JPH07111946B2 - Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクのパターン検査方法Info
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- JPH07111946B2 JPH07111946B2 JP13115687A JP13115687A JPH07111946B2 JP H07111946 B2 JPH07111946 B2 JP H07111946B2 JP 13115687 A JP13115687 A JP 13115687A JP 13115687 A JP13115687 A JP 13115687A JP H07111946 B2 JPH07111946 B2 JP H07111946B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子等の製造に用いるＸ線露光マスク
のパターン検査方法に係り、特にＸ線リソグラフィに使
用するマスクに好適なＸ線露光マスクのパターン検査方
法に関する。
のパターン検査方法に係り、特にＸ線リソグラフィに使
用するマスクに好適なＸ線露光マスクのパターン検査方
法に関する。
従来、Ｘ線露光に用いるマスクの構造については、文献
セミコンダクタ・インタナショナル 1983年９月号第
60頁から第67頁（Semiconductor International Sep,19
83 pp.60〜67）において論じられている。
セミコンダクタ・インタナショナル 1983年９月号第
60頁から第67頁（Semiconductor International Sep,19
83 pp.60〜67）において論じられている。
第５図に前記文献に開示されている従来のＸ線露光マス
クの断面を示す。
クの断面を示す。
この第５図に示す従来のＸ線露光マスクは、シリコン基
板１と、窒化ホウ素またはシリコン窒化物などの軽原子
からなる厚さ１〜６μｍのＸ線透過膜２と、ポリイミド
等からなる厚さ２μｍ程度のＸ線透過膜３と、Au,Ta等
の重原子からなる厚さ１μｍ程度のＸ線吸収体パターン
４と、ポリイミド等からなる１〜２μｍ程度の保護膜10
とを有している。
板１と、窒化ホウ素またはシリコン窒化物などの軽原子
からなる厚さ１〜６μｍのＸ線透過膜２と、ポリイミド
等からなる厚さ２μｍ程度のＸ線透過膜３と、Au,Ta等
の重原子からなる厚さ１μｍ程度のＸ線吸収体パターン
４と、ポリイミド等からなる１〜２μｍ程度の保護膜10
とを有している。
そして、前記従来のＸ線露光マスクを製造するに当たっ
ては、シリコン基板１上にＸ線透過膜2,3を形成し、さ
らにその上にＸ線吸収体パターン４を形成し、パターニ
ング後、保護膜10をコーティングする。その後、Ｘ線露
光パターンが形成された領域のシリコン基板をエッチン
グして取り除いて作成する。
ては、シリコン基板１上にＸ線透過膜2,3を形成し、さ
らにその上にＸ線吸収体パターン４を形成し、パターニ
ング後、保護膜10をコーティングする。その後、Ｘ線露
光パターンが形成された領域のシリコン基板をエッチン
グして取り除いて作成する。
次に、第６図にＸ線露光の原理を示す。
この第６図に示すように、Ｘ線露光マスクを、Ｘ線に感
光するレジスト９も塗布したウエハ８上に、10数μｍの
間隔をおいて、保護膜10を下向きにして配置する。そし
て、Ｘ線露光マスクの上方に、十分離して置かれたＸ線
源11からＸ線を照射する。Ｘ線は、Ｘ線吸収体パターン
４の部分で吸収されるが、Ｘ線透過膜2,3および保護膜1
0は透過するので、Ｘ線吸収体パターン４の真下のレジ
スト９は感光せず、その他の部分のレジスト９だけが感
光し、Ｘ線吸収体パターン４と同じパターンがレジスト
９に転写される。
光するレジスト９も塗布したウエハ８上に、10数μｍの
間隔をおいて、保護膜10を下向きにして配置する。そし
て、Ｘ線露光マスクの上方に、十分離して置かれたＸ線
源11からＸ線を照射する。Ｘ線は、Ｘ線吸収体パターン
４の部分で吸収されるが、Ｘ線透過膜2,3および保護膜1
0は透過するので、Ｘ線吸収体パターン４の真下のレジ
スト９は感光せず、その他の部分のレジスト９だけが感
光し、Ｘ線吸収体パターン４と同じパターンがレジスト
９に転写される。
一方、Ｘ線吸収体パターン４にＸ線が照射されると、オ
