JPH07111225A - 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH07111225A
JPH07111225A JP27896093A JP27896093A JPH07111225A JP H07111225 A JPH07111225 A JP H07111225A JP 27896093 A JP27896093 A JP 27896093A JP 27896093 A JP27896093 A JP 27896093A JP H07111225 A JPH07111225 A JP H07111225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass powder
ceramic capacitor
conductor
sio
content
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP27896093A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Yamada
篤 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP27896093A priority Critical patent/JPH07111225A/ja
Publication of JPH07111225A publication Critical patent/JPH07111225A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層と
ガラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサ
およびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層
セラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣
化を抑える。 【構成】 セラミックコンデンサまたはこれを内蔵する
多層基板を製造する際に、SiO2 を含有するかSiO
2 とB23 とを含有し、SiO2 含有率とB23
有率との合計が20重量%以下であるガラス粉を含有す
る導体ペーストを用いることにより、誘電体材料(鉛系
ペロブスカイト化合物)の分解を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックコンデンサ等
の製造に使用される導体ペーストと、この導体ペースト
を用いたセラミックコンデンサと、セラミックコンデン
サの製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】回路基板の配線の高密度化のために、多
層セラミック基板にコンデンサを内蔵することが提案さ
れている{エレクトロセラミックvol.18, 5号(198
7年)}。このような多層セラミック基板を製造する際
には、導体材料、誘電体材料および基板材料を同時に焼
成する必要がある。このときの焼成温度は、通常、導体
材料の融点未満とするため、特性が良好で安価だが融点
の低いAgやAg−Pdを導体材料に用いる場合には、
基板材料にはAl23 等の骨材の他にガラス粉を用い
る必要がある。基板に含ませるガラス粉には、軟化点を
下げて骨材に対する濡れ性をよくするために、例えば特
開平2−230606号公報に記載されているようにS
iO2 とB23 との合計含有率が30重量%程度以上
のものが用いられている。また、導体層の収縮率を調整
して多層基板の反りやクラック、デラミネーションを防
ぐために、導体層にもガラス粉を添加することが一般的
である。このガラス粉は、導体層の接着性を向上する作
用も有する。導体層に含ませるガラス粉には、基板と導
体層との熱膨張率の差を小さくするために、基板に含ま
せるガラス粉の組成に近いSiO2 含有率の高いものが
用いられている。
【0003】小型で高容量のコンデンサとするために
は、誘電率の高い誘電体材料を用いる必要があるが、鉛
系ペロブスカイト化合物は比誘電率が10000以上と
高く、しかもAgとの同時焼成が可能であるため期待さ
れている。しかし、鉛系ペロブスカイト化合物を実際に
多層セラミック基板の内蔵コンデンサに適用すると期待
されるほどの高容量は得られないので、誘電体材料が劣
化していると考えられる。なお、このような誘電率の劣
化は、多層セラミック基板の内蔵コンデンサ以外にも、
導体層がガラスを含むセラミックコンデンサにおいても
同様である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の研究の結
果、導体層や基板に含まれるガラス粉からSiおよびB
が焼成時に拡散して誘電体層中に侵入し、このSiやB
により鉛系ペロブスカイト化合物が分解されて誘電率の
低いパイロクロア系化合物が形成され、このため高誘電
率が得られないことが判明した。
【0005】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層とガ
ラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサお
よびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層セ
ラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣化
を抑えることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(16)の本発明により達成される。 (1)導体粉、ガラス粉および有機ビヒクルを含む導体
ペーストであって、ガラス粉がSiO2 を含有するかS
iO2 とB23 とを含有し、ガラス粉中のSiO2
有率とB23 含有率との合計が20重量%以下である
ことを特徴とする導体ペースト。 (2)ガラス粉のSiO2 含有率が3重量%以上である
上記(1)の導体ペースト。 (3)ガラス粉がアルミナ、チタニア、アルカリ土類金
属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択さ
れる少なくとも1種を含有する上記(1)または(2)
の導体ペースト。 (4)ガラス粉の結晶化温度が1000℃以下である上
記(1)〜(3)のいずれかの導体ペースト。 (5)導体粉とガラス粉との合計に対するガラス粉の比
率が1〜20重量%である上記(1)〜(4)のいずれ
かの導体ペースト。 (6)導体粉とガラス粉との合計に対し、 Ag:80〜99重量%、 Pd:0〜19重量%、かつ Ag+Pd≦99重量% である上記(1)〜(5)のいずれかの導体ペースト。 (7)誘電体層が導体層で挟まれた構成のセラミックコ
ンデンサであって、誘電体層が鉛系ペロブスカイト化合
物を含有し、導体層が上記(1)〜(6)のいずれかの
導体ペーストを焼成したものであることを特徴とするセ
ラミックコンデンサ。 (8)誘電体層が含有する鉛系ペロブスカイト化合物が
Pb(Mg1/3 Nb2/ 3 )O3 、Pb(Fe1/2
1/2 )O3 、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 およびPb
(Zn1/3 Nb2/3 )O3 から選択された少なくとも1
種を含む上記(7)のセラミックコンデンサ。 (9)ガラス粉を含む一対の絶縁性基板に挟まれた上記
(7)または(8)のセラミックコンデンサ。 (10)絶縁性基板に含まれるガラス粉がSiO2 を含有
するかSiO2 とB23 とを含有し、ガラス粉中のS
iO2 含有率とB23 含有率との合計が20重量%以
下である上記(9)のセラミックコンデンサ。 (11)絶縁性基板に含まれるガラス粉のSiO2 含有率
が3重量%以上である上記(10)のセラミックコンデン
サ。 (12)絶縁性基板に含まれるガラス粉がアルミナ、チタ
ニア、アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸
化ビスマスから選択される1種以上を含有する上記(1
0)または(11)のセラミックコンデンサ。 (13)絶縁性基板に含まれるガラス粉の結晶化温度が1
000℃以下である上記(10)〜(12)のいずれかのセ
ラミックコンデンサ。 (14)SiO2 を含有するかSiO2 とB23 とを含
有し、SiO2 含有率とB23 含有率との合計が20
重量%以下であるガラス粉と、鉛系ペロブスカイト化合
物とを含む誘電体材料を用いて、セラミックコンデンサ
を製造することを特徴とするセラミックコンデンサの製
造方法。 (15)焼成の際にSi源およびB源から拡散して鉛系ペ
ロブスカイト化合物を分解するSiおよびBを、前記ガ
ラス粉により捕獲することにより、鉛系ペロブスカイト
化合物の誘電率の低下を抑える上記(14)のセラミック
コンデンサの製造方法。 (16)上記(7)〜(13)のいずれかのセラミックコン
デンサを製造する上記(14)または(15)のセラミック
コンデンサの製造方法。
【0007】
【作用および効果】本発明では、多層セラミック基板に
内蔵されたセラミックコンデンサや、セラミックコンデ
ンサ単体の製造において、導体ペーストに含ませるガラ
ス粉としてSiO2 +B23 含有率の低いものを用い
る。このガラス粉は、焼成時のSiやBの放出量が少な
いため、誘電体材料として用いる鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化が少ない。また、このガラス粉は、低温焼成
用の基板材料が含むSiO2+B23 含有率の高いガ
ラス粉から拡散したSiやBを捕獲するため、これによ
る誘電体材料の劣化も抑えられる。さらに、このガラス
粉を基板材料にも使用すれば、誘電体材料の劣化はさら
に少なくなる。
【0008】なお、特開平3−45584号公報には、
低温焼成のセラミック回路基板はガラス成分を多く含ん
でいるため、コンデンサを内蔵させる場合に電極が緻密
でないと回路基板材料内のガラス成分が誘電体内に拡散
して誘電率を低下させる旨の記載がある。そして、この
ガラス成分の拡散を防ぐために、電極用の導体材料にA
23 を含ませて緻密化することを提案している。し
かし、同公報では、導体材料に含ませるガラス粉として
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを用いているので、このガラス
粉からのSiおよびBの拡散により誘電体材料が劣化し
てしまい、本発明に対し誘電率改善効果が低くなる。な
お、ホウケイ酸亜鉛ガラスのSiO2 +B23 含有率
は、通常、30〜70重量%程度である。
【0009】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
