JPH07117695B2 - 輻射線感応性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、放射線感応性材料に関する。

先行技術とその問題点 従来、輻射線の一種である光の照射によって機能する光
機能材料には多くのものが知られているが、光機能材料
にはその機能発現の作用機構により、いくつかの群に分
類される。

例えば、材料自身は光センサーとして機能し、受け取っ
た光のエネルギーを後続のプロセスで有効利用するも
の、材料自身が光反応を起こし、その結果とし色素等の
有用物を形成（もしくは形成不能になる）するもの、材
料が光反応により顕著な物性変化を起こし、その変化を
有効利用するもの等が知られている。光センサーとして
機能するものとしては銀塩写真におけるハロゲン化銀と
電子写真における光導電体がその代表であり両者とも優
れた画像形成技術として確固たる地位を築いている。し
かし、これらのシステムは画像形成の処理が煩雑なこ
と、あるいはフルカラー化のためのシステムが複雑にな
ること等の問題点を有しており、さらに簡易な画像形成
法が望まれていた。

また、光機能材料が光反応を起こして有用物を形成ない
し消失するものとしてはジアゾニウム塩やアジド化合
物、四臭化炭素と芳香族アミンから成るラジカル写真組
成物等の感光性材料を用いたカラー画像形成法、有機金
属化合物や電荷移動錯体の光イオン化反応等による画像
形成法などが知られているが、この群に属するものの一
般的特性として材料の安定性が乏しく、また形成できる
有用物が限られるという問題点がある。

一方光レドックス反応を利用した画像形成系は、コバル
ト（III）錯体と光還元剤を組合せた系（特開昭50−139
722、同50−139723、同50−139724）、テルル（IV）化
合物と光還元剤を組合せた系（特開昭50−45622、同50
−150427）、銅錯体と光還元剤を組合せた系（米国特許
３、859,092、同3,860,500、同3,860,501）などがあ
る。光レッドクス反応は材料の安定性は良好であり、本
発明の一般式（Ｉ）の化合物と、該化合物と光レッドク
ス反応で酸化還元カップルを形成する光還元剤とを組合
した系は、発現出来る機能が従来の技術に比較して広
い。

また、光機能材料のうち光反応の結果として顕著な物性
変化を起こすものにも広範な材料が知られている。

製版用感光性樹脂としては重クロム酸塩を感光材料に用
いた系、ポリケイヒ酸ビニルの光架橋反応を用いた系、
アジド化合物とノボラック樹脂の混合系、光重合開始剤
とビニル系モノマーを組合わせた系、ジアゾニウム塩ポ
リマーを用いた系、Ｏ−キノンジアジド類とはノボラッ
ク樹脂を組合わせた系、シリコン樹脂の側鎖にアクリロ
イル基やケイヒ酸基を導入した系などが実用されてい
る。またこれらの感光性材料は製版材料以外にもUV硬化
性インクや塗料等にも用いられている。この群に属する
ものの大部分は光反応の結果、重合や架橋を起こし、不
溶化するものであるが、逆に、光の当たった部分が可溶
化する、いわゆるポジ型の感光材料でUV光に感じ、有用
なものは現在のところ、Ｏ−キノンジアジド類のみであ
り、新たなポジ型感光材料の出現が望まれていた。

II 発明の目的 本発明の目的は、輻射線の照射によって種々の機能を発
現することが可能な輻射線感応材料を提供することにあ
る。

III 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は下記一般式（Ｉ）で表わされる化合
物、及び該化合物と酸化還元カップルを形成しうる光還
元剤を含むことを特徴とする輻射線感応性材料である。

一般式（Ｉ） ｛上記一般式（Ｉ）において、Ｎは窒素原子を表わし、
Ｘは酸素原子（‐O-）、イオウ原子（‐S-）、または窒
素原子を含む基 を表わす。ここでR⁴は、単なる結合手、置換もしくは非
置換のアルキル基、アリール基、複素環基もしくはアシ
ル基、または置換もしくは非置換のアルキル基もしくは
アリール基を導入したスルホニル基を表わす。R³は置換
もしくは非置換のアリール基もしくは複素環基を表わ
す。R⁵はＸ、‐（Ｃ＝０）‐と結合し、窒素原子を含め
て五ないし八員の単環または縮環の複素環を形成する原
子群を表わす。

UGは、輻射線を照射された光還元剤と酸化還元カップル
を形成することにより生ずるＮ−Ｘ結合の開裂をひきが
ねとして放出される基を表わす。

また、実線は結合を、破線はそのうちの少なくとも１つ
が結合していることを表わす。｝」 さらに詳しく説明すると、R³はハメットλｐ値で正の値
を有する基によって一つ以上置換されたアリール基ある
いは複素環基であることが好ましい。

ハメットのλｐ値が正のものの例としては置換あるいは
無置換のカルバモイル基、スルホニル基、スルファモイ
ル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アンモニオ
基、アゾ基、スルフィニル基あるいはニトロ基、シアノ
基、トリフルオロメチル基、ニトロソ基、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子などが挙げられる。

アリール基、複素環基の例としては、フェニル基、ナフ
チル基、アンスラニル基、ピリジル基、ピラジル基、ピ
リミジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル
基、イミダゾリル基、チアゾリル基、アザインデニル
基、インデニル基、ピロリル基、フエニルチオ基、など
が挙げられる。

