。次にこの結晶体を第１図
に示す配置によって単一分域化処理を行う。第１図にお
いて５はるつぼであり１例えばアルミナ等の耐熱材料に
よって形成する０次に上記引上げ育成によって作製した
結晶体６を、この結晶体６と非反応性の結晶粉末３例え
ばＬｉＮｂ０゜結晶からなる粉末７中に埋設し、Ｚ方向
に対向するように例えばＰｔ電掻板８を１対挿入配設す
る。
添加）のコングルエンド組成の融液によりＺ方向に引き
上げて例えば直径７５ｍｍ、長さ７０ｖ＋のＬ ｉ Ｎ
ｂ Ｏ）単結晶を作製した。次にこの結晶体を第１図
に示す配置によって単一分域化処理を行う。第１図にお
いて５はるつぼであり１例えばアルミナ等の耐熱材料に
よって形成する０次に上記引上げ育成によって作製した
結晶体６を、この結晶体６と非反応性の結晶粉末３例え
ばＬｉＮｂ０゜結晶からなる粉末７中に埋設し、Ｚ方向
に対向するように例えばＰｔ電掻板８を１対挿入配設す
る。
次に電極板８にリード線９を接続した後、均熱性に優れ
た電気炉（図示せず）にるつぼ５と共に挿入して単一分
域化処理を行う。
た電気炉（図示せず）にるつぼ５と共に挿入して単一分
域化処理を行う。
第２図は単一分域化処理における温度および印加電圧と
時間との関係を示す図である。すなわち前記第１図に示
す状態に結晶体６を収容したるつぼ５を電気炉に装入し
、電極板８，８間に例えばＥ、Ｖ の直流電圧を印加し
、第２図に示すように１０時間後に保持温度′ｒ、まで
昇温させ、（ｔ２−【。）時間保持する。一方保持温度
Ｔ、に到達後（ｔｌ ｔｏ）時間後に、前記第１図に
示す電極板８８８間の電圧を第２図に示すようにＥｔＶ
に上昇させる。一方昇温開始後ｔ２時間経過後。
時間との関係を示す図である。すなわち前記第１図に示
す状態に結晶体６を収容したるつぼ５を電気炉に装入し
、電極板８，８間に例えばＥ、Ｖ の直流電圧を印加し
、第２図に示すように１０時間後に保持温度′ｒ、まで
昇温させ、（ｔ２−【。）時間保持する。一方保持温度
Ｔ、に到達後（ｔｌ ｔｏ）時間後に、前記第１図に
示す電極板８８８間の電圧を第２図に示すようにＥｔＶ
に上昇させる。一方昇温開始後ｔ２時間経過後。
電気炉への供給電力を制御することにより徐冷に移行す
ると共に、昇温開始後１３時間経過後に前記第１図に示
す電極板８．８間の電圧印加を解除するのである。この
場合において、保持温度Ｔ。
ると共に、昇温開始後１３時間経過後に前記第１図に示
す電極板８．８間の電圧印加を解除するのである。この
場合において、保持温度Ｔ。
を１２００℃、 １２５０℃、 １２７０℃の３種類と
し、第１図に示す結晶体６に印加する電圧を、結晶体６
のＺ方向成分に換算して２．０ν八ｍ、 ５．０ν／ｃ
ｔａ、 ８．ＯＶ／ｃ＋ｗの３種類とした。なお第２図
における経過時間ｔＯ＝ ｔｌ＋ ”２＋ ｔ２
は夫々６時間５８時間。
し、第１図に示す結晶体６に印加する電圧を、結晶体６
のＺ方向成分に換算して２．０ν八ｍ、 ５．０ν／ｃ
ｔａ、 ８．ＯＶ／ｃ＋ｗの３種類とした。なお第２図
における経過時間ｔＯ＝ ｔｌ＋ ”２＋ ｔ２
は夫々６時間５８時間。
１２時間および３６時間とした。
上記単一分域化処理後、第１図に示す結晶体６の７面（
図示せず）を切り出して鏡面加工を行い。
図示せず）を切り出して鏡面加工を行い。
９０〜１２０℃の溶液（ＨＦ ： ）−ＩＮＯｓ ＝
１ ： ｌ）中において６０分間腐食処理を行った。こ
の腐食処理により８例えば０２面と０２面とでは腐食速
度が異なるので、単一分域化されていない場合には７面
に面荒れが発生するので容易に判別できる。
１ ： ｌ）中において６０分間腐食処理を行った。こ
の腐食処理により８例えば０２面と０２面とでは腐食速
度が異なるので、単一分域化されていない場合には７面
に面荒れが発生するので容易に判別できる。
なお結晶体６からの切出片の両面に鏡面研磨加工を施し
た後、ｘａトポグラフによる分域検査も併せて行った。
た後、ｘａトポグラフによる分域検査も併せて行った。
この結果を表に示す。
（注）×：不可、 Δ：稍良、 ○：良表から明らかな
ように、保持温度を１２７０℃とすると、印加電圧が２
．ＯＶ／ｃｍの場合を除いて単一分域化の点においては
良好であるが、何れの場合においても面荒れとクラック
の発生が認められた。
ように、保持温度を１２７０℃とすると、印加電圧が２
．ＯＶ／ｃｍの場合を除いて単一分域化の点においては
良好であるが、何れの場合においても面荒れとクラック
の発生が認められた。
例えば保持温度１２７０℃、印加電圧８．ＯＶ／ｃｓの
処理条件のものにおいては、前記第５図に示すようなり
ラック３と共に貝殻状のクランク４の混在が認められた
６次に保持温度を１２５０℃とした場合においても、単
一分域化の状況は前記と同様の傾向を示し、印加電圧５
．ＯＶ／ｃｓ＋の場合を除いてクランクの発生が認めら
れた。なお保持温度が１２００℃の場合には、印加電圧
の如何に拘らず全く単一分域化の態様は認められず、前
記第４図に示すようにハツチング部ｌおよび非ハンチン
グ部２で現わされる０２面と０２面との混在が認められ
た。
