JPH07116295B2 - トリアジン環を含む重合体の製造方法 - Google Patents
トリアジン環を含む重合体の製造方法Info
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- JPH07116295B2 JPH07116295B2 JP21785187A JP21785187A JPH07116295B2 JP H07116295 B2 JPH07116295 B2 JP H07116295B2 JP 21785187 A JP21785187 A JP 21785187A JP 21785187 A JP21785187 A JP 21785187A JP H07116295 B2 JPH07116295 B2 JP H07116295B2
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- resin
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、加熱することにより、耐熱性のすぐれたトリ
アジン環を含む重合体の製造方法に関する。
アジン環を含む重合体の製造方法に関する。
電子部品分野や電気機器分野では、高密度化，高信頼度
化並びに小型軽量化，高性能化のすう勢にある。これを
達成するために、これらに用いられる有機材料には、耐
熱性にすぐれ、しかも、熱膨張係数が小さい硬化物に転
化し得る、成形加工性（低温硬化が可能で流動性大き
い）のすぐれた素材のニーズが高まつている。従来、こ
れに対処する素材として、Ｎ−置換マレイミド系材料が
検討されてきた。
化並びに小型軽量化，高性能化のすう勢にある。これを
達成するために、これらに用いられる有機材料には、耐
熱性にすぐれ、しかも、熱膨張係数が小さい硬化物に転
化し得る、成形加工性（低温硬化が可能で流動性大き
い）のすぐれた素材のニーズが高まつている。従来、こ
れに対処する素材として、Ｎ−置換マレイミド系材料が
検討されてきた。
しかし、この化合物をベースとした材料は、硬化温度が
200℃以上と高いこと、無機物や金属に対する接着性に
劣ること、溶媒に対する溶解性に劣るためにワニス，塗
料などへの展開が限定されること、また、縮合型イミド
系に比べて耐熱性が劣ることなど解決すべき課題が多
く、必ずしもその展開が充分に進んでいるわけではな
い。これに対して、近年、末端にエチニル基をもつイミ
ド系素材の積層材，接着剤への用途検討がされている。
しかし、この素材についても、成形硬化時の材料流動性
に問題がある。
200℃以上と高いこと、無機物や金属に対する接着性に
劣ること、溶媒に対する溶解性に劣るためにワニス，塗
料などへの展開が限定されること、また、縮合型イミド
系に比べて耐熱性が劣ることなど解決すべき課題が多
く、必ずしもその展開が充分に進んでいるわけではな
い。これに対して、近年、末端にエチニル基をもつイミ
ド系素材の積層材，接着剤への用途検討がされている。
しかし、この素材についても、成形硬化時の材料流動性
に問題がある。
また、特開昭55−94351号公報には、エチニル基末端シ
ツフ系化合物に関する記載がある。この化合物は芳香族
系の化合物であり、しかも、加熱することにより、アセ
チレン−アセチレン繰返し、あるいは、エン・イン結合
を連鎖にもつ重合体，導電体，半導体に関するものであ
る。このため、電子部品や電気機器などの絶縁性を要求
される分野への適用には問題がある。
ツフ系化合物に関する記載がある。この化合物は芳香族
系の化合物であり、しかも、加熱することにより、アセ
チレン−アセチレン繰返し、あるいは、エン・イン結合
を連鎖にもつ重合体，導電体，半導体に関するものであ
る。このため、電子部品や電気機器などの絶縁性を要求
される分野への適用には問題がある。
上記従来技術は、前述のように、耐熱性，成形加工性，
電気絶縁特性など、電子部品分野，電気機器分野へ適用
する場合に必要な特性のバランス化が取り難い。
電気絶縁特性など、電子部品分野，電気機器分野へ適用
する場合に必要な特性のバランス化が取り難い。
従来付加難反応素材の主流をなくしてきたＮ−置換マレ
イミド系材料は、上述のバランス化を図ろうと試みる
と、常に耐熱性の低下を認めざるを得ないために、本来
目的とした適用製品の高性能化，高信頼度化が必らずし
も充分に達成されない難点があつた。
イミド系材料は、上述のバランス化を図ろうと試みる
と、常に耐熱性の低下を認めざるを得ないために、本来
目的とした適用製品の高性能化，高信頼度化が必らずし
も充分に達成されない難点があつた。
本発明の目的は、これらの問題を解決可能な、新規なト
リアジン環を含む重合体の製造方法を提供することにあ
る。
リアジン環を含む重合体の製造方法を提供することにあ
る。
本発明の上記目的は、以下の項目を満たすことにより達
成される。
成される。
その要旨は、一般式〔Ｉ〕 Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Y1−Ｎ＝HC−X1−CH＝Ｎ−Y2−Ｏ−Ｃ≡Ｎ
〔Ｉ〕 〔式中、X1は無し、−（CH2）２−、 （式中、Ｐは無し、 R2はＨ、CH3、C2H5、CF3、 の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい＞、−Ｏ−、−CO−、−Ｓ−、−SO2−の
中のいずれかである。）、 の中のいずれかである。また、Y1、Y2は の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい。〕で表わされるシアナート基末端シッフ
系化合物を加熱することを特徴とするトリアジン環を含
む重合体の製造方法にある。
〔Ｉ〕 〔式中、X1は無し、−（CH2）２−、 （式中、Ｐは無し、 R2はＨ、CH3、C2H5、CF3、 の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい＞、−Ｏ−、−CO−、−Ｓ−、−SO2−の
中のいずれかである。）、 の中のいずれかである。また、Y1、Y2は の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい。〕で表わされるシアナート基末端シッフ
系化合物を加熱することを特徴とするトリアジン環を含
む重合体の製造方法にある。
本発明に於いて、一般式〔Ｉ〕 Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Y1−Ｎ＝HC−X1−CH＝Ｎ−Y2−Ｏ−Ｃ≡Ｎ
〔Ｉ〕 〔式中、X1は無し、−（CH2）２−、 （式中、Ｐは無し、 R2はＨ、CH3、C2H5、CF3、 の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい＞、−Ｏ−、−CO−、−Ｓ−、−SO2−の
中のいずれかである。）、 の中のいずれかである。また、Y1、Y2は の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい。〕で表わされるシアナート基をもち、複
数のシッフ系をもつ化合物は、例えば、次の反応過程、 〔式中、X1,Y1,Y2は上記と同じである。また、Y1,Y2は
お互いに同じであつても異なつていてもよい。〕を経て
合成することができる。
〔Ｉ〕 〔式中、X1は無し、−（CH2）２−、 （式中、Ｐは無し、 R2はＨ、CH3、C2H5、CF3、 の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい＞、−Ｏ−、−CO−、−Ｓ−、−SO2−の
中のいずれかである。）、 の中のいずれかである。また、Y1、Y2は の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい。〕で表わされるシアナート基をもち、複
数のシッフ系をもつ化合物は、例えば、次の反応過程、 〔式中、X1,Y1,Y2は上記と同じである。また、Y1,Y2は
お互いに同じであつても異なつていてもよい。〕を経て
合成することができる。
本発明の末端にシアナート基をもつシツフ系化合物は、
例えば、アルデヒド系化合物と、アミノフエノール系化
合物とを、反応させて末端ヒドロキシル基をもつシツフ
系化合物とした後、Br・Ｃ≡N,Cl・Ｃ≡Ｎなどのハロゲ
ン化ニトリルを、トリエチルアミンなどの第三級アミン
の共存下に反応させることにより合成出来る。また、予
め、アミノフエノール系化合物のアミノ基をマスクした
状態で、ハロゲン化ニトリルを反応させ、アミノシアナ
ート系化合物を合成した後、これと、アルデヒド系化合
物とよりシツフ結合を生成させて得るなどの手法もあ
る。しかし、本発明では、末端にシアナート基をもつシ
ツフ系化合物の製法については特に制限を設けるもので
はない。
例えば、アルデヒド系化合物と、アミノフエノール系化
合物とを、反応させて末端ヒドロキシル基をもつシツフ
系化合物とした後、Br・Ｃ≡N,Cl・Ｃ≡Ｎなどのハロゲ
ン化ニトリルを、トリエチルアミンなどの第三級アミン
の共存下に反応させることにより合成出来る。また、予
め、アミノフエノール系化合物のアミノ基をマスクした
状態で、ハロゲン化ニトリルを反応させ、アミノシアナ
ート系化合物を合成した後、これと、アルデヒド系化合
物とよりシツフ結合を生成させて得るなどの手法もあ
る。しかし、本発明では、末端にシアナート基をもつシ
ツフ系化合物の製法については特に制限を設けるもので
はない。
このようにして、得られたシアナート基をもつシツフ系
化合物〔Ｉ〕は、熱及び／又は光などのエネルギによ
り、架橋反応が生じ硬化する。この硬化物は、耐熱性，
耐湿性，電気特性，機械特性などにすぐれた性能をも
つ。
化合物〔Ｉ〕は、熱及び／又は光などのエネルギによ
り、架橋反応が生じ硬化する。この硬化物は、耐熱性，
耐湿性，電気特性，機械特性などにすぐれた性能をも
つ。
本発明の化合物〔Ｉ〕を合成する際の、必須成分である
ジアルデヒド化合物としては、例えば、グリオキサー
ル、スクシンジアルデヒドなどの脂肪族ジアルデヒド、
イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フタル
アルデヒドなどの芳香族アルデヒド類、また、ピリジン
−2,6−ジアルデヒド、ピリジン−2,4−ジアルデヒド、
ピリジン−3,5−ジアルデヒドなどの含窒素環アルデヒ
ドなどがある。
ジアルデヒド化合物としては、例えば、グリオキサー
ル、スクシンジアルデヒドなどの脂肪族ジアルデヒド、
イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フタル
アルデヒドなどの芳香族アルデヒド類、また、ピリジン
−2,6−ジアルデヒド、ピリジン−2,4−ジアルデヒド、
ピリジン−3,5−ジアルデヒドなどの含窒素環アルデヒ
ドなどがある。
また、本発明の化合物〔Ｉ〕を合成する際の必須成分で
ある H2N−Y1−OH及びH2N−Y2−OH で表わされるアミノフエノール系化合物とは、例えば、
ｏ−アミノフエノール,m−アミノフエノール,p−アミノ
フエノール、また、各種のアミノグレゾール類，各種の
アミノキシレノール類などがある。次式N2HCH2 mOH
で表わされる一連の脂肪族アミノアルコール類もある。
ある H2N−Y1−OH及びH2N−Y2−OH で表わされるアミノフエノール系化合物とは、例えば、
ｏ−アミノフエノール,m−アミノフエノール,p−アミノ
フエノール、また、各種のアミノグレゾール類，各種の
アミノキシレノール類などがある。次式N2HCH2 mOH
で表わされる一連の脂肪族アミノアルコール類もある。
本発明では、架橋剤として、効果を損わない程度、例え
ば、シツフ系化合物100重量部に対して１〜50重量部の
量でエチレン性の重合性化合物を添加使用することもで
きる。このような化合物の例は、スチレン，ビニルトル
エン，α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ジアリ
ルフタレート、ジアリルフタレートプレポリマー、クロ
ルスチレン、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブ
ロムスチレン、ジアリルベンゼンホスホネート、ジアリ
ルアリールホスホネート、ジアリルアリールホスフイル
酸エステル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステ
ル、トリアリルシアヌレート、トリアリルシアヌレート
プレポリマ、トリブロモフエノールアリルエーテル、不
飽和ポリエステルレジン等を挙げることができる。又、
これらの二種以上も併用できる。
ば、シツフ系化合物100重量部に対して１〜50重量部の
量でエチレン性の重合性化合物を添加使用することもで
きる。このような化合物の例は、スチレン，ビニルトル
エン，α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ジアリ
ルフタレート、ジアリルフタレートプレポリマー、クロ
ルスチレン、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブ
ロムスチレン、ジアリルベンゼンホスホネート、ジアリ
ルアリールホスホネート、ジアリルアリールホスフイル
酸エステル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステ
ル、トリアリルシアヌレート、トリアリルシアヌレート
プレポリマ、トリブロモフエノールアリルエーテル、不
飽和ポリエステルレジン等を挙げることができる。又、
これらの二種以上も併用できる。
又、本発明のシツフ系化合物は、N,N′−置換ビスマレ
イミド化合物、すなわち、次式 〔式中、Ｒはアルキレン基，アリレン基またはそれらの
置換された二価の有機基を示す〕で表わされる化合物
で、例えばN,N′−エチレンビスマレイミド、N,N′−ヘ
キサメチレンビスマレイミド、N,N′−ドデカメチレン
ビスマレイミド、N,N′−ｍ−フエニレンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルエーテルビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、
N,N′−4,4′−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−メタキシレンビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジフエニルシクロヘキサンビスマレイミド
等を挙げることができ、又、これらの二種以上を混合し
て使用することもできる。更に、モノ置換マレイミド，
トリ置換マレイミド，テトラ置換マレイミドと置換ビス
マレイミドとの混合物も、適宜、使用することができ
る。
イミド化合物、すなわち、次式 〔式中、Ｒはアルキレン基，アリレン基またはそれらの
置換された二価の有機基を示す〕で表わされる化合物
で、例えばN,N′−エチレンビスマレイミド、N,N′−ヘ
キサメチレンビスマレイミド、N,N′−ドデカメチレン
ビスマレイミド、N,N′−ｍ−フエニレンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルエーテルビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、
N,N′−4,4′−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−メタキシレンビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジフエニルシクロヘキサンビスマレイミド
等を挙げることができ、又、これらの二種以上を混合し
て使用することもできる。更に、モノ置換マレイミド，
トリ置換マレイミド，テトラ置換マレイミドと置換ビス
マレイミドとの混合物も、適宜、使用することができ
る。
本発明の化合物、及びこの化合物を含む組成物は、成形
材料，積層材料，塗料，被覆材，接着剤，各種用途のた
めのワニス，インキ材，トナー材，液晶材，導電材，電
子炉材,FRP用材，ペースト材などに適用することができ
る。これらの中でも特に、プリプレグ用樹脂、あるいは
LSIの多層化に伴なう層間絶縁膜や、LSI素子表面への保
護被覆材，液晶配向膜，航空宇宙用接着剤，成形材，積
層材，銀ペーストに有用である。
材料，積層材料，塗料，被覆材，接着剤，各種用途のた
めのワニス，インキ材，トナー材，液晶材，導電材，電
子炉材,FRP用材，ペースト材などに適用することができ
る。これらの中でも特に、プリプレグ用樹脂、あるいは
LSIの多層化に伴なう層間絶縁膜や、LSI素子表面への保
護被覆材，液晶配向膜，航空宇宙用接着剤，成形材，積
層材，銀ペーストに有用である。
又、ワニス等としての用途の場合には、各種溶剤、例え
ば、有機極性溶剤として、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジエチルアセ
トアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、ジ
メチルスルホン、テトラメチルスルホン、ジメチルテト
ラメチレンスルホン等を使用することができ、又、フエ
ノール系溶剤として、フエノール，クレゾール，キシレ
ノール等の一種以上を単独又は混合して使用することが
できる。又、使用量が若干量であれば、トルエン，キシ
レン，石油ナフサ等の非溶剤を併用することもできる。
ば、有機極性溶剤として、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジエチルアセ
トアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、ジ
メチルスルホン、テトラメチルスルホン、ジメチルテト
ラメチレンスルホン等を使用することができ、又、フエ
ノール系溶剤として、フエノール，クレゾール，キシレ
ノール等の一種以上を単独又は混合して使用することが
できる。又、使用量が若干量であれば、トルエン，キシ
レン，石油ナフサ等の非溶剤を併用することもできる。
本発明の化合物は、比較的低温で短時間の加熱により高
温強度の優れた硬化物に転化し、室温付近の温度では貯
蔵安定性に優れ、しかも、低圧成形ができるので、半導
体封止材，積層材等その適用，更に又、本発明の組成物
は、各種の用途，目的に応じて、次の各種素材の１種以
上を併用して用いることができる。
温強度の優れた硬化物に転化し、室温付近の温度では貯
蔵安定性に優れ、しかも、低圧成形ができるので、半導
体封止材，積層材等その適用，更に又、本発明の組成物
は、各種の用途，目的に応じて、次の各種素材の１種以
上を併用して用いることができる。
すなわち、例えば、成形材料としての用途の場合には、
各種無機充填剤、例えば、ジルコン，シリカ，溶融石英
ガラス，クレー，水和アルミナ，炭酸カルシウム，石英
ガラス，ガラス，アスベスト，ホイスカ，石コウ，マグ
ネサイト，マイカ，カオリン，タルク，黒鉛，セメン
ト，カーボニルアイアン，バリウム化合物，フエライ
ト，鉛化合物，二硫化モリブデン，亜鉛素，チタン白，
カーボンブラツク，珪砂，ウオラストナイト等を使用す
ることができ、又、各種離型剤、例えば、脂肪酸，ワツ
クス類等をそして各種カツプリング剤、例えば、エポキ
シシラン，ビニルシラン，ボラン系化合物，アルコキシ
チタネート化合物等を使用することができ、又、必要に
応じてアンチモン，燐等からなる既知の難燃材を使用す
ることができる。
各種無機充填剤、例えば、ジルコン，シリカ，溶融石英
ガラス，クレー，水和アルミナ，炭酸カルシウム，石英
ガラス，ガラス，アスベスト，ホイスカ，石コウ，マグ
ネサイト，マイカ，カオリン，タルク，黒鉛，セメン
ト，カーボニルアイアン，バリウム化合物，フエライ
ト，鉛化合物，二硫化モリブデン，亜鉛素，チタン白，
カーボンブラツク，珪砂，ウオラストナイト等を使用す
ることができ、又、各種離型剤、例えば、脂肪酸，ワツ
クス類等をそして各種カツプリング剤、例えば、エポキ
シシラン，ビニルシラン，ボラン系化合物，アルコキシ
チタネート化合物等を使用することができ、又、必要に
応じてアンチモン，燐等からなる既知の難燃材を使用す
ることができる。
本発明に於いて、一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物は溶
液として半導体素子等の表面に適用されることが望まし
く、溶媒は、例えば、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭
化水素，エタノール,2−プロパノール等のアルコール類
のほかケトン類，塩化炭化水素、あるいはＮ−メチルピ
ロリドン等の極性溶剤が挙げられる。
液として半導体素子等の表面に適用されることが望まし
く、溶媒は、例えば、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭
化水素，エタノール,2−プロパノール等のアルコール類
のほかケトン類，塩化炭化水素、あるいはＮ−メチルピ
ロリドン等の極性溶剤が挙げられる。
それら化合物の溶液は、半導体素子やリード線等の表面
３に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子およびリ
ード線の浸漬、素子およびリード線上への溶液の滴下、
あるいは、スプレー，スピンナ塗布などの方法がある。
３に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子およびリ
ード線の浸漬、素子およびリード線上への溶液の滴下、
あるいは、スプレー，スピンナ塗布などの方法がある。
上記のような方法によつて化合物溶液を塗布された半導
体素子やリード線は、次に、100℃以上、好ましくは、1
20〜200℃で加熱焼付け処理される。この処理によつ
て、化合物はより高分子量化、はしかけされて保護被覆
層を形成する。被覆層が、良好な効果を発揮するには厚
さ10μｍ以下、特に、１μｍ以下に形成されることが好
ましく、それは、溶液の濃度を通常５重量％以下で適宜
に調整することによつて達成される。
体素子やリード線は、次に、100℃以上、好ましくは、1
20〜200℃で加熱焼付け処理される。この処理によつ
て、化合物はより高分子量化、はしかけされて保護被覆
層を形成する。被覆層が、良好な効果を発揮するには厚
さ10μｍ以下、特に、１μｍ以下に形成されることが好
ましく、それは、溶液の濃度を通常５重量％以下で適宜
に調整することによつて達成される。
次いで、第１図に示すように、例えば、エポキシ樹脂組
成物６で、保護被覆層３をもつ素子２およびリード線１
からなるものを封止することにより、樹脂封止型半導体
装置を得る。
成物６で、保護被覆層３をもつ素子２およびリード線１
からなるものを封止することにより、樹脂封止型半導体
装置を得る。
＜実施例１＞ 撹拌装置を備えた1000mlの三つ口丸底フラスコに、Ｎ−
メチルピロリドン300mlと、パラ−アミノフエノール18.
6重量部を仕込んだ。次に、室温下撹拌しながら、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン200ml中に、テレフタルアルデ
ヒド13.4重量部を溶解した溶液を滴下した、室温で四時
間撹拌した後、更に、90〜100℃で５時間撹拌を続け、
反応物 を得る。冷却後反応物の溶液に、Br,C≡N21.2重量部のN
MP10％溶液、トリエチルアミン0.8重量部を加え、70〜1
00℃で四時間反応させた。次いで、この反応液を、3000
mlの水中に添加して沈殿を得た。沈殿を一昼夜放置後、
濾過，洗浄，乾燥した。目的の反応物（Ａ）35.8重量部
を得た。
メチルピロリドン300mlと、パラ−アミノフエノール18.
6重量部を仕込んだ。次に、室温下撹拌しながら、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン200ml中に、テレフタルアルデ
ヒド13.4重量部を溶解した溶液を滴下した、室温で四時
間撹拌した後、更に、90〜100℃で５時間撹拌を続け、
反応物 を得る。冷却後反応物の溶液に、Br,C≡N21.2重量部のN
MP10％溶液、トリエチルアミン0.8重量部を加え、70〜1
00℃で四時間反応させた。次いで、この反応液を、3000
mlの水中に添加して沈殿を得た。沈殿を一昼夜放置後、
濾過，洗浄，乾燥した。目的の反応物（Ａ）35.8重量部
を得た。
＜実施例２＞ 撹拌装置を備えた1000mlの三つ口丸底フラスコに、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン300mlと、パラ−アミノベンズ
シアナート21.6重量部を仕込んだ。次に、室温下撹拌し
ながら、Ｎ−メチル−２−ピロリドン200ml中にイソフ
タルアルデヒド13.4g（0.1モル）を溶解した液を滴下し
た。室温で四時間撹拌した後、更に、90〜100℃で五時
間撹拌を続けた。次に、反応液を、3000mlの水中に加
え、沈殿させた。このまま一昼夜放置後、沈殿を濾過
し、純水で洗浄した後、100〜110℃で約三時間乾燥し
て、 を得た。
メチル−２−ピロリドン300mlと、パラ−アミノベンズ
シアナート21.6重量部を仕込んだ。次に、室温下撹拌し
ながら、Ｎ−メチル−２−ピロリドン200ml中にイソフ
タルアルデヒド13.4g（0.1モル）を溶解した液を滴下し
た。室温で四時間撹拌した後、更に、90〜100℃で五時
間撹拌を続けた。次に、反応液を、3000mlの水中に加
え、沈殿させた。このまま一昼夜放置後、沈殿を濾過
し、純水で洗浄した後、100〜110℃で約三時間乾燥し
て、 を得た。
実施例１及び実施例２で得た、シアナート基末端シツフ
系化合物〔Ａ〕及び〔Ｂ〕、並びに比較例として、Ｎ−
置換マレイミド系材料BMI,エチニル基末端イミド系オリ
ゴマMC−600 の減量開始温度,5重量パーセント減量温度，硬化物の熱
膨張係数を第１表に示した。
系化合物〔Ａ〕及び〔Ｂ〕、並びに比較例として、Ｎ−
置換マレイミド系材料BMI,エチニル基末端イミド系オリ
ゴマMC−600 の減量開始温度,5重量パーセント減量温度，硬化物の熱
膨張係数を第１表に示した。
＜実施例３＞ シアナート基末端シツフ系化合物として、 の化合物を、Ｎ−メチル−２−ピロリドンMEK等量混液
に溶解して、８重量パーセントのワニス1000mlを調整し
た。次いで、ガラス繊維布（日東紡社製WF−230）に浸
漬した。含浸プリプレグシートを100〜120℃で約３時間
加熱乾燥してプリプレグを得た。このプリプレグの樹脂
含有率は４重量パーセントであつた。
に溶解して、８重量パーセントのワニス1000mlを調整し
た。次いで、ガラス繊維布（日東紡社製WF−230）に浸
漬した。含浸プリプレグシートを100〜120℃で約３時間
加熱乾燥してプリプレグを得た。このプリプレグの樹脂
含有率は４重量パーセントであつた。
次に得られたプリプレグ六枚を重ね150〜160℃,50kg・f
/cm2、二時間の条件で圧縮成形した。成形品の引張り強
度は16.5kg/cm2 at100℃（ASTMD−638）、曲げ強度は1
5.5kg/cm2 at100℃（ASTM,D−790）、アイゾツト衝撃強
度（ノツチ付）は6.6kg・cm/cm2 at25℃（ASTM,D−25
6）であつた。
/cm2、二時間の条件で圧縮成形した。成形品の引張り強
度は16.5kg/cm2 at100℃（ASTMD−638）、曲げ強度は1
5.5kg/cm2 at100℃（ASTM,D−790）、アイゾツト衝撃強
度（ノツチ付）は6.6kg・cm/cm2 at25℃（ASTM,D−25
6）であつた。
＜実施例４＞ シアナート基末端シツフ系化合物として、 を、ジメチルホルムアミドに溶解して２重量パーセント
溶液を調整した。次に、十分に洗浄した透電導電膜をも
つポリエチレンテレフタレートフイルム上に、スピンナ
を用いて、3500rpmで均一に塗布後、120℃で十五分間乾
燥してジメチルホルムアミドを蒸発させ、膜厚650Åの
配向制御膜を形成した。この膜をフエルトで一定方向に
ラビングし、配向制御膜をもつ基板フイルムを作成し
た。
溶液を調整した。次に、十分に洗浄した透電導電膜をも
つポリエチレンテレフタレートフイルム上に、スピンナ
を用いて、3500rpmで均一に塗布後、120℃で十五分間乾
燥してジメチルホルムアミドを蒸発させ、膜厚650Åの
配向制御膜を形成した。この膜をフエルトで一定方向に
ラビングし、配向制御膜をもつ基板フイルムを作成し
た。
このようにして作成した二枚のフイルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフイルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作成し