R³の好ましい例としては少なくとも一つ以上の電子吸引
性基によって置換されたアリール基、例えば、４−ニト
ロフェニル基、２−ニトロフェニル基、２−ニトロ−４
−Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−オクチルスルファモイルフェニ
ル基、２−ニトロ−４−Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ヘキサデ
シルスルファモイルフェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−
メチル−Ｎ−（３−カルボキシプロピル）スルファモイ
ルフェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−エチル−Ｎ−（２
−スルホエチル）スルファモイルフェニル基、２−ニト
ロ−４−Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ−（３−スルホプロ
ピル）スルファモイルフエニル基、２−ニトロ−４−Ｎ
−（２−シアノエチル）−Ｎ−（（２−ヒドロキシエト
キシ）エチル）スルファモイルフェニル基、２−ニトロ
−４−ジエチルスルファモイルフェニル基、２−ニトロ
−４−ジ−ｎ−ブチルスルファモイルフェニル基、２−
ニトロ−４−ジ−ｎ−オクチルスルファモイルフェニル
基、２−ニトロ−４−メチルスルファモイルフェニル
基、２−ニトロ−４−ｎ−ヘキサデシルスルファモイル
フェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−メチル−Ｎ−（４−
ドデシルスルホニルフェニル）スルファモイルフェニル
基、２−ニトロ−４−（３−メチルスルファモイルフェ
ニル）スルファモイルフェニル基、４−ニトロ−２−Ｎ
−メチル−Ｎ−ｎ−ドデシルスルファモイルフェニル
基、４−ニトロ−２−Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−オクタデシ
ルスルファモイルフェニル基、４−ニトロ−２−ジエチ
ルスルファモイルフェニル基、４−ニトロ−２−ジ−ｎ
−オクタデシルスルファモイルフェニル基、２−ニトロ
−４−クロロフェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−メチル
−Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルフェニル基、２−ニトロ
−４−Ｎ−メチル−Ｎ−（３−カルボキシプロピル）カ
ルバモイルフェニル基、２−ニトロ−４−ジエチルカル
バモイルフェニル基、２−ニトロ−４−ジ−ｎ−オクチ
ルカルバモイルフェニル基、２−ニトロ−４−メチルカ
ルバモイルフェニル基、２−ニトロ−４−ｎ−ヘキサデ
シルカルバモイルフェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−メ
チル−Ｎ−（４−ドデシルスルホニルフェニル）カルバ
モイルフェニル基、４−ニトロ−２−Ｎ−メチル−Ｎ−
ｎ−ブチルカルバモイルフェニル基、４−ニトロ−２−
Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルフェニル
基、４−ニトロ−２−Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ヘキサデシ
ルカルバモイルフェニル基、４−ニトロ−２−Ｎ−エチ
ル−Ｎ−（２−スルホエチル）カルバモイルフェニル
基、４−ニトロ−２−ｎ−ヘキサデシルカルバモイルフ
ェニル基、４−ニトロ−２−Ｎ−メチル−Ｎ−（４−ド
デシルスルホニルフェニル）カルバモイルフェニル基、
2,4−ジメタンスルホニルフェニル基、２−メタンスル
ホニル−４−ベンゼンスルホニルフェニル基、２−ｎ−
オクタンスルホニル−４−メタンスルホニルフェニル
基、２−ｎ−テトラデカンスルホニル−４−メタンスル
ホニルフェニルフェニル基、２−ｎ−ヘキサデカンスル
ホニル−４−メタンスルホニルフェニル基、2,4−ジ−
ｎ−ドデカンスルホニルフェニル基、2,4−ジドデカン
スルホニル−５−トリフルオロメチルフェニル基、２−
ｎ−デカンスルホニル−４−シアノ−５−トリフルオロ
メチルフェニル基、２−シアノ−４−メタンスルホニル
フェニル基、2,4,6−トリシアノフェニル基、2,4−ジシ
アノフェニル基、２−ニトロ−４−メタンスルホニルフ
ェニル基、２−ニトロ−４−ｎ−ドデカンスルホニルフ
ェニル基、２−ニトロ−４−（２−スルホエチルスルホ
ニル）フェニル基、２−ニトロ−４−カルボキシメチル
スルホニルフェニル基、２−ニトロ−４−カルボキシフ
ェニル基、２−ニトロ−４−エトキシカルボニル−５−
ｎ−ブトキシフェニル基、２−ニトロ−４−エトキシカ
ロボニル−５−ｎ−ヘキサデシルオキシフェニル基、２
−ニトロ−４−ジエチルカルバモイル−５−ｎ−ヘキサ
デシルオキシフェニル基、２−ニトロ−４−シアノ−５
−ｎ−ドデシルフェニル基、2,4−ジニトロフェニル
基、２−ニトロ−４−ｎ−デシルチオフェニル基、3,5
−ジニトロフェニル基、２−ニトロ−3,5−ジメチル−
４−ｎ−ヘキサデカンスルホニル基、４−メタンスルホ
ニル−２−ベンゼンスルホニルフェニル基、４−ｎ−オ
クタンスルホニル−２−メタンスルホニルフェニル基、
４−ｎ−テトラデカンスルホニル−２−メタンスルホニ
ルフェニル基、2,5−ジドデカンスルホニル−４−トリ
フルオロメチルフェニル基、４−ｎ−デカンスルホニル
−２−シアノ−５−トリフルオロメチルフェニル基、４
−シアノ−２−メタンスルホニルフェニル基、４−ニト
ロ−２−メタンスルホニルフェニル基、４−ニトロ−２
−ｎ−ドデカンスルホニルフェニル基、４−ニトロ−２
−（２−スルホエチルスルホニル）フェニル基、４−ニ
トロ−２−カルボキシメチルスルホニルフェニル基、４
−ニトロ−２−カルボキシフェニル基、４−ニトロ−２
−エトキシカロボニル−５−ｎ−ヘキサデシルオキシフ
ェニル基、４−ニトロ−２−ジエチルカルバモイル−５
−ｎ−ヘキサデシルオキシフェニル基、４−ニトロ−２
−ｎ−デシルチオフェニル基、４−ニトロ3,5−ジメチ
ル−２−ｎ−ヘキサデカンスルホニル基、４−ニトロナ
フチル基、2,4−ジニトロナフチル基、４−ニトロ−２
−ジオクチルカルバモイル−５−（３−スルホベンゼン
スルホニルアミノ）ナフチル基、2,3,4,5、６−ペンタ
フルオロフェニル基、２−ニトロ−４−ベンゾイルフェ
ニル基、2,4−ジアセチルフェニル基、２−ニトロ−４
−トリフルオロメチルフェニル基、４−ニトロ−２−ト
リフルオロメチルフェニル基、４−ニトロ−３−トリフ
ルオロメチルフェニル基、2,4,5−トリシアノフェニル
基、3,4−ジシアノフェニル基、２−クロロ−4,5−ジシ
アノフェニル基、２−ブロモ−4,5−ジシアノフェニル
基、４−メタンスルホニル基、４−ｎ−ヘキサデカンス
ルホニルフエニル基、２−デカンスルホニル−５−トリ
フルオロメチルフェニル基、２−ニトロ−５−メチルフ
ェニル基、２−ニトロ−５−ｎ−オクタデシルオキシフ
ェニル基、２−ニトロ−４−Ｎ−（ビニルスルホニルエ
チル）−Ｎ−メチルスルファモイルフェニル基、２−メ
チル−６−ニトロベンツオキサゾール−５−イル基、な
ど。

複素環基の例としては、例えば、２−ピリジル基、３−
ピリジル基、４−ピリジル基、５−ニトロ−２−ピリジ
ル基、５−ニトロ−Ｎ−ヘキサデシルカルバモイル−２
−ピリジル基、3,5−ジシアノ−２−ピリジル基、５−
ドデカンスルホニル−２−ピリジル基、５−シアノ−２
−ピラジル基、４−ニトロチオフェン−２−イル基、５
−ニトロ−1,2−ジメチルイミダゾール−４−イル基、
３、５−ジアセチル−２−ピリジル基、１−ドデシル−
５−カルバモイルピリジニウム−２−イル基、５−ニト
ロ−２−フリル基、５−ニトロベンツチアゾール−２−
イル基、など）が挙げられる。

R⁴はR³と同様にアリール基または複素環基であってもか
まわないが、アシル基、アルキル基、スルホニル基であ
っても良い。

R³、R⁴がアリール基、複素環基以外の例としては、アル
キル基、アラルキル基（置換されてもよいアルキル基、
アラルキル基。例えば、メチル基、トリフルオロメチル
基、ベンジル基、クロロメチル基、ジメチルアミノメチ
ル基、エトキシカルボニルメチル基、アミノメチル基、
アセチルアミノメチル基、エチル基、２−（４−ドデカ
ノイルアミノフェニル）エチル基、カルボキシエチル
基、アリル基、3,3,3−トリクロロプロピル基、ｎ−プ
ロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチ
ル基、sec−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、sec−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、シクロペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、sec−ヘキシル基、ｔ−ヘキシ
ル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、sec−オク
チル基、ｔ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシ
ル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペン
タデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、sec−ヘキサデシル
基、ｔ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｔ−オ
クタデシル基、など）、 アルケニル基（置換されてもよいアルケニル基。例え
ば、ビニル基、２−クロロビニル基、１−メチルビニル
基、２−シアノビニル基、シクロヘキセン−１−イル
基、など） アルキニル基（置換されてもよいアルキニル基。例え
ば、エチニル基、１−プロピニル基、２−エトキシカロ
ボニルエチニル基、など） アシル基（置換されてもよいアシル基。例えば、アセチ
ル基、プロピオニル基、ブチロイル基、iso−ブチロイ
ル基、２、２−ジメチルプロピオニル基、ベンゾイル
基、3,4−ジクロロベンゾイル基、３−アセチルアミノ
−４−メトキシベンゾイル基、４−メチルベンゾイル
基、４−メトキシ−３−スルホベンゾイル基、など）、 スルホニル基（置換されてもよいスルホニル基。例え
ば、メタンスルホニル基、エタンスホニル基、クロルメ
タンスルホニル基、プロパンスルホニル基、ブタンスル
ホニル基、ｎ−オクタンスルホニル基、ｎ−ドデカンス
ルホニル基、ｎ−ヘキサデカンスルホニル基、ベンゼン
スルホニル基、４−トルエンスルホニル基、４−ｎ−ド
デシルオキシベンゼンスルホニル基、など）、 カルバモイル基（置換されてもよいカルバモイル基。例
えば、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチ
ルカルバモイル基、ビス−（２−メトキシエチル）カル
バモイル基、ジエチルカルバモイル基、シクロヘキシル
カルバモイル基、ジ−ｎ−オクチルカルバミル基、３−
ドデシルオキシプロピルカルバモイル基、ヘキサデシル
カルバモイル基、３−（′2,4−ジ−ｔ−ペンチルフェ
ノキシ）プロピルカルバモイル基、３−オクタンスルホ
ニルアミノフェニルカルバモイル基、ジ−ｎ−オクタデ
シルカルバモイル基、など）があげられる。