ージェ電子や２次電子e-が生じる。ところが、レジスト
９は一般にＸ線だけでなく電子線にも感光する。Ｘ線吸
収体パターン４の真下のレジスト９は、本来感光しては
ならないが、Ｘ線により励起されたオージェ電子や２次
電子e-がレジスト９に到達すると、レジスト９が感光し
てしまい、パターンが正しく転写されない。保護膜10
は、Ｘ線吸収体パターン４から生じるオージェ電子や２
次電子e-をトラップすることにより、パターン転写精度
を向上させる機能を有している。
ージェ電子や２次電子e-が生じる。ところが、レジスト
９は一般にＸ線だけでなく電子線にも感光する。Ｘ線吸
収体パターン４の真下のレジスト９は、本来感光しては
ならないが、Ｘ線により励起されたオージェ電子や２次
電子e-がレジスト９に到達すると、レジスト９が感光し
てしまい、パターンが正しく転写されない。保護膜10
は、Ｘ線吸収体パターン４から生じるオージェ電子や２
次電子e-をトラップすることにより、パターン転写精度
を向上させる機能を有している。
Ｘ線露光マスクは、そのパターンが大量のウエハに転写
されるので、Ｘ線露光マスク上に欠陥があると、大量の
不良が生じてしまうので、マスクパターンの検査および
欠陥の修正が不可欠である。Ｘ線露光マスクのパターン
は、第６図に示すように、ウエハ８に1:1の大きさで転
写されるため、マスクパターン線幅はウエハ８と同じ大
きさで、0.5μｍ以下、検査，修正すべき欠陥の大きさ
は0.1μｍ以下である。したがって、従来の光学式マス
ク検査装置や、レーザ式マスク修正装置では、解像度が
不足しており、使用できない。このため、解像度の高い
電子線や、イオンビームを利用した検査，修正装置を用
いる必要がある。
されるので、Ｘ線露光マスク上に欠陥があると、大量の
不良が生じてしまうので、マスクパターンの検査および
欠陥の修正が不可欠である。Ｘ線露光マスクのパターン
は、第６図に示すように、ウエハ８に1:1の大きさで転
写されるため、マスクパターン線幅はウエハ８と同じ大
きさで、0.5μｍ以下、検査，修正すべき欠陥の大きさ
は0.1μｍ以下である。したがって、従来の光学式マス
ク検査装置や、レーザ式マスク修正装置では、解像度が
不足しており、使用できない。このため、解像度の高い
電子線や、イオンビームを利用した検査，修正装置を用
いる必要がある。
第７図に電子線を用いたマスク検査装置を示す。この第
７図に示すマスク検査装置は、電子銃12とコンデンサレ
ンズ13と、偏向コイル14と、対物レンズ15と、偏向回路
16と、２次電子検出器17と、透過電子検出器18とを備え
ている。
７図に示すマスク検査装置は、電子銃12とコンデンサレ
ンズ13と、偏向コイル14と、対物レンズ15と、偏向回路
16と、２次電子検出器17と、透過電子検出器18とを備え
ている。
そして、前記電子銃12から照射される電子は、コンデン
サレンズ13および対物レンズ15により、Ｘ線露光マスク
19上にスポット状に集束される。前記偏向コイル14は、
偏向回路16の信号により駆動され、電子ビームのスポッ
トをＸ線露光マスク19上で２次元に走査する。前記２次
電子検出器17は、Ｘ線露光マスク19の上方に配置され、
Ｘ線露光マスク19より生じる２次電子を検出する。ま
た、透過電子検出器18はＸ線露光マスク19の下方に配置
され、Ｘ線露光マスク19を透過した電子を検出する。
サレンズ13および対物レンズ15により、Ｘ線露光マスク
19上にスポット状に集束される。前記偏向コイル14は、
偏向回路16の信号により駆動され、電子ビームのスポッ
トをＸ線露光マスク19上で２次元に走査する。前記２次
電子検出器17は、Ｘ線露光マスク19の上方に配置され、
Ｘ線露光マスク19より生じる２次電子を検出する。ま
た、透過電子検出器18はＸ線露光マスク19の下方に配置
され、Ｘ線露光マスク19を透過した電子を検出する。
第８図にＸ線露光マスク内の電子の挙動を示す。
Ｘ線露光マスクのＸ線吸収体パターン４に電子線が当た
ると、表面から２次電子e-が生じる。したがって、２次
電子検出器出力は電子ビームがＸ線吸収体パターン４上
を走査している時は高く、それ以外の時は低い検出信号
が得られるはずである。
ると、表面から２次電子e-が生じる。したがって、２次
電子検出器出力は電子ビームがＸ線吸収体パターン４上