た。この素子の配向制御膜間に、フエニルシクロヘキサ
ン系の液晶（メルク社製,ZLI−1132）を配置し、二枚の
直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、良好な配
向性を示した。
対向させて配置し、これらのフイルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作成し
た。この素子の配向制御膜間に、フエニルシクロヘキサ
ン系の液晶（メルク社製,ZLI−1132）を配置し、二枚の
直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、良好な配
向性を示した。
＜実施例５＞ 実施例１の化合物〔Ａ〕をトルエンに溶解して、１重量
％の樹脂溶液を調製した。この溶液を、二層配線絶縁膜
として用いた場合の素子構造を、第２図，第３図に示し
た。
％の樹脂溶液を調製した。この溶液を、二層配線絶縁膜
として用いた場合の素子構造を、第２図，第３図に示し
た。
素子の構成は、Si素子基板上に、SiO2絶縁層，ポリシリ
コン層、更に第一層目のアルミニウム配線４−Ｉを形成
した後に、この樹脂被覆材料を塗布（スピンナー使
用）、焼付け（250℃,60分間）した３−Ｉのち、ポジレ
ジストを塗布して、マルホールのパターニングを行なつ
た。次いで、CF4−O2を反応ガスとしてプラズマエツチ
した。次いでO2を反応ガスとするプラズマアツシヤーに
よつてポジレジストを除去した。
コン層、更に第一層目のアルミニウム配線４−Ｉを形成
した後に、この樹脂被覆材料を塗布（スピンナー使
用）、焼付け（250℃,60分間）した３−Ｉのち、ポジレ
ジストを塗布して、マルホールのパターニングを行なつ
た。次いで、CF4−O2を反応ガスとしてプラズマエツチ
した。次いでO2を反応ガスとするプラズマアツシヤーに
よつてポジレジストを除去した。
次いで、第二層目のアルミニウム配線４−IIを形成した
後、さらに、この樹脂液を塗布，焼付け（前記条件と同
じ）した。（３−II層） なお、第２図は、第二層目の被覆樹脂として、ポリイミ
ド樹脂（日立化成製PIQ）を用いた場合（五層）を示し
た。
後、さらに、この樹脂液を塗布，焼付け（前記条件と同
じ）した。（３−II層） なお、第２図は、第二層目の被覆樹脂として、ポリイミ
ド樹脂（日立化成製PIQ）を用いた場合（五層）を示し
た。
本発明の半導体装置を、フエノールノボラツク樹脂を硬
化剤としたエポキシ系樹脂成形材料を用いて樹脂パツケ
ージしたメモリ用LSI製品（/MビツトＤ−RAMメモリ）
は、85℃,85％相対湿度中でバイアス印加放置で三千時
間後も、Al配線の腐食による断線故障の発生はなく、耐
湿信頼性にすぐれたLSIを得た。また、このLSIのソフト
・エラーネは50Fitで、耐α線性にもすぐれている。
化剤としたエポキシ系樹脂成形材料を用いて樹脂パツケ
ージしたメモリ用LSI製品（/MビツトＤ−RAMメモリ）
は、85℃,85％相対湿度中でバイアス印加放置で三千時
間後も、Al配線の腐食による断線故障の発生はなく、耐
湿信頼性にすぐれたLSIを得た。また、このLSIのソフト
・エラーネは50Fitで、耐α線性にもすぐれている。
−封止用エポキシ樹脂成物− ノボラツク型エポキシ樹脂 100重量部 フエノール〜ホルムアルデヒド樹脂 55重量部 イミダゾール系触媒 3重量部 溶融石英ガラス粉 480重量部 エポキシシラン 2重量部 ヘキストワツクス 2重量部 カーボンブラツク 1重量部 この配合組成物を、70〜80℃に加熱した二本ロールで十
分間、混練した後、粗粉砕して封止用樹脂組成物を作成
した。
分間、混練した後、粗粉砕して封止用樹脂組成物を作成
した。
被覆を施された半導体素子を封止する方法には、樹脂封
止の他、キヤン，半田融着セラミツク，ガラス融着セラ
ミツクなどを用いる。
止の他、キヤン，半田融着セラミツク，ガラス融着セラ
ミツクなどを用いる。
本発明のシアナート基末端シツフ系化合物は、従来の付
加型素材に比べて、汎用溶媒に対する溶解性にすぐれ、
硬化物の耐熱性も同等以上を有し、しかも熱膨張係数が
小さい特徴を有する。
加型素材に比べて、汎用溶媒に対する溶解性にすぐれ、
硬化物の耐熱性も同等以上を有し、しかも熱膨張係数が
小さい特徴を有する。
第１図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
２図，第３図は、本発明に係わる半導体装置の素子部分
の一部断面図である。 １……リード線、２……半導体素子、３……保護被覆樹
脂、３−Ｉ……第１層保護被覆樹脂、３−II……第２層
保護被覆樹脂、４−Ｉ……第１層配線、４−II……第２
層配線、５……ポリイミド系樹脂、６……モールド樹
脂、７……熱酸化膜。
２図，第３図は、本発明に係わる半導体装置の素子部分
の一部断面図である。 １……リード線、２……半導体素子、３……保護被覆樹
脂、３−Ｉ……第１層保護被覆樹脂、３−II……第２層
保護被覆樹脂、４−Ｉ……第１層配線、４−II……第２
層配線、５……ポリイミド系樹脂、６……モールド樹
脂、７……熱酸化膜。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式〔Ｉ〕 Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Y1−Ｎ＝HC−X1−CH＝Ｎ−Y2−Ｏ−Ｃ≡Ｎ
〔Ｉ〕 〔式中、X1は無し、−（CH2）２−、 （式中、Ｐは無し、 R2はＨ、CH3、C2H5、CF3、 の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい＞、−Ｏ−、−CO−、−Ｓ−、−SO2−の
中のいずれかである。）、 の中のいずれかである。また、Y1、Y2は の中のいずれかであり、お互いに同じであっても異なっ
ていてもよい。〕で表わされるシアナート基末端シッフ
系化合物を加熱することを特徴とするトリアジン環を含
む重合体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21785187A JPH07116295B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | トリアジン環を含む重合体の製造方法 |
| DE3856001T DE3856001T2 (de) | 1987-04-15 | 1988-04-13 | Polymere mit Dihydrotriazinringen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendungen |
| EP88105900A EP0295381B1 (en) | 1987-04-15 | 1988-04-13 | Polymer having dihydrotriazine rings, process for producing the same, and applications thereof |
| KR1019880004293A KR0122080B1 (ko) | 1987-04-15 | 1988-04-15 | 디히드로피리딘 환 또는 디히드로트리아진 환을 갖는 중합체, 그의 제조방법 및 그의 용도 |
| US07/715,324 US5166283A (en) | 1987-04-15 | 1991-06-14 | Polymer having dihydropyridine rings or dihydrotriazine rings, process for producing the same, and applications thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21785187A JPH07116295B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | トリアジン環を含む重合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461450A JPS6461450A (en) | 1989-03-08 |
| JPH07116295B2 true JPH07116295B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=16710758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21785187A Expired - Lifetime JPH07116295B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-09-02 | トリアジン環を含む重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116295B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7305107B2 (ja) * | 2018-04-10 | 2023-07-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、及びその製造方法、樹脂組成物、硬化物、単層樹脂シート、積層樹脂シート、プリプレグ、金属箔張積層板、プリント配線板、封止用材料、繊維強化複合材料、並びに接着剤 |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP21785187A patent/JPH07116295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461450A (en) | 1989-03-08 |
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