DE3837672A1 - Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung - Google Patents
Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendungInfo
- Publication number
- DE3837672A1 DE3837672A1 DE3837672A DE3837672A DE3837672A1 DE 3837672 A1 DE3837672 A1 DE 3837672A1 DE 3837672 A DE3837672 A DE 3837672A DE 3837672 A DE3837672 A DE 3837672A DE 3837672 A1 DE3837672 A1 DE 3837672A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crystal
- temperature
- approx
- melt
- crystals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
Die Eigenschaften und eine Reihe von Verwendungsmöglichkeiten von
Kaliumniobat (KNbO3)-Einkristallen sind seit ca. einem Dutzend Jahren
bekannt (Mat.Res.Bull.Vol 21, (1986) , pp. 1375-1382). Es ist jedoch
bisher noch nicht gelungen, eine auch nur einigermaßen reproduzierbare
Herstellungsmethode auszuarbeiten. Das größte Problem der Kristall
züchtung ist die Verhinderung der Bildung von Rissen ("cracking") .
Kaliumniobat existiert in drei Kristallmodifikationen: über 435°C
kubisch, zwischen 225 und 435°C tetragonal und unter 225°C (bis
-50°C) orthorhombisch. Insbesondere beim Abkühlen der frisch gezogenen
Kristalle unter diesen Umwandlungstemperaturen, treten leicht Spannungen
im Kristall auf, die zur Rissbildung Anlaß geben, wodurch der Einkris
tall zerstört wird.
Ein weiteres Problem ist das Auftreten einer Blaufärbung in den
Kristallen.
Es wurde nun gefunden, daß man hochwertige orthorhombische Kaliumniobat
Einkristalle mit Gitter-Parametern
a=3,9692×10-10m
b=5,6896×10-10mc=5,7256×10-10m
mit folgenen Eigenschaften erhält:
a=3,9692×10-10m
b=5,6896×10-10mc=5,7256×10-10m
mit folgenen Eigenschaften erhält:
- a) Absorptionsverlust (Lichtwellenlänge 1,06 µm) < 1% pro cm,
- b) optische Homogenität Δ n/l < 10-5/cm,
- c) Oberflächenhomogenität λ/10,
- d) Parallelität zweier gegenüberliegender Flächen 20 Bogen sekunden,
- e) Halbwertsbreite der Temperatur-Phasenanpassungskurve ca. 0,3°C bei einem Kristall der Länge 1 cm für eine Wellenlänge von 840 nm,
- f) Homogenität der Effizienz der Frequenzverdoppelung < 95% (HWHM = half width half maximum, das heißt, die Ab weichungen der Effizienz der Frequenzverdoppelung über den Kristalldurchmesser liegen unter 5%, gemessen mit einem Laserstrahl von 200 µm Durchmesser),
- g) Eisengehalt 15 ppm und
- h) Laserlicht-Schadenschwelle der nicht Oberflächengeschützten (uncoated) Kristalle < 1,2 GW/cm2 (Lichtwellenlänge 1,06 µm),
wenn man unter wasserfreien Bedingungen erst cirka 47, bis insgesamt
maximal 53 Molprozent K2CO3 und 47 bis 48 Molprozent Nb2O5, beide Subst
anzen in Pulverform, mischt und homogenisiert, bei 740 bis 820°C kalzi
niert, das Gemisch wieder pulverisiert, mischt, kalziniert, gegebenen
falls einen Überschuß K2CO3 und eventuelle Zuschläge beigefügt, noch
einmal pulverisiert, in einem Gefäß aus inertem Material das Pulver
gemisch zum Schmelzpunkt oder knapp darüber erhitzt, einen an einer
Waage hängenden Kristallisationskeim mit der Oberfläche der Schmelze in
Kontakt bringt, die Temperatur der Schmelze während der ersten 6 bis 12
Stunden so regelt, daß das Gewicht des Kristallisationskeims sich
höchstens um 0,1 g, vorzugsweise weniger als 0,05 g ändert, sodann die
Schmelztemperatur kontinuierlich, in 0,3°C-Schritten 6 bis 12 Stun
den, im ganzen um 5 bis 6°C absenkt, wobei die Ziehgeschwindigkeit
0,5 mm pro Stunde beträgt; wenn der Kristall das Endgewicht erreicht
