JP2600478Y2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2600478Y2 JP2600478Y2 JP1993030724U JP3072493U JP2600478Y2 JP 2600478 Y2 JP2600478 Y2 JP 2600478Y2 JP 1993030724 U JP1993030724 U JP 1993030724U JP 3072493 U JP3072493 U JP 3072493U JP 2600478 Y2 JP2600478 Y2 JP 2600478Y2
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- Japan
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- plasma
- plasma cvd
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、プラズマＣＶＤ装置、
特にプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造に関するもの
である。
特にプラズマＣＶＤ装置のアノード部構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、真空排気装置に
接続した処理室にプラズマガンとアノードを設置して、
両者間にプラズマを形成し、処理室内に導入されたＣＶ
Ｄ用ガスを前記プラズマで分解、活性化して反応させ、
その反応生成物を処理室内の基板表面に析出、成膜する
ものである。
接続した処理室にプラズマガンとアノードを設置して、
両者間にプラズマを形成し、処理室内に導入されたＣＶ
Ｄ用ガスを前記プラズマで分解、活性化して反応させ、
その反応生成物を処理室内の基板表面に析出、成膜する
ものである。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、前記プラズ
マ成膜装置においては、成膜材料を基板表面にのみ付着
させるのが好ましいが、原理的に難しく、アノード表面
にも成膜材料が付着、成膜されることになる。そして、
この成膜厚は処理時間とともに厚くなり、アノードとの
熱膨張率の違いや成膜内の温度分布による熱応力などに
起因して一部が剥離し、異常放電を誘発したり、あるい
は基板表面に剥離片が不純物として混入し、その状態で
成膜されることがある。また、成膜材料が絶縁物の場
合、放電の維持に大きな障害となり、長時間の安定成膜
を阻害する等の問題となっていた。したがって、本考案
は、アノードへの成膜材料の付着を防止し、長時間にわ
たって安定した成膜を得ることのできるプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的とする。
マ成膜装置においては、成膜材料を基板表面にのみ付着
させるのが好ましいが、原理的に難しく、アノード表面
にも成膜材料が付着、成膜されることになる。そして、
この成膜厚は処理時間とともに厚くなり、アノードとの
熱膨張率の違いや成膜内の温度分布による熱応力などに
起因して一部が剥離し、異常放電を誘発したり、あるい
は基板表面に剥離片が不純物として混入し、その状態で
成膜されることがある。また、成膜材料が絶縁物の場
合、放電の維持に大きな障害となり、長時間の安定成膜
を阻害する等の問題となっていた。したがって、本考案
は、アノードへの成膜材料の付着を防止し、長時間にわ
たって安定した成膜を得ることのできるプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本考案は、前記目的を達
成するために、プラズマガンとアノード間にプラズマを
形成して基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記アノードを移動可能な導電性移動体で構成し、
かつ、該移動体の裏面側にプラズマ収束用永久磁石を配
設するとともに、前記アノードおよび永久磁石を、前記
アノードが開口部側に位置するように処理室内に設けた
シールドボックス内に配設したものである。
成するために、プラズマガンとアノード間にプラズマを
形成して基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記アノードを移動可能な導電性移動体で構成し、
かつ、該移動体の裏面側にプラズマ収束用永久磁石を配
設するとともに、前記アノードおよび永久磁石を、前記
アノードが開口部側に位置するように処理室内に設けた
シールドボックス内に配設したものである。
【０００５】
【実施例】つぎに、本考案の実施例を図にしたがって説
明する。図１は、第１実施例を示し、１は排気装置に接
続された処理室で、側板部には、特開平３−２１５６７
１号公報で開示されている、公知の圧力勾配型プラズマ
