JPH07116439B2

JPH07116439B2 - 高分子液晶組成物

Info

Publication number: JPH07116439B2
Application number: JP22295087A
Authority: JP
Inventors: 憲次橋本
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1987-09-08
Filing date: 1987-09-08
Publication date: 1995-12-13
Anticipated expiration: 2010-12-13
Also published as: JPS6466287A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は高分子液晶組成物に関し、詳しくは、オプトエ
レクトロニクス分野、特に電卓、時計などの表示素子、
電子光学シャッター、電子光学絞り、光変調器、光通信
光路切換スイッチ、メモリー、液晶プリンターヘッド、
焦点距離可変レンズなどの種々の電子光学デバイスとし
て有用な、室温でも幅広いカイラルスメクチックＣ相液
晶状態を発現する上に、外的因子に対する応答速度が速
くて動画表示が可能であり、かつ大画面や屈曲画面の表
示素子として有利に使用しうる液晶性を有する高分子液
晶組成物に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、低分子液晶を用いた表示素子は電卓、時計などの
デジタル表示に広く使用されている。これらの利用分野
では、通常、従来の低分子液晶は間隔をミクロンオーダ
ーで制御した２枚のガラス基板の間にはさんで使用され
ている。しかしながら、このような間隙の調整は大型画
面および曲面画面では実現が不可能であった。この難点
を解決する１つの手段として液晶を高分子化し、それ自
体を成形可能ならしめることが試みられている（J.Poly
m.Sci.,Polym.Lett.,Ed.13,243（1975）、Polym.Bull.,
6,309（1982）、特開昭55-21479号公報、特開昭61-1371
33号公報など）。

しかしながら、これら従来の液晶ポリマーにおいては、
電界など外的因子の変化に対するその透過光量変化等の
応答速度が一般に遅く、未だ満足しうるものは得られて
いない。

また、前記公開公報に示されている液晶ポリマーは、ポ
リマー自体は室温では液晶としての性質を示さず、ガラ
ス転移温度以上で透明化温度未満の温度範囲で加熱して
液晶化しなければならないなどという欠点を有してい
る。

さらに、液晶性ポリマー組成物として、熱可塑性非晶質
ポリマーと低分子液晶化合物とからなる液晶組成物（特
開昭61-47427号公報）、情報記録媒体としての高分子液
晶化合物と低分子液晶化合物及び高分子化合物からなる
液晶性組成物（特開昭59-10930号公報）が提案されてい
るが、これらの液晶性ポリマー組成物は、カイラルスメ
クチックＣ相温度域が高いか、または低くても温度域が
著しく狭く、しかも降温過程にしか現れないという実用
上使い難いものであった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、前記問題点を解消し、延伸配向が容易である
など成形性に優れ、室温域においても幅広いカイラルス
メクチックＣ相を有し、しかも、光学表示素子とした場
合、外的因子に対する応答速度が速く、コントラスト比
も高いなど実用上著しく優れた利点を有する高分子液晶
組成物を提供することを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは、前記問題点を解決すべく鋭意検討を重ね
た結果、強誘電性低分子液晶化合物に、特定の高分子液
晶化合物、すなわち、スメクチックＣ相を有する側鎖型
高分子液晶化合物をブレンドしてなる高分子液晶組成物
が、前記目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、強誘電性低分子液晶化合物と、ス
メクチックＣ相を有する側鎖型高分子液晶化合物からな
る高分子液晶組成物を提供するものである。

本発明に用いられるスメクチックＣ相を有する側鎖型高
分子液晶化合物としては、種々のものが用いられるが、
好適に使用しうるものの例としては、下記のものが挙げ
られる。

（１）ポリアクリレート系高分子液晶化合物下記一般式からなる繰り返し単位を有するポリアクリレ
ート系高分子液晶（式中、ｋは１〜30の整数であり、Ｘは−Ｏ−（酸素）または−COO−であり、 R²は−CH₃、−Ｈ、または−C1であり、Ｙは−A(CH₂)_mHまたは−ACNであり、ここでＡは単結
合、−Ｏ−、または−COO−であり、ｍは０から10の整
数である。）これらのポリアクリレート系高分子液晶化合物の中でも
好適な例として、それぞれ下記の繰り返し単位を有する
高分子液晶化合物が挙げられる。

（２）ポリシロキサン系高分子液晶化合物下記一般式からなる繰り返し単位を有するポリシロキサ
ン系高分子液晶化合物（式中、R³は低級アルキル基であり、ｐは３〜30の整数であり、Ｘ、R¹、およびＹは上記と同じ意味を有する。）（３）ポリエーテル系高分子液晶化合物下記一般式からなる繰り返し単位を有するポリエーテル
系高分子液晶化合物（式中、ｋ、Ｘ、R¹、およびＹは上記と同じ意味を有す
る。）（４）ポリエステル系高分子液晶化合物下記一般式からなる繰り返し単位を有するポリエステル
系高分子液晶化合物（式中、R⁴は−Ｈまたは−CH₃であり、ｌは１〜20の整数であり、ｋ、Ｘ、R¹、およびＹは上記と同じ意味を有する。）以上（１）〜（４）に示したような本発明で用いられる
高分子液晶化合物の数平均分子量は、好ましくは1,000
〜400,000である。1,000未満であると、得られる高分子
液晶組成物のフイルム、塗膜としての成形性に支障を生
じる場合があり、一方、400,000を超えると応答速度が
遅くなるなどの好ましくない効果の現れることがある。
数平均分子量の特に好ましい範囲は、繰り返し単位の構
造によって異なるので一概には規定できないが、通常、
2,000〜200,000である。

なお、これらの高分子液晶化合物は、本発明の目的達成
に支障のない範囲で、複数を適宜併用することができ
る。

本発明に用いる強誘電性低分子液晶化合物としては、種
々のものを用いることができるが、具体的には下記に示
されるものが挙げられる。

（式中、R⁵は炭素数が１〜20のアルキル基またはアルコ
キシ基であり、 R^*は光学活性基で不整炭素原子を含むものであり、ｍおよびｎは０または自然数である。）式（Ｉ）で表される強誘電性低分子液晶の具体的な例と
しては、ｐ−ｎ−アルコキシ安息香酸ｐ′−（２−メ
チルブトキシカルボニル）フェニルエステル、例えばｐ
−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチルブ
トキシカルボニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−オクチ
ルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボ
ニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−ノニルオキシ安息香
酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニル）フェニル
エステル、ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香酸ｐ′−（２
−メチルブトキシカルボニル）フェニルエステル、ｐ−
ｎ−ウンデシルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチルブ
トキシカルボニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−ドデシ
ルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボ
ニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−テトラデシルオキシ
安息香酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニル）フ
ェニルエステル、およびｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシ安
息香酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニル）フェ
ニルエステル；４−ｎ−アルコキシ−４′−ビフェニ
ルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニ
ル）フェニルエステル、例えば４−ｎ−ヘプチルオキシ
−４′−ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブ
トキシカルボニル）フェニルエステル、４−ｎ−オクチ
ルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−
メチルブトキシカルボニル）フェニルエステル、４−ｎ
−ノニルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸ｐ′−
（２−メチルブトキシカルボニル）フェニルエステル、
および４−ｎ−デシルオキシ−４′−ビフェニルカルボ
ン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニル）フェニ
ルエステル；４−ｎ−アルキル−４′−ビフェニルカ
ルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボニル）フ
ェニルエステル、例えば４−ｎ−ヘキシル−４′−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカルボ
ニル）フェニルエステル、４−ｎ−ヘプチル−４′−ビ
フェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカル
ボニル）フェニルエステル、４−ｎ−オクチル−４′−
ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）フェニルエステル、４−ｎ−ノニル−４′−
ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）フェニルエステル、４−ｎ−ヘプチル−４′
−ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチルブトキシ
カルボニル）フェニルエステル、および４−ｎ−ドデシ
ル−４′−ビフェニルカルボン酸ｐ′−（２−メチル
ブトキシカルボニル）フェニルエステル；ｐ−ｎ−ア
ルコキシ安息香酸４′−（２−メチルブトキシカルボ
ニル）−４−ビフェニリルエステル、例えばｐ−ｎ−ペ
ンチルオキシ安息香酸４′−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）−４−ビフェニリルエステル、ｐ−ｎ−ヘキ
シルオキシ安息香酸４′−（２−メチルブトキシカル
ボニル）−４−ビフェニリルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチ
ルオキシ安息香酸４′−（２−メチルブトキシカルボ
ニル）−４−ビフェニリルエステル、およびｐ−ｎ−オ
クチルオキシ安息香酸４′−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）−４−ビフェニリルエステル；ｐ−ｎ−ア
ルキル安息香酸４′−（２−メチルブトキシカルボニ
ル）−４−ビフェニリルエステル、例えばｐ−ｎ−ヘキ
シル安息香酸４′−（２メチルブトキシカルボニル）
−４−ビフェニリルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチル安息香
酸４′−（２−メチルブトキシカルボニル）−４−ビ
フェニリルエステル、およびｐ−ｎ−オクチル安息香酸
４′−（２−メチルブトキシカルボニル）−４−ビフ
ェニリルエステルが挙げられる。

（式中、Ｚは−CH₂O−または−OCH₂−であり、ｑおよびｒは１または２であり、 R⁵およびR^*は上記と同じ意味を有する。）式（II）で表される強誘電性低分子液晶の具体的な例と
しては、ｐ−アルキルフェニル４′−（１−メチルヘ
プチルオキシカルボニル）４−ビフェニリルカルビニル
エーテル、例えばｐ−ヘキシルフェニル４′−（１
−メチルヘプチルオキシカルボニル）４−ビフェニリル
カルビニルエーテル；４′−（ｐ−アルキルベンジ
ルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブ
チルエステル、例えば４′−（ｐ−ヘキシルベンジル
オキシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブチ
ルエステル；４′−（ｐ−アルコキシベンジルオキ
シ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブチル
エステル、例えば４′−（ｐ−ペンチルオキシベンジル
オキシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブチ
ルエステル、４′−（ｐ−ヘプチルオキシベンジルオ
キシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブチル
エステル、４′−（ｐ−オクチルオキシベンジルオキ
シ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブチル
エステル、および４′−（ｐ−ウンデシルオキシベンジ
ルオキシ）−４−ビフェニルカルボン酸２−メチルブ
チルエステル；４′−（ｐ−アルキルベンジルオキ
シ）−４−ビフェニルカルボン酸１−メチルヘプチル
エステル、例えば４′−（ｐ−ヘキシルベンジルオキ
シ）−４−ビフェニルカルボン酸１−メチルヘプチル
エステル;4′−（ｐ−アルコキシベンジルオキシ）−
４−ビフェニルカルボン酸１−メチルヘプチルエステ
ル、例えば４′−（ｐ−ヘプチルオキシベンジルオキ
シ）−４−ビフェニルカルボン酸１−メチルヘプチル
エステル；ｐ−（４′−アルコキシ−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）安息香酸２−メチルブチルエ
ステル、例えばｐ−（４′−オクチルオキシ−４−ビフ
ェニリルカルビニルオキシ）安息香酸２−メチルブチ
ルエステル;p−（４′−アルキル−４−ビフェニリル
カルビニルオキシ）安息香酸１−メチルヘプチルエ
ステル、例えばｐ−（４′−オクチル−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）安息香酸１−メチルヘプチル
エステル；ｐ−（４′−アルコキシ−４−ビフェニリ
ルカルビニルオキシ）安息香酸１−メチルヘプチル
エステル、例えばｐ−（４′−オクチルオキシ−４−ビ
フェニリルカルビニルオキシ）安息香酸１−メチルヘ
プチルエステルおよびｐ−（４′−デシルオキシ−４−ビフェニリル
カルビニルオキシ）安息香酸１−メチルヘプチルエ
ステル；ｐ−アルコキシフェニルｐ′−（１−メチ
ルブチルオキシカルボニル）ベンジルエーテル、例え
ばｐ−オクチルオキシフェニルｐ′−（１−メチルブ
チルオキシカルボニル）ベンジルエーテル；ｐ−
（４′−アルコキシ−４−ビフェニリルオキシカルビニ
ル）安息香酸２−メチルブチルエステル、例えばｐ
−（４′−オクチルオキシ−４−ビフェニリルオキシカ
ルビニル）安息香酸２−メチルブチルエステル；
ｐ−（４′−アルキル−４−ビフェニリルオキシカルビ
ニル）安息香酸１−メチルブチルエステル、例えば
ｐ−（４′−ヘプチル−４−ビフェニリルオキシカルビ
ニル）安息香酸１−メチルブチルエステル；ｐ−
（４′−アルコキシ−４−ビフェニリルオキシカルビニ
ル）安息香酸１−メチルブチルエステル、例えばｐ
−（４′−ペンチルオキシ−４−ビフェニリルオキシカ
ルビニル）安息香酸１−メチルブチルエステル、ｐ
−（４′−オクチルオキシ−４−ビフェニリルオキシカ
ルビニル）安息香酸１−メチルブチルエステル、ｐ
−（４′−ノニルオキシ−４−ビフェニリルオキシカル
ビニル）安息香酸１−メチルブチルエステル、およ
びｐ−（４′−デシルオキシ−４−ビフェニリルオキシ
カルビニル）安息香酸１−メチルブチルエステル；
ｐ−（４′−アルコキシ−４−ビフェニリルオキシカ
ルビニル）安息香酸１−メチルヘプチルエステル、
例えばｐ−（４′−オクチルオキシ−４−ビフェニリル
オキシカルビニル）安息香酸１−メチルヘプチルエ
ステル、ｐ−（４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニリ
ルオキシカルビニル）安息香酸１−メチルヘプチル
エステル、およびｐ−（４′−デシルオキシ−４−ビフ
ェニリルオキシカルビニル）安息香酸１−メチルヘプ
チルエステルが挙げられる。

（式中、R⁶は炭素数１〜18のアルキル基であり、R⁷は炭
素数２以上のアルキル基、光学活性アルキル基または光
学活性アラルキル基であり、Ｗはハロゲンである。）ここで、基となる不整源は、例えば次のような光学活性カルボン酸
である。2,3−ジハロブタン酸、2,4−ジハロブタン酸、
2,3,4−トリハロブタン酸、2,4−ジハロペンタン酸、2,
5−ジハロペンタン酸、２−ハロ−３−メチルペンタン
酸、２−ハロ−３−モノハロメチル−４−メチルペンタ
ン酸、2,5−ジハロヘキサン酸、2,6−ジハロヘキサン
酸、2,5,6−トリハロヘキサン酸。

式（III）で表される強誘電性低分子液晶の具体的な例
としては、（2S）−３−メチル−２−クロルブタン酸
４′−（４″−オクチルオキシフェニル）フェニルエ
ステル、（2S,3S）−３−メチル−２−クロルペンタン
酸４′−（４″−ペンチルオキシフェニル）フェニル
エステル、（2S,3S）−３−メチル−２−クロルペン
タン酸４′−（４″−ヘキシルオキシフェニル）フェ
ニルエステル、（2S,3S）−３−メチル−２−クロル
ペンタン酸４′−（４″−ヘプチルオキシフェニル）
フェニルエステル、（2S,3S）−３−メチル−２−ク
ロルペンタン酸４′−（４″−オクチルオキシフェニ
ル）フェニルエステル、（2S,3S）−３−メチル−２
−クロルペンタン酸４′−（４″−ノニルオキシフェ
ニル）フェニルエステル、（2S,3S）−３−メチル−
２−クロルペンタン酸４′−（４″−デシルオキシフ
ェニル）フェニルエステル、（2S,3S）−３−メチル
−２−クロルペンタン酸４′−（４″−ドデシルオキ
シフェニル）フェニルエステル、（2S,3S）−３−メ
チル−２−ブロモペンタン酸４′−（４″−ヘキシル
オキシフェニル）フェニルエステル、（2S,3S）−３
−メチル−２−ブロモペンタン酸４′−（４″−オク
チルオキシフェニル）フェニルエステル、（2S,3S）
−３−メチル−２−ブロモペンタン酸４′−（４″−
デシルオキシフェニル）フェニルエステル、（2S,3
S）−３−メチル−２−ブロモペンタン酸４′−
（４″−ドデシルオキシフェニル）フェニルエステ
ル、および（2R,3S）−３−メチル−２−クロルペンタ
ン酸４′−（４″−オクチルオキシフェニル）フェニ
ルエステルが挙げられる。

（式中、R⁵、R^*、ｍ、ｎは式（Ｉ）と同じ意味を有す
る。）式（IV）で表される強誘電性低分子液晶の具体的な例と
しては、ｐ−デシルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチ
ルブチルオキシ）フェニルエステル、ｐ−デシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸ｐ′−（２−メチルブ
チルオキシ）フェニルエステル、ｐ−デシルオキシ安息
香酸４′（２−メチルブチルオキシ）ビフェニルエス
テルが挙げられる。

本発明においては、これらの低分子液晶化合物は、本発
明の目的達成に支障のない範囲で、複数を適宜併用する
ことができる。

本発明の高分子液晶組成物は、前記高分子液晶化合物
（Ａ）と強誘電性低分子液晶化合物（Ｂ）とを配合する
ことによって得ることができる。

この（Ａ）と（Ｂ）との配合割合は、重量比として、
（Ａ）／（Ｂ）が5/95〜95/5、好ましくは10/90〜90/10
とすることが望ましい。この（Ａ）／（Ｂ）の値が5/95
より小さいとカイラルスメクチックＣ相を示す温度領域
の拡大が十分でない場合、および成膜性に支障をきたす
場合がある。一方、この値が95/5より大きくなると、カ
イラルスメクチックＣ相を示さなくなる場合がある。

また、本発明の高分子液晶組成物は、前記（Ａ）および
（Ｂ）の他に、本発明の目的達成に支障のない範囲で、
さらに他の液晶性ポリマーやオレフィン系樹脂、アクリ
ル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポ
リエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、スチレン
−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体などの通常の樹脂と混合して高分子液晶膜
を作製することも可能である。しかしこれらの樹脂を大
量に混合すると室温域に幅広いカイラルスメクチックＣ
相を示さなくなったり、外的因子に対する応答速度が低
下したり、液晶性が低下するので、他の液晶性ポリマー
の混合割合は、本発明の高分子液晶組成物に対して重量
比で２以下とすることが好ましい。

本発明の高分子液晶組成物は、その相転移温度の測定か
ら、カイラルスメクチックＣ相液晶状態が室温域を含む
比較的低温でかつ広い温度領域で実現することができる
強誘電性低分子液晶組成物であることが確認された。ま
た、室温付近における電界応答速度も著しく速く、かつ
コントラスト比も高いことが確認された。

また、本発明の高分子液晶組成物は、成膜性等の成形性
にも著しく優れ、延伸配向を容易に行うことができ、通
常の表示素子や記憶素子等の光学素子はもとより、動画
表示素子として、また大画面、屈曲画面の表示素子等と
して有利に使用することができる。

本発明の高分子液晶組成物は、公知の成膜法、例えばキ
ャスティング法、Ｔダイ法、インフレーション法、カレ
ンダー法、延伸法などによってフイルムに成形して用い
ることができる。フイルム上の高分子液晶組成物は、２
枚の通常のガラス基板はもとより、大型のガラス基板、
曲面上のガラス基板、ポリエステルフイルムなどの間に
通常の導電膜を介してはさんで液晶ディスプレー、電子
光学シャッター、電子光学絞りなどの種々のオプトエレ
クトロニクスの分野に利用することができる。また、適
当な溶媒に溶解した高分子液晶組成物の溶液をガラス基
板などの基板面に塗布し、溶媒を蒸発させることによっ
て、直接基板面上に密着した状態でフイルム化すること
もできる。

前記延伸法としては、プチスチックフイルムの延伸に通
常用いられる方法、例えば一軸延伸法、二軸延伸法、プ
レス延伸法、およびインフレーション延伸法等が挙げら
れる。これらの方法のうち一軸延伸法が好適に用いられ
る。延伸率は通常30〜1000％、好ましくは50〜600％で
ある。延伸率が30％未満だと液晶の配向度が低く、良好
なコントラスト比が得られない。また、1000％を超える
と連続性のある膜が得られない。

高分子液晶組成物の延伸は、高分子液晶組成物単独で行
ってもよいし、または２枚のプラスチックフイルムで挟
んで行ってもよい。また、透明基板に高分子液晶組成物
を挟持した状態でプレスすることにより延伸することも
できる。

本発明の高分子液晶組成物を挟持する２枚の導電膜のう
ち、少なくとも１枚は透明導電膜とする。透明導電膜と
しては酸化スズを被着させたNESA膜、酸化スズと酸化イ
ンジウムよりなるITO膜等を用いることができる。そし
て、この透明導電膜はガラス、プラスチック（ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサ
ルフォン樹脂等）の透明基板の内側に設けることが好ま
しい。本発明の高分子液晶組成物を表示素子として用い
る場合は、透明基板の外側に偏光板や反射板を設けるこ
とが好ましい。

透明導電膜を使用しない場合に用いられる不透明な導電
膜としては、アルミ、金の蒸着膜、スパッタリング膜等
が挙げられる。

本発明の高分子液晶組成物においては、スメクチック液
晶の性質と、成形が著しく容易であるという典型的なポ
リマーの性質とが結合しているので、インテグレーテッ
ドオプティクス、オプトエレクトロニクス、情報記憶の
分野に数多くの応用可能性がある。例えば、種々の形状
のディジタル表示ディスプレイなどの液晶ディスプレ
イ、電子光学シャッター、光通信光路切換スイッチなど
の電子光学スイッチ、電子光学絞り、メモリー素子、光
変調器、液晶プリンターヘッド、焦点距離可変レンズな
どの種々の電子光学デバイスとして使用することができ
る。

なお、必要に応じて、前記高分子液晶組成物同志の混
合、他のポリマーとの混合、安定剤、可塑剤などを含め
た種々の無機、有機および金属類等の添加物を添加な
ど、当業界においてよく知られている処理方法により、
改善することができる。

〔実施例〕

次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。

なお、得られたポリマーや化合物の構造は、NMR、IR、
元素分析により確認し、また相転移温度の測定および相
の確認は、それぞれDSCおよび偏光顕微鏡により行っ
た。さらに、電界応答速度は次のようにして測定した。

電界応答速度得られた高分子液晶組成物を60〜100℃、1cm/秒で一軸
延伸配向処理（延伸率200％）し、膜厚５〜10μｍのフ
イルムを得て、これを予めパターニングしたITO基板（2
0×10mm）に挟んでセルを構成し、このセルに交流電場
４×10⁶V/mを印加し、その際の透過光量の変化（０→90
％）の応答時間を測定した。

相状態は次の略号を用いて示した。（Cry:結晶、Iso:等
方性液体、S_A：スメチックＡ相液晶状態、Sc:スメチッ
クＣ相液晶状態、 Sc^*：カイラルスメチックＣ相液晶状態、 S₁：同定困難なスメチック液晶状態、 N:ネマチック液晶状態、 glass:ガラス状態）また、数字は相変化温度を℃で表し
たものである。

実施例１高分子液晶の製造下記式で表される繰り返し単位を有する高分子液晶化合
物をV.P.Shibeav et al.,Makromol.Chem.Rapid Commu
n.,3,809（182）に従って製造した。

得られた高分子液晶化合物（A₁）は、数平均分子量が68
00であり、その相転移挙動は下記のとおりであった。

低分子液晶化合物の製造ｐ−デシルオキシ安息香酸ｐ′−（２−メチルブチル
オキシ）フェニルエステルを特開昭59-128357に従っ
て製造した。

得られた低分子液晶化合物（B₁）の相転移挙動は下記の
通りであった。

高分子液晶組成物の製造上記高分子液晶化合物（A₁）と上記低分子液晶化合物
（B₁）とを、重量比で（A₁）：（B₁）＝20:80、40:60、
60:40、80:20の割合でブレンドし、高分子液晶組成物
C₁、C₂、C₃、およびC₄を製造した。これら高分子液晶組
成物の相転移挙動、電界応答速度を表１に示す。

実施例２高分子液晶化合物の製造下記式で表される繰り返し単位を有する高分子液晶化合
物をFreidzon.Y.S.et al.,Polymer Communications,27,
190（'86）に従って製造した。

得られた高分子液晶化合物（A₂）は、数平均分子量が55
00であり、その相転移挙動は下記のとおりであった。

低分子液晶化合物の製造３−メチル−２−クロルペンタン酸４−（４−′オク
チルオキシフェニル）フェニルエステルを特開昭60-2
18358に従って製造した。

得られた低分子液晶化合物（B₂）の相転移挙動は下記の
とおりであった。

高分子液晶組成物の製造上記高分子液晶化合物（A₂）と上記低分子液晶化合物
（B₂）とを、重量比で（A₂）：（B₂）＝20:80、40:60、
60:40、80:20の割合でブレンドし、高分子液晶組成物
C₅、C₆、C₇、およびC₈を製造した。これら高分子液晶組
成物の相転移挙動、電界応答速度を表１に示す。

実施例３高分子液晶化合物の製造下記式で表される繰り返し単位を有する高分子液晶化合
物をZentel R.et al.,Makromol.Chem.Rapid Commun.,5,
393（'84）に従って製造した。

得られた高分子液晶化合物（A₃）は、数平均分子量が78
00であり、その相転移挙動は下記のとおりであった。

低分子液晶化合物の製造４′−（ｐ−ヘキシルベンジルオキシ）−４−ビフェニ
ルカルボン酸１−メチルヘプチルエステルを特開昭60
-149547に従って製造した。

得られた低分子液晶化合物（B₃）の相転移挙動は下記の
とおりであった。

高分子液晶組成物の製造上記高分子液晶化合物（A₃）と上記低分子液晶化合物
（B₃）とを、重量比で（A₃）：（B₃）＝20:80、40:60、
60:40、80:20の割合でブレンドし、高分子液晶組成物
C₉、C₁₀、C₁₁、およびC₁₂を製造した。これら高分子液
晶組成物の相転移挙動、電界応答速度を表１に示す。

〔発明の効果〕本発明によると、室温域においても幅広いカイラルスメ
クチックＣ相液晶状態を有し、しかも光学表示素子とし
た場合、外的因子に対する応答速度が著しく速く、かつ
コントラスト比も高く、延伸配向が容易であるなど成形
性に優れ、動画表示素子、大画面、屈曲画面等にも好適
に用いることができる実用上著しく優れた利点を有する
高分子液晶組成物を提供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強誘電性低分子液晶化合物と、スメクチッ
クＣ相を有する側鎖型高分子液晶化合物からなる高分子
液晶組成物。