JPH0712467U - プラズマｃｖｄ装置のアノード部構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アノードへの成膜材料の付着を防止するプラ
ズマＣＶＤ装置のアノード部構造を提供する。 【構成】 プラズマガン２とアノード３間にプラズマＰ
を形成して基板Ｗ上に成膜するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、処理室１内に前記プラズマ通過用開口部６を有す
る区画室４を設け、この区画室内にアノードを配設する
とともに、前記プラズマ通過用開口部を形成する区画板
を前記アノード電位以下に帯電させた電極５とすること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、プラズマガンで発生したプラズマにより処理室内に配設した基板の 表面に成膜を行なうプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、プラズマＣＶＤ装置は、たとえば、特開平１−２５２７８１号公報に開 示されているように、真空排気装置に接続され、かつ、原料ガスならびに反応ガ スを供給する処理室に、プラズマガンとアノードとを設置し、両者間にプラズマ を形成し、このプラズマにより前記原料ガスならびに反応ガスを分解，活性化し て反応させ、その反応生成物を処理室内に配設した基板表面に析出，成膜させる ものである。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、前記プラズマＣＶＤ装置においては、成膜材料を基板表面にのみ付 着させるのが好ましいが、原理的に難しく、アノード表面にも成膜材料が付着， 成膜されることになる。 そして、この成膜厚は処理時間とともに厚くなり、アノードとの熱膨張率の違 いや成膜内の温度分布による熱応力などに起因して一部が剥離し、異常放電を誘 発したり、また、成膜材料が絶縁物の場合、絶縁物がアノード面に付着して長時 間の安定成膜を阻害する等の問題となっていた。 したがって、本考案は、アノードへの成膜材料の付着を防止し、長時間にわた って安定した成膜を得ることのできるプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造を提 供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案は、前記目的を達成するために、プラズマＣＶＤ装置のアノード部構造 を、プラズマガンとアノード間にプラズマを形成して基板上に成膜するプラズマ ＣＶＤ装置において、処理室内に前記プラズマ通過用開口部を有する区画室を設 け、この区画室内にアノードを配設するとともに、前記プラズマ通過用開口部を 形成する区画板を前記アノード電位以下に帯電させた電極とするものである。

【０００５】

【実施例】

つぎに、本考案の実施例を図にしたがって説明する。 図１において、１は図示しない排気装置に接続された処理室で、側板部には、 特開平３−２１５６７１号公報で開示されている、公知の圧力勾配型プラズマガ ン２が配設され、プラズマガン２で発生したプラズマＰを下記するアノード３に 収束させるようになっている。

【０００６】 ４は処理室１内の前記プラズマガン２と対向する側壁に設けた区画室で、この 区画室４内にアノード３が配設され、処理室１と区画室４とは、中央に前記プラ ズマを通過させる開口部６を備えた区画板５で区画されている。そして、前記区 画板５は前記アノード３の電位以下となるように、抵抗Ｒを介在させてプラズマ 発生用電源Ｅに接続させて電極としている。 なお、７は原料ガスおよび反応ガス（いずれも公知のもの）を処理室１内に供 給するガス供給ノズル、Ｗは基板である。

【０００７】 前記構成からなるプラズマＣＶＤ装置において、プラズマガン２で発生したプ ラズマＰは前記区画板（電極）５に設けた開口部６を通ってアノード３に収束す る。 一方、原料ガスおよび反応ガスは、ガス供給ノズル７から処理室１内に供給さ れ、高密度の前記プラズマＰの中を通ってイオン化され、基板Ｗの表面に成膜を 形成する。

【０００８】 ところで、前記イオン化された原料ガスと反応ガスとによる反応生成物は、前 記プラズマＰにより移動してアノード３の表面に付着して成膜しようとするが、 前記区画板５はアノード３より負の電位（あるいは同電位）にあるため、反応生 成物は区画板（電極）５に付着されることになり、区画室４内に侵入することが なく、アノード３の表面は成膜されることが殆どない。 また、図に示すように、区画室４に不活性ガスを供給し、開口部６から処理室 １内に噴出させるようにすれば、前記反応生成物の区画室４内への侵入をより防 止することができる。

【０００９】 前記実施例では、区画板（電極）５の電源としてプラズマ発生用電源Ｅを共用 化したが、別電源としてもよい。 さらに、前記実施例では、基板Ｗを処理室１内に固定して処理する場合につい て説明したが、基板Ｗは連続して移動するものであってもよい。

【００１０】

【考案の効果】

以上の説明で明らかなように、本考案によれば、アノードはプラズマ通過用開 口部を備えた区画室内に配置され、しかも、プラズマ通過用開口部を形成する区 画板がアノード電位以下に帯電されるため、アノードに付着しようとするイオン 種である反応生成物が区画板に付着することになり、アノード自体が成膜される ことを防止することができ、長時間にわたって基板に安定した成膜を行なうこと ができる。 また、区画板の電源としてプラズマ発生用電源を使用すれば、別電源とする場 合に比べて安価な装置とすることができる。 さらに、区画室に不活性ガスを供給し、プラズマ通過用開口部から処理室内へ 噴出するようにすれば、より安定成膜時間を長くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本考案にかかるアノード部構造を備えたプラ
ズマＣＶＤ装置の概略断面図である。

【符号の説明】

１…処理室、２…プラズマガン、３…アノード、４…区
画室、５…区画板（電極）、６…開口部、Ｅ…プラズマ
用電源、Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマガンとアノード間にプラズマを
   形成して基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置におい
   て、処理室内に前記プラズマ通過用開口部を有する区画
   室を設け、この区画室内にアノードを配設するととも
   に、前記プラズマ通過用開口部を形成する区画板を前記
   アノード電位以下に帯電させた電極とすることを特徴と
   するプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造。