ガン２が配設され、処理室１内に配設されたアノード３
との間にプラズマＰを形成するようになっている。
明する。図１は、第１実施例を示し、１は排気装置に接
続された処理室で、側板部には、特開平３−２１５６７
１号公報で開示されている、公知の圧力勾配型プラズマ
ガン２が配設され、処理室１内に配設されたアノード３
との間にプラズマＰを形成するようになっている。
【０００６】前記アノード３は導電性の移動体、本実施
例ではシート状材料からなり、巻き出しロール４ａから
巻き取りロール４ｂに順次、巻き取られるようになって
いる。なお、５はアノードサポータ、６は永久磁石で、
これらアノード３，アノードサポータ５，永久磁石６
は、処理室１に設けたシールドボックス７内に配設さ
れ、前記アノード３はシールドボックス７に設けた開口
部８から露出している。
例ではシート状材料からなり、巻き出しロール４ａから
巻き取りロール４ｂに順次、巻き取られるようになって
いる。なお、５はアノードサポータ、６は永久磁石で、
これらアノード３，アノードサポータ５，永久磁石６
は、処理室１に設けたシールドボックス７内に配設さ
れ、前記アノード３はシールドボックス７に設けた開口
部８から露出している。
【０００７】また、前記シールドボックス７は、絶縁部
材９を介して処理室１に取り付けられて、アース，アノ
ード３の両方から絶縁されてフローティング状態となっ
ているが、シールドボックス７をアース電位としてもよ
く、要は、プラズマＰを永久磁石６の前方に位置するア
ノード３に収束させ、また、開口部８以外の位置におけ
る導電性移動体３への成膜を防止するようにすればよ
い。
材９を介して処理室１に取り付けられて、アース，アノ
ード３の両方から絶縁されてフローティング状態となっ
ているが、シールドボックス７をアース電位としてもよ
く、要は、プラズマＰを永久磁石６の前方に位置するア
ノード３に収束させ、また、開口部８以外の位置におけ
る導電性移動体３への成膜を防止するようにすればよ
い。
【０００８】さらに、前記アノード３は、プラズマ収束
部裏面において、導電材のアノードサポータ５と接触し
て保持されて、電気的接触バックアップが行なわれると
ともに、アノードサポータ５を図示しない手段で加熱，
冷却することにより、アノード３の温度コントロールを
行なえるようになっている。なお、１０は原料ガスおよ
び反応ガスを供給するガスノズルである。
部裏面において、導電材のアノードサポータ５と接触し
て保持されて、電気的接触バックアップが行なわれると
ともに、アノードサポータ５を図示しない手段で加熱，
冷却することにより、アノード３の温度コントロールを
行なえるようになっている。なお、１０は原料ガスおよ
び反応ガスを供給するガスノズルである。
【０００９】前記構成からなるプラズマＣＶＤ装置にお
いては、圧力勾配型プラズマガン２で発生したプラズマ
Ｐは、永久磁石６によりアノード３に達する。一方、原
料ガスおよび反応ガスは、ガスノズル１０から処理室１
内に供給され、高密度の前記プラズマＰの中を通ってイ
オン化され、基板Ｗの表面に成膜を形成する。
いては、圧力勾配型プラズマガン２で発生したプラズマ
Ｐは、永久磁石６によりアノード３に達する。一方、原
料ガスおよび反応ガスは、ガスノズル１０から処理室１
内に供給され、高密度の前記プラズマＰの中を通ってイ
オン化され、基板Ｗの表面に成膜を形成する。
【００１０】ところで、前記イオン化された原料ガスと
反応ガスとによる反応生成物は、シールドボックス７の
開口部８を通ってアノード３の表面に付着し、前述した
種々の弊害を生じることになるが、アノード３は、巻き
出しロール４ａ，巻き取りロール４ｂの連続あるいは間
欠回転により、常に、新しい部分が開口部８に位置する
ため、長時間にわたって、安定放電を行なうことができ
る。
反応ガスとによる反応生成物は、シールドボックス７の
開口部８を通ってアノード３の表面に付着し、前述した
種々の弊害を生じることになるが、アノード３は、巻き
出しロール４ａ，巻き取りロール４ｂの連続あるいは間
欠回転により、常に、新しい部分が開口部８に位置する
ため、長時間にわたって、安定放電を行なうことができ
る。
【００１１】図２は第２実施例を示し、前記アノード３
をエンドレス形状とし、４個のガイドロール１１に巻回
し、いずれか１つのガイドロール１１を駆動ロールとし
てアノード３を連続あるいは間欠回転するとともに、ク
リーニング装置１２によって、アノード３に付着した反
応生成物を除去し、長時間にわたって安定放電を可能と
するようにしたものである。
をエンドレス形状とし、４個のガイドロール１１に巻回
し、いずれか１つのガイドロール１１を駆動ロールとし
てアノード３を連続あるいは間欠回転するとともに、ク
リーニング装置１２によって、アノード３に付着した反
応生成物を除去し、長時間にわたって安定放電を可能と
するようにしたものである。
