JPH07111297A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH07111297A JPH07111297A JP25684993A JP25684993A JPH07111297A JP H07111297 A JPH07111297 A JP H07111297A JP 25684993 A JP25684993 A JP 25684993A JP 25684993 A JP25684993 A JP 25684993A JP H07111297 A JPH07111297 A JP H07111297A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品とその製造方法に関するも
ので、水分の浸入を防止することを目的とするものであ
る。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
樹脂製の基板と、カバー１０とを備え、前記基板１は複
数の貫通電極５とこの貫通電極５の下端に接続された外
部電極２を有し、前記貫通電極５の上端に対応する基板
１上の第１の金属膜３の外周部分を陽極酸化させると共
に、この陽極酸化層により囲まれた電極４と素子８の電
極８ａを電気的に接続したものである。
ので、水分の浸入を防止することを目的とするものであ
る。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
樹脂製の基板と、カバー１０とを備え、前記基板１は複
数の貫通電極５とこの貫通電極５の下端に接続された外
部電極２を有し、前記貫通電極５の上端に対応する基板
１上の第１の金属膜３の外周部分を陽極酸化させると共
に、この陽極酸化層により囲まれた電極４と素子８の電
極８ａを電気的に接続したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は素子を基体とカバーで覆
った電子部品と、その製造方法に関するものである。
った電子部品と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の電子部品においては、基板
上に素子を実装し、この素子をほこり等の異物付着から
保護するために、該基板上にカバーを被せて素子を覆っ
た構成としている。
上に素子を実装し、この素子をほこり等の異物付着から
保護するために、該基板上にカバーを被せて素子を覆っ
た構成としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成においては、
基板とカバーにより素子をほこりなどから保護すること
が出来るが、水分の浸入についてはさらに改善を要する
ものであった。即ち基板或いはカバーを生産性を高める
ために樹脂材料で成型した場合、大気中の水分等がその
樹脂構成部分を浸透して素子部分まで浸入し、素子の特
性を劣化させてしまうことがある。そこで本発明は、こ
の水分の浸入を防ぎ素子の特性劣化を防止するものであ
る。
基板とカバーにより素子をほこりなどから保護すること
が出来るが、水分の浸入についてはさらに改善を要する
ものであった。即ち基板或いはカバーを生産性を高める
ために樹脂材料で成型した場合、大気中の水分等がその
樹脂構成部分を浸透して素子部分まで浸入し、素子の特
性を劣化させてしまうことがある。そこで本発明は、こ
の水分の浸入を防ぎ素子の特性劣化を防止するものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、樹脂素材からなる基板と、この基板
の上面側に設けた金属膜と、この金属膜上に実装された
素子と、この素子を覆う如く前記金属膜上に被せられる
と共にその下面側に少なくとも金属表面を有するカバー
を備え、前記基板は複数の貫通電極とこの貫通電極の下
端に接続された外部電極を有し、前記貫通電極の上端に
対応する金属膜の外周部位を陽極酸化させると共に、こ
の陽極酸化層部に囲まれた金属膜部分と前記素子の電極
を電気的接続手段で接続したものである。
るために本発明は、樹脂素材からなる基板と、この基板
の上面側に設けた金属膜と、この金属膜上に実装された
素子と、この素子を覆う如く前記金属膜上に被せられる
と共にその下面側に少なくとも金属表面を有するカバー
を備え、前記基板は複数の貫通電極とこの貫通電極の下
端に接続された外部電極を有し、前記貫通電極の上端に
対応する金属膜の外周部位を陽極酸化させると共に、こ
の陽極酸化層部に囲まれた金属膜部分と前記素子の電極
を電気的接続手段で接続したものである。
【０００５】
【作用】上記構成とすれば基板上の金属膜及びカバーの
基板側面の金属表面により、水分の素子部分への浸入を
防ぐことが出来、その結果として素子の特性劣化を防止
出来るのである。
基板側面の金属表面により、水分の素子部分への浸入を
防ぐことが出来、その結果として素子の特性劣化を防止
出来るのである。
【０００６】
【実施例】図１において１は例えばエポキシ樹脂よりな
る基板で、その裏面側には図２に示す如く６個の外部電
極２が設けられている。またこの基板１の表面側にはＡ
ｌからなる第１の金属膜３が全面に設けられている。そ
してこの第１の金属膜３の前記外部電極２に対応する部
分には夫々図１に示す如く電極４が形成され、この電極
４と前記外部電極２とは基板１に予め形成された貫通電
極５により接続されている。この電極４は図３，図４に
示す工程を経て作られている。即ちまず図３に示す如く
外部電極２と、貫通電極５を各々６個ずつ図２に示すよ
うに配置した基板１の上面に、Ａｌからなる第１の金属
膜３を全面的に設ける。次に図４に示す如く、下層がＣ
ｒ，Ｔｉ或いはＮｉなど、上層がＡｕ層もしくはＳｎ層
からなる第２の金属膜６を設ける。
る基板で、その裏面側には図２に示す如く６個の外部電
極２が設けられている。またこの基板１の表面側にはＡ
ｌからなる第１の金属膜３が全面に設けられている。そ
してこの第１の金属膜３の前記外部電極２に対応する部
分には夫々図１に示す如く電極４が形成され、この電極
４と前記外部電極２とは基板１に予め形成された貫通電
極５により接続されている。この電極４は図３，図４に
示す工程を経て作られている。即ちまず図３に示す如く
外部電極２と、貫通電極５を各々６個ずつ図２に示すよ
うに配置した基板１の上面に、Ａｌからなる第１の金属
膜３を全面的に設ける。次に図４に示す如く、下層がＣ
ｒ，Ｔｉ或いはＮｉなど、上層がＡｕ層もしくはＳｎ層
からなる第２の金属膜６を設ける。
【０００７】この第２の金属膜６は図１に示す如く、電
極４の外周部域上の部分がドーナツ状（環状）に切欠か
れた形状で、第１の金属膜３上に印刷、或いは蒸着、も
しくはメッキ法により形成されたものであり、同形状を
形成するためにホトレジスト等のマスク材を用いた場合
は、同マスク材を同層上に残置させても良い。
極４の外周部域上の部分がドーナツ状（環状）に切欠か
れた形状で、第１の金属膜３上に印刷、或いは蒸着、も
しくはメッキ法により形成されたものであり、同形状を
形成するためにホトレジスト等のマスク材を用いた場合
は、同マスク材を同層上に残置させても良い。
【０００８】この図４に示す状態の基板１を、例えばリ
ン酸第１アンモニウム水溶液中に浸漬し、外部電極部に
電源の陽極を、電源の陰極を水溶液中に浸漬した陰極電
極に接続して溶液中で通電すれば、図４に示す如く電極
４上の外周部で第２の金属膜が設けられていない部分、
即ち図１における第２の金属膜６のドーナツ状切欠部６
ａに対応する第１の金属膜３であるＡｌ膜が露出してい
る部分において、その膜厚全体にわたりドーナツ状の陽
極酸化層が形成される。この後ホトレジスト等のマスク
材を金属膜６上に残置させた場合は、同マスク材を除去
する。これにより電極４はその外周部の陽極酸化層部４
ａにより、その外周の第１の金属膜とは電気的に絶縁分
離された電極となる。この独立した電極４上には、第２
の金属膜６による電極６ｂが設けられており、この電極
６ｂと第２の金属膜６上に図５に示す如く、接着剤７に
よって実装された素子８の図１に示す電極８ａとがワイ
ヤー９により接続されている。この場合電極８ａはＡ
ｌ、ワイヤー９はＡｕ、電極６ｂはＡｕにより構成され
ている。つまり素子８の電極８ａはワイヤー９、電極６
ｂ及び４、貫通電極５を介して外部電極２に引出されて
いるのである。またその場合例えば図２に示す中部の外
部電極２が入出力用電極、上下４個の外部電極２はアー
ス用電極となる。
ン酸第１アンモニウム水溶液中に浸漬し、外部電極部に
電源の陽極を、電源の陰極を水溶液中に浸漬した陰極電
極に接続して溶液中で通電すれば、図４に示す如く電極