hat, den Kristallhalter so weit hebt, daß der Kristall die Schmelze
nicht mehr berührt, die Temperatur des Kristalls kontinuierlich, im
Verlaufe von 2 bis 3 Tagen auf Raumtemperatur absenkt, den Kristall aus
dem Ofen entnimmt, vom Kristallhalter befreit, alle natürlich gewachse
nen Flächen anschleift, ca. 1 Stunde bei 80° mit ca. 30%-iger Fluß
säure anätzt, unter Mikroskop die b-Fläche(n) und die Spontanpolari
sation bestimmt, mittels Laue (Rö)-Aufnahme die (eine) kristallographi
sche b-Fläche genau orientiert, grob schleift, die gegenüberliegende
b-Fläche planschleift, mittels Laue (Rö)-Aufnahme je eine a- und eine
c-Fläche orientiert und grobschleift, die gegenüberliegenden Flächen
planschleift, alle a- und b-Flächen anpoliert bis sie durchsichtig sind,
die c-Flächen feinschleift, den Kristall in Silikonöl oder einer Sauer
stoff- oder Luftumgebung bei 120 bis 200°C durch Anlegen einer Feldstär
ke zwischen 0,5 und 5 kV/cm in der c-Achse polarisiert und schließlich
die benötigten Flächen feinpoliert.
Als Zuschlag kommt vor allemn Fe2O3 in Betracht.
Entsprechend den Anforderungen können die gezüchteten Kristalle, z. B.
nachdem die b-Flächen das erste Mal geschliffen wurden, in Kristall
stücke geschnitten werden. Das Schneiden erfolgt vorzugsweise mit einer
Diamantdrahtsäge. So können z. B. Kristalle in Form von Stäbchen mit den
Abmessungen von vorzugsweise 2×2×5 mm bis 5×5×20 mm, Würfeln mit
den Abmessungen zwischen 3×3×3 und 10×10×10 mm sowie Plättchen
mit den Abmessungen zwischen 1×3×5 und 2×10×10 mm hergestellt
werden.
Die so gezüchteten Kristalle finden in Frequenzverdopplern, akusto-opti
schen oder elektro-optischen Modulatoren oder anderen opto-elektroni
schen Geräten Verwendung.
Ein typischer Herstellungsweg für einen Kaliumniobat-Einkristall oben
beschriebener Qualität verläuft folgendermaßen:
19,19 g reinstes, wasserfreies, feinpulvriges Kaliumcarbonat (PA, Fluka)
und 36,92 g Nb2O3 (ebenfalls reinst, wasserfrei, feinpulvrig), werden in
einer geeigneten Flasche 16 Stunden gemischt (ca. 30 rpm), danach in
einen Platintiegel gefüllt, in einen Kalzinierofen eingebracht, auf
820°C erhitzt, 6 Stunden bei dieser Temperatur im Ofen belassen, danach
aus dem Ofen genommen und auf Zimmertemperatur abgekühlt. Das Brutto
gewicht mit Tiegel (Tara 144,35 g) beträgt nun 195,85 g. Das leicht
klumpig gewordene Pulvergemisch wird mit einem Spatel gelockert, die
Klumpen zu einem feinen Pulver zerdrückt und der Tiegel samt Inhalt
nocheinmal 6 Stunden bei 820°C kalziniert. Nach dem Abkühlen wird wieder
pulverisiert und 0,019 g K2CO3 (reinst, wasserfrei, feinpulvrig) zu
gemischt.
Der Kristallisationskeim ist ein Stäbchen KNbO3 mit den Abmessungen ca.
3,5×3,5×15 mm, er wird an einem Ende vorsichtig mit feinem Platin
draht umwickelt und mit den am Kristallhalter befestigten Drähten ver
bunden, und so an einem Waagebalken über dem Schmelzofen angebracht,
daß er auf die Schmelzoberfläche des KNbO3 abgesenkt werden kann.
Der Platintiegel wird in den Ofen (beschrieben im Artikel von Wu Xing et
al. "Progress in KNbO3 Crystal Growth" in J. of Crystal Growth 78,
(1986), pp 431-437, insbesondere p. 433) eingebracht, die Masse im Ver
lauf von ca. 18 Stunden auf 1 bis 3°C über dem Schmelzpunkt des KNbO3
(1050 bis 1060°C) erhitzt und der Kristallkeim bis zum Berühren der
Schmelzoberfläche abgesenkt (Kontrolle visuell und mit Hilfe der Waage).