【0010】図1に、コンデンサ内蔵多層セラミック基
板のコンデンサ部の部分断面図を示す。同図では、誘電
体層2が導体層31、32で挟まれてコンデンサ部が構
成され、コンデンサ部が絶縁性基板41、42に挟まれ
ている。絶縁性基板41、42の外表面には、それぞれ
端子電極51、52が設けられており、これらの端子電
極は、スルーホール61、62内に充填された導体によ
りそれぞれ導体層31、32に接続されている。
【0011】多層セラミック基板は、通常、印刷法また
はシート法により製造する。印刷法では、スルーホール
を穿孔した絶縁性基板のグリーンシートに、導体ペース
トおよび誘電体ペーストを所定の積層数となるように交
互に印刷し、さらに絶縁性基板のグリーンシートを重ね
た後、焼成する。一方、シート法では、誘電体のグリー
ンシートに導体ペーストを印刷した積層体を作製し、絶
縁性基板のグリーンシートに印刷した導体ペーストの上
に前記積層体を所定数重ね、さらに絶縁性基板のグリー
ンシートを重ねた後、焼成する。そして、このような焼
成の後に、絶縁性基板の表面に端子電極用ペーストを所
定パターンに形成して焼成し、端子電極を形成する。な
お、端子電極は、絶縁性基板や誘電体層などとの同時焼
成により形成してもよい。
【0012】導体ペーストは、導体粉、ガラス粉および
有機ビヒクルを含む。
【0013】このガラス粉は、SiO2 を含有するかS
iO2 とB23 とを含有し、ガラス粉のSiO2 含有
率とB23 含有率との合計は、20重量%以下、好ま
しくは12重量%以下である。SiO2 +B23 の含
有率が高すぎると誘電体材料の鉛系ペロブスカイト化合
物に悪影響を与え、特に導体層との界面付近の誘電体材
料の誘電率劣化が激しくなってしまう。また、絶縁性基
板に含まれるガラス粉から拡散するSiやBを捕獲する
作用が不十分となる。SiO2 はガラス化のために必須
であり、好ましい含有率は3重量%以上、より好ましい
含有率は5重量%以上である。なお、本明細書では、ガ
ラスに含まれる化合物をSiO2 やB23 のように化
学量論組成として表わしているが、ガラス中においては
化学量論組成比から多少外れていてもよく、これは誘電
体材料などについても同様である。SiO2 およびB2
3 以外にガラス粉に含有される化合物は特に限定され
ないが、通常、アルミナ、チタニア、アルカリ土類金属
元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択され
る少なくとも1種であることが好ましく、特に、アルミ
ナ、チタニアおよびアルカリ土類金属元素の酸化物を含
むことが好ましい。アルカリ土類金属元素としては、S
r、Ba、Ca、Mg等が好ましい。各化合物の好まし
い含有率は、 アルミナ:5〜15重量%、 チタニア:20〜35重量%、 アルカリ土類金属元素の酸化物:40〜65重量%、 酸化鉛+酸化ビスマス:30重量%以下 である。アルカリ土類金属元素の酸化物の一部を酸化錫
で置換してもよく、この場合の置換率は、アルカリ土類
金属元素の酸化物の50重量%以下とすることが好まし
い。また、ジルコニアを添加してもよいが、添加量は5
重量%以下とすることが好ましい。
【0014】このようにSiO2 +B23 含有率の低
いガラスは、一般に結晶化温度が低く、通常、1000
℃以下で結晶化が始まる。したがって、通常、焼成の際
にガラス粉は結晶化する。本発明で用いるガラス粉の結
晶化温度は、通常、800〜950℃程度である。な
お、焼成時にガラス粉が結晶化しなくても、本発明の効
果は実現する。
【0015】ペースト中において、導体粉とガラス粉と
の合計に対するガラス粉の比率は、好ましくは1〜20
重量%、より好ましくは3〜15重量%とする。ガラス
粉の比率が低すぎるとガラス粉添加による通常の効果、
すなわち、コンデンサの反りやクラックの防止効果、導
体層の接着性などが不十分となり、また、基板に含まれ
るガラス粉から拡散するSiやBを捕獲する作用が不十
分となる。ガラス粉の比率が高すぎると導体層が緻密と
ならず、好ましくない。
【0016】ガラス粉の平均径は特に限定されないが、
通常、0.5〜3μm 程度とすればよい。
【0017】なお、組成の異なる2種以上のガラス粉を
併用してもよい。この場合、全てのガラス粉が本発明範
囲内の組成をもつことが好ましいが、ガラス粉の一部が
20重量%を超えるSiO2 +B23 を含んでいても
よい。ただし、ガラス粉全体のSiO2 +B23 含有
率は、20重量%以下とする。
【0018】導体粉は、導電性が良好でしかも安価であ
ることから、Ag粒子またはAg粒子とPd粒子との混
合物を用いるか、Ag−Pd合金粒子あるいはこれにA
g粒子および/またはPd粒子を混合したものを用いる
ことが好ましい。そして、導体粉とガラス粉との合計に
対する各金属の含有率は、 Ag:80〜99重量%、 Pd:0〜19重量%、かつ Ag+Pd≦99重量% であることが好ましい。Agが少なすぎると抵抗が大き
くなってしまう。Pdは必須ではないが、Pd添加によ
りAgのマイグレーションが少なくなる。導体粉の平均
径(粒子形状が異方性をもつときは長軸径の平均)は特
に限定されないが、通常、0.1〜5μm 程度とすれば
よい。粒子形状は特に制約されないが、一般に球状とす
ることが好ましい。ただし、導体粒子の一部または全部
を鱗片状としてもよい。
【0019】導体ペーストに含まれるビヒクルは、バイ
ンダおよび溶剤を含む。バインダとしては、エチルセル
ロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチ
ルメタアクリレート等が挙げられ、溶剤としては、テル
ピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトール
アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等が挙げ
られる。また、ビヒクル中には、これらの他、各種分散
剤、活性剤、可塑剤等が、必要に応じて添加される。ペ
ースト中のビヒクルの含有率は、10〜20重量%程度
とすることが好ましい。
【0020】導体層の厚さは特に限定されないが、通
常、3〜20μm 程度とする。
【0021】誘電体層は、誘電体材料として鉛系ペロブ
スカイト化合物を含有する。鉛系ペロブスカイト化合物
のうちPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 、Pb(Fe1/2
1/ 2 )O3 、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 およびP
b(Zn1/3 Nb2/3 )O3は特に分解されやすいの
で、これらの少なくとも1種を用いた場合に本発明の効
果は特に高くなる。鉛系ペロブスカイト化合物全体に対
するこれらの化合物の合計含有率は、好ましくは80重
量%以上である。なお、これらの他、PbTiO3 、C
uOなどを併用してもよい。PbTiO3 はキュリー温
度を上昇させ、CuOは焼結性を向上させる。鉛系ペロ
ブスカイト化合物以外の誘電体材料を併用してもよい
が、鉛系ペロブスカイト化合物が誘電体材料全体の70
重量%以上であることが好ましい。誘電体ペーストは、
これらの誘電体材料にビヒクルを添加して混練すること
により調製する。ビヒクルには導体ペーストと同様なも
のを用いることができる。
【0022】絶縁性基板には、Agを主体とする導体ペ
ーストとの同時焼成を可能とするために、酸化物骨材と
ガラス粉とを含むコンポジット基板を用いるか、結晶化
ガラス基板を用いる。
【0023】絶縁性基板に用いるガラス粉は特に限定さ
れず、従来から絶縁性基板に用いられている通常の組成
のものであってよい。このようなガラス粉としては、例
えば、特開平1−132194号公報に開示されている
SiO2 −SrO−Al23 −B23 −CaO−B
aO系ガラスなどが挙げられる。具体的には、絶縁性基
板の抗折強度向上、酸化物骨材に対する濡れ性、端子電
極に対する接着性などを考慮して、例えば軟化点750
〜850℃程度のガラスを適宜選択すればよい。
【0024】ただし、誘電体層の鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化をより抑えるためには、絶縁性基板に含ませ
るガラス粉の一部または全部を、上記した導体層と同様
にSiO2 +B23 含有率が20重量%以下であるガ
ラス粉とすることが好ましい。
【0025】ガラス粉の平均径は特に限定されないが、
成形性等を考慮して、通常、1〜3μm 程度のものを用
いる。
【0026】コンポジット基板を用いる場合、基板材料
全体に対するガラス粉の含有率は、50〜80重量%と
することが好ましい。ガラス粉が少なすぎると焼結性が
悪化する傾向にあり、多すぎると絶縁性基板の抗析強度
が低くなる傾向にある。
【0027】酸化物骨材としては、例えばAl23
フォルステライト、石英、ムライト、コージェライト、
2 Ti27 (Rはランタノイド元素の1種以上)、
Ca2 Nb27 、MgTiO3 、SrZrO3 、Ti
2 、SnO2 ・TiO2 、ZrTiO4 、Ba2 Ti
920、Sr2 Nb27 、CaTiO3 、SrTiO
3 、SrSnO3 、BaO・R23 ・nTiO2 (R
はランタノイド元素の1種以上)系等の1種ないし2種
以上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨
材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であってもよ
く、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏倚した
組成のもの同士の混合物であってもよい。また、さらに
各種酸化物、例えばBi23 、MnO、CuO等を添
加したものであってもよい。
【0028】なお、SiO2 +B23 含有率を低くす
ると熱膨張率が高くなるので、本発明では導体層の熱膨
張率が高くなる傾向にある。したがって、SiO2 +B
23 含有率の高い通常のガラス粉を基板に用いる場合
には、酸化物骨材として熱膨張率の比較的高いフォルス
テライト、MgO(焼結マグネシア)、安定化ジルコニ
アなどを用いて、絶縁性基板の熱膨張率を導体層の熱膨
張率に近づけることが好ましい。
【0029】酸化物骨材の平均径は、一般に0.5〜3
μm 程度であることが好ましい。平均径が小さすぎると
シート形成が困難となる傾向にあり、大きすぎると絶縁
性基板の強度が不足する傾向にある。
【0030】酸化物骨材とガラス粉は、ビヒクルを加え
てスラリーとされ、このスラリーは成形されて乾燥さ
れ、グリーンシートとされる。ビヒクルには、導体ペー
ストの説明において挙げたものを用いればよい。
【0031】焼成は、通常、空気中で行なえばよい。焼
成温度は800〜1000℃とすることが好ましく、導
体粉の組成に応じて適宜決定すればよい。焼成時間は、
通常、2〜12時間程度とする。なお、焼成は複数回行
なってもよい。
【0032】図示例では誘電体層が1層だけであるが、
誘電体層を2層以上設けた多層構造としてもよい。
【0033】また、以上では多層セラミック基板のコン
デンサ部について説明したが、本発明は多層セラミック
コンデンサにも適用することができる。
【0034】また、以上では、セラミックコンデンサの
導体層にSiO2 +B23 含有率の低いガラス粉を含
ませる態様について説明したが、外部のSi源およびB
源から誘電体層に侵入するSiおよびBを捕獲して鉛系
ペロブスカイト化合物の分解を防ぐためには、前記ガラ
ス粉を必ずしも導体層に含ませる必要はない。例えば、
基板と誘電体層との間、あるいは導体層と誘電体層との
間に、前記ガラス粉を含む捕獲層を設けてもよい。捕獲
層は、前記ガラス粉だけで構成することもできるが、ガ
ラス粉の他にアルミナ、マグネシア、フォルステライト
等の各種酸化物骨材を含んでいてもよい。また、この
他、誘電体層中にSiO2 +B23 含有率が20重量
%以下であるガラス粉を含ませてもよい。誘電体層中に
このようなガラス粉を含ませることにより、鉛系ペロブ
スカイト化合物誘電体の焼結温度を低くすることがで
き、しかも、外部から侵入するSiおよびBを捕獲する
ことができる。誘電体層中に含ませるガラス粉として
は、PbO−Bi23 −SiO2 系のものが好まし
い。
【0035】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
【0036】図1に示す構造の多層セラミック基板を以
下のようにして製造した。
【0037】<絶縁性基板用グリーンシート>40重量
部のAl23 および60重量部のSiO2 −SrO−
Al23 −B23 系ガラス粉(SiO2 +B23
含有率55重量%)にビヒクルを添加して混練し、ドク
ターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥し、
厚さ約250μm のグリーンシートを作製した。ビヒク
ルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤としてエ
チルアルコールおよびトルエン、可塑剤としてフタル酸
エステルを用いた。このグリーンシートに、パンチング
によりスルーホールを穿孔した。
【0038】<導体ペースト>導体粉(平均径3.5μ
m )およびガラス粉(平均径1.0μm )にビヒクルを
添加して三本ロールミルで混練し、ペースト化した。ビ
ヒクルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤とし
てテルピネオールおよびブチルカルビトールアセテート
を用いた。ガラス粉は、表1に示す組成および結晶化温
度(Tx )を有するものを用いた。結晶化温度は、示差
熱分析における発熱ピーク温度として求めた。なお、ガ
ラス粉No. 5は、軟化・溶融するまでに結晶化しなかっ
た。
【0039】<誘電体ペースト>Pb(Mg1/3 Nb
2/3 )O3 −PbTiO3 系誘電体材料に、導体ペース
トに用いたビヒクルを加え、3本ロールミルで混練して
ペースト化した。
【0040】絶縁性基板のグリーンシート上に、導体ペ
ースト、誘電体ペーストおよび導体ペーストをスクリー
ン印刷法により順次印刷した後、さらに絶縁性基板のグ
リーンシートを重ねて熱プレスにより圧着し、次いで2
時間焼成して多層セラミック基板サンプルを得た。焼成
時の最高温度は900℃とし、この温度に10分間保持
した。焼成体の導体層の厚さは15μm 、誘電体層の厚
さは30μm であった。
【0041】次いで、導体ペーストをスクリーン印刷法
により焼成体外面に印刷し、空気中において850℃で
10分間焼成して、コンデンサ部を内蔵する多層セラミ
ック基板サンプルとした。
【0042】表2に、各サンプルの導体層に用いたガラ
ス粉の番号(表1に示す番号)と、導体ペーストの固形
分全体に対する各成分の重量百分率を示す。
【0043】このようにして作製したサンプルのコンデ
ンサ部の容量を、表2に示す。容量は、LCRメータに
より1kHz 、1V の条件で測定した。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。すなわち、SiO2 +B23 含有率が20重量
%以下のガラス粉No. 1または2を導体層に用いた本発
明サンプルでは、SiO2 +B23 含有率が20重量
%を超えるガラス粉No. 3〜6を用いた比較サンプルに
比べ、著しく高い容量が得られている。
【0047】サンプル断面を走査型透過電子顕微鏡(S
TEM)および電子線プローブX線マイクロアナリシス
(EPMA)により観察したところ、本発明サンプルで
は誘電体層中へのガラス成分、特にSiの拡散は殆ど認
められなかったが、比較サンプルでは誘電体層中にガラ
スが多量に拡散していた。拡散したガラス中には、誘電
体材料由来のPbが多量に侵入しており、NbおよびM
gの侵入も認められた。さらに、拡散したガラス中に
は、SiとMgとを主成分とする柱状結晶が認められ
た。また、比較サンプルでは、誘電体層中にパイロクロ
ア化合物(Pb3 Nb413)が生成していることがX
線回折により確認されたが、本発明サンプルではパイロ
クロア化合物の生成は認められなかった。
【0048】本発明サンプルにおいて絶縁性基板のガラ
ス粉を表1のガラス粉No. 1および2に替えたところ、