４上の外周部で第２の金属膜が設けられていない部分、
即ち図１における第２の金属膜６のドーナツ状切欠部６
ａに対応する第１の金属膜３であるＡｌ膜が露出してい
る部分において、その膜厚全体にわたりドーナツ状の陽
極酸化層が形成される。この後ホトレジスト等のマスク
材を金属膜６上に残置させた場合は、同マスク材を除去
する。これにより電極４はその外周部の陽極酸化層部４
ａにより、その外周の第１の金属膜とは電気的に絶縁分
離された電極となる。この独立した電極４上には、第２
の金属膜６による電極６ｂが設けられており、この電極
６ｂと第２の金属膜６上に図５に示す如く、接着剤７に
よって実装された素子８の図１に示す電極８ａとがワイ
ヤー９により接続されている。この場合電極８ａはＡ
ｌ、ワイヤー９はＡｕ、電極６ｂはＡｕにより構成され
ている。つまり素子８の電極８ａはワイヤー９、電極６
ｂ及び４、貫通電極５を介して外部電極２に引出されて
いるのである。またその場合例えば図２に示す中部の外
部電極２が入出力用電極、上下４個の外部電極２はアー
ス用電極となる。
【０００９】次に第２の金属膜６上に図６に示す如く、
樹脂等からなるカバー１０が固着させられる。即ちカバ
ー１０は下面が開口した箱型であり、その下面全域には
図６に示す如く第３の金属膜１０ａが設けられている。
この第３の金属膜１０ａは、少なくとも表層はＳｎで構
成されており、第２の金属膜６に当接させると共に加熱
することで、Ｓｎ−Ａｕ共晶合金が形成され、この結果
としてカバー１０は基板１上に気密状態で固定されるこ
とになる。また第２の金属膜６をＳｎで構成した場合
は、第３の金属膜１０ａは少なくとも表層がＡｕで形成
した構成とし、カバー１０を基板１の第２の金属膜６上
に当接加熱した際には前記の場合と同様にＳｎ−Ａｕ共
晶合金が形成される構造となっている。
樹脂等からなるカバー１０が固着させられる。即ちカバ
ー１０は下面が開口した箱型であり、その下面全域には
図６に示す如く第３の金属膜１０ａが設けられている。
この第３の金属膜１０ａは、少なくとも表層はＳｎで構
成されており、第２の金属膜６に当接させると共に加熱
することで、Ｓｎ−Ａｕ共晶合金が形成され、この結果
としてカバー１０は基板１上に気密状態で固定されるこ
とになる。また第２の金属膜６をＳｎで構成した場合
は、第３の金属膜１０ａは少なくとも表層がＡｕで形成
した構成とし、カバー１０を基板１の第２の金属膜６上
に当接加熱した際には前記の場合と同様にＳｎ−Ａｕ共
晶合金が形成される構造となっている。
【００１０】またカバー１０の第３の金属膜１０ａを半
田金属で構成した場合には、基板１の第２の金属膜６の
Ａｕ或いはＳｎとの間で、半田溶融接合が当接部でなさ
れ、前記の場合と同様にカバー１０と基板１が気密状態
で接合固定される。
田金属で構成した場合には、基板１の第２の金属膜６の
Ａｕ或いはＳｎとの間で、半田溶融接合が当接部でなさ
れ、前記の場合と同様にカバー１０と基板１が気密状態
で接合固定される。
【００１１】以上の如く素子８は基板１とカバー１０に
より、ほこり等の外気から保護され、またこれらが樹脂
製であって、それらの素材中に水分が浸入したとして
も、その水分は第１の金属膜３と第３の金属膜１０ａに
より上下で完全に遮断され、その結果として容器中に実
装した素子８はほこりだけでなく、外部から浸入する水
分からも完全に保護され、素子の性能劣化を起こさない
ものとなる。
より、ほこり等の外気から保護され、またこれらが樹脂
製であって、それらの素材中に水分が浸入したとして
も、その水分は第１の金属膜３と第３の金属膜１０ａに
より上下で完全に遮断され、その結果として容器中に実
装した素子８はほこりだけでなく、外部から浸入する水
分からも完全に保護され、素子の性能劣化を起こさない
ものとなる。
【００１２】さらに素子８の上下をこの様に第１の金属
膜３と第３の金属膜１０ａで包囲した構成となり、外部
からの素子８に対する電磁気波の遮蔽がなされ、この点
からもその性能劣化及び誤動作を防ぐことが出来る。
膜３と第３の金属膜１０ａで包囲した構成となり、外部
からの素子８に対する電磁気波の遮蔽がなされ、この点
からもその性能劣化及び誤動作を防ぐことが出来る。
【００１３】なお、上記実施例においては、電極６ｂと
８ａをワイヤー９で接続したが、例えば貫通電極５の上
端を基板１上面へ突出させ、その状態で上記と同じく電
極４，６ｂを形成すれば、電極６ｂは図１の状態から上
方へ突出した形態で形成される。そしてこの場合には素
子８を反転させてその電極８ａを直接この突出した電極
６ｂ上に電気的に接続しても良い。勿論この時はワイヤ
ー９は廃止されることになる。
８ａをワイヤー９で接続したが、例えば貫通電極５の上
端を基板１上面へ突出させ、その状態で上記と同じく電
極４，６ｂを形成すれば、電極６ｂは図１の状態から上
方へ突出した形態で形成される。そしてこの場合には素
子８を反転させてその電極８ａを直接この突出した電極
６ｂ上に電気的に接続しても良い。勿論この時はワイヤ
ー９は廃止されることになる。
【００１４】また、図１に示したものでは、素子８のＡ
ｌ電極８ａと電極６ｂをＡｕワイヤー９により接続した
が、電極４のＡｌ上の電極６ｂのＡｕ或いはＳｎからな
る金属層を廃止し、電極４のＡｌと素子８の電極８ａの
Ａｌを、Ａｌからなるワイヤーで接続しても良く、この
様に接続する３者のすべてをＡｌとすれば異種金属接合
による金属間化合物の生成を防いだ電極接合法とするこ
ともできる。
ｌ電極８ａと電極６ｂをＡｕワイヤー９により接続した
が、電極４のＡｌ上の電極６ｂのＡｕ或いはＳｎからな
る金属層を廃止し、電極４のＡｌと素子８の電極８ａの
Ａｌを、Ａｌからなるワイヤーで接続しても良く、この
様に接続する３者のすべてをＡｌとすれば異種金属接合
による金属間化合物の生成を防いだ電極接合法とするこ
ともできる。
【００１５】
【発明の効果】以上の様に本発明は、樹脂製の基板とこ
の基板の上面側に設けた金属膜と、この金属膜上に実装
された素子と、この素子を覆う如く前記金属膜上に被せ
られると共に、その下面側に少なくとも金属表面を有す
るカバーとを備え、前記基板は複数の貫通電極とこの貫
通電極の下端に接続された外部電極を有し、前記貫通電
極の上端に対応する金属膜の外周部分を陽極酸化させる
と共に、この陽極酸化層により囲まれた金属膜部分と前
記素子の電極を電気的に接続したものである。
の基板の上面側に設けた金属膜と、この金属膜上に実装
された素子と、この素子を覆う如く前記金属膜上に被せ
られると共に、その下面側に少なくとも金属表面を有す
るカバーとを備え、前記基板は複数の貫通電極とこの貫
通電極の下端に接続された外部電極を有し、前記貫通電
極の上端に対応する金属膜の外周部分を陽極酸化させる
と共に、この陽極酸化層により囲まれた金属膜部分と前
記素子の電極を電気的に接続したものである。
【００１６】そして以上の構成とすれば基板上の金属膜
及びカバーの基板側面の金属表面により、水分の素子部
への浸入を防ぐことが出来、その結果として素子の特性
劣化を防止出来るのである。
及びカバーの基板側面の金属表面により、水分の素子部
への浸入を防ぐことが出来、その結果として素子の特性
劣化を防止出来るのである。
【図１】本発明の一実施例の一部切欠斜視図
【図２】その基板の平面図
【図３】その製造工程を示す断面図
【図４】その製造工程を示す断面図
【図５】その製造工程を示す断面図
【図６】その断面図
１ 基板 ２ 外部電極 ３ 第１の金属膜 ４ 電極 ４ａ 陽極酸化部 ５ 貫通電極 ６ 第２の金属膜 ８ 素子 ８ａ 電極 ９ ワイヤー １０ カバー
Claims (8)
- 【請求項１】 樹脂素材からなる基板と、この基板の上
面側に設けた金属膜と、この金属膜上に実装された素子
と、この素子を覆う如く前記金属膜上に被せられると共
にその下面側に少なくとも金属表面を有するカバーを備
え、前記基板は複数の貫通電極とこの貫通電極の下端に
接続された外部電極を有し、前記貫通電極の上端に対応
する金属膜の外周部位を陽極酸化させると共に、この陽
極酸化層部に囲まれた金属膜部分と前記素子の電極を電
気的接続手段で接続した電子部品。 - 【請求項２】 金属膜の陽極酸化層部分を除く全面には
陽極酸化時にマスクとなる第２の金属膜層を設け、この
第２の金属膜上にカバーの金属表面を当接させた状態で
固着させた請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 金属膜層をＡｌで形成し、第２の金属膜
は少なくともＡｕ或いはＳｎを表面層とした薄膜からな
る請求項２に記載の電子部品。 - 【請求項４】 陽極酸化層で囲まれた金属膜部分に、Ａ