R⁵が作る複素環の例を次に挙げる。

ここでR⁸、R⁹、R¹⁰は水素原子，アルキル基，アリール
基，またはヘテロ環基，等が好ましい。

R¹¹はアシル基、スルホニル基を表わす。

本発明の化合物は産業上に有用な基を画像状に、すばや
く、かつ効率よく放出するので、多くの用途が考えられ
るが、このような機能を応用しうる例として以下の例を
あげることが出来る。

本発明の化合物において、有用な基が拡散性の色素
である場合は、水又は溶剤又は混合溶剤による拡散転写
法、あるいは熱による熱拡散法により色素−画像の形成
が可能である。

本発明の化合物において、有用な基が金属錯体の配
位子である場合は水又は溶剤又は混合溶剤による拡散転
写法、あるいは熱拡散法により、金属錯体の画像の形成
が可能である。あるいは有用な基を持つ、本化合物を含
む層中において金属錯体の画像の形成が可能である。

本発明の化合物が水あるいは溶剤あるいは混合溶剤
に可溶であり、有用な基が水あるいは溶剤あるいは混合
溶剤に難溶又は不溶の時は、未露光部に残存する本発明
の化合物を溶出して有用な基にもとずく画像を形成しう
る。これによりパターン状の色素又は／およびUV吸収剤
又は／および赤外線吸収剤フイルターや、耐光性防止フ
イルター。

本発明の化合物において写真的に有用な基が、結合
時には無色化合物あるいは吸収波長を変化させた色素で
あって、放出後に有色化あるいは変色する化合物である
場合放出前後で色を変えることが出来る。従ってこれを
利用することにより、画像を形成することが出来る。

本発明の化合物において、有用な基がフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素の場合、ガラス又は・および二酸化け
い素又は／および、窒化けい素、又は／および一酸化け
い素又は／および、アルミニウム、アルミニウム合金、
鉄、鉄合金、銀などの合金、などを露光部においてエッ
チング出来る。これによりマイクロエレクトロニクステ
バイスにおけるマイクロリソグラフィーを可能にしたり
印刷版のマスターを作成しえたりする。

本発明の化合物において、有用な基が硫黄を含む場
合、露光部に対応した部位におえるパラジウム金属への
メッキ活性を失活しうる。あるいは露光部において、ニ
ッケル金属へのメッキ活性を上げうる、これによりプリ
ント配線への応用、パタンー状メッキが出来る。

本発明の化合物において、有用な基が色素を染着し
うる媒染サイトになりうる場合、露光部に対応した部位
において、媒染サイトに色素を染着させえて、色素像を
形成しうる。これによりカラーマイクロフイルターを形
成しうる。

本発明の化合物において、有用な基が塩基のプリカ
ーサーの場合、露光部において、ジアゾカップリングに
よるジアゾ色素の形成、あるいはジアゾ化合物による重
合を開始しうる。

これによりカラー画像又は重合物を画像を形成しうる。

本発明の化合物において、有用な基がマイクロリソ
グラフィーで用いられるパターン形成装置の光源（例え
ばｇ線）により褪色しうる場合は、コントラストエンハ
ンスメント（Contrast Enhancement）をパターン状に行
うことが出来てマイクロリソグラフィーによりより微細
なパターンを形成しうる。

以上述べた用途に使用可能な具体的化合物例を列挙する
が、本発明の範囲はこれら具体例に限定されるものでは
ない。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

で述べた用途に用いられる化合物例としては以下のも
のが挙げられる。

本発明に用いられる化合物の合成に関してはＸが酸素の
ものについては特開昭62−215270号に、Ｘが窒素原子を
含む基 である場合には特願昭62−34953号に、Ｘが硫黄原子で
ある場合には特開昭62−244048号、特願昭62−34954号
に記載されている合成法を参考にすることにより合成す
ることが出来る。

以下に合成例を述べる。

合成例１ 具体的化合物３−12の合成 ステップ１ ５−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシイソオキ
サゾールの合成 標記化合物は以下の文献、特許に記載の方法を参考にし
て容易に合成することが出来る。

三共研究所年報、22巻、215頁（1970）、特公昭52−967
5号、ブラタン ド ラ ソシエテ ケミク ド フラ
ンセ（Bulletin de la societe chimique de France）1
978頁、特開昭57−206668号、同57−206667号、テトラ
ヘドロン（Tetrahedron）、20巻、2835頁、（1964）、
特開昭58−194867号、同57−70878号、特公昭49−48953
号、特開昭59−190977号、ジャーナル オブ オルガニ
ック ケミストリー（Journal of Organic Chemistr
y）、48巻、4307頁（1983年）、Chemical and Pharmace
utical Bulletin、14巻、277頁、Heterocycles、12巻、
10号、1297頁、カナディアン ジャーナル オブ ケミ
ストリー（Canadian Journal of Chemistry）、62巻、1
940頁、特開昭59−501907号 ステップ２ ５−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシイソオキ
サゾールの合成 ヒドロキシルアミン塩酸塩583.7gを4N水酸化ナトリウム
水溶液２リットルに溶解し、氷冷下エタノール２リット
ルを添加し、更に4N水酸化ナトリウム−エタノール（1:
1）混合溶液を加えて溶液のpHを10.0に調節した。この
溶液にピバロイル酢酸エチルエステル1380gと4N水酸化
ナトリウム水溶液−エタノール（1:1）混合溶液を反応
溶液のpHが10.0±0.2、温度が０−５℃に調節して滴下
した。

滴下終了後、室温で２時間攪はんしたのち、０℃の濃塩
酸水6Kgに注ぎ12時間放置した。析出した結晶をろ取
し、十分に水洗したのち乾燥した。

収量770g、収率68.2％、融点99−101℃ ステップ３ Ｎ−ヘキサデシル−３−ニトロ−４−クロ
ロベンゼンスルホンアミドの合成 800gの３−ニトロ−４−クロルベンゼンスルホニルクロ
リドと1000mlのジクロロメタンを混合し、これにヘキサ
デシルアミン600g、トリエチルアミン251mlのジクロロ
メタン溶液を滴下した。反応終了後この反応溶媒を減圧
留去し3000mlのメタノールを加え加熱し溶解した後ゆっ
くり冷却すると結晶が析出した。この結晶をろ取し乾燥
した。

収量1020g、収率88％、融点91−93℃ ステップ４ Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデシル−３−ニト
ロ−４−クロロベンゼンスルホンアミドの合成 Ｎ−ヘキサデシル−３−ニトロ−４−クロロベンゼンン
スルホンアミド170gをアセトン640mlに溶解し、炭酸カ
リウム79g、ポリエチレングリコール400 6ml、ジメチ
ル硫酸71gを加え５時間加熱還流した。これにアセトン2
40mlを加え40℃で水870mlを滴下し室温まで冷却すると
結晶が析出した。結晶をろ取し、水、メタノールで洗い
乾燥した。

収量169g、収率97％、融点74−75℃ ステップ５ ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−ヘキサデ
シルスルファモイル−２−ニトロフェニル）４−イソオ
キサゾリン−３−オンの合成 Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデシル−３−ニトロ−４−クロ
ロベンゼンスルホンアミド470g、５−ｔ−ブチル−３−
ヒドロキシイソオキサゾール169g、炭酸カリウム168g、
ジメチルスルホキシド1.21を混合し65℃で６時間反応し
た。反応液を氷水に注ぎ析出した結晶をろ取し、水洗後
乾燥した。

収量576g、収率100％、融点67−68℃ ステップ６ ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−
（４−Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル−
２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３−オ
ンの合成 ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデ
シルスルファモイル−２−ニトロフェニル）−４−イソ
オキサゾリン−３−オン550g、塩化亜鉛200g、パラホル
ムアルデヒド200g、酢酸1.51を混合し、塩化水素ガスを
吹き込みながら10時間加熱還流した。冷却後、反応液を
水にあけ、析出した結晶をろ取し、アセトニトリル−メ
タノール（1:4）混合溶媒より再結晶した。

