JPH0597585A - ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法 - Google Patents
ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法Info
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- JPH0597585A JPH0597585A JP4041963A JP4196392A JPH0597585A JP H0597585 A JPH0597585 A JP H0597585A JP 4041963 A JP4041963 A JP 4041963A JP 4196392 A JP4196392 A JP 4196392A JP H0597585 A JPH0597585 A JP H0597585A
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- crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/14—Phosphates
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分極のシングルドメイン化が可能で、非線形
光学材料としてＳＨＧの効率が高く高品質なＫＴＰ単結
晶の作製が可能な製造方法を提供する。 【構成】 先ず、ＴＳＳＧ法によりＫＴＰのキュリー点
以上の温度でＫＴＰ単結晶を析出，育成する。次いで、
キュリー点以上の温度を保ったまま育成したＫＴＰ単結
晶が融液と接触した状態で、種結晶と融液間に構成され
る電気回路よりＫＴＰ単結晶に直流電圧を印加し、キュ
リー点以下の温度まで冷却する。この際、印加電流をＩ
ｐ、ｃ軸育成する際のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時に、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）なる式で規定され
る電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦１．０（ｍＡ／ｃｍ
2 ）となるように直流電圧を印加する。
光学材料としてＳＨＧの効率が高く高品質なＫＴＰ単結
晶の作製が可能な製造方法を提供する。 【構成】 先ず、ＴＳＳＧ法によりＫＴＰのキュリー点
以上の温度でＫＴＰ単結晶を析出，育成する。次いで、
キュリー点以上の温度を保ったまま育成したＫＴＰ単結
晶が融液と接触した状態で、種結晶と融液間に構成され
る電気回路よりＫＴＰ単結晶に直流電圧を印加し、キュ
リー点以下の温度まで冷却する。この際、印加電流をＩ
ｐ、ｃ軸育成する際のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時に、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）なる式で規定され
る電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦１．０（ｍＡ／ｃｍ
2 ）となるように直流電圧を印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学材料として
用いられるＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の製造方法に関するも
のである。
用いられるＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、強力な出力を有しコヒーレンスの
良好なレーザーの出現により、非線形光学材料を用いて
第２高調波（ＳＨＧ：Second harmonic generation）と
して基本波長の半分の波長の光が得られるようになって
きている。そして、この非線形光学材料としては、非線
形光学結晶であるＫＴｉＯＰＯ4 単結晶（以下、単にＫ
ＴＰと称する。）等が代表的なものである。
良好なレーザーの出現により、非線形光学材料を用いて
第２高調波（ＳＨＧ：Second harmonic generation）と
して基本波長の半分の波長の光が得られるようになって
きている。そして、この非線形光学材料としては、非線
形光学結晶であるＫＴｉＯＰＯ4 単結晶（以下、単にＫ
ＴＰと称する。）等が代表的なものである。
【０００３】ところで、上記ＫＴＰの作製方法として
は、水熱合成法やＴＳＳＧ法（Top Seeded Solution gr
owth）等が知られているが、いずれの場合にも育成によ
って得られるＫＴＰ単結晶には、分極が多分域（マルチ
ドメイン）として存在する。このようなマルチドメイン
の存在は、例えば文献（Appl. Phys. Lett., 51,(198
7), 1322）等にも記載されるように、出力の低下を招
き、非線形光学材料のＳＨＧとしての効率が悪化する。
は、水熱合成法やＴＳＳＧ法（Top Seeded Solution gr
owth）等が知られているが、いずれの場合にも育成によ
って得られるＫＴＰ単結晶には、分極が多分域（マルチ
ドメイン）として存在する。このようなマルチドメイン
の存在は、例えば文献（Appl. Phys. Lett., 51,(198
7), 1322）等にも記載されるように、出力の低下を招
き、非線形光学材料のＳＨＧとしての効率が悪化する。
【０００４】そこで、従来、前述のマルチドメインのあ
る結晶インゴットをバルクあるいは基板に切り出した
後、熱処理を施したり、あるいは熱処理中に電場を印加
する等して、マルチドメインをシングルドメイン化する
試みがなされている。例えば、先の文献には、育成され
たマルチドメイン単結晶から、Ｃ軸（分極軸）に垂直に
板状に切り出し（Ｃ板）、このＣ板の表裏両面にそれぞ
れ電極を形成し、５００℃程度に加熱した状態で電圧を
印加してシングルドメイン化する方法が開示されてい
る。
る結晶インゴットをバルクあるいは基板に切り出した
後、熱処理を施したり、あるいは熱処理中に電場を印加
する等して、マルチドメインをシングルドメイン化する
試みがなされている。例えば、先の文献には、育成され
たマルチドメイン単結晶から、Ｃ軸（分極軸）に垂直に
板状に切り出し（Ｃ板）、このＣ板の表裏両面にそれぞ
れ電極を形成し、５００℃程度に加熱した状態で電圧を
印加してシングルドメイン化する方法が開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の方法は、マルチドメインの配列（例えばジグザグ
の分域壁を有する配列）によっては単分域化は難しいこ