【００１２】図３は第３実施例を示し、前記アノード３
を円筒体または多角筒体として連続あるいは間欠回転す
るようにしたもので、前記第１実施例と同様効果を得る
ことができる。図４は第４実施例を示し、図３のものに
クリーニング装置１２を設け、第２実施例と同様長時間
にわたって安定放電を維持することができるようにした
ものである。
を円筒体または多角筒体として連続あるいは間欠回転す
るようにしたもので、前記第１実施例と同様効果を得る
ことができる。図４は第４実施例を示し、図３のものに
クリーニング装置１２を設け、第２実施例と同様長時間
にわたって安定放電を維持することができるようにした
ものである。
【００１３】なお、図３，図４のものにおいては、アノ
ード３を円筒体とすることにより、内部にヒータ等を内
蔵でき、加熱，冷却を有効に行なうことができる。ま
た、クリーニング装置１２でアノード３表面を清掃する
ものにおいては、アノード３の厚みを大にすることで、
使用期間を大巾に増加することができる。
ード３を円筒体とすることにより、内部にヒータ等を内
蔵でき、加熱，冷却を有効に行なうことができる。ま
た、クリーニング装置１２でアノード３表面を清掃する
ものにおいては、アノード３の厚みを大にすることで、
使用期間を大巾に増加することができる。
【００１４】
【考案の効果】以上の説明で明らかなように、本考案に
よれば、アノードは導電性移動体で構成され、反応生成
物がアノードに付着しても、順次新しい部分がシールド
ボックスの開口部に位置するため、長時間にわたって安
定した放電を行なうことができる。
よれば、アノードは導電性移動体で構成され、反応生成
物がアノードに付着しても、順次新しい部分がシールド
ボックスの開口部に位置するため、長時間にわたって安
定した放電を行なうことができる。
【図１】 本考案にかかるプラズマＣＶＤ装置の第１実
施例を示す概略断面図。
施例を示す概略断面図。
【図２】 第２実施例を示す要部概略断面図。
【図３】 第３実施例を示す要部概略断面図。
【図４】 第４実施例を示す要部概略断面図。
１…処理室、２…プラズマガン、３…アノード、４ａ…
巻き出しロール、４ｂ…巻き取りロール、５…アノード
サポータ、６…永久磁石、７…シールドボックス、８…
開口部、１０…ガスノズル、１１…ガイドロール、１２
…クリーニング装置、Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板。
巻き出しロール、４ｂ…巻き取りロール、５…アノード
サポータ、６…永久磁石、７…シールドボックス、８…
開口部、１０…ガスノズル、１１…ガイドロール、１２
…クリーニング装置、Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板。
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマガンとアノード間にプラズマを
形成して基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記アノードを移動可能な導電性移動体で構成し、
かつ、該移動体の裏面側にプラズマ収束用永久磁石を配
設するとともに、前記アノードおよび永久磁石を、前記
アノードが開口部側に位置するように処理室内に設けた
シールドボックス内に配設したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993030724U JP2600478Y2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993030724U JP2600478Y2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH072464U JPH072464U (ja) | 1995-01-13 |
| JP2600478Y2 true JP2600478Y2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12311606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993030724U Expired - Fee Related JP2600478Y2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600478Y2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP1993030724U patent/JP2600478Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH072464U (ja) | 1995-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |