JPH07115721A - ガス絶縁機器 - Google Patents

ガス絶縁機器

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JPH07115721A
JPH07115721A JP5258014A JP25801493A JPH07115721A JP H07115721 A JPH07115721 A JP H07115721A JP 5258014 A JP5258014 A JP 5258014A JP 25801493 A JP25801493 A JP 25801493A JP H07115721 A JPH07115721 A JP H07115721A
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conductor
insulator
gas
insulated
convex
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JP5258014A
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English (en)
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Tomoaki Uchiumi
知明 内海
Fumimasa Endo
奎将 遠藤
Takuya Sugawara
拓也 菅原
Toshio Ishikawa
敏雄 石川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to DE69431374T priority patent/DE69431374T2/de
Priority to DE69425542T priority patent/DE69425542T2/de
Priority to EP01120968A priority patent/EP1168178B1/en
Priority to EP00100479A priority patent/EP1016968B1/en
Priority to US08/323,094 priority patent/US5802266A/en
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Priority to US08/962,879 priority patent/US6092217A/en
Priority to US09/376,008 priority patent/US6513131B1/en
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02GINSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G5/00Installations of bus-bars
    • H02G5/06Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
    • H02G5/066Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
    • H02G5/068Devices for maintaining distance between conductor and enclosure being part of the junction between two enclosures

Landscapes

  • Installation Of Bus-Bars (AREA)
  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】絶縁スペーサに異物が付着しても絶縁耐力が高
く、かつ、機械的強度が強くなるように、ガス絶縁機器
の高電圧化,高信頼化,縮小化を図る。 【構成】絶縁性ガスが充填された容器1内に配設された
円筒状の導体4を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
縁機器において、絶縁体の少なくとも一部分を導体4と
同軸の円錐面で形成し、絶縁体の一方の面を凸面とし、
他方の面を凹面とし、さらに、絶縁体の凹面の導体4の
周囲に、導体4と同軸で凹面と逆向きの凸状の円錐面を
形成し、逆向きで凸状の円錐面と導体4とのなす角度を
65゜より大きく、かつ、75゜未満とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス絶縁機器に係り、
特に、高電圧の導体を支持する絶縁体を備えるガス絶縁
