JPH07121983B2 - イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法 - Google Patents
イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法Info
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- JPH07121983B2 JPH07121983B2 JP62028144A JP2814487A JPH07121983B2 JP H07121983 B2 JPH07121983 B2 JP H07121983B2 JP 62028144 A JP62028144 A JP 62028144A JP 2814487 A JP2814487 A JP 2814487A JP H07121983 B2 JPH07121983 B2 JP H07121983B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、極めて安定でドーピングにより極めて高い電
導性を示す電導性重合体の改良された製造方法に関し、
更に詳しくは、一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電気化学的に酸化させることを特徴とす
るイソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法に関
する。
導性を示す電導性重合体の改良された製造方法に関し、
更に詳しくは、一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電気化学的に酸化させることを特徴とす
るイソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法に関
する。
従来の技術 近年、電気・電子機器の軽量化、薄形化或いは小型化の
進歩は著しく、それらに用いられる各種電導性材料素子
等についても軽量化、薄形化或いは小型化への要望は強
いものがあるのみならず、より優れた新規材料の出現に
強い期待が持たれている。
進歩は著しく、それらに用いられる各種電導性材料素子
等についても軽量化、薄形化或いは小型化への要望は強
いものがあるのみならず、より優れた新規材料の出現に
強い期待が持たれている。
これらの要望或いは期待を満たすべく、新しい電導性高
分子の開発が盛んに行われている。例えばポリアセチレ
ンはヨウ素或いは五弗化ヒ素などをドーピングすること
により102〜103S/cmもの高い電導度を示す（例えばシン
セティックメタルズ（Synthetic Metals）第１巻,2号,1
01頁（1979/1980年参照）こと、充放電特性が優れてい
ることから二次電池の電極材料として検討されている。
しかしながら、ポリアセチレンはそれ自体酸化され易
く、またドーピングしたポリアセチレンは湿気に対して
も極めて敏感であるという欠点を持っている。
分子の開発が盛んに行われている。例えばポリアセチレ
ンはヨウ素或いは五弗化ヒ素などをドーピングすること
により102〜103S/cmもの高い電導度を示す（例えばシン
セティックメタルズ（Synthetic Metals）第１巻,2号,1
01頁（1979/1980年参照）こと、充放電特性が優れてい
ることから二次電池の電極材料として検討されている。
しかしながら、ポリアセチレンはそれ自体酸化され易
く、またドーピングしたポリアセチレンは湿気に対して
も極めて敏感であるという欠点を持っている。
一方、ポリチオフェンはその共役構造がシス型ポリアセ
チレンに類似し、硫黄原子を含むというその特異的な電
子構造の故に、電導性材料として或いは電池電極材料と
して検討されているのみならず、ドーピング状態での変
色を利用したエレクトロクロミック材料としても検討さ
れている。例えば、エー・エム・ドルイ（A.M.Druy）等
は2,2′−ビチニルを電気化学的に重合すると、重合体
が酸化状態〜還元状態において、青色〜赤色と変色し、
これが可逆的であることを用いて、エレクトロクロミッ
ク材料として有用であると報告している〔ジャーナル・
ド・フィジーク（J.de.Physique）第44巻,6号,C3−595
頁（1983年）〕。しかしながら、ポリチオフェンは、ド
ーピング状態で不安定でデドープし易いために、高電導
度を維持するのが困難であるという欠点を有している。
チレンに類似し、硫黄原子を含むというその特異的な電
子構造の故に、電導性材料として或いは電池電極材料と
して検討されているのみならず、ドーピング状態での変
色を利用したエレクトロクロミック材料としても検討さ
れている。例えば、エー・エム・ドルイ（A.M.Druy）等
は2,2′−ビチニルを電気化学的に重合すると、重合体
が酸化状態〜還元状態において、青色〜赤色と変色し、
これが可逆的であることを用いて、エレクトロクロミッ
ク材料として有用であると報告している〔ジャーナル・
ド・フィジーク（J.de.Physique）第44巻,6号,C3−595
頁（1983年）〕。しかしながら、ポリチオフェンは、ド
ーピング状態で不安定でデドープし易いために、高電導
度を維持するのが困難であるという欠点を有している。