処理条件のものにおいては、前記第５図に示すようなり
ラック３と共に貝殻状のクランク４の混在が認められた
６次に保持温度を１２５０℃とした場合においても、単
一分域化の状況は前記と同様の傾向を示し、印加電圧５
．ＯＶ／ｃｓ＋の場合を除いてクランクの発生が認めら
れた。なお保持温度が１２００℃の場合には、印加電圧
の如何に拘らず全く単一分域化の態様は認められず、前
記第４図に示すようにハツチング部ｌおよび非ハンチン
グ部２で現わされる０２面と０２面との混在が認められ
た。
次に上記同様の単一分域化処理を濃度の異なる他のＭｇ
： Ｌ １Ｎｂｏｉについて行い、添加ＭｇＯの各濃
度における最適単一分域化処理条件を求めた。第３図は
最適単一分域化処理条件における保持温度および印加電
圧とＭｇＯ濃度との関係を示す図である。第３図におい
てＭｇＯ濃度０％のものは、比較のために示した従来の
ＬｉＮｂＯ５単結晶の場合において使用されている単一
分域化条件である。第３図から明らかなように、クラン
ク若しくは面荒れの発生のない良好な単一分域化処理を
行うためには、ＭｇＯの濃度の増加に略比例させて、単
に保持温度のみを上昇させるのみならず、印加電圧も増
大させる必要があることがわかる。このように印加電圧
がＭｇＯの濃度に対する依存性を示すことは、ＭｇＯの
添加により結晶体のキューリー温度が上昇するという理
由のみではなく、ＭｇＯの添加による分域の固定作用に
よるものと推定することができ、上記分域の固定作用を
解除するために、ＭｇＯの濃度に略比例した印加電圧を
付与する必要があると認められる。従って印加電圧の結
晶のＺ方向成分をＥとすると下記の範囲が単一分域化の
ために好ましい。
： Ｌ １Ｎｂｏｉについて行い、添加ＭｇＯの各濃
度における最適単一分域化処理条件を求めた。第３図は
最適単一分域化処理条件における保持温度および印加電
圧とＭｇＯ濃度との関係を示す図である。第３図におい
てＭｇＯ濃度０％のものは、比較のために示した従来の
ＬｉＮｂＯ５単結晶の場合において使用されている単一
分域化条件である。第３図から明らかなように、クラン
ク若しくは面荒れの発生のない良好な単一分域化処理を
行うためには、ＭｇＯの濃度の増加に略比例させて、単
に保持温度のみを上昇させるのみならず、印加電圧も増
大させる必要があることがわかる。このように印加電圧
がＭｇＯの濃度に対する依存性を示すことは、ＭｇＯの
添加により結晶体のキューリー温度が上昇するという理
由のみではなく、ＭｇＯの添加による分域の固定作用に
よるものと推定することができ、上記分域の固定作用を
解除するために、ＭｇＯの濃度に略比例した印加電圧を
付与する必要があると認められる。従って印加電圧の結
晶のＺ方向成分をＥとすると下記の範囲が単一分域化の
ために好ましい。
Ｅ ＝ （０，８６Ｍ ｇ ＋２．０）±５ （Ｖ／ｃ
ｍ）なお単一分域化処理における保持温度Ｔも。
ｍ）なお単一分域化処理における保持温度Ｔも。
ＭｇＯの濃度に略比例して上昇させる必要があるが、あ
まり高温度にすると結晶体にクラックを生ずるため不都
合であるので下記の範囲とするのが好ましい。
まり高温度にすると結晶体にクラックを生ずるため不都
合であるので下記の範囲とするのが好ましい。
Ｔ＝ （３０Ｍ ｇ ＋１１６０） ±ｌ Ｏ（℃）
。
。
但しＭｇ＜３．０
Ｔ−１２５０±１０（℃）、但しＭｇ≧３．０本実施例
においては２方向に単一分域化する例について記述した
が、他の方向に単一分域化する場合においても作用は同
一である。また電極板と結晶体との間に介在充填させる
粉末としてＬｉＮｂＯ５結晶粉末を使用した例を示した
が。
においては２方向に単一分域化する例について記述した
が、他の方向に単一分域化する場合においても作用は同
一である。また電極板と結晶体との間に介在充填させる
粉末としてＬｉＮｂＯ５結晶粉末を使用した例を示した
が。
これ以外の粉末であっても導電性を有し、かつ結晶体と
非反応性を有するものである限り使用できる。更に上記
導電性粉末は、結晶体の少なくとも単一分域化する部位
に介在させればよい。
非反応性を有するものである限り使用できる。更に上記
導電性粉末は、結晶体の少なくとも単一分域化する部位
に介在させればよい。
本発明は２以上記述のような構成および作用であるから
、クランク、面荒れその他の有害な欠陥を発生すること
なく、Ｍｇ ： Ｌ １Ｎｂｏ、単結晶を所定の方向に
単一分域化させることができるという効果がある。従っ
て特に光学用途向けのＭｇ：ＬＩＮｂＯａの品質および
生産性を大幅に向上させることができる。
、クランク、面荒れその他の有害な欠陥を発生すること
なく、Ｍｇ ： Ｌ １Ｎｂｏ、単結晶を所定の方向に
単一分域化させることができるという効果がある。従っ
て特に光学用途向けのＭｇ：ＬＩＮｂＯａの品質および
生産性を大幅に向上させることができる。
第１図は本発明の実施例における単一分域化方法の説明
図、第２図は同車−分域化処理における温度および印加
電圧と時間との関係を示す図、第３図は最適単一分域化
処理条件における保持温度および印加電圧とＭｇＯ１度