機器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のガス絶縁機器は、図12に示すよ
うに、SF6 ガスなどの絶縁性ガスを充填した接地金属
容器1内の高電圧の導体2を絶縁スペーサ3で絶縁支持
する構造となっている。この種のガス絶縁機器では、そ
の機械的強度を向上するため、例えば、特開平2−28061
0 号公報に記載されているように、絶縁スペーサの樹脂
の導体貫通部に円錐台状の凸部301,302を設けて
いた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、絶縁ス
ペーサ自体の絶縁耐力について考慮がなされていない。
すなわち、図12で、円錐台状の凸部301,302を
設けた場合、そのつけ根の凹部303,304で電界が
高くなる。その結果、例えば、ガス絶縁機器からとり除
ききれないまま残ってしまった導電性の異物、または、
内部機器から発生した導電性の異物が、この凹部30
3,304に付着した場合にその部分が弱点となり、絶
縁耐力が大幅に低下して絶縁破壊が生じるという問題が
あった。
【0004】本発明の目的は、機器内部に導電性異物が
存在する場合にも絶縁耐力が高く且つ機械的強度の強い
ガス絶縁機器を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
た円筒状の導体を、円錐状の絶縁体によって絶縁支持す
るガス絶縁機器で、前記絶縁体の凹面側の前記導体周囲
に、前記導体と同軸での凸状の円錐面を形成し、前記凸
状の円錐面と前記導体とのなす角度を65゜より大き
く、かつ、75゜未満としたことを特徴とする。
【0006】
【作用】本発明によれば、絶縁スペーサの導体貫通部に
凸状の円錐面を設けて機械的強度を維持しつつ、凸状の
円錐面と導体とのなす角度を65゜より大きく且つ75゜
未満とすることにより、スペーサ表面の電界を低減して
いるので、導電性の異物が絶縁スペーサに付着した場合
にも、絶縁耐力を向上させることができる。
【0007】以下に、この作用について図2ないし図8
の特性図,模式図を用いて説明する。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を用いて説明
する。
【0009】図1は、本発明のガス絶縁機器の一実施例
を示すもので、図1で、1は接地金属容器、2は接地金
属容器1内に配置される高電圧の導体、3は導体2を接
続するための埋込導体4を埋め込んでいる絶縁スペーサ
で、この絶縁スペーサ3は容器1のフランジ5にボルト
6によって固定されている。接地金属容器1の内部に
は、SF6 ガスなどの絶縁性ガスが封入されている。
【0010】このガス絶縁機器は、絶縁耐力が高く内部
で高電界を使用できるため、高電圧でありながらコンパ
クトにでき、容器1の直径1m以下で、百万ボルト送電
用の電力機器を構成できるまでに至っている。ここで、
実際のガス絶縁機器では、内部に僅かながら導電性の異
物が混入するため、異物の混入を考慮して設計されてい
る。もし、内部に異物が全く存在しなければ、もっと高
電圧でコンパクトにすることができる。換言すると、ガ
ス絶縁機器の絶縁耐力は異物によって決まっていること
になる。
【0011】図2は、SF6 ガスを充填したガス絶縁機
器のガス空間における絶縁耐力と異物長の関係であり、
異物長が短くなると絶縁耐力が高くなっている。従っ
て、組立て時の異物発生防止、組立て後の清掃などの異
物管理が実施されており、残留異物の長さは3mm以下と
なっている。
【0012】絶縁スペーサ3に異物が付着したときの絶
縁耐力も図2と同様の傾向を示すが、ガス空間における
絶縁耐力よりも10%程度低いことが多い。これは、絶
縁スペーサ3とSF6 ガスとの界面では、放電が進展し
やすいためである。
【0013】ところで、図1の絶縁スペーサ3の概形
は、導体2と同軸の円錐状となっている。このようにし
て絶縁スペーサ3の表面を導体2の表面に対し斜めにす
ることにより、絶縁スペーサ3の表面に沿って導体2か
ら接地金属容器1までたどる行程をガス空間の絶縁距離
よりも長くしている。このため、絶縁スペーサ3の表面
における放電の進展が抑制され絶縁耐力が高くなる。こ
の場合、絶縁スペーサ3の表面に異物が付着したときの
絶縁耐力は、絶縁スペーサ3の表面の電界強度Eのう
ち、絶縁スペーサ3の表面に沿った方向の電界成分Ep
によって決まる。
【0014】従って、絶縁スペーサ3の表面で電界成分
Epがガス空間の電界Eよりも10%以上低くなるよう
に形状を決めれば、絶縁スペーサ3の絶縁耐力をガス空
間の絶縁耐力と同等又はそれ以上にすることができ、ひ
いてはガス絶縁機器の絶縁耐力を高くできる。このため
