JP2832322B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2832322B2 JP2832322B2 JP4622292A JP4622292A JP2832322B2 JP 2832322 B2 JP2832322 B2 JP 2832322B2 JP 4622292 A JP4622292 A JP 4622292A JP 4622292 A JP4622292 A JP 4622292A JP 2832322 B2 JP2832322 B2 JP 2832322B2
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- chamber
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の改善
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を図１によつて説明すると、
該図は幾つかの半導体製造装置の１つで、半導体素子の
製造プロセスなどにおいて半導体、絶縁体、金属などの
薄膜を化学気相堆積(Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition、
略称ＣＶＤ．すなわち原料を蒸気またはガスにして加熱
した絶縁基板上で化学反応により堆積)させる際に単に
熱エネルギーだけでなくプラズマ放電による発光を利用
する方法で、光の持つエネルギーを利用することにより
プロセスの低温化が計れるグロー放電を用いたブラズマ
ＣＶＤ装置のチャンバである。該チャンバの供給口６a
から反応室５内へ供給した反応ガスgは電極ユニット４
の中を流れカソード板１の全面から均等に絶縁基板３上
に供給され、該カソード板１とアノード板２の間の放電
領域７に高周波電界を印加しプラズマ放電させることに
より活性な状態に分解され、絶縁基板上へ薄膜として堆
積されてゆく。反応後の該反応ガスgは図示しない真空
ポンプを介して排気口６bから反応室外へ強制排出され
る。この際、プラズマ放電中の活性化ガスが反応室５の
壁内面近傍の比較的低温部で滞留しパウダ状になつたシ
リコンを堆積あるいは付着させる。該反応室５の内部に
パウダ状のシリコンのダストが生成し堆積、付着すると
次のような問題を生ずる。
該図は幾つかの半導体製造装置の１つで、半導体素子の
製造プロセスなどにおいて半導体、絶縁体、金属などの
薄膜を化学気相堆積(Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition、
略称ＣＶＤ．すなわち原料を蒸気またはガスにして加熱
した絶縁基板上で化学反応により堆積)させる際に単に
熱エネルギーだけでなくプラズマ放電による発光を利用
する方法で、光の持つエネルギーを利用することにより
プロセスの低温化が計れるグロー放電を用いたブラズマ
ＣＶＤ装置のチャンバである。該チャンバの供給口６a
から反応室５内へ供給した反応ガスgは電極ユニット４
の中を流れカソード板１の全面から均等に絶縁基板３上
に供給され、該カソード板１とアノード板２の間の放電
領域７に高周波電界を印加しプラズマ放電させることに
より活性な状態に分解され、絶縁基板上へ薄膜として堆
積されてゆく。反応後の該反応ガスgは図示しない真空
ポンプを介して排気口６bから反応室外へ強制排出され
る。この際、プラズマ放電中の活性化ガスが反応室５の
壁内面近傍の比較的低温部で滞留しパウダ状になつたシ
リコンを堆積あるいは付着させる。該反応室５の内部に
パウダ状のシリコンのダストが生成し堆積、付着すると
次のような問題を生ずる。
【０００３】(１)、反応室内でパウダ状のシリコンがダ
ストとして次第に増加して壁内面に付着しあるいは堆積
すると放電領域での反応ガスによる本来の半導体薄膜製
造の歩留りに重大な悪影響を及ぼす。(２)、パウダ状の
シリコンは排気口に連設した図示しない排気管内壁にも
付着して次第に管内を詰まらせ排気能力を低下させる。
(３)、さらにパウダ状のシリコンは水素化ケイ素(Ｓix
Ｈy)であつて水素化合物に属し発火性があり、粉塵爆発
を起こし易い。したがって排気管内に大量に堆積したば
あいには爆発する危険性が大きく高価な装置に甚大な損
害を与えるものである。
ストとして次第に増加して壁内面に付着しあるいは堆積
すると放電領域での反応ガスによる本来の半導体薄膜製
造の歩留りに重大な悪影響を及ぼす。(２)、パウダ状の
シリコンは排気口に連設した図示しない排気管内壁にも
付着して次第に管内を詰まらせ排気能力を低下させる。
(３)、さらにパウダ状のシリコンは水素化ケイ素(Ｓix
Ｈy)であつて水素化合物に属し発火性があり、粉塵爆発
を起こし易い。したがって排気管内に大量に堆積したば
あいには爆発する危険性が大きく高価な装置に甚大な損
害を与えるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、反応ガスによる半導体薄膜堆積中に反応室内に生成
するパウダ状のシリコンが堆積して半導体製造装置、製