Nachdem der Kristallkeim an der Berührungsstelle mit der Schmelze etwas
angeschmolzen ist, wird die Temperatur der Schmelze soweit abgesenkt,
daß der Keim im Verlauf von 6 bis 12 Stunden (vorzugsweise ca. 9 Stun
den) sein Gewicht nur sehr wenig (< 0,1 g) verändert. Das heißt, wenn
der Keim schwerer wird, muß die Temperatur der Schmelze leicht erhöht,
wird der Keim leichter, muß die Temperatur leicht abgesenkt werden.
Danach wird die Temperatur der Schmelze 6 bis 12 Stunden lang langsam,
ca. 0,3°C pro Stunde, abgesenkt, wobei der Kristall in Pyramidenform
gegen den Tiegelrand wächst. Dabei ist die Ziehgeschwindigkeit 0,5 mm
pro Stunde. Bevor der Kristall an den Tiegelrand wächst, muß die Tempe
raturabsenkung verlangsamt werden. Hat der gezogene Kristall das Ausmaß
der Enddimension erreicht, wird sein Kontakt mit der verbleibenden
Schmelze durch Hochziehen (wenige mm) gelöst und die eigentliche Abkühl
phase kann beginnen. Bis zu einer Temperatur von ca. 480°C wird mit ca.
30°C Temperaturabsenkung pro Stunde gekühlt, danach wesentlich lang
samer, so daß für den gesamten Kühlvorgang bis zu 3 Tage aufgewendet
werden.
Nach Erreichen der Umgebungstemperatur wird der Kristall vom Kristall
halter duch Ablösen der Platindrähte getrennt. Der erhaltene "Rohling"
wird von Hand an allen natürlich gewachsenen Flächen (sowie zusätzlichen
Facetten) angeschliffen, in einem Teflongefäß 1 Stunde mit ca. 30-pro
zentiger Flußsäure bei 80°C gelagert, mit kaltem Wasser gewaschen und
getrocknet. Sodann wird unter dem Mikroskop an Hand des Ätzbildes (nach
bekannten Methoden) die b-Fläche und die Spontanpolarisation festge
stellt. Mittels einer Laue (Rö)-Aufnahme wird die b-Fläche genau orien
tiert, grob geschliffen und die gegenüberliegende b-fläche plangeschlif
fen. So bearbeitet kann der Kristall z. B. mit einer Diamantdrahtsäge in
die gewünschten Kristallstücke geschnitten werden.
Von jedem Kristall werden daraufhin je eine a- und eine c-Fläche
orientiert (Laue-Aufnahme oder Bragg′sche Reflexion) grobgeschliffen und
die genenüberliegenden Flächen plangeschliffen. Danach poliert man alle
a- und b-Flächen an, bis sie durchsichtig sind und schleift die
c-Flächen fein.
Die Kristalle werden dann in Silikonöl getaucht (oder in reiner Sauer
stoff- oder Luftumgebung), auf 120 bis 200°C erhitzt und in der c-Achse
unter 0,5 bis 5 kV/cm Spannung gesetzt, um eventuell vorhandene Domänen
auszurichten oder umzuklappen. Schließlich werden die benötigten
Flächen zur gewünschten Feinheit poliert.
Claims (3)
1. Orthorhombische Kaliumniobat-Einkristalle mit folgenden Eigen
schaften:
- a) Absorptionsverlust (Lichtwellenlänge 1,06 µm) < 1% pro cm,
- b) optische Homogenität Δ n/l < 10-5/cm,
- c) Oberflächenhomogenität λ/10,
- d) Parallelität zweier gegenüberliegender Flächen 20 Bogen sekunden,
- e) Halbwertsbreite der Temperatur-Phasenanpassungskurve ca. 0,3°C bei einem Kristall der Länge 1 cm für eine Wellen länge von 840 nm,
- f) Homogenität der Effizienz der Frequenzverdoppelung < 95% (HWHM, bei einem Stahldurchmesser von 200 µm)
- g) Eisengehalt 15 nm und
- h) Laserlicht-Schadenschwelle der nicht Oberflächengeschützten (uncoated) Kristalle < 1,2 GW/cm2 (Lichtwellenlänge 1,06 µm).