には、絶縁スペーサ3で、導体2の表面に対する絶縁ス
ペーサ3の表面33の角度θ1を、sinθ1≦0.9、すな
わち、θ1≦65°とする必要が有る。
【0015】ここで、絶縁スペーサ3の形状を図3のよ
うな単純な円錐にすると、絶縁スペーサ3の凹面の導体
2との接触部にガスくさびが形成されて電界が集中し、
この部分の絶縁耐力が弱くなる。また、絶縁スペーサ3
と導体2の接触部36,37に異物が付着したときの絶
縁耐力は、絶縁スペーサ3の他の部分に付着したときの
絶縁耐力よりも20%から40%低く、導体2との接触
部36,37で、電界成分Epを他の部分に対して60
%以上80%以下にまで低減する必要がある。そのた
め、図1の絶縁スペーサ3では、凹面側の導体2の周囲
に凸状の円錐面34を形成して、電界集中を無くし、か
つ、導体2との接触部の電界Epを低減している。
【0016】図4の実線101は、図1に示した絶縁ス
ペーサ3の凹面側の電界成分Epの分布である。図4の
横軸は、絶縁スペーサ3の表面の部位の導体2からの距
離である。図1の形状の絶縁スペーサ3では、凸面側3
1,32のEpの最大値は凹面側33,34,35より
も低いので、以下では凹面側について述べる。
【0017】図4から、凸状の円錐面34を形成するこ
とにより、導体2の近傍の電界成分Epを低減し、他の
部位でのEpの最大値に対して80%以下にしている。
ここで、円錐面33と円錐面34の境目となる屈曲部3
5で、電界成分Epが最大値となっている。また、屈曲
部35の電界成分Epは、屈曲部35の位置によっても
変わる。図4の破線102は、屈曲部35の位置を導体
2に近づけた場合の電界Epの分布であり、高電界部の
位置が導体2に近づくだけでなく、屈曲部35の電界が
高くなっており、絶縁耐力が低くなっている。従って、
屈曲部35は導体2からある程度離す必要がある。
【0018】一方、屈曲部35の位置を接地金属容器1
に近づけた場合、凸状の円錐面34の部分が大きくなっ
て絶縁スペーサ3が厚くなり、製作・運搬が難しくなる
だけでなく、絶縁スペーサ3と接地金属容器1の接触部
38,39で電界成分Epが高くなる。この部分の電界
は、絶縁スペーサ3と導体2の接触部36,37での電
界と同様、絶縁スペーサ3の表面の他の部位のEpより
も20%以上低くする必要があり、屈曲部35は接地金
属容器1からも距離をおく必要がある。
【0019】図5は、絶縁スペーサ3の表面の電界成分
Epと屈曲部35の位置D1 の関係である。ここでは、
屈曲部35の位置D1 として、凹状の円錐面33と凸状
の円錐面34との交線と導体2との距離を、導体2と接
地金属容器1との距離に対する百分率で示している。図
4で実線103は絶縁スペーサ3の表面の電界成分Ep
の最大値、点線104は実線103の80%値、破線1
05は絶縁スペーサ3と導体2との接触部36,37の
電界成分Epの最大値,破線106は絶縁スペーサ3と
接地金属容器1との接触部38,39の電界成分Epの
最大値である。
【0020】図5に示したように、D1 が20%以上の
とき、接触部36,37の電界成分105が、Epの最
大値の80%値104より低くなる。また、D1 が60
%以下のとき、接触部38,39の電界成分106が、
Epの最大値の80%値104より低くなる。従って、D
1 が20%以上60%以下のとき、絶縁スペーサ3の絶
縁耐力がEpの最大値103で決まる上に、Epの最大
値103もほぼ最低値になっているので、絶縁スペーサ
3の絶縁耐力が高くなる。
【0021】さらに、図1の絶縁スペーサ3は、凸状の
円錐面34と導体2の成す角度θ2を65°より大きく
75°未満とすることにより絶縁耐力を高くしている。
【0022】図6は、θ2 と電界の関係である。図6
で、実線111は絶縁スペーサ3の表面の電界Eの最大
値,破線112は電界Eの絶縁スペーサ3の表面に沿っ
た方向の電界成分Epの最大値,一点鎖線113は絶縁
スペーサ3と導体2との接触部36,37の電界成分E
pである。また、点線111a,112a,113a
は、それぞれ111,112,113についての許容電
界である。
【0023】角度θ2 を90°から小さくしていくと、
電界Eの最大値111が急増し絶縁耐力が低下する。こ
の場合、電界Eは主として清浄時の絶縁耐力に影響し、
異物付着時の絶縁耐力には直接影響しない。従って、電
界Eについての許容電界111aは、清浄時の絶縁耐力に裕
度を乗じ、これを試験電圧で除することにより決められ
る。このとき、角度θ2 が65°以上の時に電界Eの最
大値111が許容電界111a以下になり、角度θ2
65°以上とする必要がある。
【0024】Epの最大値112は、角度θ2 が60°
から80°の間で最低値をとっている。Epについての