を走査している時は高く、それ以外の時は低い検出信号
が得られるはずである。
また、Ｘ線吸収体パターン４の内部に入った電子は、パ
ターン内部に捉えられるか、または大きく散乱されるた
め、ほとんどの電子は透過電子検出器18では検出できな
い。
ターン内部に捉えられるか、または大きく散乱されるた
め、ほとんどの電子は透過電子検出器18では検出できな
い。
一方、Ｘ線透過膜2,3中では、電子はＸ線吸収体パター
ン４に対して小さい散乱しか受けずに透過する。したが
って、透過電子検出器18の出力は電子ビームがＸ線吸収
体パターン４上を走査する時は低く、それ以外の時は高
い検出信号が得られるはずである。
ン４に対して小さい散乱しか受けずに透過する。したが
って、透過電子検出器18の出力は電子ビームがＸ線吸収
体パターン４上を走査する時は低く、それ以外の時は高
い検出信号が得られるはずである。
マスク検査装置は、一般に２次電子検出器17または透過
電子検出器18の少なくとも一方を有し、その検出信号と
マスク設計情報から創成される理想マスク検出信号とを
比較し、その不一致部分から欠陥を判定する。
電子検出器18の少なくとも一方を有し、その検出信号と
マスク設計情報から創成される理想マスク検出信号とを
比較し、その不一致部分から欠陥を判定する。
実際には、Ｘ線吸収体パターン４は保護膜10に覆われて
いるため、Ｘ線吸収体パターン４から生じる２次電子e-
は保護膜10にトラップされてしまい、２次電子検出器17
ではパターンを検出することはできない。
いるため、Ｘ線吸収体パターン４から生じる２次電子e-
は保護膜10にトラップされてしまい、２次電子検出器17
ではパターンを検出することはできない。
一方、透過電子検出器18ではパターンを検出することが
可能であるが、電子ビームはＸ線吸収体パターン４に到
達するまでに、保護膜10により散乱され、小さなスポッ
ト径で保護膜10上を走査しても、Ｘ線吸収体パターン４
上ではスポット径が大きくなってしまい、高い解像度は
得られず、マスク検査に要求される微小欠陥の検出は困
難である。
可能であるが、電子ビームはＸ線吸収体パターン４に到
達するまでに、保護膜10により散乱され、小さなスポッ
ト径で保護膜10上を走査しても、Ｘ線吸収体パターン４
上ではスポット径が大きくなってしまい、高い解像度は
得られず、マスク検査に要求される微小欠陥の検出は困
難である。
また、イオンビームによるパターン修正は第７図に示す
電子銃12の変わりにイオン銃を用い、イオンがＸ線吸収
体パターン４に当たった時に生じる２次電子e-を２次電
子検出器で検出してパターン修正位置を検出し、修正を
行うが、前述のように、Ｘ線吸収体パターン４から生じ
る２次電子e-は保護膜10に捉えられ、検出できない。し
たがって、パターン修正位置が確認できないので、修正
を行うことができない。
電子銃12の変わりにイオン銃を用い、イオンがＸ線吸収
体パターン４に当たった時に生じる２次電子e-を２次電
子検出器で検出してパターン修正位置を検出し、修正を
行うが、前述のように、Ｘ線吸収体パターン４から生じ
る２次電子e-は保護膜10に捉えられ、検出できない。し
たがって、パターン修正位置が確認できないので、修正
を行うことができない。
前記従来のＸ線露光マスクはパターンの検査，修正方法
について配慮がされておらず、欠陥があっても検査，修
正が困難である。
について配慮がされておらず、欠陥があっても検査，修
正が困難である。
本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、パター
ン検査、修正が容易で、かつ高精度で転写可能なＸ線露
光マスクのパターン検査方法を提供することにある。
ン検査、修正が容易で、かつ高精度で転写可能なＸ線露
光マスクのパターン検査方法を提供することにある。
前記目的は、Ｘ線および電子線を透過可能な材料で形成
されたＸ線透過膜と、このＸ線透過膜上にＸ線および電
子線、イオンビームを吸収する材料で形成された回路パ
ターンと、Ｘ線透過膜上に形成されてＸ線及び電子線が
透過可能な程度に薄く形成した導電性薄膜とを有しこの
導電性薄膜に電圧を印加した状態で基板上のレジスト膜
にＸ線透過膜を透過したＸ線を露光してレジスト膜に回
路パターンを転写するＸ線露光マスクに、導電性薄膜を
接地電位にした状態で電子線またはイオンビームを照射