2. Herstellung von orthorhombischen Kaliumniobat-Einkristallen gemäß
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man unter wasserfreien
Bedingungen erst cirka 47 bis insgesamt maximal 53 Molprozent K2CO3
und 47 bis 48 Molprozent Nb2O5, beide Substanzen in Pulverform,
mischt und homogenisiert, bei 740 bis 820°C kalziniert, das Gemisch
wieder pulverisiert, mischt, kalziniert, gegebenenfalls einen Über
schuß K2CO3 und eventuelle Zuschläge beigefügt, noch einmal pulve
risiert, in einem Gefäß aus inertem Material das Pulvergemisch zum
Schmelzpunkt oder knapp darüber erhitzt, einen an einer Waage
hängenden Kristallisationskeim mit der Oberfläche der Schmelze in
Kontakt bringt, die Temperatur der Schmelze während der ersten 6 bis
12 Stunden so regelt, daß das Gewicht des Kristallisationskeims
sich höchstens um 0,1 g ändert, sodann die Schmelztemperatur kon
tinuierlich, in 0,3°C-Schritten 6 bis 12 Stunden, im ganzen um 5
bis 6°C absenkt, wobei die Ziehgeschwindigkeit 0,5 mm pro Stunde
beträgt; wenn der Kristall das Endgewicht erreicht hat, den Kris
tallhalter so weit hebt, daß der Kristall die Schmelze nicht mehr
berührt, die Temperatur des Kristalls kontinuierlich, im Verlaufe
von 2 bis 3 Tagen auf Raumtemperatur absenkt, den Kristall aus dem
Ofen entimmt, vom Kristallhalter befreit, alle natürlich gewachsenen
Flächen anschleift, ca. 1 Stunde bei 80°C mit ca. 30%-iger Fluß
säure anätzt, unter Mikroskop die b-Fläche(n) und die Spontanpolari
sation bestimmt, mittels Laue (Rö)-Aufnahme die (eine) kristallo
graphische b-Fläche genau orientiert, grob schleift, die gegen
überliegende b-Fläche planschleift, mittels Laue (Rö)-Aufnahme je
eine a- und eine c-Fläche orientiert und grobschleift, die gegen
überliegenden Flächen planschleift, alle a- und b-Flächen anpoliert
bis sie durchsichtig sind, die c-Flächen feinschleift, den Kristall
in Silikonöl oder in einer Sauerstoff- oder Luftumgebung bei 120 bis
200°C durch Anlegen einer Feldstärke zwischen 0,5 und 5 kV/cm längs
der c-Achse polarisiert und schließlich die benötigten Flächen
feinpoliert.
3. Verwendung der Kristalle gemäß Anspruch 1 in Frequenzverdopplern,
akusto-optischen oder elektro-optischen Modulatoren oder anderen
opto-elektronischen Geräten.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3837672A DE3837672A1 (de) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung |
EP89810814A EP0377402B1 (de) | 1988-11-05 | 1989-10-31 | Kaliumniobat-Kristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
AT8989810814T ATE105029T1 (de) | 1988-11-05 | 1989-10-31 | Kaliumniobat-kristalle und verfahren zu ihrer herstellung. |
DE68914968T DE68914968T2 (de) | 1988-11-05 | 1989-10-31 | Kaliumniobat-Kristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
IE354589A IE64540B1 (en) | 1988-11-05 | 1989-11-03 | Potassium niobate crystals |
US07/431,258 US5034949A (en) | 1988-11-05 | 1989-11-03 | Potassium niobate crystals, process for their preparation and laser comprising them |
CA002002203A CA2002203A1 (en) | 1988-11-05 | 1989-11-03 | Potassium niobate crystals |
IL92210A IL92210A0 (en) | 1988-11-05 | 1989-11-03 | Potassium niobate crystals,their preparation and laser systems containing them |
JP1287768A JPH0328198A (ja) | 1988-11-05 | 1989-11-04 | ニオブ酸カリウム結晶およびその製造方法およびニオブ酸カリウム結晶を含むレーザー装置 |
CN89109194A CN1043537A (zh) | 1988-11-05 | 1989-11-04 | 铌酸盐晶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3837672A DE3837672A1 (de) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3837672A1 true DE3837672A1 (de) | 1990-05-10 |
Family
ID=6366617
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3837672A Withdrawn DE3837672A1 (de) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung |
DE68914968T Expired - Fee Related DE68914968T2 (de) | 1988-11-05 | 1989-10-31 | Kaliumniobat-Kristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68914968T Expired - Fee Related DE68914968T2 (de) | 1988-11-05 | 1989-10-31 | Kaliumniobat-Kristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5034949A (de) |