ｌのワイヤーを介して、素子のＡｌ電極とを接続した請
求項３に記載の電子部品。 - 【請求項５】 カバーの金属表面はＳｎ，Ａｕ、半田金
属の少なくとも一つの金属膜より形成した請求項３に記
載の電子部品。 - 【請求項６】 カバーを樹脂で形成すると共に、その下
面側には第３の金属膜を設けた請求項５に記載の電子部
品。 - 【請求項７】 複数の貫通電極を有する樹脂基板の上面
側に金属膜を設け、この金属膜の前記貫通電極の上端に
対応する外周部分を陽極酸化処理し、その後この金属膜
上に素子を実装すると共に、この素子の電極と前記陽極
酸化層に囲まれた金属膜部分とを電気的に接続し、その
後この素子を覆う如く前記金属膜上にカバーを被せ、次
にこのカバーの基板側面に設けた金属表面と、前記金属
膜とを当接させた状態で、カバーを基板上の金属膜に固
定する電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 金属膜上に陽極酸化時にマスクとなる第
２の金属膜を設けた、請求項７に記載の電子部品の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25684993A JP3036324B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25684993A JP3036324B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111297A true JPH07111297A (ja) | 1995-04-25 |
| JP3036324B2 JP3036324B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=17298271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25684993A Expired - Fee Related JP3036324B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036324B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735310B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2007258714A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高温工程に適した絶縁構造体及びその製造方法 |
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1993
- 1993-10-14 JP JP25684993A patent/JP3036324B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2007258714A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高温工程に適した絶縁構造体及びその製造方法 |
| US7998879B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-08-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Insulation structure for high temperature conditions and manufacturing method thereof |
| US9231167B2 (en) | 2006-03-20 | 2016-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Insulation structure for high temperature conditions and manufacturing method thereof |
| KR100735310B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 |
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