JPH07122426A - 軟磁性めっき薄膜およびその製造方法 - Google Patents
軟磁性めっき薄膜およびその製造方法Info
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- JPH07122426A JPH07122426A JP5262354A JP26235493A JPH07122426A JP H07122426 A JPH07122426 A JP H07122426A JP 5262354 A JP5262354 A JP 5262354A JP 26235493 A JP26235493 A JP 26235493A JP H07122426 A JPH07122426 A JP H07122426A
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- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波特性に優れたＭｏを含有する軟磁性め
っき薄膜とその製造方法を提供するものである。 【構成】 Ｍｏが２ wt%以上９ wt%未満の組成のＭｏ含
有軟磁性層とＭｏが１０ wt%以上のＭｏリッチ層の少な
くとも２組成以上のＭｏ含有層が積層され、前者の層厚
が後者の層厚の５倍以上であること電気めっき薄膜とそ
の製造方法で、酒石酸イオンを含む浴から製造する点に
特長がある。
っき薄膜とその製造方法を提供するものである。 【構成】 Ｍｏが２ wt%以上９ wt%未満の組成のＭｏ含
有軟磁性層とＭｏが１０ wt%以上のＭｏリッチ層の少な
くとも２組成以上のＭｏ含有層が積層され、前者の層厚
が後者の層厚の５倍以上であること電気めっき薄膜とそ
の製造方法で、酒石酸イオンを含む浴から製造する点に
特長がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド等の磁
気デバイスに使用される軟磁性めっき薄膜およびその製
造方法に関する。
気デバイスに使用される軟磁性めっき薄膜およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】軟磁性薄膜の特性として重要視されてい
るものに透磁率と比抵抗がある。パーマロイは優れた軟
磁性合金であるが比抵抗が小さく高周波回路で使用する
には問題があった。このため第３元素としてモリブデン
を添加したモリブデンパーマロイが古くから知られてい
る。たとえばFerromagnetism,D.Van Mostrand Company.
Inc.,Tronto(1951)にはバルクでのMoパーマロイの各種
の特性が例示されておりMo含有量の増加により比抵抗が
大きく上昇することがわかる。しかし、Ｍｏ１０wt％以
上については述べられていない。
るものに透磁率と比抵抗がある。パーマロイは優れた軟
磁性合金であるが比抵抗が小さく高周波回路で使用する
には問題があった。このため第３元素としてモリブデン
を添加したモリブデンパーマロイが古くから知られてい
る。たとえばFerromagnetism,D.Van Mostrand Company.
Inc.,Tronto(1951)にはバルクでのMoパーマロイの各種
の特性が例示されておりMo含有量の増加により比抵抗が
大きく上昇することがわかる。しかし、Ｍｏ１０wt％以
上については述べられていない。
【０００３】このモリブデンパーマロイを薄膜磁気ヘッ
ド等の薄膜デバイスに使用するために薄膜化するための
製法として電着法は種々の特長から有効である。
ド等の薄膜デバイスに使用するために薄膜化するための
製法として電着法は種々の特長から有効である。
【０００４】このためモリブデンパーマロイの電着方法
としては多くの研究がなされてきた。たとえばJournal
of applied electrochemistry 8(1978)41ページには酢
酸ニッケル、硫酸鉄、モリブデン酸ナトリウムを用いた
浴から広い範囲の組成のNiFeMo合金の電着が報告されて
いる。しかし、その磁気特性には全く触れておらず電流
密度ｐH、浴温等によるMo含有量の変化は僅かであっ
た。
としては多くの研究がなされてきた。たとえばJournal
of applied electrochemistry 8(1978)41ページには酢
酸ニッケル、硫酸鉄、モリブデン酸ナトリウムを用いた
浴から広い範囲の組成のNiFeMo合金の電着が報告されて