EP (1) | EP0377402B1 (de) |
JP (1) | JPH0328198A (de) |
CN (1) | CN1043537A (de) |
AT (1) | ATE105029T1 (de) |
CA (1) | CA2002203A1 (de) |
DE (2) | DE3837672A1 (de) |
IE (1) | IE64540B1 (de) |
IL (1) | IL92210A0 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546039A1 (de) * | 1995-12-09 | 1997-06-12 | Forsch Mineralische Und Metall | Bildschirm, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verfahren und Vorrichtung zur Darstellung von Bildern auf einem Bildschirm |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3837672A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-10 | Sandoz Ag | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung |
US5363388A (en) * | 1991-10-18 | 1994-11-08 | Cedars-Sinai Medical Center | Continuously tunable solid state ultraviolet coherent light source |
US5476720A (en) * | 1992-12-18 | 1995-12-19 | Guenter; Peter | Films of KTN and KTAO3 |
JP3512480B2 (ja) * | 1993-09-09 | 2004-03-29 | 三井化学株式会社 | ニオブ酸カリウム単結晶の製造方法 |
EP1001532A4 (de) * | 1998-04-28 | 2006-02-15 | Tdk Corp | Piezoelektrischer volumenwellenvibrator |
US6994747B2 (en) * | 2001-07-17 | 2006-02-07 | Nikon Corporation | Method for producing optical member |
JP2003289230A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Seiko Epson Corp | ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法、並びに表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器 |
USH2161H1 (en) * | 2003-02-18 | 2006-07-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Solid state laser pumped by visible light-emitting-diode |
US7808080B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-10-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Synergistcally doped potassium niobate |
CN102965731B (zh) * | 2012-11-16 | 2016-08-03 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种解决铌酸钾晶体退火开裂的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1282578B (de) * | 1961-12-22 | 1968-11-14 | Dr Herbert Athenstaedt | Katalysatoren bzw. Katalysatortraeger fuer biochemische Reaktionen |
US3417032A (en) * | 1965-12-10 | 1968-12-17 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconducting niobate tantalate compositions |
US3420776A (en) * | 1966-03-10 | 1969-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Process for introduction of oxygen vacancies in perovskite ferroelectric crystals |
US3440025A (en) * | 1966-06-20 | 1969-04-22 | Bell Telephone Labor Inc | Hydrothermal growth of potassium tantalate-potassium niobate mixed crystals and material so produced |
US3428438A (en) * | 1966-11-14 | 1969-02-18 | Hughes Aircraft Co | Potassium tantalate niobate crystal growth from a melt |
US3423686A (en) * | 1967-07-11 | 1969-01-21 | Bell Telephone Labor Inc | Optical devices utilizing substantially tetragonal ferroelectric tungsten-bronzes |
US3565577A (en) * | 1968-03-29 | 1971-02-23 | Bell Telephone Labor Inc | Method for producing potassium niobate crystals |
US4419021A (en) * | 1980-02-04 | 1983-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-functional sensing or measuring system |
FR2528852A1 (fr) * | 1982-06-21 | 1983-12-23 | Inst Francais Du Petrole | Nouveaux complexes peroxydiques du vanadium, du niobium et du tantale, leur procede de fabrication et leur utilisation comme reactifs et comme catalyseurs d'epoxydation des olefines et d'hydroxylation des hydrocarbures |
CH656894A5 (en) * | 1982-07-16 | 1986-07-31 | Stiftung Entwicklungsfonds Sel | Process for preparing thin films of potassium niobate, potassium tantalate, and mixed crystals thereof |
DE3837672A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-10 | Sandoz Ag | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung |
-
1988