品に種々の悪影響を生ずる点である。
は、反応ガスによる半導体薄膜堆積中に反応室内に生成
するパウダ状のシリコンが堆積して半導体製造装置、製
品に種々の悪影響を生ずる点である。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】本発明は、チャンバ側壁の
内側に設けた内壁を介して反応室内へキャリアガスを供
給する一方、該反応室内に装備される絶縁基板の近傍の
放電領域をシールドにより包囲し、絶縁基板上に薄膜を
堆積させる反応ガスが前記放電領域内からシールドの隙
間を通り放電領域外の反応室に流出させて前記キャリア
ガスとともに外部に排出するようにして、反応ガスの滞
留によるダストの反応室内壁、排気口などへの付着、堆
積を抑制して排出するようにしたことを特徴とする。
内側に設けた内壁を介して反応室内へキャリアガスを供
給する一方、該反応室内に装備される絶縁基板の近傍の
放電領域をシールドにより包囲し、絶縁基板上に薄膜を
堆積させる反応ガスが前記放電領域内からシールドの隙
間を通り放電領域外の反応室に流出させて前記キャリア
ガスとともに外部に排出するようにして、反応ガスの滞
留によるダストの反応室内壁、排気口などへの付着、堆
積を抑制して排出するようにしたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】反応室内の放電領域に反応ガスを供給し、プラ
ズマ放電、分解された反応ガスは絶縁基板上で薄膜を形
成堆積し、該反応室内にキャリヤガスを内壁から供給し
て該キャリヤガスにより活性化した反応ガスを反応室内
にパウダ状のシリコンとして滞留、付着させず真空ポン
プにより排気口から強制排出させる。
ズマ放電、分解された反応ガスは絶縁基板上で薄膜を形
成堆積し、該反応室内にキャリヤガスを内壁から供給し
て該キャリヤガスにより活性化した反応ガスを反応室内
にパウダ状のシリコンとして滞留、付着させず真空ポン
プにより排気口から強制排出させる。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明装置の１実施例を示すプラズ
マＣＶＤ装置のチャンバの簡略縦断面図で、チャンバ側
壁の内側に内壁９を設けてその内側の反応室５内にカソ
ード板１、電極ユニット４、アノード板２、絶縁基板３
を装備するとともにそのプラズマ放電領域７をシールド
８で包囲し、チャンバ側部にキャリヤガス供給用の供給
口１０および前記内壁９に多数の通口９aを穿設し、該
内壁９を貫通して反応ガス用の供給口６aおよび総排気
口６bを設けた構成である。
マＣＶＤ装置のチャンバの簡略縦断面図で、チャンバ側
壁の内側に内壁９を設けてその内側の反応室５内にカソ
ード板１、電極ユニット４、アノード板２、絶縁基板３
を装備するとともにそのプラズマ放電領域７をシールド
８で包囲し、チャンバ側部にキャリヤガス供給用の供給
口１０および前記内壁９に多数の通口９aを穿設し、該
内壁９を貫通して反応ガス用の供給口６aおよび総排気
口６bを設けた構成である。
【０００８】本発明の該構造は、チャンバ内に、キャリ
ヤガスcg供給用の多数通口を穿設した内壁を設けて該通
口へキャリヤガスcgを供給するようにした僅かな部材と
簡単な付帯工事によつて構成できるものである。
ヤガスcg供給用の多数通口を穿設した内壁を設けて該通
口へキャリヤガスcgを供給するようにした僅かな部材と
簡単な付帯工事によつて構成できるものである。
【０００９】該構成の本発明装置は、予めシールドによ
り包囲した放電領域７内の圧力を高く、その外周の反応
室５内の圧力は低くして供給口１０から供給したキャリ
ヤガスcgが該放電領域内に流入しないように制御し流量
を調整して供給するようになつている。反応ガス供給口
６aからシールド放電領域７へ供給した反応ガスは電極
ユニット４中を流れカソード板１の全面から均一にアノ
ード板２の絶縁基板３上へ供給され、該反応ガスは該カ
ソード板とアノード板間のプラズマ放電によつて活性な
状態に分解されて絶縁基板３上で薄膜を形成、堆積し、
反応後の該反応ガスがシールドの隙間から放電領域外の
反応室５内へ流出すると供給口１０から反応室内へ供給
したキャリヤガス(水素ガスまたは窒素ガス)cgが該反応
ガスの活性を抑制し、真空ポンプを駆動することによつ
て該反応ガスが反応室内に滞留することなく排気口６b
から強制排出される。
り包囲した放電領域７内の圧力を高く、その外周の反応
室５内の圧力は低くして供給口１０から供給したキャリ
ヤガスcgが該放電領域内に流入しないように制御し流量
を調整して供給するようになつている。反応ガス供給口
６aからシールド放電領域７へ供給した反応ガスは電極
ユニット４中を流れカソード板１の全面から均一にアノ
ード板２の絶縁基板３上へ供給され、該反応ガスは該カ
ソード板とアノード板間のプラズマ放電によつて活性な
状態に分解されて絶縁基板３上で薄膜を形成、堆積し、
反応後の該反応ガスがシールドの隙間から放電領域外の
反応室５内へ流出すると供給口１０から反応室内へ供給