いる。しかし、その磁気特性には全く触れておらず電流
密度ｐH、浴温等によるMo含有量の変化は僅かであっ
た。
【０００５】またJournal of the electrochemical soc
iety(1965)64ページにはクエン酸を用いためっき浴から
成膜されたモリブデンパーマロイ膜の磁気特性について
記されている。
iety(1965)64ページにはクエン酸を用いためっき浴から
成膜されたモリブデンパーマロイ膜の磁気特性について
記されている。
【０００６】また特公昭41-20686号もクエン酸を用いた
モリブデンパーマロイ膜をアルカリ溶液から成膜する方
法を開示している。この場合には電流密度を２A/dm2か
ら１５A/dm2に変化するとＭｏ含有量が９．３６%から
５．５０%に変化している。
モリブデンパーマロイ膜をアルカリ溶液から成膜する方
法を開示している。この場合には電流密度を２A/dm2か
ら１５A/dm2に変化するとＭｏ含有量が９．３６%から
５．５０%に変化している。
【０００７】またUSSR特許418567号(1974)において使用
している浴もクエン酸を使用している。
している浴もクエン酸を使用している。
【０００８】このようにクエン酸を添加した浴からバル
クと同等特性の薄膜を目指した研究は多いが安定して製
造することは困難で、かつ薄膜独特の新規な高特性を電
着法で得る試みは殆どなされていなかった。
クと同等特性の薄膜を目指した研究は多いが安定して製
造することは困難で、かつ薄膜独特の新規な高特性を電
着法で得る試みは殆どなされていなかった。
【０００９】一方、軟磁性薄膜において多層化し中間層
として絶縁層や高比抵抗層を形成することで高周波特性
に優れた薄膜を得ることは広く知られている。同様に合
金膜の電解中に電位、電流密度を変化させて多層構造を
形成する手法も知られているが電位の大きく異なる合金
系に限られていた。
として絶縁層や高比抵抗層を形成することで高周波特性
に優れた薄膜を得ることは広く知られている。同様に合
金膜の電解中に電位、電流密度を変化させて多層構造を
形成する手法も知られているが電位の大きく異なる合金
系に限られていた。
【００１０】具体的に標準電位で示すとＮｉ（−０．２
４ V）、Ｆｅ（−０．４４ V）は、Ｃｕ（＋０．３４
V）、Ｒｈ（＋０．７６ V）等とは大きく電位が離れて
おり多層化が可能なことが容易に類推される。しかしＭ
ｏ（−０．２０ V）はＮｉやＦｅやＣｏとは電位が近接
しており多層構造の形成は困難と見られていた。
４ V）、Ｆｅ（−０．４４ V）は、Ｃｕ（＋０．３４
V）、Ｒｈ（＋０．７６ V）等とは大きく電位が離れて
おり多層化が可能なことが容易に類推される。しかしＭ
ｏ（−０．２０ V）はＮｉやＦｅやＣｏとは電位が近接
しており多層構造の形成は困難と見られていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、特性の優れたモリブデン含
有軟磁性多層めっき膜とそれを安定かつ安価に電着法に
より製造する方法を提供するものである。
情からなされたものであり、特性の優れたモリブデン含
有軟磁性多層めっき膜とそれを安定かつ安価に電着法に
より製造する方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（3）の本発明により達成される。
（１）〜（3）の本発明により達成される。
【００１３】（１）Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏより選ばれる少な
くとも２種以上と２wt%以上９wt%以下のＭｏを含有する
軟磁性層と、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ,より選ばれる少なくと
も２種以上と１０wt%以上のＭｏを含有するＭｏリッチ
層が積層されており、前記軟磁性層の層厚が前記Ｍｏリ
ッチ層の層厚の２倍以上１００倍以下である軟磁性めっ
き薄膜。
くとも２種以上と２wt%以上９wt%以下のＭｏを含有する
軟磁性層と、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ,より選ばれる少なくと
も２種以上と１０wt%以上のＭｏを含有するＭｏリッチ
層が積層されており、前記軟磁性層の層厚が前記Ｍｏリ
ッチ層の層厚の２倍以上１００倍以下である軟磁性めっ
き薄膜。
【００１４】（２）Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏより選ばれる少な
