JPH07114273B2 - 光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置 - Google Patents
光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置Info
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- JPH07114273B2 JPH07114273B2 JP61266666A JP26666686A JPH07114273B2 JP H07114273 B2 JPH07114273 B2 JP H07114273B2 JP 61266666 A JP61266666 A JP 61266666A JP 26666686 A JP26666686 A JP 26666686A JP H07114273 B2 JPH07114273 B2 JP H07114273B2
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置に
係り、特にファクシミリ，デジタルコピー，スキャナ等
において、光画像情報の読取りを行う光導電型の光セン
サ装置及びそれを用いた画像読取装置に関する。
係り、特にファクシミリ，デジタルコピー，スキャナ等
において、光画像情報の読取りを行う光導電型の光セン
サ装置及びそれを用いた画像読取装置に関する。
［従来技術］ 近年、ファクシミリ，デジタルコピー等の電子事務機の
普及に伴ない、小型で低コストの画像入力装置の需要が
高まっている。ａ−Si,CdS−CdSe等を光導電体として用
い、光電変換効果を利用したコプラナー型の光センサ
は、原稿に直接接触できるとともに、結像系が不要であ
るか又は結像系の動作距離が短いという長所をもってい
る。このコプラナー型の光センサの中にセンサ特性を安
定化させるために、半導体層の下あるいは上に絶縁層と
補助電極を有する電界効果型光センサ（以下、光センサ
と略す。）がある。
普及に伴ない、小型で低コストの画像入力装置の需要が
高まっている。ａ−Si,CdS−CdSe等を光導電体として用
い、光電変換効果を利用したコプラナー型の光センサ
は、原稿に直接接触できるとともに、結像系が不要であ
るか又は結像系の動作距離が短いという長所をもってい
る。このコプラナー型の光センサの中にセンサ特性を安
定化させるために、半導体層の下あるいは上に絶縁層と
補助電極を有する電界効果型光センサ（以下、光センサ
と略す。）がある。
第９図（ａ），（ｂ）は上記光センサの概略的構成図で
ある。
ある。
第９図（ａ）において、ガラス又はセラミック等の絶縁
基板１上には、補助電極２及び絶縁層３が形成され、そ
の上に光導電層としてのCdS・Seやａ−Si:H等の半導体
層４が形成されている。更にオーミックコンタクト用の
ドーピング半導体層５を介して一対の主電極６及び７が
形成され、その間に受光窓８が形成されている。
基板１上には、補助電極２及び絶縁層３が形成され、そ
の上に光導電層としてのCdS・Seやａ−Si:H等の半導体
層４が形成されている。更にオーミックコンタクト用の
ドーピング半導体層５を介して一対の主電極６及び７が
形成され、その間に受光窓８が形成されている。
また、第９図（ｂ）に示す構造の光センサは、補助電極
２が主電極6,7上に設けられており、絶縁基板１が透明
で絶縁基板１側から受光する。なお、上記光センサと同
一機能を有する部分には同一番号が付されている。
２が主電極6,7上に設けられており、絶縁基板１が透明
で絶縁基板１側から受光する。なお、上記光センサと同
一機能を有する部分には同一番号が付されている。
上記のような構成の光センサにおいて、入力である光の
強弱に対して、出力電流の大小の比を大きくとるために
は、該補助電極２に半導体層４を流れる電流の担い手と
なるキヤリア（以後、多数キャリアと記す。）を空乏化
させるように多数キヤリアの種類に応じ電子の場合は
負，ホールの場合は正のバイアス電圧を印加して動作さ
せなければならないが、このような動作をさせると、出
力電流が小さくなるため、該光センサの信号読出し回路
としては、出力電流を蓄積する蓄積コンデンサを設ける
ことが必要となる。またそのために、該蓄積コンデンサ
に蓄積された電荷を信号として転送するためのTFT及び
転送後に残された電荷を放電させるためのTFT等のスイ
ッチング素子，このスイッチング素子の接続を行なうマ
トリクス回路等が必要となる。
強弱に対して、出力電流の大小の比を大きくとるために
は、該補助電極２に半導体層４を流れる電流の担い手と
なるキヤリア（以後、多数キャリアと記す。）を空乏化
させるように多数キヤリアの種類に応じ電子の場合は
負，ホールの場合は正のバイアス電圧を印加して動作さ
せなければならないが、このような動作をさせると、出
力電流が小さくなるため、該光センサの信号読出し回路
としては、出力電流を蓄積する蓄積コンデンサを設ける
ことが必要となる。またそのために、該蓄積コンデンサ
に蓄積された電荷を信号として転送するためのTFT及び
転送後に残された電荷を放電させるためのTFT等のスイ
ッチング素子，このスイッチング素子の接続を行なうマ
トリクス回路等が必要となる。
第10図は上記光センサの光センサ装置を示す概略図であ
る。
る。
同図において、Rs1,Rs2,・・・,Rsnが補助電極を有する
光センサ、Cs1,Cs2,・・・,Csnが蓄積コンデンサ、Tt1,
Tt2,・・・,Ttnが蓄積コンデンサCs1〜Csnに蓄積された
電荷を転送する転送用TFT、Tr1,Tr2,・・・,Trnが転送
後蓄積コンデンサCs1〜Csnに残された電荷を放電する放
電用TFTである。Lg1〜Lgnは前記転送用TFTTt1〜Ttnの制
御電極たるゲートと放電用TFTTr1〜Trnの制御電極たる
ゲートに接続される配線であり、Vg1〜Vgnはそれぞれに
印加されるスイッチング電圧である。LDは該光センサRs
1〜Rsnの主電極に接続される配線であり、VDは印加され
る電圧である。LRは前記蓄積コンデンサCs1〜Csnに接続
される配線であり、VRは蓄積コンデンサCs1〜Csnの基準
電圧で、蓄積コンデンサCs1〜Csnを放電用TFTTr1〜Trn
によって放電させると、蓄積コンデンサCs1〜Csnの両端
の電極の電位はともにVRとなる。
光センサ、Cs1,Cs2,・・・,Csnが蓄積コンデンサ、Tt1,
Tt2,・・・,Ttnが蓄積コンデンサCs1〜Csnに蓄積された
電荷を転送する転送用TFT、Tr1,Tr2,・・・,Trnが転送
後蓄積コンデンサCs1〜Csnに残された電荷を放電する放
電用TFTである。Lg1〜Lgnは前記転送用TFTTt1〜Ttnの制
御電極たるゲートと放電用TFTTr1〜Trnの制御電極たる
ゲートに接続される配線であり、Vg1〜Vgnはそれぞれに
印加されるスイッチング電圧である。LDは該光センサRs
1〜Rsnの主電極に接続される配線であり、VDは印加され
る電圧である。LRは前記蓄積コンデンサCs1〜Csnに接続
される配線であり、VRは蓄積コンデンサCs1〜Csnの基準
電圧で、蓄積コンデンサCs1〜Csnを放電用TFTTr1〜Trn
によって放電させると、蓄積コンデンサCs1〜Csnの両端
の電極の電位はともにVRとなる。
前記光センサは、前記補助電極に該光センサの多数キャ
リアに応じ電子の場合は負，ホールの場合は正のバイア
スを定常的に印加することによって、多数キャリアに対
する空乏層が形成されると、少数キャリアは該補助電極
近傍の半導体層に、また多数キャリアは反対側の半導体
層中に相互に分離して存在するようになる。このような
状態においては、多数キャリアと少数キャリアとの再結
合がスムーズに行われないために、光センサに対する照
射光が遮断されても、少数キャリアが生き続ける限り残
留光電流が流れ、結果として光応答速度が低下し、光セ
ンサのS/N比低下をもたらすことになる。
リアに応じ電子の場合は負，ホールの場合は正のバイア
スを定常的に印加することによって、多数キャリアに対
する空乏層が形成されると、少数キャリアは該補助電極
近傍の半導体層に、また多数キャリアは反対側の半導体
層中に相互に分離して存在するようになる。このような
状態においては、多数キャリアと少数キャリアとの再結
合がスムーズに行われないために、光センサに対する照
射光が遮断されても、少数キャリアが生き続ける限り残
留光電流が流れ、結果として光応答速度が低下し、光セ
ンサのS/N比低下をもたらすことになる。
そこで、該補助電極に例えば第11図に示すように、該光
センサの読取り時に電子の場合は負，ホールの場合は正
の一定レベルのバイアス電圧V1を印加しておき、読取り
時直前に非読取り時間を作り該バイアス電圧に対して、
該バイアス電圧の極性と逆方向にパルス電圧（大きさV
2）を印加すると、光応答における立ち下がりを改善
し、光の強弱に対する出力電流の比を大きくとることが
可能となる。
センサの読取り時に電子の場合は負，ホールの場合は正
の一定レベルのバイアス電圧V1を印加しておき、読取り
時直前に非読取り時間を作り該バイアス電圧に対して、
該バイアス電圧の極性と逆方向にパルス電圧（大きさV
2）を印加すると、光応答における立ち下がりを改善
し、光の強弱に対する出力電流の比を大きくとることが
可能となる。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記の様な動作を、該光センサを一次元
に多数配置して形成した画像読取装置等に適用しようと
すると、各センサビットの読取りが時系列的に行われる
ため、該パルス電圧の印加タイミングは１ビットづつ異
なる。このため、前記光センサの補助電極への印加電圧
の制御を、転送用TFT及び放電用TFTのゲート電圧の制御
と回路的に独立させて行うと、光センサの補助電極制御
用のマトリクス回路と転送用TFTのゲート電圧制御用の
マトリクス回路が必要となるために回路が複雑になり、
またパルスの印加のタイミング，パルス巾，パルスの大
きさ等それぞれ別に決めなければならず、駆動が複雑に
なる問題を有していた。
に多数配置して形成した画像読取装置等に適用しようと
すると、各センサビットの読取りが時系列的に行われる