収量585g、収率96％、融点56℃ ステップ７ ５−ｔ−ブチル−４−（４−アセチルアミ
ノフェノキシメチル）−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−ヘ
キサデシルスルファモイル−２−ニトロフェニル）−４
−イソオキサゾリン−３−オンの合成 ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−（４−Ｎ−メ
チル−Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル−２−ニトロフ
ェニル）−４−イソキサゾリン−３−オン50g、４−ア
セチルアミノフェノール12.6g、炭酸カリウム13.4g、ア
セトン200ml、よう化ナトリウム1.0gを混合し、６時間
加熱還流した。冷却後反応混合物を水に注ぎ酢酸エチル
を加え抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後溶媒を減圧留去した。残さにメタノールを加え一晩放
置し析出した結晶をろ取した。

収量47.8g、収率80.8％ ステップ８ ５−ｔ−ブチル−４−（４−アミノフェノ
キシメチル）−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデシ
ルスルファモイル−２−ニトロフェニル）−４−イソオ
キサゾリン−３−オンの合成 例−６で合成した５−ｔ−ブチル−４−（４−アセチル
アミノフェノキシメチル）−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ
−ヘキサデシルスルファモイル−２−ニトロフェニル）
−４−イソオキサゾリン−３−オン45gとエタノール250
mlを混合し、これに水125ml、濃硫酸25mlを加え５時間
加熱還流した。反応終了後、冷却し析出した結晶をろ取
し、エタノールで洗浄した後乾燥した。元素分析の結
果、この結晶には硫酸が1/2分子含有されていた。

収量44.1g、融点℃250℃以上 ステップ９ 化合物例３−12の合成 ５−ｔ−ブチル−４−（４−アミノフェノキシメチル）
−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−ヘキサデシルスルファモ
イル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−
３−オン硫酸塩60gをジメチルアセトアミド200mlに溶解
し室温下濃塩酸15mlを加え氷冷した。この溶液に亜硝酸
ナトリウム9gの50ml水溶液を反応液の温度を10℃以下に
保ちながら滴下した。滴下後しばらくするとジアゾニウ
ム塩が析出しスラリー状になった。

一方、アセチルＨ酸30gを500mlのジメチルアセトアミド
に溶解し、ピリジン30mlを加え０℃に調整した溶液を作
っておき、これに氷冷下で先のジアゾニウム塩を徐々に
加えた。溶液は瞬時に赤色を呈した。添加終了後室温で
30分激しく攪はんし、希塩酸水に注ぎ析出した結晶をろ
取し、エタノールで洗浄した。得られた結晶をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで何度も精製し目的物を得
た。

収量22g、収率25％、融点260℃以上 合成例２ 具体的化合物６−９の合成 ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−（４−Ｎ−メ
チル−Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル−２−ニトロフ
ェニル）−４−イソオキサゾリン−３−オン250gと１−
フェニル−５−メルカプトテラゾール75gをアセトン500
mlに溶解し、炭酸カリウム60gを加え室温で２時間攪は
んした。反応混合物を稀塩酸水に注ぎ酢酸エチルエステ
ルで抽出し、抽出液を水洗後乾燥して減圧下濃縮した。
残さにエタノール11酢酸エチルエステル100mlを加え再
結晶した。

収量250g、収率82％、融点73−75℃ 合成例３ 具体的化合物例１−11の合成 ステップ１ Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシル−３−ニト
ロ−４−クロロベンズアミドの合成 102.7gの３−ニトロ−４−クロル安息香酸と800mlのア
セトニトリルを混合し、これに塩化チオニル68.6gを加
え、４時間加熱還流した。この溶液にトリエチルアミン
63.5gを加え、５℃とした。次いでメチルオクタデシル
アミン148.6gのクロロホルム溶液をこれに滴下した。反
応終了後、水を加え分液したのち、有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。無機物をろ別したのち溶媒を留去
し、アセトニトリル−メタノール（1:3）より再結晶し
た。

収量186g、収率76.0％、融点55−56℃ ステップ２ ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−
Ｎ−オクタデシルカルバモイル−２−ニトロフェニル）
−３−イソオキサゾロンの合成 34.1gのＮ−メチル−Ｎ−オクタデシル−３−ニトロ−
４−クロロベンツアミド、12.4gの５−ｔ−ブチル−３
−ヒドロキシイソオキサゾール、12.4gの炭酸カリウム
にジメチルホルムアミド300mlを加え100℃にて５時間反
応した。溶媒を減圧留去し酢酸エチルと水を加えて攪は
んした後有機層を取り、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで主生成物を分取した。ｎ−ヘキサン−酢酸エチ
ルより再結晶した。

収量18.0g、収率43.1％、融点64℃ ステップ３ ４−クロルメチル−５−ｔ−ブチル−２−
（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシルカルバモイル−２
−ニトロフェニル）−３−イソオキサゾロンの合成 ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデ
シルカルバモイル−２−ニトロフェニル）−３−イソオ
キサゾロン36g、パラホルムアルデニド5.7g、塩化亜鉛1
0.3gを酢酸250mlと混合し、塩化水素ガスを吹き込みな
がら、100℃20時間反応した。反応終了後、冷却し反応
混合物を氷水に注いだ。析出した固体をろ取しクロロホ
ルムに溶解しカラムクロマトグラフィーで精製した。

収量10.0g、収率25.6％、融点77℃ ステップ４ ４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ
フェノキシメチル）−５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−
メチル−Ｎ−オクタデシルカルバモイル−２−ニトロフ
ェニル）−３−イソオキサゾロンの合成 ４−クロルメチル−５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メ
チル−Ｎ−オクタデシルカルバモイル−２−ニトロフェ
ニル）−３−イソオキサゾロン10.0gと４−ｔ−ブトキ
シカルボニルアミノフェノール4.0g、炭酸カリウム3.0g
をアセトン100mlと混合し７時間加熱還流した。反応終
了後、アセトンを留去し酢酸エチルと水を加えて抽出し
た。有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製した。

収量9.0g、収率70.5％、 ステップ５ ４−（４−ｔ−アミノフェノキシメチル）
−５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタ
デシルカルバモイル−２−ニトロフェニル）−３−イソ
オキサゾロンの合成 ４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルアミノフェノキシメ
チル）−５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−
オクタデシルカルバモイル−２−ニトロフェニル）−３
−イソオキサゾロン5.4gを40mlのクロロホルムに溶解し
５℃に冷却した。ついで、これにトリフルオロ酢酸10ml
をゆっくり滴下した。徐々に室温とし10時間反応した。
反応終了後、反応混合物を重曹水に注ぎ、酢酸エチルで
抽出した。抽出物をシリカゲルフラッシュカラムクロマ
トグラフィーで精製した。

収量6.9g、収率90.8％、 ステップ６ 具体的化合物例１−11の合成 ４−（４−ｔ−アミノフェノキシ）メチル−５−ｔ−ブ
チル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシルカルバ
モイル−２−ニトロフェニル）−３−イソオキサゾロン
5.4gを40mlのクロロホルムに溶解し０℃に冷却した。こ
れにピリジン0.8gを加えたのち、下記化合物（ａ）3.1g
を添加し２時間反応した。反応終了後、クロロホルムを
留去し少量のジメチルホルムアミドに溶解しメタノール
を油状物が析出しない程度に加え、攪はんすると結晶が
析出した。この結晶をろ取し再度同様の精製を行った。

収量3.9g、収率46.5％、融点157−159℃ 合成例４ 具体的化合物例１−12の合成 ステップ１ エチル ４−クロロ−３−ニトロベンゾア
ートの合成 6gの４−クロロ−３−ニトロ安息香酸と17mlのメタノー
ルを混合し室温で攪はんした。これに濃硫酸0.6mlを加
えて、４時間還流した。反応終了後冷却し水を17ml加え
結晶をろ取した。

収量6.0g、収率93.5％、 ステップ２ ５−ｔ−ブチル−２−（４−エトキシカル
ボニル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン
−３−オンの合成 413.3gのエチル ４−クロロ−３−ニトロベンゾアー
ト、305gの５−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシイソオキサ
ゾール、11のジメチルスルホキシドを混合し攪はんし
た。これに300gの重曹を加え90℃で８時間反応した。つ
ぎに冷却し1.51のメタノールを加えさらに水3lを加えて
結晶を析出させ結晶をろ取した。