更にエフ・ウドル（F.Wudl）らは、イソチアナフテン構
造を有する重合体が空気中においても極めて安定な化合
物であること、繰返し使用が十分可能な程安定に酸化ま
たは還元状態で可逆的に変色し得る新規な重合体である
ことを見出している〔ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（J.Org.Chem），第49巻,3382頁（1984
年），モレキュラー・クリスタル・アンド・リキッド・
クリスタル（Mol.Cryst.Liq.Cryst）第118巻,119頁（19
85年）及びジャーナル・オブ・ケミカル・フィジックス
（J.Chem.Phys）第82巻,5717頁（1985）〕。
造を有する重合体が空気中においても極めて安定な化合
物であること、繰返し使用が十分可能な程安定に酸化ま
たは還元状態で可逆的に変色し得る新規な重合体である
ことを見出している〔ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（J.Org.Chem），第49巻,3382頁（1984
年），モレキュラー・クリスタル・アンド・リキッド・
クリスタル（Mol.Cryst.Liq.Cryst）第118巻,119頁（19
85年）及びジャーナル・オブ・ケミカル・フィジックス
（J.Chem.Phys）第82巻,5717頁（1985）〕。
ウドルらは、イソチアナフテン構造を有する重合体をイ
ソチアナフテン構造を有する単量体を電気化学的に重合
させるか、またはイソチアナフテン構造を有する単量体
の前駆体としての1,3−ジヒドロイソチアナフテン−２
−オキシド構造を有する単量体を化学的に重合させるこ
とによって製造している。しかしながら、これらの方法
で得られるイソチアナフテン構造を有する重合体の電導
度は、中性状態においては10-2S/cm程度であり、十分満
足すべきものではなかった。
ソチアナフテン構造を有する単量体を電気化学的に重合
させるか、またはイソチアナフテン構造を有する単量体
の前駆体としての1,3−ジヒドロイソチアナフテン−２
−オキシド構造を有する単量体を化学的に重合させるこ
とによって製造している。しかしながら、これらの方法
で得られるイソチアナフテン構造を有する重合体の電導
度は、中性状態においては10-2S/cm程度であり、十分満
足すべきものではなかった。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、前記従来のイソチアナフテン構造を有
する重合体の製造方法の欠点を解決したイソチアナフテ
ン構造を有する重合体の改良された製造方法を提供する
ことにある。
する重合体の製造方法の欠点を解決したイソチアナフテ
ン構造を有する重合体の改良された製造方法を提供する
ことにある。
問題点を解決するための手段 本発明によって、上記目的を達成し得るイソチアナフテ
ン構造を有する重合体の改良された製造方法が提供され
る。
ン構造を有する重合体の改良された製造方法が提供され
る。
即ち、本発明は、一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電気化学的に酸化することを特徴とする
イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法に関す
る。
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電気化学的に酸化することを特徴とする
イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法に関す
る。
本発明に係るポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体は、一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされる重合体である。これらの重合体の代表例と
しては、ポリ（1,3−ジヒドロイソチアナフテン）、ポ
リ（1,3−ジヒドロ−５−メチルイソチアナフテン）、
ポリ（1,3−ジヒドロ−５−エチルイソチアナフテ
ン），ポリ（1,3−ジヒドロ−４−メチルイソチアナフ
テン），ポリ（1,3−ジヒドロ−5,6−ジメチルイソチア
ナフテン）等があげられる。これらの化合物のうちで特
に好ましいものとしては、ポリ（1,3−ジヒドロイソチ
アナフテン）があげられる。
有する重合体は、一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされる重合体である。これらの重合体の代表例と
しては、ポリ（1,3−ジヒドロイソチアナフテン）、ポ
リ（1,3−ジヒドロ−５−メチルイソチアナフテン）、
ポリ（1,3−ジヒドロ−５−エチルイソチアナフテ
ン），ポリ（1,3−ジヒドロ−４−メチルイソチアナフ
テン），ポリ（1,3−ジヒドロ−5,6−ジメチルイソチア
ナフテン）等があげられる。これらの化合物のうちで特
に好ましいものとしては、ポリ（1,3−ジヒドロイソチ
アナフテン）があげられる。
前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチア
ナフテン）構造を有する重合体は、従来公知の方法で合
成することができる。例えば、前記一般式（Ｉ）でR1＝
