JPH07120890B2 - セラミック振動共振子を用いた共振器 - Google Patents
セラミック振動共振子を用いた共振器Info
- Publication number
- JPH07120890B2 JPH07120890B2 JP1198699A JP19869989A JPH07120890B2 JP H07120890 B2 JPH07120890 B2 JP H07120890B2 JP 1198699 A JP1198699 A JP 1198699A JP 19869989 A JP19869989 A JP 19869989A JP H07120890 B2 JPH07120890 B2 JP H07120890B2
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- JP
- Japan
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- resonator
- dielectric
- ceramic
- ceramic resonator
- tetrafluoroethylene
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、セラミック振動共振子を用いた共振器に関す
る。
る。
［従来の技術］ 最近、マイクロ波帯を扱う装置の小型化に伴って、誘電
体共振器が広く使用されている。この誘電体共振器は、
主に、局部発振回路の周波数安定化共振素子として使用
され、円筒形共振器タイプ、導波管タイプのものが知ら
れている。
体共振器が広く使用されている。この誘電体共振器は、
主に、局部発振回路の周波数安定化共振素子として使用
され、円筒形共振器タイプ、導波管タイプのものが知ら
れている。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、誘電体共振器を高Ｑ、低損失であってさらに
小型化したいという要望が有るが、上記従来の誘電体共
振器では、その性能を維持しつつ小型化することには限
界があり、その要望を満たすことができないという問題
がある。
小型化したいという要望が有るが、上記従来の誘電体共
振器では、その性能を維持しつつ小型化することには限
界があり、その要望を満たすことができないという問題
がある。
本発明は、セラミック共振子の機械的振動を抑制する必
要がなく、したがって、効率的に伝達放射することがで
き、より高いＱを得ることができるセラミック振動共振
子を用いた共振器を提供することを目的とするものであ
る。
要がなく、したがって、効率的に伝達放射することがで
き、より高いＱを得ることができるセラミック振動共振
子を用いた共振器を提供することを目的とするものであ
る。
［課題を解決する手段］ 本発明は、誘電体の中空部、または、２つの誘電体の間
に、セラミック共振子を保持し、上記誘電体と上記セラ
ミック共振子との間に多孔質材料を設けたものである。
に、セラミック共振子を保持し、上記誘電体と上記セラ
ミック共振子との間に多孔質材料を設けたものである。
［作用］ 本発明は、誘電体の中空部、または、２つの誘電体の間
に、セラミック共振子を保持し、上記誘電体と上記セラ
ミック共振子との間に多孔質材料を設けたので、セラミ
ック共振子の機械的振動を抑制する必要がなく、したが
って、効率的に伝達放射することができ、より高いＱを
得ることができる。
に、セラミック共振子を保持し、上記誘電体と上記セラ
ミック共振子との間に多孔質材料を設けたので、セラミ
ック共振子の機械的振動を抑制する必要がなく、したが
って、効率的に伝達放射することができ、より高いＱを
得ることができる。
［実施例］ 第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
この実施例は、２枚の平行金属板10a、10bの間に４ふっ
化エチレン樹脂（PTFE）20が接合され、この４ふっ化エ
チレン樹脂20に長円形状の中空部30が設けられている。
化エチレン樹脂（PTFE）20が接合され、この４ふっ化エ
チレン樹脂20に長円形状の中空部30が設けられている。
中空部30の内壁には多孔質材料40a、40bが設けられ、こ
れら多孔質材料40a、40bの間に円柱形状のセラミック共
振子50が設けられている。多孔質材料40a、40bとして
は、多孔質PTFE（Ｅ−PTFE）が好ましい。
れら多孔質材料40a、40bの間に円柱形状のセラミック共
振子50が設けられている。多孔質材料40a、40bとして
は、多孔質PTFE（Ｅ−PTFE）が好ましい。
なお、金属板10a、４ふっ化エチレン樹脂20、多孔質材
料40a、セラミック共振子50、多孔質材料40b、４ふっ化
エチレン樹脂20、金属板10bは、互いにテフロン系の接
着剤で接着されている。なお、損失がそれほど問題にな
らなければ、テフロン系の接着剤の代わりにエポキシ系
の接着剤を使用してもよい。
料40a、セラミック共振子50、多孔質材料40b、４ふっ化
エチレン樹脂20、金属板10bは、互いにテフロン系の接
着剤で接着されている。なお、損失がそれほど問題にな