収量560.7g、収率93.2％、 ステップ３ ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−
（４−カルボキシ−２−ニトロフェニル）−４−イソオ
キサゾリン−３−オンの合成 300.9gの５−ｔ−ブチル−２−（４−エトキシカルボニ
ル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３
−オン、191.1gのパラホルムアルデヒド、191.1gの塩化
亜鉛、910mlの酢酸を混合し塩化水素ガスを吹き込みな
がらスチームバス上で４時間反応した。つぎに水500ml
を加え２時間反応した。つぎに濃塩酸500mlを加えさら
に３時間加熱した。この後に加熱を止め室温まで冷却し
た。析出した結晶をろ取し水洗したのち乾燥した。

収量319.3g、収率96％、 ステップ４ ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−
（４−ｎ−ヘキサデシルカルバモイル−２−ニトロフェ
ニル）−４−イソオキサゾリン−３−オンの合成 81.6gの５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−（４
−カルボキシ−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサ
ゾリン−３−オンと480mlの酢酸エチルを混合し−15℃
に冷却した。この懸濁液にトリエチルアミン32.6mlを滴
下した。つぎに−10℃以下に保ちながらエチルクロロカ
ーボナート22.0mlを滴下した。50分間反応したのちヘキ
サデシルアミン49gを添加した。−10℃で10分間反応し
たのち徐々に室温とし一夜放置した。つぎに水400mlを
くわえて分液し有機層を取り濃縮乾固した。残さをメタ
ノールより結晶化させた。

収量100.9g、収率75.9％、 ステップ５ ５−ｔ−ブチル−４−（４−アミノフェノ
キシメチル）−２−（４−ｎ−ヘキサデシルカルバモイ
ル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３
−オンの合成 ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−（４−ｎ−ヘ
キサデシルカルバモイル−２−ニトロフェニル）−４−
イソオキサゾリン−３−オン5.8g、炭酸カリウム1.4g、
アセトン40mlを混合し、0.4gのよう化ナトリウム、0.4m
lのポリエチレングリコールを添加した。これに４−ア
セチルアミノフェノール1.7gを加え５時間加熱還流し
た。反応終了後稀塩酸水を加えて晶析し結晶をろ取し
た。この結晶を取り出しエタノール40ml、濃塩酸20mlを
加えて４時間加熱還流した。冷却後攪はんすると結晶が
析出した。この結晶をろ取し、アセトニトリル、アセト
ンで洗浄した。

収量5.5g、収率79.4％、融点220℃以上 ステップ６ 化合物例１−12の合成 ５−ｔ−ブチル−４−（４−アミノフェノキシメチル）
−２−（４−ｎ−ヘキサデシルカルバモイル−２−ニト
ロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３−オン塩酸塩
150gと750mlのジメチルアセトアミド、化合物（ｂ）14
4.8gを混合し20℃以下に保ちながらピリジン51mlを滴下
した。室温で２時間攪はんしたのち、メタノール1500ml
を添加した。攪拌を続けながら、100mlの水をゆっくり
と滴下すると結晶が析出した。結晶をろ取し、メタノー
ルで洗浄後乾燥し目的物を得た。

収量198g、収率70.2g、融点180〜183℃ 合成例５ 具体的化合物例３−15の合成 ステップ１ Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシル−３−ニト
ロ−４−クロロベンゼンスルホンアミドの合成 100gの４−クロロ−３−ニトロベンゼンスルホニルクロ
リドを300mlのクロロホルムに溶解し、０℃に冷却し
た。これにメチルオクタデシルアミン84.3gのクロロホ
ルム溶液を滴下した。ついで、トリエチルアミン39,5g
を０℃−10℃に保ちながら滴下した。滴下終了後１時間
反応した後溶媒を留去しメタノール500mlを加え加熱溶
解し放冷し析出した結晶をろ取した。

収量109g、収率71.2％、融点86−87℃ ステップ２ ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−
Ｎ−オクタデシルスルファモイル−２−ニトロフェニ
ル）−４−イソオキサゾリン−３−オンの合成 Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシル−３−ニトロ−４−クロ
ロベンゼンスルホンアミド600g、５−ｔ−ブチル−３−
ヒドロキシイソオキサゾール202g、炭酸カリウム200g、
ジメチルスルホキシド1.81を混合し65℃で６時間反応し
た。反応液を氷水に注ぎ析出した結晶をろ取し、水洗後
乾燥した。

収量709g、収率98％、融点68−69℃ ステップ３ ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−
（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシルスルファモイル−
２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３−オ
ンの合成 ５−ｔ−ブチル−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデ
シルスルファモイル−２−ニトロフェニル）−４−４イ
ソオキサゾリン−３−イン650g、塩化亜鉛200g、パラホ
ルムアルデヒド200g、酢酸3.0lを混合し、塩化水素ガス
を吹き込みながら10時間加熱還流した。冷却後、反応液
を水にあけ、析出した結晶をろ取し、アセトニトリル−
メタノール（1:4）混合溶媒より再結晶した。

収量579g、収率82.4％、融点55−56℃ ステップ４ ５−ｔ−ブチル−４−｛Ｎ−エチル−Ｎ−（４−ホルミ
ル−３−メチルフェニル）アミノアセトキシメチル｝−
２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシルスルファモイ
ル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−３
−オンの合成 ５−ｔ−ブチル−４−クロロメチル−２−（４−Ｎ−メ
チル−Ｎ−オクタデシルスルファモイル−２−ニトロフ
ェニル）−４−イソオキサゾリン−３−オン6.2gを70ml
のジメチルスルホキシドに溶解し、これに４−（Ｎ−メ
チル−Ｎ−カルボキシメチルアミノ）−２−メチルベン
ツアルデヒド2.7g、炭酸カリウム1.7g、よう化ナトリウ
ム0.4gを混合し、６時間室温で反応した。反応液に水を
加え酢酸エチルで抽出した。有機層を２回水洗したのち
減圧下溶媒を留去した。残さをメタノールと少量のアセ
トニトリルより再結晶し目的物を得た。

収量7.2g、収率85.8％ ステップ５ 具体的化合物例３−15の合成 ５−ｔ−ブチル−−４−｛Ｎ−エチル−Ｎ−（４−ホル
ミル−３−メチルフェニル）アミノアセトキシメチル｝
−２−（４−Ｎ−メチル−Ｎ−オクタデシルスルファモ
イル−２−ニトロフェニル）−４−イソオキサゾリン−
３−オン5.5gをメタノール100mlを混合し、これに３−
シアノアセトアミドベンゼンスルホン酸 カリウム塩2.
2g、酢酸アンモニウム0.7gを加えて３時間加熱還流し
た。反応後冷却し溶媒を減圧留去した。残さをクロロホ
ルム−メタノールの溶媒系でシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製した。

収量4.0g、収率56.2％、λmax（CHCl₃）425.8nm、εmax
（CHCl₃）3.73×10⁴ 本発明の輻射線感応性材料は、前記一般式（Ｉ）で表わ
される化合物及び該化合物と酸化還元カップルを形成し
うる光還元剤を含有する。

本発明においては前記一般式（Ｉ）の化合物と光還元剤
を広い範囲で用いることができる。例えば本発明の一般
式（Ｉ）の化合物１モルに対して光還元剤を0.05モル〜
50モル、特に0.1〜10モルの範囲で使用することができ
る。

次に本発明の用いる光還元剤について説明する。本発明
において光還元剤とは、分子の光分解または光誘発転位
によって還元剤（このものは本発明で一般式（Ｉ）の化
合物と酸化還元カップルを生ずる）を生ずる物質をい
う。この還元剤は光照射後瞬間的に、または加熱すると
一般式（Ｉ）の化合物を還元する。

光還元剤は多くのものがあるが、特開昭50−139722号明
細書に示されている光還元剤は本発明に適用しうる。

具体的にはジスルフイド、ジアゾアントロン、ジアゾフ
エナントロン、芳香族カルバジド、芳香族アジド、ジア
ゾニウム塩、芳香族スルホネート、キノン等である。

キノンを例にとってより詳しく説明する。

キノンは本発明の光還元剤として有効である。

好ましいキノンにはオルト−およびパラ−ベンゾキノン
およびオルト−およびパラ−ナフトキノン、フエナント
レンキノンおよびアントラキノンが包含される。これら
のキノンは、その対応する還元剤の転換を妨げない任意
の置換基または数種の置換基で置換されていてもよく、
または置換基がなくてもよい。各種の置換基が知られて
おり、これらの置換基には次のものが包含されるが、こ
れらに限定されない。第１、第２および第３アルキル、
アルケニル、およびアルキニル、アリール、アルコキ
シ、アリールオキシ、アルコキシ、アルキルアリールオ
キシ、ヒドロキシアルキル、ヒドロシアルコキシ、アル
コキシアルキル、アジコキシアルキル、アリールオキシ
アリキル、アロイルオキシアルキル、アリールオキシア
ルコキシ、アルキルカルボニル、カルボニル、第１およ
び第２アミノ、アミノアルキル、アミドアルキル、アニ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノ、モルホリノ、ニトロ、
ハライドおよびその他の同類置換基。このようなアリー
ル置換基は好ましくはフエニル置換基であり、このよう
なアルキル、アルケニルおよびアルキニル置換基は、単
独の置換基で存在していてもまたはその他の原子、代表
的には20（好ましくは６）またはそれ以下の炭素原子と
組み合わせて存在していてもよい。