R2＝Ｈで表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
については、エフ・ウドル（F.Wudl）等のジャーナル・
オブ・オーガニック・ケミストリー（J.Org.Chem.），
第49巻,3382頁（1984）に報告されている方法で合成す
ることができる。
ナフテン）構造を有する重合体は、従来公知の方法で合
成することができる。例えば、前記一般式（Ｉ）でR1＝
R2＝Ｈで表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
については、エフ・ウドル（F.Wudl）等のジャーナル・
オブ・オーガニック・ケミストリー（J.Org.Chem.），
第49巻,3382頁（1984）に報告されている方法で合成す
ることができる。
本発明に係るポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体の重合度ｎは、モノマーの種類や重合条件
によって異なるので一概には決められないが、一般には
10以上、好ましくは100以上、更に好ましくは500以上が
好ましい。
有する重合体の重合度ｎは、モノマーの種類や重合条件
によって異なるので一概には決められないが、一般には
10以上、好ましくは100以上、更に好ましくは500以上が
好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチア
ナフテン）構造を有する重合体を電気化学的に酸化する
には、例えばポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電解質を含む溶媒に溶解して電圧を印加
する方法（以下液相法という）とポリ（ジヒドロイソチ
アナフテン）構造を有する重合体を電極上に被覆した
後、電解液に浸漬させて電圧を印加する方法（以下固相
法という）で行なうことができる。電気化学的酸化は、
一般的に用いられる三電極式電解槽を用いて行なわれ
る。液相法において用いられる溶媒は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
構造を有する重合体を溶解し、かつ電気化学的に安定な
ものであれば特に制限はなく、具体的にはＮ−メチル−
２−ピロリドン、塩化メチレン、N,N−ジメチルホルム
アミドなどがあげられる。固相法において用いられる溶
媒は、前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイ
ソチアナフテン）構造を有する重合体を溶解し難く、か
つ電気化学的に安定なものであれば特に制限はなく、具
体的にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、プロピ
レンカーボネート、ベンゾニトリルなどがあげられる。
ナフテン）構造を有する重合体を電気化学的に酸化する
には、例えばポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電解質を含む溶媒に溶解して電圧を印加
する方法（以下液相法という）とポリ（ジヒドロイソチ
アナフテン）構造を有する重合体を電極上に被覆した
後、電解液に浸漬させて電圧を印加する方法（以下固相
法という）で行なうことができる。電気化学的酸化は、
一般的に用いられる三電極式電解槽を用いて行なわれ
る。液相法において用いられる溶媒は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
構造を有する重合体を溶解し、かつ電気化学的に安定な
ものであれば特に制限はなく、具体的にはＮ−メチル−
２−ピロリドン、塩化メチレン、N,N−ジメチルホルム
アミドなどがあげられる。固相法において用いられる溶
媒は、前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイ
ソチアナフテン）構造を有する重合体を溶解し難く、か
つ電気化学的に安定なものであれば特に制限はなく、具
体的にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、プロピ
レンカーボネート、ベンゾニトリルなどがあげられる。
液相法及び固相法における印加する電圧の大きさは、前
記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナ
フテン）構造を有する重合体の電圧電流特性を測定する
ことにより決定することができる。
記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナ
フテン）構造を有する重合体の電圧電流特性を測定する
ことにより決定することができる。
液相法及び固相法において用いられる電極材料として
は、印加する電圧で安定なものであれば特に限定される
ものではなく、通常は金、白金などの貴金属、炭素、酸
化インジウム、酸化スズなどをガラス表面に蒸着したガ
ラス電極を用いることができ、対極としてはアルミニウ
ム、ニッケル、銅などをあげることができる。
は、印加する電圧で安定なものであれば特に限定される
ものではなく、通常は金、白金などの貴金属、炭素、酸
化インジウム、酸化スズなどをガラス表面に蒸着したガ
ラス電極を用いることができ、対極としてはアルミニウ
ム、ニッケル、銅などをあげることができる。
また、液相法及び固相法において用いられる電解質とし
ては、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロミド、テトラ
ｎ−ブチルアンモニウムクロリド、テトラフェニルホス
ホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミ
ドなどがあげられ、これらは一種類または二種類以上を
混合して使用してもよい。電解質は、0.001〜100モル／
、好ましくは0.01〜50モル／の範囲内で用いられ
る。電解質の濃度が0.001モル／未満では、実質的に
電気化学的反応が進まず、また電解質の濃度が100モル
／を超える場合は、特に濃度を高めるだけの添加効果
は認められない。
ては、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロミド、テトラ
ｎ−ブチルアンモニウムクロリド、テトラフェニルホス
ホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミ
ドなどがあげられ、これらは一種類または二種類以上を
混合して使用してもよい。電解質は、0.001〜100モル／
、好ましくは0.01〜50モル／の範囲内で用いられ
る。電解質の濃度が0.001モル／未満では、実質的に
電気化学的反応が進まず、また電解質の濃度が100モル
／を超える場合は、特に濃度を高めるだけの添加効果
は認められない。
液相法によってポリ（ジヒドロイソチアナフテン）を電
気化学的に酸化させる場合のポリ（ジヒドロイソチアナ
フテン）の濃度は、使用する溶媒によってポリ（ジヒド
ロイソチアナフテン）の溶解度が異なるために一概には
決められないが、通常は0.1〜200mg/ml、好ましくは１
〜50mg/mlの範囲内である。
気化学的に酸化させる場合のポリ（ジヒドロイソチアナ
フテン）の濃度は、使用する溶媒によってポリ（ジヒド
ロイソチアナフテン）の溶解度が異なるために一概には
決められないが、通常は0.1〜200mg/ml、好ましくは１
〜50mg/mlの範囲内である。
液相法及び固相法において用いられる温度としては、種
々の溶媒が使用可能であるため一概には決められない
が、通常は−80℃〜＋200℃、好ましくは−40℃〜＋100
℃の温度範囲が望ましい。また電気化学的酸化を行なう
ときは、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行
なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気の下で行なわれ
ないときには、前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジ
ヒドロイソチアナフテン）構造を有する重合体の主鎖が
酸素により切断される等の好ましくない副反応を生ずる
恐れがある。
々の溶媒が使用可能であるため一概には決められない
が、通常は−80℃〜＋200℃、好ましくは−40℃〜＋100
℃の温度範囲が望ましい。また電気化学的酸化を行なう
ときは、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行
なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気の下で行なわれ
ないときには、前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジ
ヒドロイソチアナフテン）構造を有する重合体の主鎖が
酸素により切断される等の好ましくない副反応を生ずる
恐れがある。
前記一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジヒドロイソチア
ナフテン）構造を有する重合体を液相法または固相法に
よって電気化学的に酸化させるときに要する電気量は、
ポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を有する重合体
を酸化してイソチアナフテン構造を有する重合体に転化
せしめるのに必要な理論電気量より多く与えればよい。
ナフテン）構造を有する重合体を液相法または固相法に
よって電気化学的に酸化させるときに要する電気量は、
ポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を有する重合体
を酸化してイソチアナフテン構造を有する重合体に転化
せしめるのに必要な理論電気量より多く与えればよい。
発明の効果 本発明のイソチアナフテン構造を有する重合体の製造方
法によれば、従来法に比べて中性状態においても高電導
度を有する重合体を得ることができ、得られた重合体は
電気・電子工業の分野において電極、太陽電池、電気的
接続、半導体部品、電磁遮蔽材料等として有用である。
法によれば、従来法に比べて中性状態においても高電導
度を有する重合体を得ることができ、得られた重合体は
電気・電子工業の分野において電極、太陽電池、電気的
接続、半導体部品、電磁遮蔽材料等として有用である。
実 施 例 以下、実施例をあげて本発明を更に詳細に説明する。な