との関係を示す図。 第４図は従来方法によるＭｇ：ＬｉＮｂ０＊単結晶の分
域化状態を模式的に示す説明図、第５図はＭ ｇ ：
Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶にクラックが発生した状態
を模式的に示す説明図である。 ６：結晶体、７；粉末、８：電極板。
図、第２図は同車−分域化処理における温度および印加
電圧と時間との関係を示す図、第３図は最適単一分域化
処理条件における保持温度および印加電圧とＭｇＯ１度
との関係を示す図。 第４図は従来方法によるＭｇ：ＬｉＮｂ０＊単結晶の分
域化状態を模式的に示す説明図、第５図はＭ ｇ ：
Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶にクラックが発生した状態
を模式的に示す説明図である。 ６：結晶体、７；粉末、８：電極板。
Claims (3)
- （１）マグネシウムを７モル％以下の範囲で含有するニ
オブ酸リチウムの多分域結晶に、少なくとも単一分域化
する部位に導電性を有する粉末を介して１対の電極板を
設け、キューリー温度近傍において前記電極板間に電界
を印加し、以後徐冷することにより前記多分域結晶を単
一分域化する方法において、前記電極板間における印加
電圧の結晶の単一分域化方向成分を２．０〜８．０Ｖ／
ｃｍとしたことを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶の
単一分域化方法。 - （２）印加電圧の結晶の単一分域化方向成分ＥをＥ＝（
０．８６Ｍｇ＋２．０）±０．５（Ｖ／ｃｍ）（但しＭ
ｇはマグネシウムのモル％、以下同じ）とした請求項（
１）記載のニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法。 - （３）保持温度ＴをＴ＝（３０Ｍｇ＋１１６０）±１０
（℃）（但しＭｇ＜３．０）若しくはＴ＝１２５０±１
０（℃）（但しＭｇ≧３．０）とした請求項（１）若し
くは（２）記載のニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16743588A JPH0218395A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16743588A JPH0218395A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218395A true JPH0218395A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15849654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16743588A Pending JPH0218395A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218395A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315432A (en) * | 1990-11-30 | 1994-05-24 | Ibiden Co., Ltd. | Thin film of lithium niobate single crystal |
| US5371812A (en) * | 1992-01-21 | 1994-12-06 | Ibden Co., Ltd. | Waveguide type optical directional coupler |
| CN113293442A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 焦作晶锐光电有限公司 | 一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16743588A patent/JPH0218395A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315432A (en) * | 1990-11-30 | 1994-05-24 | Ibiden Co., Ltd. | Thin film of lithium niobate single crystal |
| US5371812A (en) * | 1992-01-21 | 1994-12-06 | Ibden Co., Ltd. | Waveguide type optical directional coupler |
| CN113293442A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 焦作晶锐光电有限公司 | 一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺 |
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