活性水素原子の別の供給源と組み合わせて用いられる特
定の代表的なキノンを第１表に示す。

第１表 外部からの水素源と共に用いるのに有用な代表的キノン
類 Ｉ−１ 2,5−ジメチル−1,4−ベンゾキノ ン Ｉ−２ 2,6−ジメチル−1,4−ベンゾキノ ン Ｉ−３ ジユロキノン Ｉ−４ ２−（１−ホルミル−１−メチルエチル） −５−メチル−1,4−ベンゾキノン Ｉ−５ ２−（２−シクロヘキサノイル）−3, ６−ジメチル−1,4−ベンゾキノン Ｉ−６ 1,4−ナフトキノン Ｉ−７ ２−メチル−1,4−ナフトキノン Ｉ−８ 2,3−ジメチル−1,4−ナフトキノ ン Ｉ−９ 2,3−ジクコロ−1,4−ナフトキノ ン Ｉ−10 ２−チオメチル−1,4−ナフトキノン Ｉ−11 ２−（１−ホルミル−２−プロピル）− 1,4−ナフトキノン Ｉ−12 ２−（２−ベンゾイルエチル）−1,4 −フトキノン Ｉ−13 9,10−フエナントレンキノン Ｉ−14 ２−ｔ−ブチル−9,10−アントラキ ノン Ｉ−15 ２−メチル−1,4−アントラキノン Ｉ−16 ２−メチル−9,10−アントラキノン 好ましい類に属する光還元剤は、内部に水素供給源を有
するキノン類、すなわち、活性水素原子を有するキノン
類である。このようなキノンは、活性水素原子を内部に
有していないキノンにくらべて、非常に容易に光還元さ
れやすい。活性水素原子のないキノンを、外部からの水
素原子の供給源と組み合わせて用いたときでも、また内
部に水素供給源を有するキノンを外部からの水素原化合
物を与えずに同様に用いたときでも、内部水素源キノン
はきわめて容易な光還元性を示し続ける。内部水素源キ
ノンを外部水素源化合物と共に用いたときは、一般に光
還元がさらに容易になる。しかしながら、外部水素源化
合物を用いないときは、内部水素源キノンの効果は小さ
い。

光還元性のきわめて容易なキノンを用いると、同じよう
な露光に対しては写真要素の画像濃度が改良され、さら
に露光時間が短くとも同じような画像濃度を生じる。従
って、内部水素源キノンを用いると写真スピードを大き
くしたりおよび／または画像濃度を大きくすることがで
きる。

特に好ましい内部水素源キノンは、環の５および８のい
ずれかに少なくとも15個の水素原子を有する5,8−ジヒ
ドロ−1,4−ナフトキノンである。その他の好ましい内
部水素源キノンは、炭素原子に結合している水素原子
（但し、炭素原子はオキシ置換基の酸素原子にも結合し
ている）またはアミン置換基の窒素原子に結合している
水素原子を有し、さらに炭素と水素との結合が少なくと
も１個のキノンカルボニル二重結合から離れた８番目ま
たは４番目の結合にあるキノンである。「アミン置換
基」には、アミドとイミンの各置換基が含まれる。二置
換アミノ置換基が好ましい。縮合環が内部水素源キノン
に存在していてもよい。例えば1,4−ジヒドロ−アント
ラキノンは内部水素源キノンとして有用な5,8−ジヒド
ロ−1,4−ナフトキノンの一部を有する。内部水素源キ
ノンのアリール置換基および置換部分は、好ましくはフ
エニルまたはフエニレンであり、一方、脂肪族炭化水素
の置換基または置換部分は、好ましくは20個またはそれ
以下の炭素原子、最も好ましくは６個またはそれ以下の
炭素原子を有する。代表的な好ましい内部水素源キノン
は第II表に記載されるものである。

第II表 代表的な内部水素源キノン類 II−１ 5,8−ジヒドロ−1,4−ナフトキノン II−２ 5,8−ジヒドロ−2,5,8−トリメ チル−1,4−ナフトキノン II−３ ２、５−ビス（ジメチルアミノ）−1, ４−ベンゾキノン II−４ ２、５−ジメチル−3,6−ビス（ジメ チルアミノ）−1,4−ベンゾキノン II−５ ２−（１−アセトキシエチル）−５−メ チル−1,4−ベンゾキノン II−６ ２−（１−メトキシエチル）−５−メチ ル1,4−ベンゾキノン II−７ ２−（２−メトキシエトキシ）−1,4 ナフトキノン II−８ ２−（２−エトキシエトキシ）−1,4 −ナフトキノン II−９ ２−（２−フエノキシ）−エトキシ−1, ４−ナフトキノン II−10 ２−エトキシ−５−メトキシ−1,4− ナフトキノン II−11 ２−エトキシ−６−メトキシ−1,4− ナフトキノン II−12 ２−エトキシ−７−メトキシ−1,4− ナフトキノン II−13 ２−ジメチルアミノ−1,4−ナフトキノン II−14 ２−メトキシ−1,4−ナフトキノン II−15 ２−ベンゾイルオキシ−1,4−ナフト キノン II−16 ２−メトキシ−３−クロロ−1.4−ナ フトキノン II−17 2,3−ジメトキシ−1,4−ナフトキ ノン II−18 ２−ｎ−プロポキシ−１、４−ナフトキ ノン II−19 ２−（３−ヒドロキシプロポキシ）−1, ４−ナフトキノン II−20 ２−イソプロポキシ−1,4−ナフトキ ノン II−21 ７−メトキシ−２−イソプロポキシ−1, ４−ナフトキノン II−22 ２−ｎ−ブトキシ−1,4−ナフトキノ ン II−23 ３−sec−ブトキシ−1,4−ナフトキノ ン II−24 ２−メチル−５−モルホリノメチル−1, ４−ベンゾキノン II−25 2,3、５−トリメチル−６−モルホリ ノメチル−1,4−ベンゾキノン II−26 2,5−ビス（モルホリノ、メチル）−１ ，−ベンゾキノン II−27 ２−（３−メチル−ｎ−ブトキシ）−1, ４−ナフトキノン II−28 ２−（６−ヒドロキシ−ｎ−ヘキンキシ） −1,4−ナフトキノン II−29 ２−エトキシ−３−クロロ−1,4−ナ フトキノン II−30 ２−ジ（フエニル）メトキシ−1,4− ナフトキノン II−31 ２−（２−ヒドロキシエトキシ）−３− クロロ−1,4−ナフトキノン II−32 ２−メチル−３−81−ヒドロキシメチ ル）エチル−1,4−ナフトキノン II−33 ２−ブロモ−３−イソプロポキシ−1, ４−ナフトキノン II−34 ２−エトキシ−３−メチル−1,4−ナ フトキノン II−35 ２−クロロ−３−ピペリジノ−1,4− ナフトキノン II−36 ２−イソプロポキシ−1,4−ナフトキ ノン−3,6−ジスルホン酸ナトリウム 上に示したような光還元剤は、活性輻射線に露光した際
に、一般式（Ｉ）で示す化合物と酸化還元カップルをつ
くる。しかしその反応の仕方とメカニズムには幾分の相
違がある。