したキャリヤガス(水素ガスまたは窒素ガス)cgが該反応
ガスの活性を抑制し、真空ポンプを駆動することによつ
て該反応ガスが反応室内に滞留することなく排気口６b
から強制排出される。
【００１０】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置は上記の構成、
作用を有するので、絶縁基板上に薄膜堆積させる活性化
した反応ガスが反応室内に供給されたキャリヤガスで活
性を抑制されて反応室内の低温部に滞留することなく真
空ポンプにより総排気口から排出される。したがつて反
応室内、排気管などに発火性のパウダ状シリコンの有
害、危険な堆積を防止し、排気管を詰まらせて排気能力
を低下させあるいは危険な粉塵爆発の恐れがないから半
導体製造の歩留りも低下しなくなつた。しかも構造簡単
で、製作も容易な有益な効果を奏する装置の発明であ
る。
作用を有するので、絶縁基板上に薄膜堆積させる活性化
した反応ガスが反応室内に供給されたキャリヤガスで活
性を抑制されて反応室内の低温部に滞留することなく真
空ポンプにより総排気口から排出される。したがつて反
応室内、排気管などに発火性のパウダ状シリコンの有
害、危険な堆積を防止し、排気管を詰まらせて排気能力
を低下させあるいは危険な粉塵爆発の恐れがないから半
導体製造の歩留りも低下しなくなつた。しかも構造簡単
で、製作も容易な有益な効果を奏する装置の発明であ
る。
【図１】半導体製造装置の簡略縦断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置の簡略縦断面図である。
１ カソード板 ２ アノード板 ４ 電極ユニット ５ 反応室 cg キャリヤガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ 21/3065 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ (72)発明者 財津 一幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シ ャープ株式会社内 (72)発明者 馬売 伸次 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−96724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−186419（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−101169（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−192326（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバ側壁の内側に設けた内壁を介し
て反応室内へキャリアガスを供給する一方、該反応室内
に装備される絶縁基板の近傍の放電領域をシールドによ
り包囲し、絶縁基板上に薄膜を堆積させる反応ガスが前
記放電領域内からシールドの隙間を通り放電領域外の反
応室に流出させて前記キャリアガスとともに外部に排出
するようにして、反応ガスの滞留によるダストの反応室
内壁、排気口などへの付着、堆積を抑制して排出するよ
うにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4622292A JP2832322B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4622292A JP2832322B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226266A JPH05226266A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2832322B2 true JP2832322B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12741087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4622292A Expired - Lifetime JP2832322B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832322B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4622292A patent/JP2832322B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226266A (ja) | 1993-09-03 |
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Legal Events
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