と、電極形成等を含め分極（ポーリング）処理のプロセ
スが煩雑であること、分域の境界に生じた欠陥がポーリ
ング後も残存し易いこと等の欠点があり、実際、本発明
者等が熱処理を施したり熱処理中に電場を印加してマル
チドメインのシングルドメイン化を試みたが、場所によ
っては分極反転がされず、十分なシングルドメイン化を
達成することは難しかった。
従来の方法は、マルチドメインの配列（例えばジグザグ
の分域壁を有する配列）によっては単分域化は難しいこ
と、電極形成等を含め分極（ポーリング）処理のプロセ
スが煩雑であること、分域の境界に生じた欠陥がポーリ
ング後も残存し易いこと等の欠点があり、実際、本発明
者等が熱処理を施したり熱処理中に電場を印加してマル
チドメインのシングルドメイン化を試みたが、場所によ
っては分極反転がされず、十分なシングルドメイン化を
達成することは難しかった。
【０００６】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであって、育成されたＫＴＰ単結晶を十分に
シングルドメイン化することができ、非線形光学材料と
してのＳＨＧの効率が高く高品質な結晶の育成が可能な
ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の製造方法を提供することを目的
とする。
されたものであって、育成されたＫＴＰ単結晶を十分に
シングルドメイン化することができ、非線形光学材料と
してのＳＨＧの効率が高く高品質な結晶の育成が可能な
ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、融剤を含む融液に種結晶を接触せし
め、ＫＴｉＯＰＯ4 のキュリー点より高い温度でＫＴｉ
ＯＰＯ4 単結晶を析出、育成した後、キュリー点以上の
温度を保ったまま育成したＫＴｉＯＰＯ4 単結晶が融液
と接触した状態で、上記種結晶と融液の間に直流電圧を
印加しながら前記ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶をキュリー点以
下の温度に冷却することを特徴とするものである。
達成するために、融剤を含む融液に種結晶を接触せし
め、ＫＴｉＯＰＯ4 のキュリー点より高い温度でＫＴｉ
ＯＰＯ4 単結晶を析出、育成した後、キュリー点以上の
温度を保ったまま育成したＫＴｉＯＰＯ4 単結晶が融液
と接触した状態で、上記種結晶と融液の間に直流電圧を
印加しながら前記ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶をキュリー点以
下の温度に冷却することを特徴とするものである。
【０００８】また、ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の育成後、種
結晶と融液の間に直流電圧を印加しながら冷却する際の
電流密度Ｄが、印加電流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸
の結晶の大きさをａ，ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×
ｂ）と規定され、該電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦
１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）であることを特徴とするもので
ある。
結晶と融液の間に直流電圧を印加しながら冷却する際の
電流密度Ｄが、印加電流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸
の結晶の大きさをａ，ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×
ｂ）と規定され、該電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦
１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）であることを特徴とするもので
ある。
【０００９】すなわち、本発明においては、先ず、ＴＳ
ＳＧ法と言われる方法を用い、ＫＴＰ単結晶を育成す
る。ＴＳＳＧ法は、原料をフラックス（融剤）に溶解さ
せ、過飽和状態を作って種結晶だけに結晶成長させるも
ので、フラックス法の一種である。このＴＳＳＧ法は、
結晶の大型化が期待でき、種結晶の方位を選ぶことで育
成結晶の成長方位を制御することができるという特徴を
有する。
ＳＧ法と言われる方法を用い、ＫＴＰ単結晶を育成す
る。ＴＳＳＧ法は、原料をフラックス（融剤）に溶解さ
せ、過飽和状態を作って種結晶だけに結晶成長させるも
ので、フラックス法の一種である。このＴＳＳＧ法は、
結晶の大型化が期待でき、種結晶の方位を選ぶことで育
成結晶の成長方位を制御することができるという特徴を
有する。
【００１０】ＫＴＰ単結晶の育成は、通常のＴＳＳＧ法
の手法にしたがって過飽和状態の融液中で徐冷しながら
行えばよいが、本発明においては、ＫＴＰ単結晶の育成
の最終温度をＫＴｉＯＰＯ4 のキュリー点（約９４０
℃）より高い温度とする。原料やフラックスは、通常の
ものがいずれも使用可能であり、例えばフラックスとし
ては３Ｋ2 ＷＯ4 ・Ｐ2 Ｏ5 やＫ6 Ｐ4 Ｏ13、ＷＯ3 ＋
Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13等が使用される。
の手法にしたがって過飽和状態の融液中で徐冷しながら
行えばよいが、本発明においては、ＫＴＰ単結晶の育成
の最終温度をＫＴｉＯＰＯ4 のキュリー点（約９４０
℃）より高い温度とする。原料やフラックスは、通常の
ものがいずれも使用可能であり、例えばフラックスとし
ては３Ｋ2 ＷＯ4 ・Ｐ2 Ｏ5 やＫ6 Ｐ4 Ｏ13、ＷＯ3 ＋
Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13等が使用される。
【００１１】また、このときの種結晶としては、数ｍｍ
角の角棒状、例えば一辺が２ｍｍ、長さが１０〜１５ｍ
ｍ程度の角棒状の種結晶が用いられ、その長手方向にＣ
軸が一致するようなＣ軸結晶が用いられる。
角の角棒状、例えば一辺が２ｍｍ、長さが１０〜１５ｍ
ｍ程度の角棒状の種結晶が用いられ、その長手方向にＣ
軸が一致するようなＣ軸結晶が用いられる。
【００１２】次いで、育成されたＫＴＰ単結晶を融液中
で保持する。このとき、育成された単結晶の温度がＫＴ
ｉＯＰＯ4 のキュリー点以下に下がらないように注意す
る。
で保持する。このとき、育成された単結晶の温度がＫＴ
ｉＯＰＯ4 のキュリー点以下に下がらないように注意す
る。
【００１３】本発明においては、この状態で種結晶と融
液（坩堝）を介して電気回路から直流電圧を加え、ＫＴ
Ｐ単結晶をキュリー点以下の温度まで徐冷する。前記電
気回路はＫＴＰ単結晶に流れる直流電流が定電流となる
ように設定し、その範囲は０．１〜５ｍＡとし、印加電
流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）と規定される電流密
度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）とな
るようにする。電流密度Ｄが０．０１ｍＡ／ｃｍ2 未満
であると、効果が不足しシングルドメイン化が難しく、
逆に１．０ｍＡ／ｃｍ2 を越えるとＫＴＰ単結晶を破損
する虞れがある。
液（坩堝）を介して電気回路から直流電圧を加え、ＫＴ
Ｐ単結晶をキュリー点以下の温度まで徐冷する。前記電
気回路はＫＴＰ単結晶に流れる直流電流が定電流となる
ように設定し、その範囲は０．１〜５ｍＡとし、印加電
流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）と規定される電流密
度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）とな
るようにする。電流密度Ｄが０．０１ｍＡ／ｃｍ2 未満
であると、効果が不足しシングルドメイン化が難しく、
逆に１．０ｍＡ／ｃｍ2 を越えるとＫＴＰ単結晶を破損
する虞れがある。
【００１４】印加する直流電圧の極性の向きは問わない
が、種結晶側を負とするとＫＴＰ単結晶が着色し易くな
るので、種結晶側を正とするのが好ましい。ただし、Ｋ
ＴＰ単結晶が着色しても、熱を加えれば速やかに消失す
ることから、さほど大きな影響はない。
が、種結晶側を負とするとＫＴＰ単結晶が着色し易くな
るので、種結晶側を正とするのが好ましい。ただし、Ｋ
ＴＰ単結晶が着色しても、熱を加えれば速やかに消失す
ることから、さほど大きな影響はない。
【００１５】
【作用】キュリー点以上の温度で育成されたＫＴＰ単結
晶は、常誘電相であり、当然分域は存在しない。本発明
においては、この状態から種結晶及び融液を介してＫＴ
Ｐ単結晶にＣ軸方向に電界を印加し、ＫＴＰ単結晶をキ
ュリー点以下の温度まで冷却するので、育成されたＫＴ
Ｐ単結晶（常誘電相）は多分域状態を経ずに単分域の強
誘電相状態に移行することになる。
晶は、常誘電相であり、当然分域は存在しない。本発明
においては、この状態から種結晶及び融液を介してＫＴ
Ｐ単結晶にＣ軸方向に電界を印加し、ＫＴＰ単結晶をキ
ュリー点以下の温度まで冷却するので、育成されたＫＴ
Ｐ単結晶（常誘電相）は多分域状態を経ずに単分域の強
誘電相状態に移行することになる。
【００１６】また、ＫＴＰ単結晶を冷却しながら種結晶
と融液間に直流電圧を印加する際の電流密度Ｄを０．０
１≦Ｄ≦１．０としているため、分極の単分域化が良好
に行われたＫＴＰ単結晶を得ることができる。
と融液間に直流電圧を印加する際の電流密度Ｄを０．０
１≦Ｄ≦１．０としているため、分極の単分域化が良好
に行われたＫＴＰ単結晶を得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例に
おいて使用した単結晶育成装置の概略構成は、図１に示
す通りであり、この装置は、融剤を含む原料融液１を収
容する白金坩堝２と、種結晶３を上下する引き上げ機構
４とから構成されてなる。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例に
おいて使用した単結晶育成装置の概略構成は、図１に示
す通りであり、この装置は、融剤を含む原料融液１を収
容する白金坩堝２と、種結晶３を上下する引き上げ機構
４とから構成されてなる。
【００１８】使用する種結晶３は、断面方形状（２ｍｍ
×２ｍｍ）で長さ１０〜１５ｍｍのＫＴＰ単結晶であ
り、そのＣ軸方向は長さ方向（図中Ｚ方向）である。ま
た、引き上げ機構４は、直径５ｍｍのサファイア棒５を
上下動するもので、このサファイア棒５の先端に３ｍｍ
角の白金棒６を介して種結晶３が取付けられている。
×２ｍｍ）で長さ１０〜１５ｍｍのＫＴＰ単結晶であ
り、そのＣ軸方向は長さ方向（図中Ｚ方向）である。ま
た、引き上げ機構４は、直径５ｍｍのサファイア棒５を
上下動するもので、このサファイア棒５の先端に３ｍｍ
角の白金棒６を介して種結晶３が取付けられている。
【００１９】なお、前記種結晶３と白金棒６、白金棒６
とサファイア棒５は、連続する１本の白金線７を巻回す
ることによって固定されており、この白金線７が前記種
結晶３に直流電圧を印加するための引き出しリード線と
しての役割を果たすことになる。
とサファイア棒５は、連続する１本の白金線７を巻回す
ることによって固定されており、この白金線７が前記種
結晶３に直流電圧を印加するための引き出しリード線と
しての役割を果たすことになる。
【００２０】前記白金線７は、直流電源８のプラス側端
子に接続され、またこの直流電源８のマイナス側端子に
接続される白金線９は、前記白金坩堝２の外壁面に接続
されている。したがって、これら直流電源８から供給さ
れる直流電圧は、白金坩堝２を介して種結晶３と融液１
間に印加されることになる。
子に接続され、またこの直流電源８のマイナス側端子に
接続される白金線９は、前記白金坩堝２の外壁面に接続
されている。したがって、これら直流電源８から供給さ
れる直流電圧は、白金坩堝２を介して種結晶３と融液１
間に印加されることになる。
【００２１】実施例 １ そこで、上述の単結晶育成装置を用い、下記の条件によ
りＫＴＰ単結晶を作製した。先ず、用いた融剤（フラッ
クス）は、Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13であり、また原料の組成比は次
の通りである。 ＜原料組成＞ ＫＨ2 ＰＯ4 ０．５ （モル比） Ｋ2 ＨＰＯ4 ０．２３１（モル比） ＴｉＯ2 ０．２６９（モル比） これら融剤と原料組成物を、原料：融剤＝０．７：０．
３（モル比）となるように混合し、白金坩堝２内で加熱
溶融した。この混合物の反応温度は約６００℃であっ
た。
りＫＴＰ単結晶を作製した。先ず、用いた融剤（フラッ
クス）は、Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13であり、また原料の組成比は次
の通りである。 ＜原料組成＞ ＫＨ2 ＰＯ4 ０．５ （モル比） Ｋ2 ＨＰＯ4 ０．２３１（モル比） ＴｉＯ2 ０．２６９（モル比） これら融剤と原料組成物を、原料：融剤＝０．７：０．
３（モル比）となるように混合し、白金坩堝２内で加熱
溶融した。この混合物の反応温度は約６００℃であっ
た。
【００２２】次に、前記混合物を融解した融液１中に引
き上げ機構４の先端に取付けた種結晶３を入れ、ＫＴＰ
単結晶１０を析出、育成した。なお、単結晶１０の析
出、育成は、融液１を０．５℃／時間の割合で徐冷する
ことにより行い、開始時の融液温度１０１８℃（坩堝温
度１０３３℃）、育成終了時の融液温度９６３℃（坩堝
温度９７８℃）とした。したがって、育成終了時の融液
温度はＫＴＰのキュリー点（約９４０℃）よりも高い。
なお、育成に際しての他の条件を以下に記す。 ＜育成条件＞ 種結晶回転速度 ２００ｒｐｍ 種結晶引き上げ速度 ０ｍｍ／時間 種結晶方位 〈００１〉
き上げ機構４の先端に取付けた種結晶３を入れ、ＫＴＰ
単結晶１０を析出、育成した。なお、単結晶１０の析
出、育成は、融液１を０．５℃／時間の割合で徐冷する
ことにより行い、開始時の融液温度１０１８℃（坩堝温
度１０３３℃）、育成終了時の融液温度９６３℃（坩堝
温度９７８℃）とした。したがって、育成終了時の融液
温度はＫＴＰのキュリー点（約９４０℃）よりも高い。
なお、育成に際しての他の条件を以下に記す。 ＜育成条件＞ 種結晶回転速度 ２００ｒｐｍ 種結晶引き上げ速度 ０ｍｍ／時間 種結晶方位 〈００１〉
【００２３】育成されたＫＴＰ単結晶１０は、育成終了
時には図１中破線で示すように融液１中にある。そこ
で、次に引き上げ機構４によって種結晶３を引き上げ、
この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単結晶１０を３０
ｍｍ程度引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の先端が１
ｍｍ程度融液１中につけた状態にした。
時には図１中破線で示すように融液１中にある。そこ
で、次に引き上げ機構４によって種結晶３を引き上げ、
この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単結晶１０を３０
ｍｍ程度引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の先端が１
ｍｍ程度融液１中につけた状態にした。
【００２４】このとき、炉内温度を保ち、育成最終温度
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
【００２５】そして、この状態から種結晶３と融液１を
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２５℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（１ｍＡ）となるように
温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期（９６
３℃）には７．５Ｖ、８００℃まで冷却した時点では５
００Ｖとした。
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２５℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（１ｍＡ）となるように
温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期（９６
３℃）には７．５Ｖ、８００℃まで冷却した時点では５
００Ｖとした。
【００２６】８００℃以下の温度では前記直流電圧の印
加を止め、室温まで冷却した後、温水でフラックスを溶
解して洗浄し（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、
図２に示すようなＫＴＰ単結晶１０を得た。
加を止め、室温まで冷却した後、温水でフラックスを溶
解して洗浄し（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、
図２に示すようなＫＴＰ単結晶１０を得た。
【００２７】得られたＫＴＰ単結晶１０の結晶軸の方位
は図２に示す通りであり、現れた自然面は（１００）、
（０１１）、（２０１）、（１１０）であった。また、
得られたＫＴＰ単結晶１０は、先端部が尖った形状をし
ており、基端部の大きさはＬ1 ×Ｌ2 ＝３５ｍｍ×２０
ｍｍであった。
は図２に示す通りであり、現れた自然面は（１００）、
（０１１）、（２０１）、（１１０）であった。また、
得られたＫＴＰ単結晶１０は、先端部が尖った形状をし
ており、基端部の大きさはＬ1 ×Ｌ2 ＝３５ｍｍ×２０
ｍｍであった。
【００２８】以上のような手法によって作製されたＫＴ
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。これに対して、従来の育成法によ
り、すなわち直流電圧を印加しないで作製したＫＴＰ単
結晶は、主にｂ軸に平行な５０μｍ〜０．５ｍｍ程度の
ストライプ幅を持ったドメインがＣ板上に顕著に生じて
いた。
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。これに対して、従来の育成法によ
り、すなわち直流電圧を印加しないで作製したＫＴＰ単
結晶は、主にｂ軸に平行な５０μｍ〜０．５ｍｍ程度の
ストライプ幅を持ったドメインがＣ板上に顕著に生じて
いた。
【００２９】実施例２ 本実施例は、ＫＴＰ単結晶育成後に直流電圧を印加しな
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
【００３０】本実施例において育成されたＫＴＰ単結晶
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３を引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単
結晶１０を３ｍｍ引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
大部分を融液１中につけた状態にした。
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３を引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単
結晶１０を３ｍｍ引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
大部分を融液１中につけた状態にした。
【００３１】このとき、炉内温度を保ち、育成最終温度
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
【００３２】そして、この状態から種結晶３と融液１を