くとも２種以上の金属イオンとＭｏイオンと有機酸イオ
ンとを含有する単一のめっき浴を用いて、 成膜時に電
流密度を変化させて上記１の軟磁性めっき薄膜を製造す
る方法において、前記軟磁性層を０．５A/dm2以上５A/d
m2未満の電流密度で成膜し、前記Ｍｏリッチ層を前記軟
磁性層を成膜する電流密度の２分の１から２０分の１の
電流密度で成膜する軟磁性めっき薄膜の製造方法。
くとも２種以上の金属イオンとＭｏイオンと有機酸イオ
ンとを含有する単一のめっき浴を用いて、 成膜時に電
流密度を変化させて上記１の軟磁性めっき薄膜を製造す
る方法において、前記軟磁性層を０．５A/dm2以上５A/d
m2未満の電流密度で成膜し、前記Ｍｏリッチ層を前記軟
磁性層を成膜する電流密度の２分の１から２０分の１の
電流密度で成膜する軟磁性めっき薄膜の製造方法。
【００１５】（３）前記有機酸は酒石酸である上記２の
軟磁性めっき薄膜の製造方法。
軟磁性めっき薄膜の製造方法。
【００１６】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】本発明では湿式めっき法を用いて軟磁性薄
膜を形成する。本発明および本発明により製造されるの
軟磁性薄膜はＮｉ、ＦｅまたはＣｏの内の少なくとも２
種類以上の金属とＭｏを主成分とする。
膜を形成する。本発明および本発明により製造されるの
軟磁性薄膜はＮｉ、ＦｅまたはＣｏの内の少なくとも２
種類以上の金属とＭｏを主成分とする。
【００１８】Ｍｏの含有量はその目的により大きく２つ
に大別される。すなわち優れた磁気特性を得るための磁
性層としては２〜９重量％、より好ましくは３〜６重量
％である。Ｍｏ含有量が前記範囲未満であると良い軟磁
気特性が得られず前記範囲を越えるとＢｓが低下すると
同時にやはり良い軟磁気特性が得られない。一方の絶縁
を目的とするＭｏリッチ層としての場合には１０重量％
以上、より好ましくは１５重量％以上である。前記範囲
未満であると比抵抗が大きくならず良い高周波特性が得
られない。
に大別される。すなわち優れた磁気特性を得るための磁
性層としては２〜９重量％、より好ましくは３〜６重量
％である。Ｍｏ含有量が前記範囲未満であると良い軟磁
気特性が得られず前記範囲を越えるとＢｓが低下すると
同時にやはり良い軟磁気特性が得られない。一方の絶縁
を目的とするＭｏリッチ層としての場合には１０重量％
以上、より好ましくは１５重量％以上である。前記範囲
未満であると比抵抗が大きくならず良い高周波特性が得
られない。
【００１９】軟磁性層のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの含有量は特
に制限はない。目的とする特性が得られるように選択さ
れる。たとえはモリブデンパーマロイ組成を作成する場
合にはＮｉは７０〜８０重量％、Ｆｅは１５〜２５重量
％となる。Ｃｏ−Ｆｅ合金で磁歪ゼロの組成を目標とす
る場合にはＣｏが８０から９５重量％、Ｆｅは５〜１５
重量％となる。
に制限はない。目的とする特性が得られるように選択さ
れる。たとえはモリブデンパーマロイ組成を作成する場
合にはＮｉは７０〜８０重量％、Ｆｅは１５〜２５重量
％となる。Ｃｏ−Ｆｅ合金で磁歪ゼロの組成を目標とす
る場合にはＣｏが８０から９５重量％、Ｆｅは５〜１５
重量％となる。
【００２０】絶縁層中のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの含有量も特
に制限はなく磁性層のように特定の組成を目標とする必
要性も小さい。
に制限はなく磁性層のように特定の組成を目標とする必
要性も小さい。
【００２１】Ｍｏ含有量が１〜９重量％の磁性層厚はＭ
ｏ含有量が１０重量％以上のＭｏリッチ層厚の２倍以上
１００倍以下、特に好ましくは１０倍以上２０倍以下で
ある。層厚比が前記範囲未満であると十分な絶縁効果が
得られず前記範囲を越えると透磁率やＢｓの低下が起こ
り好ましい磁気特性が得られない。また各層厚の絶対値
については特に制約はないが軟磁性層が５０ Aから２０
０００ A程度となるように設計することが好ましい。
ｏ含有量が１０重量％以上のＭｏリッチ層厚の２倍以上
１００倍以下、特に好ましくは１０倍以上２０倍以下で
ある。層厚比が前記範囲未満であると十分な絶縁効果が
得られず前記範囲を越えると透磁率やＢｓの低下が起こ
り好ましい磁気特性が得られない。また各層厚の絶対値
については特に制約はないが軟磁性層が５０ Aから２０