ため、該パルス電圧の印加タイミングは１ビットづつ異
なる。このため、前記光センサの補助電極への印加電圧
の制御を、転送用TFT及び放電用TFTのゲート電圧の制御
と回路的に独立させて行うと、光センサの補助電極制御
用のマトリクス回路と転送用TFTのゲート電圧制御用の
マトリクス回路が必要となるために回路が複雑になり、
またパルスの印加のタイミング，パルス巾，パルスの大
きさ等それぞれ別に決めなければならず、駆動が複雑に
なる問題を有していた。
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、光センサの光応答
速度を向上させ且つ簡易な構成の光センサ装置及びそれ
を用いた画像読取装置を提供することにある。
速度を向上させ且つ簡易な構成の光センサ装置及びそれ
を用いた画像読取装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の光センサ装置は、半導体層と該半導体層に電気
的に接続された第１及び第２の電極と該半導体層に対し
て絶縁層を介して設けられた第３の電極とを有し、前記
第１の電極に電源電圧が印加され、前記第２の電極より
出力信号を得る構成の光電変換部と、 前記第２の電極に電気的に接続され出力信号を蓄積する
為の蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積される出力信号を転送する為の転送
手段と、 前記蓄積手段を所定の電位にリセットする為のリセット
手段と、 前記リセット手段を動作させる電圧を分圧して前記第３
電極に印加する分圧手段と、 を具備することを特徴とする。
的に接続された第１及び第２の電極と該半導体層に対し
て絶縁層を介して設けられた第３の電極とを有し、前記
第１の電極に電源電圧が印加され、前記第２の電極より
出力信号を得る構成の光電変換部と、 前記第２の電極に電気的に接続され出力信号を蓄積する
為の蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積される出力信号を転送する為の転送
手段と、 前記蓄積手段を所定の電位にリセットする為のリセット
手段と、 前記リセット手段を動作させる電圧を分圧して前記第３
電極に印加する分圧手段と、 を具備することを特徴とする。
本発明の画像読取装置は上記光センサ装置を用いたもの
であって、上記光センサ装置と、原稿を照明する光を発
する光源と、該光センサ装置と該光源とを支持する支持
体と、を有することを特徴とする。
であって、上記光センサ装置と、原稿を照明する光を発
する光源と、該光センサ装置と該光源とを支持する支持
体と、を有することを特徴とする。
［作用］ 本発明は、光リセット手段を動作させる電圧を分圧して
第３電極に印加する分圧手段を設けることにより、前記
光電変換部の非読取り区間内のリセット区間（読取り期
間直前）に、所定のバイアス電圧（読取り区間に該光電
変換部の第３の電極に分圧されて加えられる所定のバイ
アス電圧）に該バイアス電圧の極性に対して逆方向にパ
ルス電圧を印加することができるので、読取り区間の光
応答における立ち下がりを改善し、光の強弱に対する出
力電流の比を大きくすることができる。
第３電極に印加する分圧手段を設けることにより、前記
光電変換部の非読取り区間内のリセット区間（読取り期
間直前）に、所定のバイアス電圧（読取り区間に該光電
変換部の第３の電極に分圧されて加えられる所定のバイ
アス電圧）に該バイアス電圧の極性に対して逆方向にパ
ルス電圧を印加することができるので、読取り区間の光
応答における立ち下がりを改善し、光の強弱に対する出
力電流の比を大きくすることができる。
なお、本発明においては、転送手段の制御電極に電圧を
印加するマトリクス回路と、第３の電極に電圧を印加す
るマトリクス回路とを共有して用いることができるの
で、回路構成を複雑にすることはない。
印加するマトリクス回路と、第３の電極に電圧を印加す
るマトリクス回路とを共有して用いることができるの
で、回路構成を複雑にすることはない。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の光センサ装置を示す一実施例の回路
図である。
図である。
第２図は前記光センサ装置の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
ミングチャートである。
第１図において、前記第10図と同様に、Rs1,Rs2,・・
・,Rsnが第３の電極となる補助電極を有する光電変換部
となる光センサ、Cs1,Cs2,・・・,Csnが蓄積手段となる
蓄積コンデンサ、Tt1,Tt2,・・・,Ttnが蓄積コンデンサ
Cs1〜Csnに蓄積された電荷を転送する転送手段となる転
送用TFT、Tr1,Tr2,・・・,Trnが転送後蓄積コンデンサC
s1〜Csnに残された電荷を放電するのリセット手段とな
る放電用TFT、Cx1,Cx2,・・・,Cxnが該光センサRs1〜Rs
nの補助電極に分圧された電圧を印加するための分圧用
コンデンサである。Cgs1,Cgs2,・・・,Cgsnが光センサR
s1〜Rsnにおける前記蓄積コンデンサ接続側の主電極
（第２の電極となる）と補助電極との間の容量である。
蓄積コンデンサCs1〜Csnと、容量Cgs1〜Cgsnと、分圧手
段となる分圧用コンデンサCx1〜Cxnとで分圧を行う。Lg
1〜Lgnは前記転送用TFTTt1〜Ttnの制御電極たるゲート
と放電用TFTTr1〜Trnの制御電極たるゲートに接続さ
れ，且つ分圧用コンデンサCx1〜Cxnと接続される配線で
あり、Vg1〜Vgnはそれぞれに印加されるスイッチング電
圧である。LDは該光センサRs1〜Rsnの主電極（第１の電
極となる）に接続される配線であり、VDは印加される電
圧である。LRは前記蓄積コンデンサCs1〜Csnに接続され
る配線であり、VRは蓄積コンデンサCs1〜Csnの基準電圧
で、蓄積コンデンサCs1〜Csnを放電用TFTTr1〜Trnによ
って放電させると、蓄積コンデンサCs1〜Csnの両端の電
極の電位はともにVRとなる。なお、配線Lg1〜Lgn,LD,L
R,はマトリクス回路を構成する。
・,Rsnが第３の電極となる補助電極を有する光電変換部
となる光センサ、Cs1,Cs2,・・・,Csnが蓄積手段となる
蓄積コンデンサ、Tt1,Tt2,・・・,Ttnが蓄積コンデンサ
Cs1〜Csnに蓄積された電荷を転送する転送手段となる転
送用TFT、Tr1,Tr2,・・・,Trnが転送後蓄積コンデンサC
s1〜Csnに残された電荷を放電するのリセット手段とな
る放電用TFT、Cx1,Cx2,・・・,Cxnが該光センサRs1〜Rs
nの補助電極に分圧された電圧を印加するための分圧用
コンデンサである。Cgs1,Cgs2,・・・,Cgsnが光センサR
s1〜Rsnにおける前記蓄積コンデンサ接続側の主電極
（第２の電極となる）と補助電極との間の容量である。
蓄積コンデンサCs1〜Csnと、容量Cgs1〜Cgsnと、分圧手
段となる分圧用コンデンサCx1〜Cxnとで分圧を行う。Lg
1〜Lgnは前記転送用TFTTt1〜Ttnの制御電極たるゲート
と放電用TFTTr1〜Trnの制御電極たるゲートに接続さ
れ，且つ分圧用コンデンサCx1〜Cxnと接続される配線で
あり、Vg1〜Vgnはそれぞれに印加されるスイッチング電
圧である。LDは該光センサRs1〜Rsnの主電極（第１の電
極となる）に接続される配線であり、VDは印加される電
圧である。LRは前記蓄積コンデンサCs1〜Csnに接続され
る配線であり、VRは蓄積コンデンサCs1〜Csnの基準電圧
で、蓄積コンデンサCs1〜Csnを放電用TFTTr1〜Trnによ
って放電させると、蓄積コンデンサCs1〜Csnの両端の電
極の電位はともにVRとなる。なお、配線Lg1〜Lgn,LD,L
R,はマトリクス回路を構成する。
次に前記光センサ装置の動作について説明を行う。今前
記光センサの多数キャリアを電子であるとする。
記光センサの多数キャリアを電子であるとする。
第１図において、配線LDに正の電圧VDを，配線LRに負の
電圧VRを印加すると、光センサRs1〜Rsnに照射光量に応
じた電流が流れ、蓄積コンデンサCs1〜Csnに電荷が集積
されて、蓄積コンデンサCs1〜Csnの光センサRs1〜Rsnの
主電極側の電位が上がる。
電圧VRを印加すると、光センサRs1〜Rsnに照射光量に応
じた電流が流れ、蓄積コンデンサCs1〜Csnに電荷が集積
されて、蓄積コンデンサCs1〜Csnの光センサRs1〜Rsnの
主電極側の電位が上がる。
ここで、第２図に示すようなタイミングで、前記転送用
TFTTt1〜Ttnのゲートと前記放電用TFTTr1〜Trnのゲート
とに、スイッチング電圧Vg1〜Vgnを第１図の各配線によ
るマトリクス回路を介して印加すると、区間T11では蓄
積コンデンサCs1〜Csnに電荷の蓄積が行われ、区間T12
では転送用TFTTt1がオンし、蓄積コンデンサCs1の電荷
が信号として転送される。さらに、区間T13で放電用TFT
Tr1がオンし、転送の終了した該蓄積コンデンサCs1の両
端の電極がショートされ、残った電荷の放電が行われ
て、光センサRs1の読み取りに関する１サイクルが終了
すると同時に、転送用TFTTt2がオンし、区間T21で、蓄
積を行っていた蓄積コンデンサCs2の電荷が信号として
転送が行われ、以下光センサRs1と同様の読取りサイク
ルが次々と隣の光センサビットに対して行われる。
TFTTt1〜Ttnのゲートと前記放電用TFTTr1〜Trnのゲート
とに、スイッチング電圧Vg1〜Vgnを第１図の各配線によ
るマトリクス回路を介して印加すると、区間T11では蓄
積コンデンサCs1〜Csnに電荷の蓄積が行われ、区間T12
では転送用TFTTt1がオンし、蓄積コンデンサCs1の電荷
が信号として転送される。さらに、区間T13で放電用TFT
Tr1がオンし、転送の終了した該蓄積コンデンサCs1の両
端の電極がショートされ、残った電荷の放電が行われ
て、光センサRs1の読み取りに関する１サイクルが終了
すると同時に、転送用TFTTt2がオンし、区間T21で、蓄
積を行っていた蓄積コンデンサCs2の電荷が信号として
転送が行われ、以下光センサRs1と同様の読取りサイク