誘電体層中へのSiの拡散がさらに少なくなった。
【0049】なお、STEMおよびEPMAではBの挙
動の確認はできなかった。しかし、SiO2 含有率は低
いがB23 含有率が高いガラス粉No. 6を用いた場合
に、SiO2 含有率の高いガラス粉と同様な結果が得ら
れていることから、B23はSiO2 と同様な作用を
示すと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】コンデンサ部を内蔵する多層セラミック基板の
構成例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
2 誘電体層 31,32 導体層 41,42 絶縁性基板 51,52 端子電極 61,62 スルーホール

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導体粉、ガラス粉および有機ビヒクルを
    含む導体ペーストであって、ガラス粉がSiO2 を含有
    するかSiO2 とB23 とを含有し、ガラス粉中のS
    iO2 含有率とB23 含有率との合計が20重量%以
    下であることを特徴とする導体ペースト。
  2. 【請求項2】 ガラス粉のSiO2 含有率が3重量%以
    上である請求項1の導体ペースト。
  3. 【請求項3】 ガラス粉がアルミナ、チタニア、アルカ
    リ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスか
    ら選択される少なくとも1種を含有する請求項1または
    2の導体ペースト。
  4. 【請求項4】 ガラス粉の結晶化温度が1000℃以下
    である請求項1〜3のいずれかの導体ペースト。
  5. 【請求項5】 導体粉とガラス粉との合計に対するガラ
    ス粉の比率が1〜20重量%である請求項1〜4のいず
    れかの導体ペースト。
  6. 【請求項6】 導体粉とガラス粉との合計に対し、 Ag:80〜99重量%、 Pd:0〜19重量%、かつ Ag+Pd≦99重量% である請求項1〜5のいずれかの導体ペースト。
  7. 【請求項7】 誘電体層が導体層で挟まれた構成のセラ
    ミックコンデンサであって、誘電体層が鉛系ペロブスカ
    イト化合物を含有し、導体層が請求項1〜6のいずれか
    の導体ペーストを焼成したものであることを特徴とする
    セラミックコンデンサ。
  8. 【請求項8】 誘電体層が含有する鉛系ペロブスカイト
    化合物がPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 、Pb(Fe
    1/21/2 )O3 、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 およ
    びPb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 から選択された少なく
    とも1種を含む請求項7のセラミックコンデンサ。
  9. 【請求項9】 ガラス粉を含む一対の絶縁性基板に挟ま
    れた請求項7または8のセラミックコンデンサ。
  10. 【請求項10】 絶縁性基板に含まれるガラス粉がSi
    2 を含有するかSiO2 とB23 とを含有し、ガラ
    ス粉中のSiO2 含有率とB23 含有率との合計が2
    0重量%以下である請求項9のセラミックコンデンサ。
  11. 【請求項11】 絶縁性基板に含まれるガラス粉のSi
    2 含有率が3重量%以上である請求項10のセラミッ
    クコンデンサ。
  12. 【請求項12】 絶縁性基板に含まれるガラス粉がアル
    ミナ、チタニア、アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化
    鉛および酸化ビスマスから選択される1種以上を含有す
    る請求項10または11のセラミックコンデンサ。
  13. 【請求項13】 絶縁性基板に含まれるガラス粉の結晶
    化温度が1000℃以下である請求項10〜12のいず
    れかのセラミックコンデンサ。
  14. 【請求項14】 SiO2 を含有するかSiO2 とB2
    3 とを含有し、SiO2 含有率とB23 含有率との
    合計が20重量%以下であるガラス粉と、鉛系ペロブス
    カイト化合物とを含む誘電体材料を用いて、セラミック
    コンデンサを製造することを特徴とするセラミックコン
    デンサの製造方法。
  15. 【請求項15】 焼成の際にSi源およびB源から拡散
    して鉛系ペロブスカイト化合物を分解するSiおよびB
    を、前記ガラス粉により捕獲することにより、鉛系ペロ
    ブスカイト化合物の誘電率の低下を抑える請求項14の
    セラミックコンデンサの製造方法。
  16. 【請求項16】 請求項7〜13のいずれかのセラミッ
    クコンデンサを製造する請求項14または15のセラミ
    ックコンデンサの製造方法。
JP27896093A 1993-10-12 1993-10-12 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 Withdrawn JPH07111225A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27896093A JPH07111225A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27896093A JPH07111225A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07111225A true JPH07111225A (ja) 1995-04-25

Family

ID=17604468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27896093A Withdrawn JPH07111225A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07111225A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199579A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Lite-On Capital Inc 磁気コンデンサー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199579A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Lite-On Capital Inc 磁気コンデンサー

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5378662A (en) Glass, dielectric composition, multilayer wiring substrate, and multilayer ceramic capacitor
US4451869A (en) Laminated ceramic capacitor
KR100271099B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
JP5040918B2 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品
JP5003683B2 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品
JP5316545B2 (ja) ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック基板
JPH05183314A (ja) 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品
JP2000143341A (ja) 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品
JP3709914B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2002270458A (ja) 積層セラミックコンデンサ
US5948536A (en) Glass composition for substrates with a built-in lead base dielectric material, and multilayer substrate with a built-in capacitor
JP2666388B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3523280B2 (ja) 多層セラミック部品の製造方法
JP7494908B2 (ja) ガラスセラミックス及び積層セラミック電子部品
JP3471839B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2004323315A (ja) 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP3897472B2 (ja) 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法
JPH0832242A (ja) コンデンサ内蔵多層配線基板
JP3337819B2 (ja) 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ
JPH07111225A (ja) 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法
JP3981270B2 (ja) 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法
JPH11102835A (ja) 積層型セラミック電子部品およびその製造方法
JP3471559B2 (ja) 鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物及びコンデンサ内蔵多層基板
JP2001274035A (ja) 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP3426820B2 (ja) 銅メタライズ組成物およびそれを用いたガラスセラミック配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001226