して回路パターンの検査を行なうことにより達成され
る。
されたＸ線透過膜と、このＸ線透過膜上にＸ線および電
子線、イオンビームを吸収する材料で形成された回路パ
ターンと、Ｘ線透過膜上に形成されてＸ線及び電子線が
透過可能な程度に薄く形成した導電性薄膜とを有しこの
導電性薄膜に電圧を印加した状態で基板上のレジスト膜
にＸ線透過膜を透過したＸ線を露光してレジスト膜に回
路パターンを転写するＸ線露光マスクに、導電性薄膜を
接地電位にした状態で電子線またはイオンビームを照射
して回路パターンの検査を行なうことにより達成され
る。
本発明では、Ｘ線露光時には導電性薄膜をウエハのレジ
ストに対してオージェ電子および２次電子の飛び出しエ
ネルギーよりも高い電位を印加しておく。
ストに対してオージェ電子および２次電子の飛び出しエ
ネルギーよりも高い電位を印加しておく。
これにより、パターンからのオージェ電子や２次電子の
飛び出しを阻止できるので、オージェ電子や２次電子に
よるレジストの誤感光、およびパターン転写精度の低下
を防止することができる。
飛び出しを阻止できるので、オージェ電子や２次電子に
よるレジストの誤感光、およびパターン転写精度の低下
を防止することができる。
また、パターン検査，修正時には、本発明では保護膜が
ないので、電子ビームとイオンビームが散乱されず、小
さなスポット径でＸ線吸収体パターンを走査することが
でき、高い解像度が得られる。
ないので、電子ビームとイオンビームが散乱されず、小
さなスポット径でＸ線吸収体パターンを走査することが
でき、高い解像度が得られる。
さらに、前記導電性薄膜を接地することにより、Ｘ線露
光マスク全体の帯電を防止でき、したがってパターン検
出レベルの変動，走査位置ずれにより生じるパターン検
出歪を防止できる結果、パターンをより正確に高精度で
検出することができる。
光マスク全体の帯電を防止でき、したがってパターン検
出レベルの変動，走査位置ずれにより生じるパターン検
出歪を防止できる結果、パターンをより正確に高精度で
検出することができる。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図に本発明の一実施例の断面を示す。
この第１図に示す実施例のＸ線露光マスクは、シリコン
基板１と、これの上面に形成された窒化ホウ素からなる
Ｘ線透過膜２と、このＸ線透過膜２の上面に形成された
ポリイミドからなるＸ線透過膜３と、さらにこのＸ線透
過膜３の上面に形成されたCuからなる導電性薄膜５と、
この導電性薄膜５の上面に形成されたAuからなるＸ線吸
収体パターン４とを有して構成されている。
基板１と、これの上面に形成された窒化ホウ素からなる
Ｘ線透過膜２と、このＸ線透過膜２の上面に形成された
ポリイミドからなるＸ線透過膜３と、さらにこのＸ線透
過膜３の上面に形成されたCuからなる導電性薄膜５と、
この導電性薄膜５の上面に形成されたAuからなるＸ線吸
収体パターン４とを有して構成されている。
第２図に、電気めっき法により前記第１図に示す実施例
のＸ線露光マスクのＸ線吸収体パターンを形成する場合
を示す。
のＸ線露光マスクのＸ線吸収体パターンを形成する場合
を示す。
この実施例のＸ線露光マスクを電気めっき法により製造
する場合には、シリコン基板１にＸ線透過膜2,3を順次
形成後、Ｘ線透過膜３の表面に電気めっき用電極とし
て、Cuからなる厚さ0.1μｍ程度の導電性薄膜５を形成
する。その後、ポリイミドなどにより形成すべきＸ線吸
収体パターンとはネガの関係にあるめ型パターン20を形
成する。
する場合には、シリコン基板１にＸ線透過膜2,3を順次
形成後、Ｘ線透過膜３の表面に電気めっき用電極とし
て、Cuからなる厚さ0.1μｍ程度の導電性薄膜５を形成
する。その後、ポリイミドなどにより形成すべきＸ線吸
収体パターンとはネガの関係にあるめ型パターン20を形
成する。
次に、電気めっきにより厚さ１μｍのAuからなるＸ線吸
収体パターン４を形成する。
収体パターン４を形成する。
前記Ｘ線吸収体パターン４を形成した後、め型パターン
20を取り除くと、第１図に示すＸ線露光マスクが得られ
る。
20を取り除くと、第１図に示すＸ線露光マスクが得られ
る。
前記めっき電極は、0.1μｍ程度の厚さで十分機能する
ため、Ｘ線や電子ビームが透過可能であり、導電性薄膜
５として十分に機能する。
ため、Ｘ線や電子ビームが透過可能であり、導電性薄膜
５として十分に機能する。
この第２図に示す電気めっき法では、電気めっき電極を
導電性薄膜５に兼用しているので、従来のマスク製造工
程に特別の導電性薄膜の形成プロセスを追加することな
く、導電性薄膜５を有するＸ線露光マスクを製造でき、
しかも保護膜が不要であるので、保護膜形成プロセスを
省略でき、したがってマスク製造時間およびコストを節
減することができる。
導電性薄膜５に兼用しているので、従来のマスク製造工
程に特別の導電性薄膜の形成プロセスを追加することな
く、導電性薄膜５を有するＸ線露光マスクを製造でき、
しかも保護膜が不要であるので、保護膜形成プロセスを
省略でき、したがってマスク製造時間およびコストを節
減することができる。
ついで、第３図に前記第１図に示す実施例のＸ線露光マ
スクを用いて行う露光方法を示す。
スクを用いて行う露光方法を示す。
この第３図に示す露光方法に関連して、第１図に示すＸ
線露光マスクの作用を説明する。
線露光マスクの作用を説明する。
前記実施例のＸ線露光マスクは、従来のＸ線露光マスク
の保護膜を取り除き、Ｘ線透過膜３の表面をCuからなる
導電性薄膜５で覆い、この導電性薄膜５の表面にＸ線吸
収体パターン４を形成した構造をしている。
の保護膜を取り除き、Ｘ線透過膜３の表面をCuからなる
導電性薄膜５で覆い、この導電性薄膜５の表面にＸ線吸
収体パターン４を形成した構造をしている。
前記導電性薄膜５は、露光に用いるＸ線により露光可能
な程度に十分薄く形成されている。
な程度に十分薄く形成されている。
Ｘ線露光時には、導電性薄膜５をウエハ８の上面に塗布
したレジスト９に対して高電位に保つ。Ｘ線がＸ線吸収
体パターン４および導電性薄膜５に当たると、オージェ
電子または２次電子e-が発生しようとする。しかし、導
電性薄膜５をウエハ８のレジスト９に対してオージェ電
子および２次電子e-の飛び出しエネルギーよりも高い電
位に印加しておけば、オージェ電子や２次電子e-がパタ
ーンから飛び出すのを阻止できるので、オージェ電子や
２次電子e-によるレジストの誤感光、パターン転写精度
の低下を防止することができる。
したレジスト９に対して高電位に保つ。Ｘ線がＸ線吸収
体パターン４および導電性薄膜５に当たると、オージェ
電子または２次電子e-が発生しようとする。しかし、導
電性薄膜５をウエハ８のレジスト９に対してオージェ電
子および２次電子e-の飛び出しエネルギーよりも高い電
位に印加しておけば、オージェ電子や２次電子e-がパタ
ーンから飛び出すのを阻止できるので、オージェ電子や
２次電子e-によるレジストの誤感光、パターン転写精度
の低下を防止することができる。
パターン検査，修正時には、この実施例のＸ線露光マス
クでは保護膜がないので、電子ビームとイオンビームが
散乱されず、小さなスポット径でＸ線吸収体パターン４
の上方を走査可能であり、高い解像度が確保される。
クでは保護膜がないので、電子ビームとイオンビームが
散乱されず、小さなスポット径でＸ線吸収体パターン４
の上方を走査可能であり、高い解像度が確保される。
さらに、導電性薄膜５を接地することにより、Ｘ線露光
マスクの帯電を防止できるので、パターン検出レベルの
変動，走査位置ずれにより生じるパターン検出歪を防止
でき、パターンをより正確に高精度で検出することがで
きる。
マスクの帯電を防止できるので、パターン検出レベルの
変動，走査位置ずれにより生じるパターン検出歪を防止
でき、パターンをより正確に高精度で検出することがで
きる。
電子ビームまたはイオンビームが導電性薄膜５に当たっ
てもあるいはＸ線吸収体パターン４に当たっても、２次
電子e-が発生するので、２次電子検出器の出力は従来の
Ｘ線露光マスクのようにＸ線吸収体パターン４で高く、
その他の部分では低い検出信号にはならない。しかし、
２次電子e-の発生率は表面形状に大きく依存し、斜面や
パターンエッジに入射した場合の方が平面に入射した場
合よりも高い。したがって、２次電子検出信号はパター
ンエッジ部で高い値を持つ信号となり、検出信号の特性
は変わるがパターンは検出可能である。
てもあるいはＸ線吸収体パターン４に当たっても、２次
電子e-が発生するので、２次電子検出器の出力は従来の
Ｘ線露光マスクのようにＸ線吸収体パターン４で高く、
その他の部分では低い検出信号にはならない。しかし、
２次電子e-の発生率は表面形状に大きく依存し、斜面や
パターンエッジに入射した場合の方が平面に入射した場
合よりも高い。したがって、２次電子検出信号はパター
ンエッジ部で高い値を持つ信号となり、検出信号の特性
は変わるがパターンは検出可能である。
導電性薄膜５は、Ｘ線を透過可能な程度に十分薄くして
いるので、電子ビームも透過可能であり、大きな散乱を
受けることはない。したがって、透過電子検出器を用い
てパターンを検出する場合には、従来のＸ線露光マスク
と同様にＸ線吸収体パターン４の部分では低く、それ以
外の部分では高いレベルを持ったパターン検出信号が得
られる。
いるので、電子ビームも透過可能であり、大きな散乱を
受けることはない。したがって、透過電子検出器を用い
てパターンを検出する場合には、従来のＸ線露光マスク
と同様にＸ線吸収体パターン４の部分では低く、それ以
外の部分では高いレベルを持ったパターン検出信号が得
られる。
したがって、２次電子検出器を使用しても、透過電子検
出器を使用しても、高い解像度でパターンを検出するこ
とが可能である。
出器を使用しても、高い解像度でパターンを検出するこ
とが可能である。
次に、第４図に本発明で検査対象とする別の構成のＸ線
露光マスクの断面を示す。
露光マスクの断面を示す。
この第４図に示す実施例のＸ線露光マスクは、シリコン
基板１と、これの上面に形成された窒化シリコンからな
るＸ線透過膜２と、このＸ線透過膜２の上面に形成され
たＸ線透過膜３と、これの上面に形成されたタンタルか
らなるＸ線吸収体パターン４と、前記Ｘ線透過膜３とＸ
線吸収体パターン４とを覆うように形成されたAuからな
る導電性薄膜６とを有して構成されている。
基板１と、これの上面に形成された窒化シリコンからな
るＸ線透過膜２と、このＸ線透過膜２の上面に形成され
たＸ線透過膜３と、これの上面に形成されたタンタルか
らなるＸ線吸収体パターン４と、前記Ｘ線透過膜３とＸ
線吸収体パターン４とを覆うように形成されたAuからな
る導電性薄膜６とを有して構成されている。
この実施例のＸ線露光マスクをエッチング法により製造
する場合には、Ｘ線吸収体パターン４を形成し、エッチ
ング誤、Ｘ線透過膜３とＸ線吸収体パターン４の露光部
分にAuを蒸着し、導電性薄膜６を形成する。
する場合には、Ｘ線吸収体パターン４を形成し、エッチ
ング誤、Ｘ線透過膜３とＸ線吸収体パターン４の露光部
分にAuを蒸着し、導電性薄膜６を形成する。
この第４図に示す実施例を使用しての露光方法、および
Ｘ線露光時のＸ線露光マスクの作用については、前記第
１図に示すＸ線露光マスクと同様である。
Ｘ線露光時のＸ線露光マスクの作用については、前記第
１図に示すＸ線露光マスクと同様である。
以上説明した本発明によれば、２次電子検出器または透
過電子検出器の何れを用いても、高い解像度でパターン
の微小欠陥を検出することが可能になり、この検出した
結果に基づいてパターンの欠陥を修正することにより、
パターン欠陥が無く高精度で転写可能なＸ線露光マスク
を作成できるという効果が得られる。
過電子検出器の何れを用いても、高い解像度でパターン
の微小欠陥を検出することが可能になり、この検出した
結果に基づいてパターンの欠陥を修正することにより、
パターン欠陥が無く高精度で転写可能なＸ線露光マスク
を作成できるという効果が得られる。
第１図は、本発明で検査対象とするＸ線露光マスクの断
面図、第２図は第１図に示すＸ線露光マスクを電気めっ
き法により製造する場合の説明図、第３図は第１図に示
すＸ線露光マスクを使用して行う露光方法の説明図、第
４図は、本発明で検査対象とする別の構成のＸ線露光マ
スクの断面図、第５図は従来のＸ線露光マスクを示す断
面図、第６図は同Ｘ線露光マスクによるＸ線露光の原理
図、第７図は同Ｘ線露光マスクのマスク検査装置の説明
図、第８図は同Ｘ線露光マスク内の電子の挙動を示す図
である。 １……シリコン基板 2,3……Ｘ線透過膜 ４……Ｘ線吸収体パターン 5,6……導電性薄膜。
面図、第２図は第１図に示すＸ線露光マスクを電気めっ
き法により製造する場合の説明図、第３図は第１図に示
すＸ線露光マスクを使用して行う露光方法の説明図、第
４図は、本発明で検査対象とする別の構成のＸ線露光マ
スクの断面図、第５図は従来のＸ線露光マスクを示す断
面図、第６図は同Ｘ線露光マスクによるＸ線露光の原理