らなければ、テフロン系の接着剤の代わりにエポキシ系
の接着剤を使用してもよい。
中空部30には、中心導体としての同軸アンテナ1a、1bが
設置されている。
設置されている。
金属板10a、10bは、シールド、保護、セラミック共振子
の位置を保つためのものである。多孔質材料40a、40b
は、機械的振動を吸収するクッション層の役割を果た
し、このクッション層に空気が自由に入るので、その電
気的特性が優れる（高Ｑになる）。
の位置を保つためのものである。多孔質材料40a、40b
は、機械的振動を吸収するクッション層の役割を果た
し、このクッション層に空気が自由に入るので、その電
気的特性が優れる（高Ｑになる）。
第２図は、上記実施例における４ふっ化エチレン樹脂20
の斜視図である。
の斜視図である。
上記の構成にすることによって、高Ｑになり、損失が少
なく、共振器全体が軽量かつ小型になる。その形状は、
従来の誘電体共振器の約1/2〜1/3になる。また、上記の
ように４ふっ化エチレン樹脂を一体で成型し、その中空
部30にセラミック共振子50を設置するようにすれば、セ
ラミック共振子50の取付位置の誤差が少ない。
なく、共振器全体が軽量かつ小型になる。その形状は、
従来の誘電体共振器の約1/2〜1/3になる。また、上記の
ように４ふっ化エチレン樹脂を一体で成型し、その中空
部30にセラミック共振子50を設置するようにすれば、セ
ラミック共振子50の取付位置の誤差が少ない。
なお、中空部30は長円形を成しているが、長方形等の他
の形状であってもよい。
の形状であってもよい。
ところで、誘電体としての４ふっ化エチレン樹脂20は、
金属板10a、10bとセラミック共振子50との間隔を維持す
るスペーサである。
金属板10a、10bとセラミック共振子50との間隔を維持す
るスペーサである。
第３図は、本発明の他の実施例の縦断面図である。
この実施例において、金属板11の内壁に、２つの４ふっ
化エチレン樹脂21a、21bが接着剤で接着され、４ふっ化
エチレン樹脂21a、21bの対向面に多孔質材料41a、41bが
設けられ、これら多孔質材料41a、41bの間に円柱形のセ
ラミック共振子51が取付けられている。そして、金属板
11内の中空部31には、同軸アンテナ2a、2bが取付けられ
る。
化エチレン樹脂21a、21bが接着剤で接着され、４ふっ化
エチレン樹脂21a、21bの対向面に多孔質材料41a、41bが
設けられ、これら多孔質材料41a、41bの間に円柱形のセ
ラミック共振子51が取付けられている。そして、金属板
11内の中空部31には、同軸アンテナ2a、2bが取付けられ
る。
上記各構成要素は、互いにテフロン系の接着剤で接着さ
れ、その損失がそれほど問題なければ、エポキシ系の接
着剤で接着するようにしてもよい。
れ、その損失がそれほど問題なければ、エポキシ系の接
着剤で接着するようにしてもよい。
ところで、誘電体としての４ふっ化エチレン樹脂21a、2
1bは、金属板11とセラミック共振子51との間隔を維持す
るスペーサである。
1bは、金属板11とセラミック共振子51との間隔を維持す
るスペーサである。
第４図は、第３図に示す実施例における４ふっ化エチレ
ン樹脂21a、21bの斜視図である。
ン樹脂21a、21bの斜視図である。
第３、４図に示す実施例においては、４ふっ化エチレン
樹脂21a、21bが平行して設けられているが、この２つの
４ふっ化エチレン樹脂21a、21bのたとえば右端に縦方向
に４ふっ化エチレン樹脂を設け、いわゆるコ字状に４ふ
っ化エチレン樹脂を構成するようにしてもよい。また、
上記コ字状の４ふっ化エチレン樹脂に別の４ふっ化エチ
レン樹脂をその左端にも設け、４ふっ化エチレン樹脂を
額縁状に構成するようにしてもよい。
樹脂21a、21bが平行して設けられているが、この２つの
４ふっ化エチレン樹脂21a、21bのたとえば右端に縦方向
に４ふっ化エチレン樹脂を設け、いわゆるコ字状に４ふ
っ化エチレン樹脂を構成するようにしてもよい。また、
上記コ字状の４ふっ化エチレン樹脂に別の４ふっ化エチ
レン樹脂をその左端にも設け、４ふっ化エチレン樹脂を
額縁状に構成するようにしてもよい。
さらに、多孔質材料40a、40b、41a,41bの代わりに、４
ふっ化エチレン樹脂を使用するようにしてもよい。
ふっ化エチレン樹脂を使用するようにしてもよい。
また、第１図の実施例から多孔質材料40a、40bを削除
し、セラミック共振子50を４ふっ化エチレン樹脂20の内
面に接着するようにしてもよい。この場合、中空部30の
高さをセラミック共振子50とほぼ同じにする。上記と同
様に、第３図の実施例から多孔質材料41a、41bを削除
し、セラミック共振子51を４ふっ化エチレン樹脂21a、2
1bの対向面に接着するようにしてもよい。このようにす
ると、電気的特性（Ｑ）が多少低下するが、従来の誘電
体共振器よりも共振器全体の形状を小さくすることがで
きる。
し、セラミック共振子50を４ふっ化エチレン樹脂20の内
面に接着するようにしてもよい。この場合、中空部30の
高さをセラミック共振子50とほぼ同じにする。上記と同
様に、第３図の実施例から多孔質材料41a、41bを削除
し、セラミック共振子51を４ふっ化エチレン樹脂21a、2