０００ A程度となるように設計することが好ましい。
【００２２】本発明では、めっき浴としてＮｉ、Ｆｅ、
Ｃｏより選ばれる少なくとも２つ以上の金属イオンとMo
イオンと有機酸イオンを含有するめっき浴を用いる。Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏの各イオンの供給源は硫酸塩、スルファ
ミン塩、酢酸塩、硝酸塩、塩化物塩等の水溶性の塩から
選択することが好ましい。Ｍｏはモリブデン酸アンモニ
ウムが特に好ましい。
Ｃｏより選ばれる少なくとも２つ以上の金属イオンとMo
イオンと有機酸イオンを含有するめっき浴を用いる。Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏの各イオンの供給源は硫酸塩、スルファ
ミン塩、酢酸塩、硝酸塩、塩化物塩等の水溶性の塩から
選択することが好ましい。Ｍｏはモリブデン酸アンモニ
ウムが特に好ましい。
【００２３】めっき浴中の各金属イオン濃度は目的の膜
の合金組成により決定され特に制限はないが、総金属イ
オン濃度が０．０５から５ mol/ｌ程度が好ましい。
の合金組成により決定され特に制限はないが、総金属イ
オン濃度が０．０５から５ mol/ｌ程度が好ましい。
【００２４】めっき浴中には、これらのイオンに加え、
有機酸イオンが含まれる。特に酒石酸イオンが好まし
い。この酒石酸イオンによりそれぞれの金属イオンが錯
体を形成し安定した成膜が可能となる。特に酒石酸を用
いることでと電流密度によるＭｏ含有量の変化を大きく
することが可能となる。酒石酸イオンはロッシェル塩、
酒石酸ナトリウム、酒石酸カリウム等の水溶性の塩を用
いる。酒石酸イオンの添加量は総金属イオンの０．１倍
モル以上、特に好ましくは０．２倍モルである。
有機酸イオンが含まれる。特に酒石酸イオンが好まし
い。この酒石酸イオンによりそれぞれの金属イオンが錯
体を形成し安定した成膜が可能となる。特に酒石酸を用
いることでと電流密度によるＭｏ含有量の変化を大きく
することが可能となる。酒石酸イオンはロッシェル塩、
酒石酸ナトリウム、酒石酸カリウム等の水溶性の塩を用
いる。酒石酸イオンの添加量は総金属イオンの０．１倍
モル以上、特に好ましくは０．２倍モルである。
【００２５】酒石酸イオンの量が前記範囲未満であると
十分な錯体形成が起こらず安定した合金膜が形成されな
い。
十分な錯体形成が起こらず安定した合金膜が形成されな
い。
【００２６】めっき浴のｐＨは好ましくは３．０〜６．
０、より好ましくは３．５〜５．０である。ｐＨが前記
範囲未満であると析出速度が低下し前記範囲を越えると
電流密度による組成変化が小さくなり多層膜が形成され
ない。これは形成される錯体構造が異なるためと考えら
れる。
０、より好ましくは３．５〜５．０である。ｐＨが前記
範囲未満であると析出速度が低下し前記範囲を越えると
電流密度による組成変化が小さくなり多層膜が形成され
ない。これは形成される錯体構造が異なるためと考えら
れる。
【００２７】めっき浴にはこの他に導電性向上のために
塩化アンモニウム等の導電助剤、サッカリン等の有機添
加剤、ラウリル硫酸等の界面活性剤を添加しても構わな
い。
塩化アンモニウム等の導電助剤、サッカリン等の有機添
加剤、ラウリル硫酸等の界面活性剤を添加しても構わな
い。
【００２８】軟磁性層を成膜時の電流密度は０．５ A/d
m2以上５ A/dm2未満であり特に好ましくは１．０ A/dm2
以上３ A/dm2未満である。前記範囲未満であるとＢｓが
低下し磁気特性も劣化する。一方、前記範囲を越えると
水素発生反応が多くなり浴が不安定となる。
m2以上５ A/dm2未満であり特に好ましくは１．０ A/dm2
以上３ A/dm2未満である。前記範囲未満であるとＢｓが
低下し磁気特性も劣化する。一方、前記範囲を越えると
水素発生反応が多くなり浴が不安定となる。
【００２９】絶縁を目的とするＭｏリッチ層はその２分
の１から２０分の１、特に好ましくは８分の１から１５
分の１の電流密度で成膜される。前記範囲未満であると
析出速度が遅く前記範囲を越えると膜の比抵抗が低下す
る。
の１から２０分の１、特に好ましくは８分の１から１５
分の１の電流密度で成膜される。前記範囲未満であると
析出速度が遅く前記範囲を越えると膜の比抵抗が低下す
る。
【００３０】それぞれの層の層厚は電流密度と印加時間
により制御される。単純な場合には電流密度が１０倍に
なれば成膜速度も１０倍となる。
により制御される。単純な場合には電流密度が１０倍に
なれば成膜速度も１０倍となる。
【００３１】また層数は３層以上特に好ましくは５層以
上とする。前記範囲未満では絶縁層の目的を達成できな
い。
上とする。前記範囲未満では絶縁層の目的を達成できな
い。
【００３２】さらに多層膜構造とすることで磁区構造を
変化させバルクハウゼンノイズを減少させる効果も期待
される。
変化させバルクハウゼンノイズを減少させる効果も期待
される。
【００３３】なお本発明の磁性層の厚さは目的により適
宜決定すれば良い。
宜決定すれば良い。
【００３４】さらに本発明の磁性合金にはＣ、Ｓ、Ｐ、
Ｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｉ
ｎ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｈ及びＰｔ等から
選択される１種以上の元素を３重量％以下含有すること
で耐食性向上、磁歪制御等も期待される。またこれらの
元素を不純物として微量含有することも特に支障は認め
られないので安価な試薬の使用によるコスト低減も可能
である。
Ｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｉ
ｎ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｈ及びＰｔ等から
選択される１種以上の元素を３重量％以下含有すること
で耐食性向上、磁歪制御等も期待される。またこれらの
元素を不純物として微量含有することも特に支障は認め
られないので安価な試薬の使用によるコスト低減も可能
である。
【００３５】またＣｕを２〜６重量％含有することでさ
らに透磁率の向上も可能である。
らに透磁率の向上も可能である。
【００３６】また磁気異方性を積極的に制御するために
磁場中処理が有効である。軟磁性薄膜の処理としては回
転磁場中や成膜時と直交磁界をかける直交磁場中熱処理
が知られており共に効果がある。
磁場中処理が有効である。軟磁性薄膜の処理としては回
転磁場中や成膜時と直交磁界をかける直交磁場中熱処理
が知られており共に効果がある。
【００３７】
【実施例および比較例】以下にその具体的実施例および
比較例を示し本発明を説明する。
比較例を示し本発明を説明する。
【００３８】基板はＮｉＦｅを５００ Aスパッタし下地
膜としたガラスを用い、６００ Oeの直流磁界中で一軸
異方性を付与しながら総膜厚がほぼ１ μmとなるように
成膜をおこなった。
膜としたガラスを用い、６００ Oeの直流磁界中で一軸
異方性を付与しながら総膜厚がほぼ１ μmとなるように
成膜をおこなった。
【００３９】浴組成（１リットル当り） 硫酸ニッケル ３３０ g 硫酸鉄 ４．８ g モリブデン酸アンモニウム ３ g ロッシェル塩 １１３ g ほう酸 ２５ g 塩化アンモニウム １５ g サッカリンナトリウム ２ g 成膜条件 浴温 ４０℃ ｐＨ ４．３ 電流密度 ０．０５ A/dm2から１０
A/dm2 陽極 ＴｉＰｔ板 磁界強度 １ｋOe 成膜後異方性制御を目的に成膜時の磁場印加方向と直交
する方向に２ｋOeの磁界を印加しながら２５０℃１時間
の真空熱処理を行った。
A/dm2 陽極 ＴｉＰｔ板 磁界強度 １ｋOe 成膜後異方性制御を目的に成膜時の磁場印加方向と直交
する方向に２ｋOeの磁界を印加しながら２５０℃１時間
の真空熱処理を行った。
【００４０】透磁率は８の字コイル法を用い３０MHzに
て測定し膜組成はＩＰＣで比抵抗は４端子法で、保磁
力、ＢｓはＶＳＭで評価した。膜厚は段差法で多層膜の
全厚を膜厚とした。
て測定し膜組成はＩＰＣで比抵抗は４端子法で、保磁
力、ＢｓはＶＳＭで評価した。膜厚は段差法で多層膜の
全厚を膜厚とした。
【００４１】
【表１】
【００４２】上記の結果をもとにたとえば０．１ A/dm2
と１．０ A/dm2を順次印加し成膜することで特性の優れ
た軟磁性薄膜が得られることがわかる。
と１．０ A/dm2を順次印加し成膜することで特性の優れ
た軟磁性薄膜が得られることがわかる。
【００４３】最初に１．０ A/dm2で３００ 秒間成膜し
た後０．１ A/dm2で３００ 秒間さらに１．０ A/dm2で
３００ 秒間成膜したところ５０００ A−４．８Ｍｏ−
ＮｉＦｅ／５００ A−１５．０Ｍｏ−ＮｉＦｅ／５００
０ A−４．８Ｍｏ−ＮｉＦｅの３層膜が形成された。こ
れを実施例１とした。
た後０．１ A/dm2で３００ 秒間さらに１．０ A/dm2で
３００ 秒間成膜したところ５０００ A−４．８Ｍｏ−
ＮｉＦｅ／５００ A−１５．０Ｍｏ−ＮｉＦｅ／５００
０ A−４．８Ｍｏ−ＮｉＦｅの３層膜が形成された。こ
れを実施例１とした。
【００４４】同様に各種の電流密度で成膜時間を増減し
て表２に示す各種の構造の多層膜を作製した。
て表２に示す各種の構造の多層膜を作製した。
【００４５】
【表２】
【００４６】なお、表２において（５０００ A−３．８
Ｍｏ−ＮｉＦｅ／５００ A−１３．０Ｍｏ−ＮｉＦｅ）
とは５０００ Aの３．８重量％のＭｏを含有する軟磁性
層の上に５００ Aの１３．０重量％のＭｏを含有する絶
縁層（Ｍｏリッチ層）が形成されていることを示す。ま
た、たとえば（１０００ A−８．８Ｍｏ−ＮｉＦｅ／１
５０ A−１５．５Ｍｏ−ＮｉＦｅ）×１０は（１０００
A−８．８Ｍｏ−ＮｉＦｅ／１５０ A−１５．５Ｍｏ−
ＮｉＦｅ）構造の膜が１０回積層されていることを示
す。ただし、最上層のＭｏリッチ層は不要であり、形成
してない。
Ｍｏ−ＮｉＦｅ／５００ A−１３．０Ｍｏ−ＮｉＦｅ）
とは５０００ Aの３．８重量％のＭｏを含有する軟磁性
層の上に５００ Aの１３．０重量％のＭｏを含有する絶
縁層（Ｍｏリッチ層）が形成されていることを示す。ま
た、たとえば（１０００ A−８．８Ｍｏ−ＮｉＦｅ／１
５０ A−１５．５Ｍｏ−ＮｉＦｅ）×１０は（１０００
A−８．８Ｍｏ−ＮｉＦｅ／１５０ A−１５．５Ｍｏ−
ＮｉＦｅ）構造の膜が１０回積層されていることを示
す。ただし、最上層のＭｏリッチ層は不要であり、形成
してない。
【００４７】その透磁率とＢｓの結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
【００４９】この結果から本発明の効果は明確である。
【００５０】
【発明の効果】本発明の軟磁性めっき薄膜は、層間絶縁
性に優れたＭｏリッチ層と軟磁性層が交互に積層された
多層膜構造になっているので、高周波特性に優れてい
る。
性に優れたＭｏリッチ層と軟磁性層が交互に積層された
多層膜構造になっているので、高周波特性に優れてい
る。
【００５１】また、本発明の方法によれば、単一のめっ
き浴を用いて、電流密度を交互に変えるだけの簡単な成
膜プロセスで、高周波特性の優れた軟磁性めっき薄膜を
安定で、安価に製造することができる。
き浴を用いて、電流密度を交互に変えるだけの簡単な成
膜プロセスで、高周波特性の優れた軟磁性めっき薄膜を
安定で、安価に製造することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏより選ばれる少なくと
も２種以上と２wt%以上９wt%以下のＭｏを含有する軟磁
性層と、 Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ,より選ばれる少なくとも２種以上と
１０wt%以上のＭｏを含有するＭｏリッチ層が積層され
ており、 前記軟磁性層の層厚が前記Ｍｏリッチ層の層厚の２倍以
上１００倍以下である軟磁性めっき薄膜。 - 【請求項２】 Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏより選ばれる少なくと
も２種以上の金属イオンとＭｏイオンと有機酸イオンと
を含有する単一のめっき浴を用いて、 成膜時に電流密
度を変化させて請求項１の軟磁性めっき薄膜を製造する
方法において、 前記軟磁性層を０．５A/dm2以上５A/dm2未満の電流密度
で成膜し、 前記Ｍｏリッチ層を前記軟磁性層を成膜する電流密度の
２分の１から２０分の１の電流密度で成膜する軟磁性め
っき薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記有機酸は酒石酸である請求項２の軟
磁性めっき薄膜の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26235493A JP3431238B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 軟磁性めっき薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26235493A JP3431238B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 軟磁性めっき薄膜およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122426A true JPH07122426A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3431238B2 JP3431238B2 (ja) | 2003-07-28 |
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ID=17374583
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26235493A Expired - Fee Related JP3431238B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 軟磁性めっき薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431238B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183881B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Fujitsu Limited | Magnetic thin film and method for forming the same |
| KR100757759B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2007-09-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자성 재료와 그것을 이용한 자기 헤드 및 자기 기록 장치 |
| WO2015007384A1 (de) * | 2013-07-15 | 2015-01-22 | Fachhochschule Kaiserslautern | Verfahren zur herstellung magnetischer funktionsschichten, magnetischer schichtwerkstoff sowie bauelement mit einem magnetischen schichtwerkstoff |
| CN114318445A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 珠海多创科技有限公司 | 一种复合聚磁薄膜 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26235493A patent/JP3431238B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183881B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Fujitsu Limited | Magnetic thin film and method for forming the same |
| KR100757759B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2007-09-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자성 재료와 그것을 이용한 자기 헤드 및 자기 기록 장치 |
| WO2015007384A1 (de) * | 2013-07-15 | 2015-01-22 | Fachhochschule Kaiserslautern | Verfahren zur herstellung magnetischer funktionsschichten, magnetischer schichtwerkstoff sowie bauelement mit einem magnetischen schichtwerkstoff |
| CN114318445A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 珠海多创科技有限公司 | 一种复合聚磁薄膜 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3431238B2 (ja) | 2003-07-28 |
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