- 1988-11-05 DE DE3837672A patent/DE3837672A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-10-31 EP EP89810814A patent/EP0377402B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-31 DE DE68914968T patent/DE68914968T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-31 AT AT8989810814T patent/ATE105029T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-11-03 IE IE354589A patent/IE64540B1/en not_active IP Right Cessation
- 1989-11-03 CA CA002002203A patent/CA2002203A1/en not_active Abandoned
- 1989-11-03 US US07/431,258 patent/US5034949A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-03 IL IL92210A patent/IL92210A0/xx not_active IP Right Cessation
- 1989-11-04 JP JP1287768A patent/JPH0328198A/ja active Pending
- 1989-11-04 CN CN89109194A patent/CN1043537A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546039A1 (de) * | 1995-12-09 | 1997-06-12 | Forsch Mineralische Und Metall | Bildschirm, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verfahren und Vorrichtung zur Darstellung von Bildern auf einem Bildschirm |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5034949A (en) | 1991-07-23 |
DE68914968T2 (de) | 1994-10-13 |
CA2002203A1 (en) | 1990-05-05 |
EP0377402A3 (en) | 1990-08-29 |
EP0377402B1 (de) | 1994-04-27 |
IE893545L (en) | 1990-05-05 |
EP0377402A2 (de) | 1990-07-11 |
JPH0328198A (ja) | 1991-02-06 |
ATE105029T1 (de) | 1994-05-15 |
IE64540B1 (en) | 1995-08-23 |
IL92210A0 (en) | 1990-07-26 |
DE68914968D1 (de) | 1994-06-01 |
CN1043537A (zh) | 1990-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010029741B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern, Silizium Wafer und Verwendung eines Silizium-Wafer als Silizium-Solarzelle | |
Fukuda et al. | Fiber crystal growth from the melt | |
DE2508803A1 (de) | Neuartige siliciumkristalle und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3837672A1 (de) | Hochwertige, orthorhombische kaliumniobat-einkristalle, ihre herstellung und anwendung | |
DE112013002107B4 (de) | SiC-Einkristall-Herstellungsverfahren | |
WO2019174105A1 (zh) | 偏硼酸钙双折射晶体及制备方法和用途 | |
DE1764651C3 (de) | Vorrichtung zur elektrooptischen Modulation oder nichtlinearen Frequenzänderung von kohärentem Licht durch Phasenanpassung | |
DE112012002217T5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls und GaAs-Einkristallwafer | |
DE1544338A1 (de) | Zuechtung von Lithiumniobat-Kristallen | |
Wang et al. | Growth and properties of KBe2BO3F2 crystal | |
Orera et al. | NaCl-assisted growth of micrometer-wide long single crystalline fluoride fibres | |
Chen et al. | Growth of α-LiIO3 crystal under microgravity conditions | |
CN106811795B (zh) | 硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途 | |
DE102011118229B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Flourit-Kristalls | |
EP0417132B1 (de) | Lithiumniobat-einkristalle mit kongruenter zusammensetzung und verfahren zu deren herstellung | |
DE10142652B4 (de) | Verfahren zur Herstellung bruchfester Calciumfluorideinkristalle sowie deren Verwendung | |
Brun et al. | Crystal growth and characterization of lithium metasilicate | |
EP0632852B1 (de) | Dotierte kristalline titanylarsenaten und ihre herstellung | |
DE102017009638A1 (de) | Polykristalliner Silicium-Ingot, polykristalliner Siliciumbarren und Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silicium | |
EP0449826B1 (de) | HERSTELLUNG ORIENTIERTER SCHICHTEN DES HOCHTEMPERATURSUPRALEITERS Bi-Sr- BZW. Tl-Ba-Ca-Cu-OXID | |
Subbotin et al. | Dispersion of Principal Refractive Indices of Monoclinic MgWO 4 Laser Host Crystal | |
WO2012150037A1 (de) | Optisch aktives medium zur verwendung als faraday-rotator | |
Jianguo et al. | Growth of beta-barium metaborate single crystal fibers along the phase matching direction | |
DE4112298A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines rutil-einkristalls | |
JP2933082B1 (ja) | α−BBO単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びプリズム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8130 | Withdrawal |