図、第７図は同Ｘ線露光マスクのマスク検査装置の説明
図、第８図は同Ｘ線露光マスク内の電子の挙動を示す図
である。 １……シリコン基板 2,3……Ｘ線透過膜 ４……Ｘ線吸収体パターン 5,6……導電性薄膜。
Claims (2)
- 【請求項１】Ｘ線および電子線を透過可能な材料で形成
されたＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜上にＸ線および電子
線、イオンビームを吸収する材料で形成された回路パタ
ーンと、前記Ｘ線透過膜上に形成されてＸ線及び電子線
が透過可能な程度に薄く形成した導電性薄膜とを有し該
導電性薄膜に電圧を印加した状態で基板上のレジスト膜
に前記Ｘ線透過膜を透過したＸ線を露光して前記レジス
ト膜に前記回路パターンを転写するＸ線露光マスクに、
前記導電性薄膜を接地電位にした状態で電子線またはイ
オンビームを照射して前記回路パターンの検査を行なう
ことを特徴とするＸ線露光マスクのパターン検査方法。 - 【請求項２】前記回路パターンの検査を、前記Ｘ線露光
マスクに電子線またはイオンビームを照射して、前記回
路パターンから発生する２次電子または前記Ｘ線透過膜
の前記回路パターンが形成された部分以外の部分を透過
した電子線を検出することにより行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光マスクのパター
ン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13115687A JPH07111946B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13115687A JPH07111946B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299124A JPS63299124A (ja) | 1988-12-06 |
| JPH07111946B2 true JPH07111946B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15051308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13115687A Expired - Lifetime JPH07111946B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111946B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920010065B1 (ko) * | 1989-04-20 | 1992-11-13 | 삼성전자 주식회사 | X선 마스크 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119177A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Nec Corp | Target for charged particle |
| JPS5584938A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-26 | Sharp Corp | Production of photo mask |
| JPS57193031A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Manufacture of mask substrate for exposing x-ray |
| JPS592324A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS6280655A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13115687A patent/JPH07111946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63299124A (ja) | 1988-12-06 |
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