許容電界112aは、異物付着時の絶縁耐力に裕度を乗
じ、これを運転時の印加電圧で除することにより決めら
れ、電界Eについての許容電界111aの80%以下と
なっているが、この値は異物管理により変わる。図7
で、Epの最大値112を許容電界112a以下とする
ために、角度θ2 を60°以上80°以下にする必要があ
る。
【0025】また、角度θ2 を90°から小さくしてい
くと、接触部36,37の電界成分113は低減されて
いく。接触部36,37では、導体2から電荷が供給さ
れるため絶縁破壊が進展しやすく、許容電界113aは
112aより20%低い。図7で、接触部36,37の
電界成分113を許容電界113a以下とするために、
角度θ2 を75°以上にする必要がある。
【0026】以上のことから、角度θ2 を65°以上7
5°以下とすることにより、絶縁耐力の高いガス絶縁機
器を構成できる。
【0027】上述の検討を、図7のような絶縁耐力の特
性図で行うこともできる。すなわち、図7で、実線11
4,破線115,一点鎖線116は、それぞれ、図6の1
11,112,113に対応する絶縁耐力であり、それ
ぞれの部位の許容電界を図6の電界で除することにより
求められる。電界と絶縁耐力は反比例するのでθ2 の変
化による増減は逆になる。
【0028】図7の点線117は要求される絶縁耐力で
あり、図6の許容電界111a,112a,113aに
相当する。絶縁スペーサ3の絶縁耐力114,115,
116は、θ2 が65°以上75°以下の場合に点線1
17以上となる。また、点線117はガス空間での絶縁
耐力と同程度であり、ガス絶縁機器の絶縁耐力が効率良
く高くなっている。
【0029】さらに、図1の絶縁スペーサ3では、屈曲
部35の曲率半径R1 を特定の範囲内の値とすることに
より、屈曲部35の電界成分Epを低減し絶縁耐力を高
くしている。電界成分Epは屈曲部35で最大であり、
この部分の電界を低減すればEpの最大値を低減でき絶
縁耐力を向上できる。
【0030】図8の実線121は、屈曲部35の曲率半
径R1 と電界成分Epの関係である。また破線122
は、絶縁スペーサ3の絶縁耐力がガス空間での絶縁耐力
と同等になる電界成分Epである。図8の曲率半径R1
は、導体2と容器1の距離に対する百分率で表示してい
る。図8では、曲率半径R1 が25%以上かつ40%以
下のとき、絶縁スペーサ3の絶縁耐力121がガス空間
での絶縁耐力122と同等になっている。従って、絶縁
耐力を高くするには曲率半径R1 をこの範囲にする必要
がある。
【0031】さらに、図1の絶縁スペーサ3では、導体
2との接触部36,37を丸めて、導体2と絶縁スペー
サ3が接触点でなす角を85°以上90°以下としてい
る。これにより、接触部36,37から発生する絶縁破
壊は、絶縁スペーサ3の表面に沿わずにガス空間中を進
展するため、接触部36,37の絶縁耐力は約10%高
くなる。このとき、図5,図7で他の部分より20%低
いものとした接触部36,37の絶縁耐力は、10%だ
け低いものとなるため、角度θ2 の範囲が広がることに
なる。この範囲を前述したのと同様に決めると、角度θ
2 の範囲は60°以上かつ80°以下となる。
【0032】さらに、図1の絶縁スペーサ3では、凸面
側の円錐面32が導体1となす角度θ3 を、円錐面31
が導体1となす角度θ1 よりも大きくして、円錐面31
と円錐面32の境目に凹部が形成されないようにしてい
る。もし、凹部が形成されると電界集中部ができて絶縁
耐力が低下する。ただし機械的強度を確保するには、θ
3 を85°以下とする必要がある。
【0033】また、スペーサ面33と34のなす角θ4
が鋭角になると屈曲部35でガスくさびが形成されるた
め絶縁耐力が低下する。従ってθ4>90°とする必要
が有る。ただし、前述したことからθ1≦65°,θ2
75°であるのでθ4=θ1+θ2≦140°である。ま
た、θ4>90°,θ2 ≦75°であるため、θ1>15
°でなければならない。
【0034】上述の条件をすべて充たすように絶縁スペ
ーサ3の形状を決めれば、絶縁耐力を高くできるが、製
作工程その他の都合により、部分的に上述の条件を充た
す形状としても、ある程度は絶縁耐力を向上することが
できる。
【0035】ところで、図9に示したような三相一括母
線でも、本発明を適用することができる。そのために
は、絶縁スペーサ3a上に、導体2aの中心軸から接地
金属容器2aまでの距離を半径とする円310を想定
し、この円310の内側を前述した絶縁スペーサ3と同
様の形状とすればよい。
【0036】図10は、多くの変電所に適用されている
ガス絶縁開閉装置(GIS)の構成の一例である。母線
8,ブッシング9,断路器11,変流器12,遮断器1
3,接地装置14など種々の機器が複合しており、これ
らの各機器に図1の絶縁スペーサを適用することにより
GIS全体の信頼性を向上することができる。
【0037】図11は、図1の絶縁スペーサ3にひだ3
20をつけた一実施例である。絶縁耐力の弱い部分から
進展する放電を抑制できるように、屈曲部35のやや外
側にひだを設けて絶縁耐力を向上している。
【0038】図11のようなひだつき絶縁スペーサは、
絶縁耐力は高いが、製作コストがかかり高価となるの
で、絶縁上厳しい条件にある部分に適用することにより
効率良く機器全体の絶縁耐力の向上を図ることができ
る。
【0039】例えば、落雷が頻繁に発生する地域では、
架空送電線に連結したブッシング9に雷サージが直接侵
入するので、ブッシング9に図12のひだ付き絶縁スペ
ーサ3を適用する。また、断路器11,遮断器13など
の開閉装置がある部分では、導電性異物が発生する可能
性が大きいため、絶縁耐力を他の部位より高くしておく
必要がある。従って、これらの開閉装置のある部分に上
述のひだつき絶縁スペ−サ3を適用する。
【0040】ガス絶縁機器には種々の絶縁階級があるた
め、機器によってサイズが異なるが、この場合には、絶
縁スペーサ3を、機器のサイズに応じて相似な形状とす
ることにより、絶縁耐力を高く保つことが可能である。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、ガス絶縁機器の絶縁ス
ペーサなどの絶縁体に異物が付着した場合にも絶縁耐力
を高く保つことができ、かつ、機械的強度を強くできる
ので、高電圧で信頼性が高くコンパクトなガス絶縁機器
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のガス絶縁機器の一実施例を示す断面
図。
【図2】本発明のガス絶縁機器の絶縁耐力と異物長の関
係を示す特性図。
【図3】絶縁スペーサを単純な円錐面で形成した従来の
実施例の断面図。
【図4】本発明の絶縁スペーサの表面の電界成分Epの
分布を示す特性図。
【図5】本発明の絶縁スペーサの屈曲部35の位置D1
と電界成分Epとの関係を示す特性図。
【図6】本発明の絶縁スペーサの表面が導体となす角度
θ2 と絶縁スペーサ表面の電界強度との関係を示す特性
図。
【図7】本発明の絶縁スペーサの表面が導体となす角度
θ2 と絶縁耐力の関係を示す特性図。
【図8】本発明の絶縁スペーサの屈曲部35の曲率半径
1 と電界成分Epの関係を示す特性図。
【図9】本発明を三相一括ガス絶縁母線に適用した実施
例を示す断面図。
【図10】本発明のガス絶縁機器の一例であるガス絶縁
開閉装置の構成を一部断面にて示す正面図。
【図11】本発明の絶縁スペーサにひだをつけた一実施
例を示す断面図。
【図12】従来の一実施例を示す断面図。
【符号の説明】
1…容器、2…高電圧の導体、3…絶縁スペーサ、4…
導体、5…フランジ、6…ボルト、8…母線、9…ブッ
シング、10…接続母線、11…断路器、12…変流
器、13…遮断器、14…接地装置、15…主母線、3
1〜39…絶縁スペーサの各部位。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 敏雄 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐状
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体の周囲に、前記導
    体と同軸で凸状の円錐面を形成し、前記凸状の円錐面と
    前記導体とのなす角度を65゜より大きく、かつ、75
    ゜未満としたことを特徴とするガス絶縁機器。
  2. 【請求項2】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐状
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体の周囲に、前記導
    体と同軸での凸状の円錐面を形成し、前記凸状の円錐面
    と前記導体とのなす角度を60゜以上、かつ、80゜以
    下とし、さらに前記絶縁体の前記導体接触部において丸
    みを付け、接触点において導体とスペーサのなす角度を
    85゜以上、かつ、90゜以下としたことを特徴とする
    ガス絶縁機器。
  3. 【請求項3】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐面
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体の周囲に、前記導
    体と同軸で凸状の円錐面を形成し、前記凹面の延長と前
    記凸状の円錐面の延長との交線と前記導体表面との距離
    を、前記導体表面と前記容器との距離に対し20%以上
    60%以下としたことを特徴とするガス絶縁機器。
  4. 【請求項4】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体の少なくとも一部分が前記
    導体と同軸の円錐面で形成し、前記円錐面が形成された
    前記絶縁体の一方の面を凸面とし、他方の面を凹面と
    し、前記凹面の前記導体周囲に、前記凹面と逆向きで凸
    状の円錐面を設け、前記凹面の延長と前記逆向きで前記
    凸状の円錐面の延長との交線と前記導体表面との距離
    を、前記導体表面と前記容器との距離に対し20%以上
    かつ60%以下とし、さらに前記絶縁体の前記導体接触
    部において丸みを設け、接触点において導体とスペーサ
    のなす角度を85゜以上、かつ90゜以下としたことを
    特徴とするガス絶縁機器。
  5. 【請求項5】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体の少なくとも一部分が前記
    導体と同軸の円錐面を形成し、前記絶縁体の一方の面を
    凸面とし、他方の面を凹面とし、さらに、前記絶縁体の
    前記凹面の前記導体周囲に、前記導体と同軸で前記凹面
    と逆向きの凸状の円錐面を形成し、前記凹面と前記逆向
    きで凸状の円錐面との境目となる屈曲部の曲率半径を、
    前記導体の表面と前記容器との距離に対し25%以上か
    つ40%以下としたことを特徴とするガス絶縁機器。
  6. 【請求項6】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐状
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体周囲に、前記導体
    と同軸で凸状の円錐面を形成し、前記凸状の円錐面の反
    対側に前記導体と同軸で前記凸状の円錐面を形成し、前
    記反対側の円錐面と前記導体となす角度を、前記凹面と
    前記導体のなす角度以上かつ85゜以下としたことを特
    徴とするガス絶縁機器。
  7. 【請求項7】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐状
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体周囲に、前記導体
    と同軸で凸状の円錐面を形成し、前記絶縁体の凹面と前
    記凸状の円錐面とのなす角度を90゜以上、かつ、14
    0゜以下としたことを特徴とするガス絶縁機器。
  8. 【請求項8】絶縁性ガスが充填された容器内に配設され
    た円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス絶
    縁機器において、前記絶縁体を前記導体と同軸な円錐状
    とし、前記絶縁体の凹面側の前記導体周囲に、前記導体
    と同軸で凸状の円錐面を形成し、前記絶縁体の凹面と前
    記導体のなす角度を15゜以上、かつ、65゜以下とし
    たことを特徴とするガス絶縁機器。
  9. 【請求項9】請求項1,2,3,4,5,6,7、また
    は、8において、前記絶縁体にひだを付けたガス絶縁機
    器。
  10. 【請求項10】絶縁性ガスが充填された容器内に配設さ
    れた円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支持するガス
    絶縁機器において、前記絶縁体の表面の電界のうち前記
    表面に沿った方向の電界成分が、前記導体との接触部に
    おいて、前記電界成分の最大値の60%以上かつ80%
    下となっていることを特徴とするガス絶縁機器。
  11. 【請求項11】絶縁性ガスが充填された容器内に配設さ
    れた一つ以上の円筒状の導体を、絶縁体によって絶縁支
    持するガス絶縁機器において、前記絶縁体表面の前記各
    導体の周囲に、前記各導体と同軸の一つ以上の円錐面を
    形成し、前記絶縁体の前記各円錐面が形成された部分に
    おいて、一方の面を凸面とし、他方の面を凹面とし、前
    記凹面の前記導体周囲に、前記凹面と逆向きで凸状の円
    錐面を設け、前記逆向きで前記凸状の円錐面と前記導体
    とのなす角度を65゜より大きく且つ75゜未満とした
    ことを特徴とするガス絶縁機器。
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