ルが次々と隣の光センサビットに対して行われる。
第１図に示す回路においては、上記に示すように、読取
り，転送，放電が行われるが、同時に光センサRs1〜Rsn
の補助電極には放電用TFTTr1〜Trnのゲートに印加され
るスイッチング電圧と同相の電圧が印加され、光応答速
度の改善が図られている。即ち光センサRs1に注目して
考えると、補助電極には、分圧用コンデンサCx1と，光
センサRs1の補助電極と主電極の一方（蓄積コンデンサC
s1側）との間に生ずる容量Cgs1と，蓄積コンデンサCs1
とにより、放電用TFTTr1に印加されるスイッチング電圧
Vg2と基準電圧VRとの間で分圧された電圧が印加され
る。光センサRs1は放電区間T13に印加されるパルス電圧
により電子が引き込まれ、この区間では大きな電流が流
れると同時にホールの再結合を促進し、光センサRs1内
に残されていた放電区間以前の光情報を打ち消し、読取
り区間T11での光応答における立ち下がりを特に改善す
るため、光強度に対する出力電流の比を大きくとれるよ
うになる。一方、放電区間T13では光センサRs1に大きな
電流が流れているが、蓄積コンデンサCs1は放電状態に
あるため電荷蓄積は行われず、不要な情報を混入させる
心配はない。更に、第10図の光センサ装置で示したよう
な電荷蓄積型の読出し回路においては、読取り期間中
に、出力電流によって蓄積コンデンサに電荷が蓄積され
てくると、光センサの補助電極は基準電圧であるVRに接
続されているため一定電位であるのに対し、該光センサ
の信号読み出し側の主電極は蓄積コンデンサに接続され
ているため蓄積された電荷に応じて電位が変化する。こ
れは信号読出し側の主電極を基準に考えると、第４図の
破線で示されるように光センサの補助電極の電位が信号
読出し側の主電極に対して相対的に変化したことにな
る。出力電流は第３図に示されるように補助電極バイア
スに対して大きく変化するため、その結果第３図に示さ
れるように、読取り期間にもかかわらず出力電流を変化
させてしまう。しかしながら、本願発明の回路では、補
助電極が一定電位（VR）に固定されていないため、読取
り期間中に信号読出し側の主電極の電位が変化すると補
助電極の電位も変化する。つまり、信号読出し側の主電
極を基準に考えると、補助電極の相対電位の変動が第４
図に実線で示されるように、上記分圧効果により前記の
容量Cgs1の値と分圧用コンデンサCx1との値の比に抑え
られるため読取り期間中の出力電流の変動が抑えられ、
安定した駆動が行える。
り，転送，放電が行われるが、同時に光センサRs1〜Rsn
の補助電極には放電用TFTTr1〜Trnのゲートに印加され
るスイッチング電圧と同相の電圧が印加され、光応答速
度の改善が図られている。即ち光センサRs1に注目して
考えると、補助電極には、分圧用コンデンサCx1と，光
センサRs1の補助電極と主電極の一方（蓄積コンデンサC
s1側）との間に生ずる容量Cgs1と，蓄積コンデンサCs1
とにより、放電用TFTTr1に印加されるスイッチング電圧
Vg2と基準電圧VRとの間で分圧された電圧が印加され
る。光センサRs1は放電区間T13に印加されるパルス電圧
により電子が引き込まれ、この区間では大きな電流が流
れると同時にホールの再結合を促進し、光センサRs1内
に残されていた放電区間以前の光情報を打ち消し、読取
り区間T11での光応答における立ち下がりを特に改善す
るため、光強度に対する出力電流の比を大きくとれるよ
うになる。一方、放電区間T13では光センサRs1に大きな
電流が流れているが、蓄積コンデンサCs1は放電状態に
あるため電荷蓄積は行われず、不要な情報を混入させる
心配はない。更に、第10図の光センサ装置で示したよう
な電荷蓄積型の読出し回路においては、読取り期間中
に、出力電流によって蓄積コンデンサに電荷が蓄積され
てくると、光センサの補助電極は基準電圧であるVRに接
続されているため一定電位であるのに対し、該光センサ
の信号読み出し側の主電極は蓄積コンデンサに接続され
ているため蓄積された電荷に応じて電位が変化する。こ
れは信号読出し側の主電極を基準に考えると、第４図の
破線で示されるように光センサの補助電極の電位が信号
読出し側の主電極に対して相対的に変化したことにな
る。出力電流は第３図に示されるように補助電極バイア
スに対して大きく変化するため、その結果第３図に示さ
れるように、読取り期間にもかかわらず出力電流を変化
させてしまう。しかしながら、本願発明の回路では、補
助電極が一定電位（VR）に固定されていないため、読取
り期間中に信号読出し側の主電極の電位が変化すると補
助電極の電位も変化する。つまり、信号読出し側の主電
極を基準に考えると、補助電極の相対電位の変動が第４
図に実線で示されるように、上記分圧効果により前記の
容量Cgs1の値と分圧用コンデンサCx1との値の比に抑え
られるため読取り期間中の出力電流の変動が抑えられ、
安定した駆動が行える。
次に上記回路構成を用いた画像読取装置について説明す
る。
る。
第５図は上記光センサ装置の概略図である。なお、第９
図と重複する部分については同一番号を付する。
図と重複する部分については同一番号を付する。
第６図は上記光センサ装置を用いた画像読取装置の概略
図である。
図である。
第５図において、光導電層として水素化アモルファスシ
リコンの半導体層４（第５図中不図示）を用い、この半
導体層４と絶縁層３（第５図中不図示）と主電極6,7と
補助電極２とで光センサRs1を構成し、配線Lg2たる配線
９と不図示の絶縁層３と電極12とで分圧用コンデンサCx
1を構成し、電極13と電極14と不図示の絶縁層３とで蓄
積コンデンサCs1を構成する。また、不図示の半導体層
４及び絶縁層３と電極16,17,19とで放電用TFTTr1を構成
し、不図示の半導体層４及び絶縁層３と電極15,16,18と
で転送用TFTTt1を構成する。各素子は透明の絶縁性基板
上に形成される。
リコンの半導体層４（第５図中不図示）を用い、この半
導体層４と絶縁層３（第５図中不図示）と主電極6,7と
補助電極２とで光センサRs1を構成し、配線Lg2たる配線
９と不図示の絶縁層３と電極12とで分圧用コンデンサCx
1を構成し、電極13と電極14と不図示の絶縁層３とで蓄
積コンデンサCs1を構成する。また、不図示の半導体層
４及び絶縁層３と電極16,17,19とで放電用TFTTr1を構成
し、不図示の半導体層４及び絶縁層３と電極15,16,18と
で転送用TFTTt1を構成する。各素子は透明の絶縁性基板
上に形成される。
上記光センサ装置は、例えば第６図に示すような画像読
取装置に取り付けて用いられる。
取装置に取り付けて用いられる。
第６図に示すように、取付け台24には入射光窓が設けら
れており、光源23からの光がこの入射光窓を通して照射
される。また、取付け台24には、前述の光センサ装置22
とこの光センサ装置22からの光信号を処理するIC25とが
設けられている。入射光窓を通して照射された光は、光
センサ装置22を通して、紙送りローラ20によって送られ
てきた原稿21に光に照射され、その反射光は、該光セン
サ装置22上の光センサで読み取られる。以上の構成の画
像読み取り装置は、高速度で且つ高品位の読み取りを行
うことができた。
れており、光源23からの光がこの入射光窓を通して照射
される。また、取付け台24には、前述の光センサ装置22
とこの光センサ装置22からの光信号を処理するIC25とが
設けられている。入射光窓を通して照射された光は、光
センサ装置22を通して、紙送りローラ20によって送られ
てきた原稿21に光に照射され、その反射光は、該光セン
サ装置22上の光センサで読み取られる。以上の構成の画
像読み取り装置は、高速度で且つ高品位の読み取りを行
うことができた。
第７図及び第８図は本発明の光センサ装置の別の実施例
を示す回路図である。なお、第１図と同一部分について
は、同一符号を付するものとし、各部分及びその動作の
説明は省略する。
を示す回路図である。なお、第１図と同一部分について
は、同一符号を付するものとし、各部分及びその動作の
説明は省略する。
第７図において、前記実施例と同様１ビット目に注目し
て説明すると、光センサRs1の補助電極に印加する電圧
を、基準電圧VRを基準として、放電用TFTTr1に印加する
スイッチング電圧Vg2を、分圧用に設けた分圧手段とな
るコンデンサCx11,Cx12により分圧して与える。該補助
電極には前記実施例と同様に読取り区間の直前にパルス
電圧が印加され、光センサRs1の光応答速度における立
ち下がりが特に改善され、入射光の強弱に対する出力電
流の大小比を大きくとることができる。ただし、本実施
例においては、該補助電極の電位は、読取り区間中固定
されるため、主電極の信号取出し側に対する相対電位の
変動を補うような作用は得られない。なお、本実施例で
は放電用TFTTr1のスイッチング電圧Vg2を容量分割で分
圧して、光センサRs1の補助電極に印加したが、分圧の
方法は容量分割に限定されず、例えば第８図に示すよう
に分圧手段となる分圧用抵抗Rx11,Rx12を用いた抵抗分
割でもかまわない。これらの実施例を前記実施例と同様
に第６図に示した画像読取装置に設けたところ、高速読
取りにおいて高品位の画像読み取りが行うことができ
た。
て説明すると、光センサRs1の補助電極に印加する電圧
を、基準電圧VRを基準として、放電用TFTTr1に印加する
スイッチング電圧Vg2を、分圧用に設けた分圧手段とな
るコンデンサCx11,Cx12により分圧して与える。該補助
電極には前記実施例と同様に読取り区間の直前にパルス
電圧が印加され、光センサRs1の光応答速度における立
ち下がりが特に改善され、入射光の強弱に対する出力電
流の大小比を大きくとることができる。ただし、本実施
例においては、該補助電極の電位は、読取り区間中固定
されるため、主電極の信号取出し側に対する相対電位の
変動を補うような作用は得られない。なお、本実施例で
は放電用TFTTr1のスイッチング電圧Vg2を容量分割で分
圧して、光センサRs1の補助電極に印加したが、分圧の
方法は容量分割に限定されず、例えば第８図に示すよう
に分圧手段となる分圧用抵抗Rx11,Rx12を用いた抵抗分
割でもかまわない。これらの実施例を前記実施例と同様
に第６図に示した画像読取装置に設けたところ、高速読
取りにおいて高品位の画像読み取りが行うことができ
た。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明の光センサ装置にお
いては、光センサの光応答速度の立ち下がり速度が著し
く改善され、光の強弱に応じた出力電流の大小比を大き
くとることができる。
いては、光センサの光応答速度の立ち下がり速度が著し
く改善され、光の強弱に応じた出力電流の大小比を大き
くとることができる。
また分圧手段を、前記リセット手段の制御電極と前記第
３の電極との間に接続された容量手段とし、この容量手
段と、蓄積手段と、第２の電極と第３の電極との間の容
量とによって、前記リセット手段を動作させる電圧と前
記蓄積手段のリセット電圧との間で分圧を行えば、蓄積
手段に電荷が蓄積される場合に伴う、光電変換部の第２
の電極に対する第３の電極の相対電位の変動を減少さ
せ、出力電流の変動を小さく抑えることができる。
３の電極との間に接続された容量手段とし、この容量手
段と、蓄積手段と、第２の電極と第３の電極との間の容
量とによって、前記リセット手段を動作させる電圧と前
記蓄積手段のリセット電圧との間で分圧を行えば、蓄積
手段に電荷が蓄積される場合に伴う、光電変換部の第２
の電極に対する第３の電極の相対電位の変動を減少さ
せ、出力電流の変動を小さく抑えることができる。
本発明の光センサ装置を用いた画像読取装置は高速度で
且つ高品位の読み取りが可能である。
且つ高品位の読み取りが可能である。
第１図は、本発明の光センサ装置を示す一実施例の回路
図である。 第２図は上記光センサ装置の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。 第３図及び第４図は上記本発明の光センサ装置の効果を
説明するための特性図である。 第５図は上記光センサ装置の概略図である。 第６図は上記光センサ装置を用いた画像読取装置の概略
図である。 第７図及び第８図は本発明の光センサ装置の別の実施例
を示す回路図である。 第９図（ａ），（ｂ）は光センサの概略的構成図であ
る。 第10図は上記光センサの光センサ装置を示す概略図であ
る。 第11図は上記光センサの補助電極に印加される電圧の波
形図である。 Rs1〜Rsn……光センサ Cs1〜Csn……蓄積コンデンサ Tt1〜Ttn……転送用TFT Tr1〜Trn……放電用TFT Cx1〜Cxn,Cx11〜Cxn1,Cx12〜Cxn2……分圧用コンデンサ Cgs1〜Cgsn……光センサRs1〜Rsnの主電極−補助電極間
容量 Lg1〜Lgn,LD,LR……配線 Vg1〜Vgn……スイッチング電圧 VR……基準電圧 VD……印加電圧 Rx11〜Rxn1,Rx12〜Rxn2……分圧用抵抗
図である。 第２図は上記光センサ装置の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。 第３図及び第４図は上記本発明の光センサ装置の効果を
説明するための特性図である。 第５図は上記光センサ装置の概略図である。 第６図は上記光センサ装置を用いた画像読取装置の概略
図である。 第７図及び第８図は本発明の光センサ装置の別の実施例
を示す回路図である。 第９図（ａ），（ｂ）は光センサの概略的構成図であ
る。 第10図は上記光センサの光センサ装置を示す概略図であ
る。 第11図は上記光センサの補助電極に印加される電圧の波
形図である。 Rs1〜Rsn……光センサ Cs1〜Csn……蓄積コンデンサ Tt1〜Ttn……転送用TFT Tr1〜Trn……放電用TFT Cx1〜Cxn,Cx11〜Cxn1,Cx12〜Cxn2……分圧用コンデンサ Cgs1〜Cgsn……光センサRs1〜Rsnの主電極−補助電極間
容量 Lg1〜Lgn,LD,LR……配線 Vg1〜Vgn……スイッチング電圧 VR……基準電圧 VD……印加電圧 Rx11〜Rxn1,Rx12〜Rxn2……分圧用抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−239072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−145866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−1055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−92053（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】半導体層と該半導体層に電気的に接続され
た第１及び第２の電極と該半導体層に対して絶縁層を介
して設けられた第３の電極とを有し、前記第１の電極に
電源電圧が印加され、前記第２の電極より出力信号を得
る構成の光電変換部と、 前記第２の電極に電気的に接続され出力信号を蓄積する
為の蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積される出力信号を転送する為の転送