1bの対向面に接着するようにしてもよい。このようにす
ると、電気的特性（Ｑ）が多少低下するが、従来の誘電
体共振器よりも共振器全体の形状を小さくすることがで
きる。
また上記実施例において、４ふっ化エチレン樹脂20、21
a、21bはその誘電率が2.1〜2.04であり、多孔質材料40
a、40b、41a、41bはその誘電率が1.3以上である。した
がって、上記実施例は、円柱のセラミック共振子50また
は51を誘電率2.1以下の誘電体で保持したものである。
a、21bはその誘電率が2.1〜2.04であり、多孔質材料40
a、40b、41a、41bはその誘電率が1.3以上である。した
がって、上記実施例は、円柱のセラミック共振子50また
は51を誘電率2.1以下の誘電体で保持したものである。
なお、４ふっ化エチレン樹脂20、21a、21bの代わりに、
４ふっ化エチレン樹脂に30重量％以下の中空ガラスバル
ブスを混合して成型した誘電体を使用するようにしても
よい。このようにして成型した誘電体の誘電率は、1.8
〜1.7である。
４ふっ化エチレン樹脂に30重量％以下の中空ガラスバル
ブスを混合して成型した誘電体を使用するようにしても
よい。このようにして成型した誘電体の誘電率は、1.8
〜1.7である。
［発明の効果］ 本発明によれば、セラミック共振子の機械的振動を抑制
する必要がなく、したがって、効率的に伝達放射するこ
とができ、より高いＱを得ることができるという効果を
奏する。
する必要がなく、したがって、効率的に伝達放射するこ
とができ、より高いＱを得ることができるという効果を
奏する。
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。 第２図は、上記実施例における４ふっ化エチレン樹脂20
の斜視図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 第４図は、第３図に示す実施例における４ふっ化エチレ
ン樹脂21a、21bの斜視図である。 10a、10b、11……金属板、 20、21a、21b……４ふっ化エチレン樹脂、 30、31……中空部、 40a、40b、41a、41b……多孔質材料、 50、51……共振子。
の斜視図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 第４図は、第３図に示す実施例における４ふっ化エチレ
ン樹脂21a、21bの斜視図である。 10a、10b、11……金属板、 20、21a、21b……４ふっ化エチレン樹脂、 30、31……中空部、 40a、40b、41a、41b……多孔質材料、 50、51……共振子。
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体の中空部、または、２つの上記誘電
体の間に、セラミック共振子を保持し、上記誘電体と上
記セラミック共振子との間に多孔質材料が設けられてい
ることを特徴とするセラミック振動共振子を用いた共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198699A JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198699A JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362701A JPH0362701A (ja) | 1991-03-18 |
| JPH07120890B2 true JPH07120890B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16395558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198699A Expired - Lifetime JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10317289B2 (en) * | 2014-09-10 | 2019-06-11 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Thermal well for transformer and methods |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204601A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | 二重モ−ドフイルタ |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198699A patent/JPH07120890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362701A (ja) | 1991-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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