お、以下の例において、赤外吸収スペクトルには、ニコ
レー社製、60SX−FT−IRスペクトルメーターを用いて測
定し、ゲルパーミエーションクロマトグラフは、日立製
作所製、モデル665型高速液体クロマトグラフを使用
し、カラムは昭和電工（株）社製、ショウデックスGPC
A−802及びＡ−804を用いて、クロロホルムを溶媒とし
て、温度25℃、流量1.0ml/minで測定した。また、電導
度は４端子法により室温で測定した。ヨウ素ドープ後の
電導度は、ポリイソチアナフテンを一夜ヨウ素蒸気に曝
露した後、４端子法により室温で測定した。
お、以下の例において、赤外吸収スペクトルには、ニコ
レー社製、60SX−FT−IRスペクトルメーターを用いて測
定し、ゲルパーミエーションクロマトグラフは、日立製
作所製、モデル665型高速液体クロマトグラフを使用
し、カラムは昭和電工（株）社製、ショウデックスGPC
A−802及びＡ−804を用いて、クロロホルムを溶媒とし
て、温度25℃、流量1.0ml/minで測定した。また、電導
度は４端子法により室温で測定した。ヨウ素ドープ後の
電導度は、ポリイソチアナフテンを一夜ヨウ素蒸気に曝
露した後、４端子法により室温で測定した。
参考例 １ ポリ（ジヒドロイソチアナフテン）の製造 イソチアナフテン0.67g（5.0ミリモル）及びリチウムパ
ークロレート0.53g（5.0ミリモル）をアセトニトリル50
mlに溶解したものを電解質とし、白金板を対極及び作用
極とし、Ag/Ag+を参照極として室温において窒素雰囲気
下でAg/Ag+電極を基準に0.50Vの電圧を印加させ、0.41g
のポリ（ジヒドロイソチアナフテン）の白色沈殿を得
た。これを窒素雰囲気下で集し、脱酸素処理をしたア
セトニトリルで充分洗浄した後、真空乾燥した。赤外吸
収スペクトルは第１図に示したようにポリ（ジヒドロイ
ソチアナフテン）であることを示した。
ークロレート0.53g（5.0ミリモル）をアセトニトリル50
mlに溶解したものを電解質とし、白金板を対極及び作用
極とし、Ag/Ag+を参照極として室温において窒素雰囲気
下でAg/Ag+電極を基準に0.50Vの電圧を印加させ、0.41g
のポリ（ジヒドロイソチアナフテン）の白色沈殿を得
た。これを窒素雰囲気下で集し、脱酸素処理をしたア
セトニトリルで充分洗浄した後、真空乾燥した。赤外吸
収スペクトルは第１図に示したようにポリ（ジヒドロイ
ソチアナフテン）であることを示した。
このようにして得られたポリ（ジヒドロイソチアナフテ
ン）をクロロホルムに溶解し、ゲルパーミエーションク
ロマト分析を行なったところ、分子量はポリスチレンに
換算して５×107であることが確かめられた。また、こ
のポリ（ジヒドロイソチアナフテン）の室温における電
導度を測定したところ10-8S/cm以下であった。
ン）をクロロホルムに溶解し、ゲルパーミエーションク
ロマト分析を行なったところ、分子量はポリスチレンに
換算して５×107であることが確かめられた。また、こ
のポリ（ジヒドロイソチアナフテン）の室温における電
導度を測定したところ10-8S/cm以下であった。
実施例１ 液相法によるポリイソチアナフテンの製造 第１表に示した電解質及び参考例１で得られたポリ（ジ
ヒドロイソチアナフテン）を所定濃度で脱酸素処理した
溶媒に溶解したものを電解液とし、白金板を作用極及び
対極とし、Ag/Ag+を参照極として、窒素雰囲気下でAg/A
g+電極を基準に0.50Vの電圧を印加させたところ、作用
極上及び電解液に沈殿として黒青色の生成物が析出し
た。次いで、第１表に示した所定の電気量を通電後、作
用極上及び電解液に沈殿として生成したものを集し、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンにて洗浄した後、塩化メチ
レンにて十分洗浄し真空乾燥した。
ヒドロイソチアナフテン）を所定濃度で脱酸素処理した
溶媒に溶解したものを電解液とし、白金板を作用極及び
対極とし、Ag/Ag+を参照極として、窒素雰囲気下でAg/A
g+電極を基準に0.50Vの電圧を印加させたところ、作用
極上及び電解液に沈殿として黒青色の生成物が析出し
た。次いで、第１表に示した所定の電気量を通電後、作
用極上及び電解液に沈殿として生成したものを集し、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンにて洗浄した後、塩化メチ
レンにて十分洗浄し真空乾燥した。
更に、この乾燥重合体を0.1Nの水酸化ナトリウム水溶液
200mlに添加して室温で10時間撹拌した後、集し、水
にて十分洗浄した後で真空乾燥した。この乾燥重合体を
熱メタノール、熱塩化メチレン、次いで熱クロロベンゼ
ンで抽出し、黒青色の重合体を得た。実施例１−１で得
られた黒青色の重合体の赤外吸収スペクトルは、第２図
に示すようにイソチアナフテンを電気化学的に重合した
ポリイソチアナフテンの赤外吸収スペクトルと完全に一
致した。
200mlに添加して室温で10時間撹拌した後、集し、水
にて十分洗浄した後で真空乾燥した。この乾燥重合体を
熱メタノール、熱塩化メチレン、次いで熱クロロベンゼ
ンで抽出し、黒青色の重合体を得た。実施例１−１で得
られた黒青色の重合体の赤外吸収スペクトルは、第２図
に示すようにイソチアナフテンを電気化学的に重合した
ポリイソチアナフテンの赤外吸収スペクトルと完全に一
致した。
実施例 ２ 固相法によるポリイソチアナフテンの製造 参考例１で得たポリ（ジヒドロイソチアナフテン）を窒
素雰囲気下で脱酸素したクロロホルムに溶解した後、白
金板にキャストし、ポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
を被覆した白金板を作製した。このものを作用極とし
て、対極に白金板、Ag/Ag+を参照極として、第２表に示
した電解質を所定の濃度で脱酸素処理をした溶媒に溶解
したものを電解液として、窒素雰囲気下でAg/Ag+電極を
基準に0.65Vの電圧を印加させたところ、作用極上に被
覆された白色の膜が青色へ変化し、作用極に被覆された
ままの形状で得られた。第２表に示した所定の電気量を
通電後、電極を取り出し、アセトニトリルで洗浄後、0.
1モル／をリチウムパークロレートを含む脱酸素処理
をしたアセトニトリル溶液にて、Ag/Ag+電極を基準に−
0.80V印加し、電気化学的に酸化時にドープされたアニ
オンを脱ドープした後、再びアセトニトリルで充分洗浄
し真空乾燥した。
素雰囲気下で脱酸素したクロロホルムに溶解した後、白
金板にキャストし、ポリ（ジヒドロイソチアナフテン）
を被覆した白金板を作製した。このものを作用極とし
て、対極に白金板、Ag/Ag+を参照極として、第２表に示
した電解質を所定の濃度で脱酸素処理をした溶媒に溶解
したものを電解液として、窒素雰囲気下でAg/Ag+電極を
基準に0.65Vの電圧を印加させたところ、作用極上に被
覆された白色の膜が青色へ変化し、作用極に被覆された
ままの形状で得られた。第２表に示した所定の電気量を
通電後、電極を取り出し、アセトニトリルで洗浄後、0.
1モル／をリチウムパークロレートを含む脱酸素処理
をしたアセトニトリル溶液にて、Ag/Ag+電極を基準に−
0.80V印加し、電気化学的に酸化時にドープされたアニ
オンを脱ドープした後、再びアセトニトリルで充分洗浄
し真空乾燥した。
このようにして得られた重合体の赤外吸収スペクトルは
第２図に示したものと完全に一致した。
第２図に示したものと完全に一致した。
第１図は参考例１で得られたポリ（ジヒドロイソチアナ
フテン）の赤外吸収スペクトル図である。第２図は実施
例１−１で得られたポリイソチアナフテンの赤外吸収ス
ペクトル図である。
フテン）の赤外吸収スペクトル図である。第２図は実施
例１−１で得られたポリイソチアナフテンの赤外吸収ス
ペクトル図である。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素または炭素数１
〜５の炭化水素基を表わし、ｎは正の整数である〕 で表わされるポリ（ジヒドロイソチアナフテン）構造を
有する重合体を電気化学的に酸化させることを特徴とす
るイソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028144A JPH07121983B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028144A JPH07121983B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63196622A JPS63196622A (ja) | 1988-08-15 |
| JPH07121983B2 true JPH07121983B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=12240567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62028144A Expired - Fee Related JPH07121983B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121983B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263824A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-26 | Toyobo Co Ltd | 導電性成形体の製造方法 |
| US5510457A (en) * | 1995-04-24 | 1996-04-23 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| US5696206A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-09 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62028144A patent/JPH07121983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63196622A (ja) | 1988-08-15 |
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Legal Events
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