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には２Ｖ、８６０℃まで冷却した時点では
１０Ｖとした。
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には２Ｖ、８６０℃まで冷却した時点では
１０Ｖとした。
【００３３】８６０℃以下の温度では前記直流電圧の印
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
【００３４】以上のような手法によって作製されたＫＴ
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。
【００３５】実施例３ 本実施例は、ＫＴＰ単結晶育成後に直流電圧を印加しな
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
【００３６】本実施例において育成されたＫＴＰ単結晶
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３を引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単
結晶１０を１ｍｍ引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
大部分を融液１中につけた状態にした。
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３を引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単
結晶１０を１ｍｍ引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
大部分を融液１中につけた状態にした。
【００３７】このとき、炉内温度を保ち、育成最終温度
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
【００３８】そして、この状態から種結晶３と融液１を
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には２Ｖ、８６０℃まで冷却した時点では
５Ｖとした。
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には２Ｖ、８６０℃まで冷却した時点では
５Ｖとした。
【００３９】８６０℃以下の温度では前記直流電圧の印
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
【００４０】得られたＫＴＰ単結晶１０の結晶軸の方位
は図２に示す通りであり、現れた自然面は（１００）、
（０１１）、（２０１）、（１１０）であった。また、
得られたＫＴＰ単結晶１０は、先端部が尖った形状をし
ており、基端部の大きさはＬ1 ×Ｌ2 ＝３５ｍｍ×２０
ｍｍであった。
は図２に示す通りであり、現れた自然面は（１００）、
（０１１）、（２０１）、（１１０）であった。また、
得られたＫＴＰ単結晶１０は、先端部が尖った形状をし
ており、基端部の大きさはＬ1 ×Ｌ2 ＝３５ｍｍ×２０
ｍｍであった。
【００４１】以上のような手法によって作製されたＫＴ
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、ストライプ状のマルチドメインはほと
んど観察されず、鬆のあるところのみドメインが観察さ
れただけであった。
【００４２】実施例４ 本実施例は、ＫＴＰ単結晶育成後に直流電圧を印加しな
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
がら冷却する際の印加電流等の条件を変化させてＫＴＰ
単結晶の作製を行った例である。本実施例においても、
前述の単結晶育成装置を用いて実施例１と同様の条件下
でＫＴＰ単結晶の育成を行った。ただし、種結晶回転速
度を２００ｒｐｍとし、その回転方向を１０分間隔で反
転させた。
【００４３】本実施例において育成されたＫＴＰ単結晶
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３だけを引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴ
Ｐ単結晶１０を全く引き上げないで、前記ＫＴＰ単結晶
１０の全部を融液１中につけた状態にした。
１０は、育成終了時には図１中破線で示すように融液１
中にある。そこで、次に引き上げ機構４によって種結晶
３だけを引き上げ、この種結晶３の周囲に成長したＫＴ
Ｐ単結晶１０を全く引き上げないで、前記ＫＴＰ単結晶
１０の全部を融液１中につけた状態にした。
【００４４】このとき、炉内温度を保ち、育成最終温度
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
状態、すなわちＫＴＰ単結晶１０がキュリー点以上の温
度を保持するようにした。
【００４５】そして、この状態から種結晶３と融液１を
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には１．５Ｖ、８６０℃まで冷却した時点
では９．３Ｖとした。
介してＫＴＰ単結晶１０に直流電圧を印加し、２０℃／
時間の割合で徐冷した。ここで、直流電圧は種結晶３が
正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ単結晶
１０に流れる直流電流が定電流（０．５ｍＡ）となるよ
うに温度に応じて電圧を変化させた。すなわち、初期
（９６３℃）には１．５Ｖ、８６０℃まで冷却した時点
では９．３Ｖとした。
【００４６】８６０℃以下の温度では前記直流電圧の印
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
加を止め、結晶全体を融液中から取り出し、結晶後端が
液面より１０ｍｍの位置に位置するよう保持して、室温
まで冷却した後、温水でフラックスを溶解して洗浄し
（ＫＴＰ単結晶は水には溶解しない。）、図２に示すよ
うなＫＴＰ単結晶１０を得た。
【００４７】以上のような手法によって作製されたＫＴ
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、中央部にはストライプ状のマルチドメ
インはほとんど観察されず、鬆のあるところのみドメイ
ンが観察された。すなわち、結晶の端から約１ｍｍの位
置に幅１００μｍ程度のストライプ状ドメインが、ａ軸
及びｂ軸に沿って観察された。ただし、この部分は実際
に素子として使用する際には、不要な部分であるので実
用上問題ない。
Ｐ単結晶を切り出し、エッチング法によってドメイン観
察をしたところ、中央部にはストライプ状のマルチドメ
インはほとんど観察されず、鬆のあるところのみドメイ
ンが観察された。すなわち、結晶の端から約１ｍｍの位
置に幅１００μｍ程度のストライプ状ドメインが、ａ軸
及びｂ軸に沿って観察された。ただし、この部分は実際
に素子として使用する際には、不要な部分であるので実
用上問題ない。
【００４８】実施例 ５ さらに、本実施例においては、ＫＴＰ単結晶育成後に直
流電圧を印加しながら冷却する際の最適な印加電流，電
流密度の範囲を調査するために、単結晶育成後、印加電
流を変化させて、ＫＴＰ単結晶の作製を行った。
流電圧を印加しながら冷却する際の最適な印加電流，電
流密度の範囲を調査するために、単結晶育成後、印加電
流を変化させて、ＫＴＰ単結晶の作製を行った。
【００４９】本実施例においても、前述の単結晶育成装
置を用い、育成したＫＴＰ単結晶１０の先端を１ｍｍ程
度融液１につけた状態にして種結晶３が正極、融液１が
負極となるように直流電圧を印加し、種々の定電流の直
流電流を流した。この時、徐冷しながら定電流を流すと
ＫＴＰの材料特性として低温になるほど抵抗が大きくな
り、印加される電圧が高くなる為、電源の仕様とＫＴＰ
の絶縁破壊保護上、印加される電圧の最大値が１０００
Ｖを越えないようにした。
置を用い、育成したＫＴＰ単結晶１０の先端を１ｍｍ程
度融液１につけた状態にして種結晶３が正極、融液１が
負極となるように直流電圧を印加し、種々の定電流の直
流電流を流した。この時、徐冷しながら定電流を流すと
ＫＴＰの材料特性として低温になるほど抵抗が大きくな
り、印加される電圧が高くなる為、電源の仕様とＫＴＰ
の絶縁破壊保護上、印加される電圧の最大値が１０００
Ｖを越えないようにした。
【００５０】本実施例のＫＴＰ単結晶の育成を以下の条
件により行った。先ず、用いた融剤（フラックス）は、
Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13であり、また原料の組成比は、次の通りで
ある。 〈原料組成〉 ＫＨ2 ＰＯ4 ０．５ （モル比） ＫＨ2 ＰＯ4 ０．２４２（モル比） ＴｉＯ2 ０．２８５（モル比） これら融剤と原料組成物を原料：融剤＝０．０６８０：
０．２５８モル比となるように混合し、白金坩堝２内で
加熱溶融した。この混合物の反応温度は約６００℃であ
った。
件により行った。先ず、用いた融剤（フラックス）は、
Ｋ6 Ｐ4 Ｏ13であり、また原料の組成比は、次の通りで
ある。 〈原料組成〉 ＫＨ2 ＰＯ4 ０．５ （モル比） ＫＨ2 ＰＯ4 ０．２４２（モル比） ＴｉＯ2 ０．２８５（モル比） これら融剤と原料組成物を原料：融剤＝０．０６８０：
０．２５８モル比となるように混合し、白金坩堝２内で
加熱溶融した。この混合物の反応温度は約６００℃であ
った。
【００５１】次に、前記混合物を融解した融液１中に引
き上げ機構４の先端に取り付けた種結晶３を入れ、ＫＴ
Ｐ単結晶を析出、育成した。単結晶１０の析出及び育成
は、融液１を０．２４℃／時間の割合で徐冷することに
よって行った。なお、育成に際しての他の条件を以下に
示す。 〈育成条件〉 種結晶回転速度 ２００ｒｐｍ 種結晶引き上げ速度 ０ｍｍ／時間 種結晶方位 〈００１〉
き上げ機構４の先端に取り付けた種結晶３を入れ、ＫＴ
Ｐ単結晶を析出、育成した。単結晶１０の析出及び育成
は、融液１を０．２４℃／時間の割合で徐冷することに
よって行った。なお、育成に際しての他の条件を以下に
示す。 〈育成条件〉 種結晶回転速度 ２００ｒｐｍ 種結晶引き上げ速度 ０ｍｍ／時間 種結晶方位 〈００１〉
【００５２】以上の手法によって育成されたＫＴＰ単結
晶の大きさは、結晶がｃ軸成長する際のａ軸、ｂ軸、ｃ
軸の大きさをａ、ｂ、ｃとすれば、最大のものでａ×ｂ
×ｃ＝２０×３５×２０（ｍｍ）であった。
晶の大きさは、結晶がｃ軸成長する際のａ軸、ｂ軸、ｃ
軸の大きさをａ、ｂ、ｃとすれば、最大のものでａ×ｂ
×ｃ＝２０×３５×２０（ｍｍ）であった。
【００５３】次に、これらの育成されたＫＴＰ単結晶を
上述のように種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単結晶１
０を３０ｍｍ程度引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
先端が１ｍｍ程度融液１中につけた状態にした。このと
き、炉内温度を保ち、育成最終温度状態、すなわちＫＴ
Ｐ単結晶１０がキュリー点以上の温度を保持するように
した。
上述のように種結晶３の周囲に成長したＫＴＰ単結晶１
０を３０ｍｍ程度引き上げて、前記ＫＴＰ単結晶１０の
先端が１ｍｍ程度融液１中につけた状態にした。このと
き、炉内温度を保ち、育成最終温度状態、すなわちＫＴ
Ｐ単結晶１０がキュリー点以上の温度を保持するように
した。
【００５４】そして、この状態から種結晶３と融液１を
介してＫＴＰ単結晶１０に種々の直流電圧を印加し、２
０℃／時間の割合で８６０℃まで徐冷して、ＫＴＰ単結
晶サンプル１〜７を作製した。ここで、直流電圧は種結
晶３が正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ
単結晶１０に流れる直流電流が各サンプル所定の定電流
となるように温度に応じて電圧を変化させた。
介してＫＴＰ単結晶１０に種々の直流電圧を印加し、２
０℃／時間の割合で８６０℃まで徐冷して、ＫＴＰ単結
晶サンプル１〜７を作製した。ここで、直流電圧は種結
晶３が正極、融液１が負極となるように設定し、ＫＴＰ
単結晶１０に流れる直流電流が各サンプル所定の定電流
となるように温度に応じて電圧を変化させた。
【００５５】この時の各サンプル作製時の直流の定電流
である印加電流Ｉｐ（ｍＡ）、電流密度Ｄ、育成開始時
の坩堝の温度Ｔｓ、育成終了時の坩堝の温度Ｔｅ、育成
終了温度から定電流を流した時の種結晶、白金坩堝間の
電圧Ｖｓの値を表１に示す。上記電流密度Ｄは、印加電
流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）と規定されるもので
ある。
である印加電流Ｉｐ（ｍＡ）、電流密度Ｄ、育成開始時
の坩堝の温度Ｔｓ、育成終了時の坩堝の温度Ｔｅ、育成
終了温度から定電流を流した時の種結晶、白金坩堝間の
電圧Ｖｓの値を表１に示す。上記電流密度Ｄは、印加電
流をＩｐ、ｃ軸育成のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，
ｂとした時、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）と規定されるもので
ある。
【００５６】
【表１】
【００５７】以上のような手法によって作製されたＫＴ
Ｐ単結晶のうちＩｐが５ｍＡより大であるサンプル１
（Ｉｐ＝２０．０ｍＡ）では結晶に印加電界によるクラ
ックが発生して結晶が割れてしまった。また印加電流Ｉ
ｐが大きい程、種結晶が白色化するという傾向が見られ
た。次に作製されたＫＴＰ単結晶サンプル２〜７を切出
し、エッチング法によってドメインを観察したところ、
Ｉｐ＝０．０５ｍＡであるサンプル７では単分極化が不
完全であったが、他のサンプルでは、ストライプ状のマ
ルチドメインはほとんど観測されず、鬆のあるところの
みドメインが観察されただけであり、電流密度Ｄの大き
さが０．０１から１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）の条件下で作
製されたサンプルにおいて、単分域化が良好に行われた
ことがわかった。従って、ＫＴＰ単結晶を作製する際、
単結晶育成後、結晶の単分域化を行うために、直流電圧
を印加しながら冷却する際の最適な印加電流密度Ｄの範
囲が、０．０１≦Ｄ≦１．０であることが確認された。
Ｐ単結晶のうちＩｐが５ｍＡより大であるサンプル１
（Ｉｐ＝２０．０ｍＡ）では結晶に印加電界によるクラ
ックが発生して結晶が割れてしまった。また印加電流Ｉ
ｐが大きい程、種結晶が白色化するという傾向が見られ
た。次に作製されたＫＴＰ単結晶サンプル２〜７を切出
し、エッチング法によってドメインを観察したところ、
Ｉｐ＝０．０５ｍＡであるサンプル７では単分極化が不
完全であったが、他のサンプルでは、ストライプ状のマ
ルチドメインはほとんど観測されず、鬆のあるところの
みドメインが観察されただけであり、電流密度Ｄの大き
さが０．０１から１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）の条件下で作
製されたサンプルにおいて、単分域化が良好に行われた
ことがわかった。従って、ＫＴＰ単結晶を作製する際、
単結晶育成後、結晶の単分域化を行うために、直流電圧
を印加しながら冷却する際の最適な印加電流密度Ｄの範
囲が、０．０１≦Ｄ≦１．０であることが確認された。
【００５８】また、上述の実施例１，２，３，４，５に
おいて、直流電圧を印加して作製されたＫＴＰ単結晶の
ＳＨＧ特性を調べたところ、光強度のピークが１つで完
全にシングルドメイン化されていることがわかった。図
３に直流電圧を印加して作製された実施例１のＫＴＰ単
結晶と直流電圧を印加しないで作製したＫＴＰ単結晶の
ＳＨＧ特性を示す。図３に示すように、直流電圧を印加
して作製された実施例１のＫＴＰ単結晶では、図中実線
で示すように光強度のピークが１つで完全にシングルド
メイン化されていることが示されたが、直流電圧を印加
しないで作製したＫＴＰ単結晶では、図中破線で示すよ
うに光強度のピークが２つあり、マルチドメイン化して
いることが示唆された。
おいて、直流電圧を印加して作製されたＫＴＰ単結晶の
ＳＨＧ特性を調べたところ、光強度のピークが１つで完
全にシングルドメイン化されていることがわかった。図
３に直流電圧を印加して作製された実施例１のＫＴＰ単
結晶と直流電圧を印加しないで作製したＫＴＰ単結晶の
ＳＨＧ特性を示す。図３に示すように、直流電圧を印加
して作製された実施例１のＫＴＰ単結晶では、図中実線
で示すように光強度のピークが１つで完全にシングルド
メイン化されていることが示されたが、直流電圧を印加
しないで作製したＫＴＰ単結晶では、図中破線で示すよ
うに光強度のピークが２つあり、マルチドメイン化して
いることが示唆された。
【００５９】なお、ＳＨＧ特性の測定は、試料の厚さ約
２．５ｍｍ、ＹＡＧ入力１００ｍＷ、ＹＡＧ入力波長１
０６４ｎｍ、ＳＨＧ出力５３２ｎｍとして行い、ＳＨＧ
出力（μＷオーダー）をフォトマルで測定した。
２．５ｍｍ、ＹＡＧ入力１００ｍＷ、ＹＡＧ入力波長１
０６４ｎｍ、ＳＨＧ出力５３２ｎｍとして行い、ＳＨＧ
出力（μＷオーダー）をフォトマルで測定した。
【００６０】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて実験結果をもとに説明してきたが、本発明がこの
実施例に限定されるものではなく、原料組成や融剤の種
類、育成条件等は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜
変更可能であることは言うまでもない。
ついて実験結果をもとに説明してきたが、本発明がこの
実施例に限定されるものではなく、原料組成や融剤の種
類、育成条件等は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜
変更可能であることは言うまでもない。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、ＫＴＰ単結晶をキュリー温度以上で行
い、直流電圧を印加しながら冷却するようにしているの
で、分極のシングルドメイン化が可能となり、得られる
ＫＴＰ単結晶のＳＨＧ効率を高めることができる。
明においては、ＫＴＰ単結晶をキュリー温度以上で行
い、直流電圧を印加しながら冷却するようにしているの
で、分極のシングルドメイン化が可能となり、得られる
ＫＴＰ単結晶のＳＨＧ効率を高めることができる。
【００６２】また、ＫＴＰ単結晶育成後、種結晶と融液
間に直流電圧を印加しながら冷却する際の電流密度Ｄを
０．０１≦Ｄ≦１．０としているため、分極のシングル
ドメイン化が良好に行われたＫＴＰ単結晶を得ることが
できる。
間に直流電圧を印加しながら冷却する際の電流密度Ｄを
０．０１≦Ｄ≦１．０としているため、分極のシングル
ドメイン化が良好に行われたＫＴＰ単結晶を得ることが
できる。
【００６３】したがって、本発明によれば、品質の高い
非線形光学材料を提供することが可能であり、その効果
は非常に大きい。
非線形光学材料を提供することが可能であり、その効果
は非常に大きい。
【図１】本発明を実施する際に用いられる単結晶育成装
置の一構成例を示す模式図である。
置の一構成例を示す模式図である。
【図２】実施例において作製されたＫＴＰ単結晶の概略
斜視図である。
斜視図である。
【図３】直流電圧の印加の有無によるＳＨＧ特性の相違
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１・・・融液 ２・・・白金坩堝 ３・・・種結晶 ８・・・直流電源 １０・・・ＫＴＰ単結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田附 幸一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 融剤を含む融液に種結晶を接触せしめ、
ＫＴｉＯＰＯ4 のキュリー点より高い温度でＫＴｉＯＰ
Ｏ4 単結晶を析出、育成した後、 キュリー点以上の温度を保ったまま育成したＫＴｉＯＰ
Ｏ4 単結晶が融液と接触した状態で、上記種結晶と融液
の間に直流電圧を印加しながら前記ＫＴｉＯＰＯ4 単結
晶をキュリー点以下の温度に冷却することを特徴とする
ＫＴｉＯＰＯ4 単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 印加電流をＩｐ、ｃ軸育成する際のａ
軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，ｂとした時、 Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ） となる式で規定される電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦
１．０（ｍＡ／ｃｍ2 ）となるように直流電圧を印加す
ることを特徴とする請求項１記載のＫＴｉＯＰＯ4 単結
晶の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04196392A JP3185321B2 (ja) | 1991-08-03 | 1992-01-31 | ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法 |
| US07/921,230 US5322588A (en) | 1991-08-03 | 1992-07-29 | Method for producing KTIOPO4 single crystal |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21780891 | 1991-08-03 | ||
| JP3-217808 | 1991-08-03 | ||
| JP04196392A JP3185321B2 (ja) | 1991-08-03 | 1992-01-31 | ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597585A true JPH0597585A (ja) | 1993-04-20 |
| JP3185321B2 JP3185321B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=26381612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04196392A Expired - Fee Related JP3185321B2 (ja) | 1991-08-03 | 1992-01-31 | ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5322588A (ja) |
| JP (1) | JP3185321B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06239691A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-08-30 | Japan Energy Corp | 単結晶の成長方法 |
| US7317859B2 (en) * | 2004-08-25 | 2008-01-08 | Advanced Photonics Crystals | Periodically poled optical crystals and process for the production thereof |
| US8389099B1 (en) | 2007-06-01 | 2013-03-05 | Rubicon Technology, Inc. | Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same |
| CN101319385B (zh) * | 2008-04-30 | 2011-09-28 | 烁光特晶科技有限公司 | 一种适于制作ppktp器件的ktp晶体生长方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2842467A (en) * | 1954-04-28 | 1958-07-08 | Ibm | Method of growing semi-conductors |
| US4087313A (en) * | 1975-11-28 | 1978-05-02 | Joseph Beril Milstein | Process and apparatus for preparation of single crystals and textured polycrystals |
| US4231838A (en) * | 1978-04-20 | 1980-11-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for flux growth of KTiOPO4 and its analogues |
| EP0140565B1 (en) * | 1983-09-19 | 1989-08-23 | Fujitsu Limited | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals |
| FR2585345B1 (fr) * | 1985-07-26 | 1989-08-18 | Centre Nat Rech Scient | Procede de synthese en flux de cristaux du type du ktiopo4 ou monophosphate de potassium et de titanyle |
| JPH026383A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶成長装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP04196392A patent/JP3185321B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-29 US US07/921,230 patent/US5322588A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3185321B2 (ja) | 2001-07-09 |
| US5322588A (en) | 1994-06-21 |
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