活性輻射線に露光した際に、多くの光還元剤は一般式
（Ｉ）の化合物と迅速に反応する。キノン光還元剤のあ
る種のものは、この反応特性を示す。光還元剤のその他
のものも露光した際に酸化還元カップルをつくるが、一
般式（Ｉ）の化合物を還元するには、長時間を要する。
多くの場合に、露光した光還元剤と一般式（Ｉ）の化合
物からつくられる酸化還元カップルを加熱して、反応を
ちょうど良い時期に終らせるようにすることが望まし
い。最適の加熱温度は、存在している光還元剤、一般式
（Ｉ）の化合物、その他の物質および所望の写真スピー
ドの特定の選択によりかなり異なるが、代表的には、80
℃ないし150℃の温度範囲で酸化還元カップルを加熱す
るのが好ましい。

次に本発明に用いる光還元剤アジュバント（adjuvant）
について説明する。

本発明に用いられる光還元剤はその対応する還元剤に変
える過程で、その分子中の原子の位置が移動したり、ま
たは原子数が変化する。内部水素源キノンは、その対応
する還元剤への変換を許すことを、この分子に初めから
存在している原子に完全に依存する代表的な光還元剤で
ある。その他の光還元剤では、その対応する還元剤への
変換には、還元剤の形成を可能にするのに必要な原子を
与えるアジュバントを光還元剤と一緒に存在させる必要
がある。例えば、内部水素源のないキノンにおいては、
水素原子の外部供給源としての働きを行ないうるアジュ
バントと一緒に用いる必要がある。光還元剤を還元剤に
変えるのを促進させるには、還元剤への変換に不可欠な
原子が光還元剤中の存在する場合でもまた存在しない場
合でも、光還元剤をアジュバント、例えば代部水素源と
一緒に用いるとよいことが判った。

アジュバントとして用いられるものは、写真要素に含ま
れている成分またはこれらの反応生成物と反応しない。
活性水素原子を与える公知の任意の化合物である。使用
に適しているものは、水素原子が炭素原子に結合してお
り、置換基もまたこの炭素原子に結合しており、炭素と
水素との結合が非常に弱く、そのため水素原子が活性に
なりやすい有機化合物である。好ましい水素源化合物
は、水素原子が炭素原子に結合しており、この炭素原子
が、またオキシ置換基の酸素原子および／またはアミン
置換基の三価の窒素原子に結合している化合物である。
ここで用いられる「アミン置換基」にはアミドとイミン
の各置換基が包含される。通常の炭素原子に結合した水
素原子で、きわだつ高活性を与える代表的な好ましい置
換基は、オキシ置換基、例えばヒドロキシ、アルコキ
シ、アリールオキシ、アルキルアリールオキシおよびア
ルアルコキシの各置換基およびアミノ置換基、例えばア
ルキルアリールアミノ、ジアリールアミノ、アミド、N,
N−ビス（１−シアノアルキル）アミノ、Ｎ−アリール
−Ｎ−（１−シアノアルキル）アミノ、Ｎ−アルキル−
Ｎ−（１−シアノアルキル）アミノ、N,N−ビス（１−
カルプアルコシキアルキル）アミノ、Ｎ−アリール−Ｎ
−（１−カルプアルコシキアルキル）アミノ、Ｎ−アル
キル−Ｎ−（１−カルプアルコシキアルキル）アミノ、
N,N−ビス（１−ニトロアルキル）アミノ、Ｎ−アルキ
ル−Ｎ−（１−ニトロアルキル）アミノ、Ｎ−アリール
−Ｎ−（１−ニトロアルキル）アミノ、N,N−ビス（１
−アシルアルキル）アミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−（１−
アシルアルキル）アミノ、Ｎ−アリール−Ｎ−（１−ア
シルアルキル）アミノ等である。アリール置換基および
この置換基部分は、好ましくは、フエニルまたはフエニ
レンであり、一方、脂肪族炭化水素置換基および置換基
部分は、好ましくは、20個またはそれ以下の炭素原子お
よび最も好ましくは６個またはそれ以下の炭素原子を有
している。活性水素原子を容易に与える代表的な化合物
で本発明に用いられるものは、次に示される。活性水素
原子を与えるのに有用な公知の化合物は米国特許第3,38
3,212号にも開示されている。

第III表 代表的な外部水素源化合物 ポリ（エチレングリコール） III−１ カルボキシメチルセルロース III−２ ポリ（ビニルホルマル） III−３ フエニル−1,2−エタンジオール III−４ ニトリロトリアセトニトリル III−５ トリエチルニトリロトリアセテート III−６ ポリ（エチレングリコール） III−７ ポリ（ビニルプチラール） III−８ ポリ（ビニルアセタール） III−９ 1,4−ベンゼンジメタノール III−10 メチルセルロース III−11 セルロースアセテートブチレート III−12 2,2−ビス（ヒドロキシメチル）プロ ピオン酸 III−13 1,3−ビス（ヒドロキシメチル）尿素 III−14 ４−ニトロベンジルアルコール III−15 ４−メトキシベンジルアルコール III−16 2,4−ジメトキシベンジルアルコール III−17 3,4−ジクロコフエニルグリコール III−18 Ｎ−（ヒドロキシメチル）ベンズアミド III−19 Ｎ−（ヒドロキシメチル）フタルイミド III−20 ５−（ヒドロキシメチル）−ウラシルヘ ミハイドレート III−21 ニトリロトリ酢酸 III−22 2,2′,2″−トリエチルニトリロト リプロピオネート III−23 2,2′,2″−ニトリロトリアセトフ エノン III−24 ポリ（ビニルアセテート） III−25 ポリ（ビニルアルコール） III−26 エチルセルロース 本発明の写真要素内に添加される外部水素源アジュバン
トは、実際には複数の作用を行なう。例えば、上に記載
されたポリマーはバインダーとして、更には活性水素原
子源を与える化合物として用いられる。これらの化合物
は、外部水素源化合物として意図されており、活性水素
原子が光還元剤に入っていないという点を強調している
にすぎないものである。

本発明の輻射線感応性組成物は、一般式（Ｉ）の化合物
と光還元剤と組み合わせて通常は、所定の溶媒にて溶解
し、これを塗設して膜として用いるが、この際、各種樹
脂等のバインダー成分を用いてもよい。また、膜中に
は、その用途に応じ、塩基もしくは酸あるいはその前駆
体、分散用助剤（高沸点オイル、界面活性剤など）等を
添加してもよい。

この他、成型体としたり、あるいは溶液系で用いたりす
ることもできる。

本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する放
射線感応性組成物は、前記した〜の例に示すよう
に、種々の画像形成方法やエッチング、メッキ等に適用
できる。

Ｖ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、輻射線の照射によって、適宜、目的に
応じて種々の機能を発現することが可能な輻射線感応性
組成物が得られる。

VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ ポリエチレンテレフタレート支持体上に次の順に各層を
塗布して試料１を作製した。

（１）ゼラチン3.0g/m²、下記重合体ラテックス媒染剤
を3.0g/m²を含有する媒染層。

（２）ヒドロキシエチルセルロース0.5g/m²を含む層。

（３）化合物１−２を1.0g/m²、光還元剤として（１−1
4）1.5g/m²、トリシクロヘキシルホスフェート0.05g/
m²、ゼラチン2.0g/m²を含む層。

次に500Wキセノンランプを光源として、連続階調のウェ
ッジを通して、試料１に２分間光照射（露光）したの
ち、60℃ 90％RHの条件下に30分間保存した。この試料
の塗布面側にカッターナイフで１本の切れ目を入れたあ
と、粘着テープを均一に貼りつけて、次のこのテープを
引きはがすと、層（３）の色材を含む層はテープ側にも
って行かれ、支持体側には層（１）の媒染層が残ってお
り、この媒染層にマゼンタ色の陰画（光量が大きいとこ
ろで高濃度で光量が少ないところでは低濃度）がきれい
に出来ていた。

この色像の透過濃度を測ったところ、Dmax＝2.0 Dmin＝
0.08であった。

実施例２ 実施例１の試料１に対して、層（２）を除いて、層
（３）にゼラチンの代わりにヒドロキシエチルセルロー
ス2.0g/m²を用いて試料２を作製した。

解像力テスト用の微細パターンを通して露光したほかは
実施例１と同様に処理したところ、支持体上に残った層
（１）には非常にシャープな像が得られた。

この像を顕微鏡で観察すると線巾５μの微細な線もシャ
ープに見えた。

実施例３ ポリエチレン支持体上に、次の層を塗布して試料３を作
製した。

１）化合物１−３を1.0g/m²、光還元剤として（II−3
6）1.5g/m²、トリシクロヘキシルホスフェート0.05g/
m²、ゼラチン2.0g/m²を含む層。

２）ゼラチン0.5g/m²、硬膜剤としてトリアクリロイル
トリアジン（0.02g/m²）を含む保護層。

実施例１と同様にして露光した後、pH10.0の緩衝液（Br
itton-Robinson′ｓ）に10分間浸漬し、次に30秒間水洗
した後、自然乾燥した。

この試料は黄色の陽画（光量多いところが低濃度）が出
来ていた。

光反応で放出した色素は緩衝液中で溶出し、光量が少な
いところは光反応せずに色素放出しない色材のまま残っ
たためである。

実施例４ 下塗りを施したポリエチレンテレフタレートフィルム
（厚さ100μｍ）に、次の塗布後を塗布して温風乾燥し
た乾燥膜厚4.0μｍの膜を作成した（試料Ａ）。

ゼラチン 2.5g 本発明の化合物１−14 1.8g 光還元剤（II−36） 1.8g ムコクロル酸（１％水溶液） 3ml 水 50ml 紙の両面を厚さ80μｍのポリエチレンを設け、表面をコ
ロナ処理で親水化した支持体に、ポリ（アクリル酸メチ
ル−コ−N,N,N−トリメチル−Ｎ−ビニルベンジルアン
モニウムクロライド（アクリル酸メチルとビニルベンジ
ルアンモニウムクロライドの比率は1:1）の共重合体を
塗布し、乾燥膜厚3.0μｍの膜を作成した（試料Ｂ）。

試料Ａを像状に高圧水銀灯で70秒露光したのち、水に湿
らせて、試料Ｂと密着させ60秒放置した。試料Ａと試料
Ｂとをはがすと試料Ａの露光部に対応して試料Ｂにマゼ
ンタの色素像が形成ささ、試料Ａの露光部は未露光部に
比較して濃度1/6以下になった。

実施例５ 下塗りを施したポリエチレンテレフタレートフィルム
（厚さ100μｍ）に、本発明の化合物１−21を0.1g、光
還元剤（Ｉ−14）を0.08ポリビニルブチラール樹脂0.2g
をエチルアルコール5mlに溶解した塗布液をロッドバー
で塗布し、乾燥厚さ3.4μｍの膜を作った（試料Ｃ）。
一方別の下塗りを施したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（厚さ20μｍ）に、スチレンとトリヘキシルアミ
ノメチルスチレンのモル比50:50の共重合体を含む塗布
液を乾燥厚さ30μｍに塗設した（試料Ｄ）。

試料Ｃを、キセノンランプで70秒像状露光したのち、10
0℃に12秒加熱し、試料Ｃと試料Ｄとをはがした。試料
Ｄには試料Ｃの露光部に対応したイエロー色素像が形成
され、試料Ｃの露光部は未露光部に比較して濃度が1/10
以上になった。

実施例６ シリコウェファー上に、二酸化けい素をCVD法により400
Å厚に設けた。これに本発明の化合物５−6 0.5g、光還
元剤（II−20）を0.4gアルコール可溶性ポリビニルブチ
レート0.3gをエチルアルコール5mlに溶解した溶液に溶
かしスピンナーで塗布し、乾燥後150Wの高圧水銀灯を10
分間マスクを通して露光した。その後エチルアルコール
10mlに塩酸1mlを加えた溶液で塗膜を溶解すると光照射
した部分の二酸化けい素はエッチングされていた。

実施例７ ポリビニルブチラール1gをエチルアルコール7mlおよび
酢酸エチル3mlに溶解し、これに本発明の化合物６−２
を0.7gと光還元剤（Ｉ−13）0.6gを溶解して塗布液（1
1）を作った。

ガラス基板に塩化ニッケル0.1gとポリビニルホルマール
樹脂0.5gをジメチルホルムアミドに溶解した溶液を乾燥
厚さ２μｍに塗設した。これに上記の塗布液をスピンナ
ーで塗布した（乾燥膜厚２μｍ）。濃度マスクを透して
キセノン光を40秒間照射したのち、上層のみを溶解除去
し、さらに銀の無電解メッキ浴に浸したところ、露光部
のみに銀が沈積した。露光ぶではニッケルの含有硫黄化
合物が生じ、メッキ核となったものと思われる。

実施例８ ABS樹脂の板を粗面化液に10分浸漬し、次いで二塩化ス
ズ30g/lと塩酸20ml/l含む触媒付与液に１分間浸し、さ
らに塩化パラジウム0.25g/lと塩酸4ml/lを含む活性化液
に90秒浸し、ABS樹脂の表面部分に金属パラジウムを析
出させた。この板に本発明の化合物６−9 0.8gと光還元
剤（Ｉ−13）1.2gをポリビニルピロリドン４％エチルア
ルコール溶液10mlに溶かした溶液をスピンナーで塗布し
た。塗布膜は完全には乾燥しなかったが、殆んど固体の
皮膜を形成した。これに引伸し露光によって、水銀灯の
ｇ線を３分間照射したのち、塗膜を温湯で除去した。次
いで市販の無電解銅メッキ浴に室温で90秒浸漬させると
未露光部は銅メッキされた。これより露光部ではパラジ
ウムは失活しているものと見られる。

実施例９ 本発明の化合物10−1 1.0gと、光還元剤（II−20）0.8g
とをトルエン7mlおよびメチルセロソルブ3mlに溶解して
塗布液を作った。シリコーンウェファーに二酸化けい素
を800Å真空蒸着した基板をヘキサメチンジシラザンで
前処理し、これに上記塗布液をスピンコートし、乾燥膜
厚1.0μｍのホトレジスト皮膜を作った。これをホット
プレート上にのせて、90℃30秒プリベークした後、プロ
キシミティーテストパターンマスクを通して超高圧水銀
灯を備えたキヤノンPLA−520を用いて12秒露光した。さ
らにポストベークとして140℃、50秒加熱した。

次いでテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドを
含むアルカリ性の現像薬で30秒現像したところ、1.5μ
ｍのラインアンドスペースが解像しうるパターンが得ら
れた。

実施例10 下塗り済のポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ
100μｍ）に次の塗布液を塗布し、温風乾燥して乾燥膜
厚2.5μｍの黄色の膜を作成した。

ポリビニルブチラール 1.0g 本発明の化合物２−12 1.2g ｔ−ブチルベンゾフエノン 1.0g エチルアルコール 9.0ml ブチルアルコール 1.0ml 別にポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ20μ
ｍ）にポリビニルブチラール1.0gに塩化ニッケル0.6g、
エチルアルコール8mlの液を塗布して膜厚3.0μｍの受像
シートを作った。

本発明の化合物を含む厚さ100μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを透して1KWキセノンランプで像状
に50秒露光し、次いでフィルムと受像シートを密着させ
て150℃、12秒加熱したのち、受像シートを剥した。

受像シートには露光部に対応してマゼンタ色の画像が形
成され、その色の極大吸収波長は530nm、光学濃度はマ
クベス濃度計グレイフィルターをつけて測定すると0.95
であった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物及び
   該化合物と酸化還元カップルを形成しうる光還元剤を含
   むことを特徴とする輻射線感応性組成物。 一般式（Ｉ） ｛上記一般式（Ｉ）において、Ｎは窒素原子を表わし、
   Ｘは酸素原子（‐O-）、イオウ原子（‐S-）、または窒
   素原子を含む基 を表わす。ここでR⁴は、単なる結合手、置換もしくは非
   置換のアルキル基、アリール基、複素環基もしくはアシ
   ル基、または置換もしくは非置換のアルキル基もしくは
   アリール基を導入したスルホニル基を表わす。R³は置換
   もしくは非置換のアリール基もしくは複素環基を表わ
   す。R⁵はＸ、‐（Ｃ＝０）‐と結合し、窒素原子を含め
   て五ないし八員の単環または縮環の複素環を形成する原
   子群を表わす。 UGは、輻射線を照射された光還元剤との酸化還元カップ
   ル形成により生ずるＮ−Ｘ結合の開裂をひきがねとして
   放出される基を表わす。 また、実線は結合を、破線はそのうちの少なくとも１つ
   が結合していることを表わす。｝