手段と、 前記蓄積手段を所定の電位にリセットする為のリセット
手段と、 前記リセット手段を動作させる電圧を分圧して前記第３
電極に印加する分圧手段と、 を具備することを特徴とする光センサ装置。 - 【請求項２】前記分圧手段が、前記リセット手段の制御
電極と前記第３の電極との間に接続された容量手段であ
って、この容量手段と、前記蓄積手段と、前記第２の電
極と前記第３の電極との間の容量とによって、前記リセ
ット手段を動作させる電圧と前記蓄積手段に印加される
リセット電圧との間で分圧を行ったことを特徴とする請
求項１記載の光センサ装置。 - 【請求項３】前記分圧手段が、前記リセット手段の制御
電極と前記蓄積手段との間に接続された直列の容量手段
又は直列の抵抗手段から構成され、前記リセット手段を
動作させる電圧と前記蓄積手段に印加されるリセット電
圧との間で分圧を行ったことを特徴とする請求項１記載
の光センサ装置。 - 【請求項４】半導体層と該半導体層に電気的に接続され
た第１及び第２の電極と該半導体層に対して絶縁層を介
して設けられた第３の電極とを有し、前記第１の電極に
電源電圧が印加され、前記第２の電極より出力信号を得
る構成の光電変換部と、前記第２の電極に電気的に接続
され出力信号を蓄積する為の蓄積手段と、前記蓄積手段
に蓄積される出力信号を転送する為の転送手段と、前記
蓄積手段を所定の電位にリセットする為のリセット手段
と、前記リセット手段を動作させる電圧を分圧して前記
第３電極に印加する分圧手段と、を具備する光センサ装
置と、 原稿を照明する光を発する光源と、 該光センサ装置と該光源とを支持する支持体と、を有す
る画像読取装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266666A JPH07114273B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置 |
| US07/117,957 US4886977A (en) | 1986-11-11 | 1987-11-09 | Photoelectric converter provided with voltage dividing means |
| EP87116614A EP0267591B1 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
| EP93113275A EP0576040B1 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
| DE3751739T DE3751739T2 (de) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Lichtelektrischer Wandler |
| DE3752337T DE3752337T2 (de) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Lichtelektrischer Wandler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266666A JPH07114273B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122165A JPS63122165A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH07114273B2 true JPH07114273B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=17434001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61266666A Expired - Lifetime JPH07114273B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 光センサ装置及びそれを用いた画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114273B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382817B1 (ko) * | 1999-01-20 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 생체감지패턴 및 이를 이용한 박막트랜지스터형 광센서 |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61266666A patent/JPH07114273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63122165A (ja) | 1988-05-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |