JPH07111225A - 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH07111225A JPH07111225A JP27896093A JP27896093A JPH07111225A JP H07111225 A JPH07111225 A JP H07111225A JP 27896093 A JP27896093 A JP 27896093A JP 27896093 A JP27896093 A JP 27896093A JP H07111225 A JPH07111225 A JP H07111225A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層と
ガラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサ
およびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層
セラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣
化を抑える。 【構成】 セラミックコンデンサまたはこれを内蔵する
多層基板を製造する際に、ＳｉＯ2 を含有するかＳｉＯ
2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含
有率との合計が２０重量％以下であるガラス粉を含有す
る導体ペーストを用いることにより、誘電体材料（鉛系
ペロブスカイト化合物）の分解を防ぐ。
ガラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサ
およびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層
セラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣
化を抑える。 【構成】 セラミックコンデンサまたはこれを内蔵する
多層基板を製造する際に、ＳｉＯ2 を含有するかＳｉＯ
2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含
有率との合計が２０重量％以下であるガラス粉を含有す
る導体ペーストを用いることにより、誘電体材料（鉛系
ペロブスカイト化合物）の分解を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックコンデンサ等
の製造に使用される導体ペーストと、この導体ペースト
を用いたセラミックコンデンサと、セラミックコンデン
サの製造方法とに関する。
の製造に使用される導体ペーストと、この導体ペースト
を用いたセラミックコンデンサと、セラミックコンデン
サの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板の配線の高密度化のために、多
層セラミック基板にコンデンサを内蔵することが提案さ
れている｛エレクトロセラミックvol.18, ５号（１９８
７年）｝。このような多層セラミック基板を製造する際
には、導体材料、誘電体材料および基板材料を同時に焼
成する必要がある。このときの焼成温度は、通常、導体
材料の融点未満とするため、特性が良好で安価だが融点
の低いＡｇやＡｇ−Ｐｄを導体材料に用いる場合には、
基板材料にはＡｌ2 Ｏ3 等の骨材の他にガラス粉を用い
る必要がある。基板に含ませるガラス粉には、軟化点を
下げて骨材に対する濡れ性をよくするために、例えば特
開平２−２３０６０６号公報に記載されているようにＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との合計含有率が３０重量％程度以上
のものが用いられている。また、導体層の収縮率を調整
して多層基板の反りやクラック、デラミネーションを防
ぐために、導体層にもガラス粉を添加することが一般的
である。このガラス粉は、導体層の接着性を向上する作
用も有する。導体層に含ませるガラス粉には、基板と導
体層との熱膨張率の差を小さくするために、基板に含ま
せるガラス粉の組成に近いＳｉＯ2 含有率の高いものが
用いられている。
層セラミック基板にコンデンサを内蔵することが提案さ
れている｛エレクトロセラミックvol.18, ５号（１９８
７年）｝。このような多層セラミック基板を製造する際
には、導体材料、誘電体材料および基板材料を同時に焼
成する必要がある。このときの焼成温度は、通常、導体
材料の融点未満とするため、特性が良好で安価だが融点
の低いＡｇやＡｇ−Ｐｄを導体材料に用いる場合には、
基板材料にはＡｌ2 Ｏ3 等の骨材の他にガラス粉を用い
る必要がある。基板に含ませるガラス粉には、軟化点を
下げて骨材に対する濡れ性をよくするために、例えば特
開平２−２３０６０６号公報に記載されているようにＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との合計含有率が３０重量％程度以上
のものが用いられている。また、導体層の収縮率を調整
して多層基板の反りやクラック、デラミネーションを防
ぐために、導体層にもガラス粉を添加することが一般的
である。このガラス粉は、導体層の接着性を向上する作
用も有する。導体層に含ませるガラス粉には、基板と導
体層との熱膨張率の差を小さくするために、基板に含ま
せるガラス粉の組成に近いＳｉＯ2 含有率の高いものが
用いられている。
【０００３】小型で高容量のコンデンサとするために
は、誘電率の高い誘電体材料を用いる必要があるが、鉛
系ペロブスカイト化合物は比誘電率が１００００以上と
高く、しかもＡｇとの同時焼成が可能であるため期待さ
れている。しかし、鉛系ペロブスカイト化合物を実際に
多層セラミック基板の内蔵コンデンサに適用すると期待
されるほどの高容量は得られないので、誘電体材料が劣
化していると考えられる。なお、このような誘電率の劣
化は、多層セラミック基板の内蔵コンデンサ以外にも、
導体層がガラスを含むセラミックコンデンサにおいても
同様である。
は、誘電率の高い誘電体材料を用いる必要があるが、鉛
系ペロブスカイト化合物は比誘電率が１００００以上と
高く、しかもＡｇとの同時焼成が可能であるため期待さ
れている。しかし、鉛系ペロブスカイト化合物を実際に
多層セラミック基板の内蔵コンデンサに適用すると期待
されるほどの高容量は得られないので、誘電体材料が劣
化していると考えられる。なお、このような誘電率の劣
化は、多層セラミック基板の内蔵コンデンサ以外にも、
導体層がガラスを含むセラミックコンデンサにおいても
同様である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の研究の結
果、導体層や基板に含まれるガラス粉からＳｉおよびＢ
が焼成時に拡散して誘電体層中に侵入し、このＳｉやＢ
により鉛系ペロブスカイト化合物が分解されて誘電率の
低いパイロクロア系化合物が形成され、このため高誘電
率が得られないことが判明した。
果、導体層や基板に含まれるガラス粉からＳｉおよびＢ
が焼成時に拡散して誘電体層中に侵入し、このＳｉやＢ
により鉛系ペロブスカイト化合物が分解されて誘電率の
低いパイロクロア系化合物が形成され、このため高誘電
率が得られないことが判明した。
【０００５】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層とガ
ラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサお
よびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層セ
ラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣化
を抑えることを目的とする。
であり、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層とガ
ラス粉を含む導体層とを有するセラミックコンデンサお
よびこのようなセラミックコンデンサを内蔵する多層セ
ラミック基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣化
を抑えることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（16）の本発明により達成される。 （１）導体粉、ガラス粉および有機ビヒクルを含む導体
ペーストであって、ガラス粉がＳｉＯ2 を含有するかＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラス粉中のＳｉＯ2 含
有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０重量％以下である
ことを特徴とする導体ペースト。 （２）ガラス粉のＳｉＯ2 含有率が３重量％以上である
上記（１）の導体ペースト。 （３）ガラス粉がアルミナ、チタニア、アルカリ土類金
属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択さ
れる少なくとも１種を含有する上記（１）または（２）
の導体ペースト。 （４）ガラス粉の結晶化温度が１０００℃以下である上
記（１）〜（３）のいずれかの導体ペースト。 （５）導体粉とガラス粉との合計に対するガラス粉の比
率が１〜２０重量％である上記（１）〜（４）のいずれ
かの導体ペースト。 （６）導体粉とガラス粉との合計に対し、 Ａｇ：８０〜９９重量％、 Ｐｄ：０〜１９重量％、かつ Ａｇ＋Ｐｄ≦９９重量％ である上記（１）〜（５）のいずれかの導体ペースト。 （７）誘電体層が導体層で挟まれた構成のセラミックコ
ンデンサであって、誘電体層が鉛系ペロブスカイト化合
物を含有し、導体層が上記（１）〜（６）のいずれかの
導体ペーストを焼成したものであることを特徴とするセ
ラミックコンデンサ。 （８）誘電体層が含有する鉛系ペロブスカイト化合物が
Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｗ
1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 から選択された少なくとも１
種を含む上記（７）のセラミックコンデンサ。 （９）ガラス粉を含む一対の絶縁性基板に挟まれた上記
（７）または（８）のセラミックコンデンサ。 （10）絶縁性基板に含まれるガラス粉がＳｉＯ2 を含有
するかＳｉＯ2 とＢ2Ｏ3 とを含有し、ガラス粉中のＳ
ｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０重量％以
下である上記（９）のセラミックコンデンサ。 （11）絶縁性基板に含まれるガラス粉のＳｉＯ2 含有率
が３重量％以上である上記（10）のセラミックコンデン
サ。 （12）絶縁性基板に含まれるガラス粉がアルミナ、チタ
ニア、アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸
化ビスマスから選択される１種以上を含有する上記（1
0）または（11）のセラミックコンデンサ。 （13）絶縁性基板に含まれるガラス粉の結晶化温度が１
０００℃以下である上記（10）〜（12）のいずれかのセ
ラミックコンデンサ。 （14）ＳｉＯ2 を含有するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含
有し、ＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０
重量％以下であるガラス粉と、鉛系ペロブスカイト化合
物とを含む誘電体材料を用いて、セラミックコンデンサ
を製造することを特徴とするセラミックコンデンサの製
造方法。 （15）焼成の際にＳｉ源およびＢ源から拡散して鉛系ペ
ロブスカイト化合物を分解するＳｉおよびＢを、前記ガ
ラス粉により捕獲することにより、鉛系ペロブスカイト
化合物の誘電率の低下を抑える上記（14）のセラミック
コンデンサの製造方法。 （16）上記（７）〜（13）のいずれかのセラミックコン
デンサを製造する上記（14）または（15）のセラミック
コンデンサの製造方法。
（１）〜（16）の本発明により達成される。 （１）導体粉、ガラス粉および有機ビヒクルを含む導体
ペーストであって、ガラス粉がＳｉＯ2 を含有するかＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラス粉中のＳｉＯ2 含
有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０重量％以下である
ことを特徴とする導体ペースト。 （２）ガラス粉のＳｉＯ2 含有率が３重量％以上である
上記（１）の導体ペースト。 （３）ガラス粉がアルミナ、チタニア、アルカリ土類金
属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択さ
れる少なくとも１種を含有する上記（１）または（２）
の導体ペースト。 （４）ガラス粉の結晶化温度が１０００℃以下である上
記（１）〜（３）のいずれかの導体ペースト。 （５）導体粉とガラス粉との合計に対するガラス粉の比
率が１〜２０重量％である上記（１）〜（４）のいずれ
かの導体ペースト。 （６）導体粉とガラス粉との合計に対し、 Ａｇ：８０〜９９重量％、 Ｐｄ：０〜１９重量％、かつ Ａｇ＋Ｐｄ≦９９重量％ である上記（１）〜（５）のいずれかの導体ペースト。 （７）誘電体層が導体層で挟まれた構成のセラミックコ
ンデンサであって、誘電体層が鉛系ペロブスカイト化合
物を含有し、導体層が上記（１）〜（６）のいずれかの
導体ペーストを焼成したものであることを特徴とするセ
ラミックコンデンサ。 （８）誘電体層が含有する鉛系ペロブスカイト化合物が
Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｗ
1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 から選択された少なくとも１
種を含む上記（７）のセラミックコンデンサ。 （９）ガラス粉を含む一対の絶縁性基板に挟まれた上記
（７）または（８）のセラミックコンデンサ。 （10）絶縁性基板に含まれるガラス粉がＳｉＯ2 を含有
するかＳｉＯ2 とＢ2Ｏ3 とを含有し、ガラス粉中のＳ
ｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０重量％以
下である上記（９）のセラミックコンデンサ。 （11）絶縁性基板に含まれるガラス粉のＳｉＯ2 含有率
が３重量％以上である上記（10）のセラミックコンデン
サ。 （12）絶縁性基板に含まれるガラス粉がアルミナ、チタ
ニア、アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸
化ビスマスから選択される１種以上を含有する上記（1
0）または（11）のセラミックコンデンサ。 （13）絶縁性基板に含まれるガラス粉の結晶化温度が１
０００℃以下である上記（10）〜（12）のいずれかのセ
ラミックコンデンサ。 （14）ＳｉＯ2 を含有するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含
有し、ＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０
重量％以下であるガラス粉と、鉛系ペロブスカイト化合
物とを含む誘電体材料を用いて、セラミックコンデンサ
を製造することを特徴とするセラミックコンデンサの製
造方法。 （15）焼成の際にＳｉ源およびＢ源から拡散して鉛系ペ
ロブスカイト化合物を分解するＳｉおよびＢを、前記ガ
ラス粉により捕獲することにより、鉛系ペロブスカイト
化合物の誘電率の低下を抑える上記（14）のセラミック
コンデンサの製造方法。 （16）上記（７）〜（13）のいずれかのセラミックコン
デンサを製造する上記（14）または（15）のセラミック
コンデンサの製造方法。
【０００７】
【作用および効果】本発明では、多層セラミック基板に
内蔵されたセラミックコンデンサや、セラミックコンデ
ンサ単体の製造において、導体ペーストに含ませるガラ
ス粉としてＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低いものを用い
る。このガラス粉は、焼成時のＳｉやＢの放出量が少な
いため、誘電体材料として用いる鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化が少ない。また、このガラス粉は、低温焼成
用の基板材料が含むＳｉＯ2＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の高いガ
ラス粉から拡散したＳｉやＢを捕獲するため、これによ
る誘電体材料の劣化も抑えられる。さらに、このガラス
粉を基板材料にも使用すれば、誘電体材料の劣化はさら
に少なくなる。
内蔵されたセラミックコンデンサや、セラミックコンデ
ンサ単体の製造において、導体ペーストに含ませるガラ
ス粉としてＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低いものを用い
る。このガラス粉は、焼成時のＳｉやＢの放出量が少な
いため、誘電体材料として用いる鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化が少ない。また、このガラス粉は、低温焼成
用の基板材料が含むＳｉＯ2＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の高いガ
ラス粉から拡散したＳｉやＢを捕獲するため、これによ
る誘電体材料の劣化も抑えられる。さらに、このガラス
粉を基板材料にも使用すれば、誘電体材料の劣化はさら
に少なくなる。
【０００８】なお、特開平３−４５５８４号公報には、
低温焼成のセラミック回路基板はガラス成分を多く含ん
でいるため、コンデンサを内蔵させる場合に電極が緻密
でないと回路基板材料内のガラス成分が誘電体内に拡散
して誘電率を低下させる旨の記載がある。そして、この
ガラス成分の拡散を防ぐために、電極用の導体材料にＡ
ｌ2 Ｏ3 を含ませて緻密化することを提案している。し
かし、同公報では、導体材料に含ませるガラス粉として
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを用いているので、このガラス
粉からのＳｉおよびＢの拡散により誘電体材料が劣化し
てしまい、本発明に対し誘電率改善効果が低くなる。な
お、ホウケイ酸亜鉛ガラスのＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率
は、通常、３０〜７０重量％程度である。
低温焼成のセラミック回路基板はガラス成分を多く含ん
でいるため、コンデンサを内蔵させる場合に電極が緻密
でないと回路基板材料内のガラス成分が誘電体内に拡散
して誘電率を低下させる旨の記載がある。そして、この
ガラス成分の拡散を防ぐために、電極用の導体材料にＡ
ｌ2 Ｏ3 を含ませて緻密化することを提案している。し
かし、同公報では、導体材料に含ませるガラス粉として
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを用いているので、このガラス
粉からのＳｉおよびＢの拡散により誘電体材料が劣化し
てしまい、本発明に対し誘電率改善効果が低くなる。な
お、ホウケイ酸亜鉛ガラスのＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率
は、通常、３０〜７０重量％程度である。
【０００９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】図１に、コンデンサ内蔵多層セラミック基
板のコンデンサ部の部分断面図を示す。同図では、誘電
体層２が導体層３１、３２で挟まれてコンデンサ部が構
成され、コンデンサ部が絶縁性基板４１、４２に挟まれ
ている。絶縁性基板４１、４２の外表面には、それぞれ
端子電極５１、５２が設けられており、これらの端子電
極は、スルーホール６１、６２内に充填された導体によ
りそれぞれ導体層３１、３２に接続されている。
板のコンデンサ部の部分断面図を示す。同図では、誘電
体層２が導体層３１、３２で挟まれてコンデンサ部が構
成され、コンデンサ部が絶縁性基板４１、４２に挟まれ
ている。絶縁性基板４１、４２の外表面には、それぞれ
端子電極５１、５２が設けられており、これらの端子電
極は、スルーホール６１、６２内に充填された導体によ
りそれぞれ導体層３１、３２に接続されている。
【００１１】多層セラミック基板は、通常、印刷法また
はシート法により製造する。印刷法では、スルーホール
を穿孔した絶縁性基板のグリーンシートに、導体ペース
トおよび誘電体ペーストを所定の積層数となるように交
互に印刷し、さらに絶縁性基板のグリーンシートを重ね
た後、焼成する。一方、シート法では、誘電体のグリー
ンシートに導体ペーストを印刷した積層体を作製し、絶
縁性基板のグリーンシートに印刷した導体ペーストの上
に前記積層体を所定数重ね、さらに絶縁性基板のグリー
ンシートを重ねた後、焼成する。そして、このような焼
成の後に、絶縁性基板の表面に端子電極用ペーストを所
定パターンに形成して焼成し、端子電極を形成する。な
お、端子電極は、絶縁性基板や誘電体層などとの同時焼
成により形成してもよい。
はシート法により製造する。印刷法では、スルーホール
を穿孔した絶縁性基板のグリーンシートに、導体ペース
トおよび誘電体ペーストを所定の積層数となるように交
互に印刷し、さらに絶縁性基板のグリーンシートを重ね
た後、焼成する。一方、シート法では、誘電体のグリー
ンシートに導体ペーストを印刷した積層体を作製し、絶
縁性基板のグリーンシートに印刷した導体ペーストの上
に前記積層体を所定数重ね、さらに絶縁性基板のグリー
ンシートを重ねた後、焼成する。そして、このような焼
成の後に、絶縁性基板の表面に端子電極用ペーストを所
定パターンに形成して焼成し、端子電極を形成する。な
お、端子電極は、絶縁性基板や誘電体層などとの同時焼
成により形成してもよい。
【００１２】導体ペーストは、導体粉、ガラス粉および
有機ビヒクルを含む。
有機ビヒクルを含む。
【００１３】このガラス粉は、ＳｉＯ2 を含有するかＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラス粉のＳｉＯ2 含有
率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計は、２０重量％以下、好ま
しくは１２重量％以下である。ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含
有率が高すぎると誘電体材料の鉛系ペロブスカイト化合
物に悪影響を与え、特に導体層との界面付近の誘電体材
料の誘電率劣化が激しくなってしまう。また、絶縁性基
板に含まれるガラス粉から拡散するＳｉやＢを捕獲する
作用が不十分となる。ＳｉＯ2 はガラス化のために必須
であり、好ましい含有率は３重量％以上、より好ましい
含有率は５重量％以上である。なお、本明細書では、ガ
ラスに含まれる化合物をＳｉＯ2 やＢ2Ｏ3 のように化
学量論組成として表わしているが、ガラス中においては
化学量論組成比から多少外れていてもよく、これは誘電
体材料などについても同様である。ＳｉＯ2 およびＢ2
Ｏ3 以外にガラス粉に含有される化合物は特に限定され
ないが、通常、アルミナ、チタニア、アルカリ土類金属
元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択され
る少なくとも１種であることが好ましく、特に、アルミ
ナ、チタニアおよびアルカリ土類金属元素の酸化物を含
むことが好ましい。アルカリ土類金属元素としては、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ等が好ましい。各化合物の好まし
い含有率は、 アルミナ：５〜１５重量％、 チタニア：２０〜３５重量％、 アルカリ土類金属元素の酸化物：４０〜６５重量％、 酸化鉛＋酸化ビスマス：３０重量％以下 である。アルカリ土類金属元素の酸化物の一部を酸化錫
で置換してもよく、この場合の置換率は、アルカリ土類
金属元素の酸化物の５０重量％以下とすることが好まし
い。また、ジルコニアを添加してもよいが、添加量は５
重量％以下とすることが好ましい。
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラス粉のＳｉＯ2 含有
率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計は、２０重量％以下、好ま
しくは１２重量％以下である。ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含
有率が高すぎると誘電体材料の鉛系ペロブスカイト化合
物に悪影響を与え、特に導体層との界面付近の誘電体材
料の誘電率劣化が激しくなってしまう。また、絶縁性基
板に含まれるガラス粉から拡散するＳｉやＢを捕獲する
作用が不十分となる。ＳｉＯ2 はガラス化のために必須
であり、好ましい含有率は３重量％以上、より好ましい
含有率は５重量％以上である。なお、本明細書では、ガ
ラスに含まれる化合物をＳｉＯ2 やＢ2Ｏ3 のように化
学量論組成として表わしているが、ガラス中においては
化学量論組成比から多少外れていてもよく、これは誘電
体材料などについても同様である。ＳｉＯ2 およびＢ2
Ｏ3 以外にガラス粉に含有される化合物は特に限定され
ないが、通常、アルミナ、チタニア、アルカリ土類金属
元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスから選択され
る少なくとも１種であることが好ましく、特に、アルミ
ナ、チタニアおよびアルカリ土類金属元素の酸化物を含
むことが好ましい。アルカリ土類金属元素としては、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ等が好ましい。各化合物の好まし
い含有率は、 アルミナ：５〜１５重量％、 チタニア：２０〜３５重量％、 アルカリ土類金属元素の酸化物：４０〜６５重量％、 酸化鉛＋酸化ビスマス：３０重量％以下 である。アルカリ土類金属元素の酸化物の一部を酸化錫
で置換してもよく、この場合の置換率は、アルカリ土類
金属元素の酸化物の５０重量％以下とすることが好まし
い。また、ジルコニアを添加してもよいが、添加量は５
重量％以下とすることが好ましい。
【００１４】このようにＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低
いガラスは、一般に結晶化温度が低く、通常、１０００
℃以下で結晶化が始まる。したがって、通常、焼成の際
にガラス粉は結晶化する。本発明で用いるガラス粉の結
晶化温度は、通常、８００〜９５０℃程度である。な
お、焼成時にガラス粉が結晶化しなくても、本発明の効
果は実現する。
いガラスは、一般に結晶化温度が低く、通常、１０００
℃以下で結晶化が始まる。したがって、通常、焼成の際
にガラス粉は結晶化する。本発明で用いるガラス粉の結
晶化温度は、通常、８００〜９５０℃程度である。な
お、焼成時にガラス粉が結晶化しなくても、本発明の効
果は実現する。
【００１５】ペースト中において、導体粉とガラス粉と
の合計に対するガラス粉の比率は、好ましくは１〜２０
重量％、より好ましくは３〜１５重量％とする。ガラス
粉の比率が低すぎるとガラス粉添加による通常の効果、
すなわち、コンデンサの反りやクラックの防止効果、導
体層の接着性などが不十分となり、また、基板に含まれ
るガラス粉から拡散するＳｉやＢを捕獲する作用が不十
分となる。ガラス粉の比率が高すぎると導体層が緻密と
ならず、好ましくない。
の合計に対するガラス粉の比率は、好ましくは１〜２０
重量％、より好ましくは３〜１５重量％とする。ガラス
粉の比率が低すぎるとガラス粉添加による通常の効果、
すなわち、コンデンサの反りやクラックの防止効果、導
体層の接着性などが不十分となり、また、基板に含まれ
るガラス粉から拡散するＳｉやＢを捕獲する作用が不十
分となる。ガラス粉の比率が高すぎると導体層が緻密と
ならず、好ましくない。
【００１６】ガラス粉の平均径は特に限定されないが、
通常、０．５〜３μm 程度とすればよい。
通常、０．５〜３μm 程度とすればよい。
【００１７】なお、組成の異なる２種以上のガラス粉を
併用してもよい。この場合、全てのガラス粉が本発明範
囲内の組成をもつことが好ましいが、ガラス粉の一部が
２０重量％を超えるＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 を含んでいても
よい。ただし、ガラス粉全体のＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有
率は、２０重量％以下とする。
併用してもよい。この場合、全てのガラス粉が本発明範
囲内の組成をもつことが好ましいが、ガラス粉の一部が
２０重量％を超えるＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 を含んでいても
よい。ただし、ガラス粉全体のＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有
率は、２０重量％以下とする。
【００１８】導体粉は、導電性が良好でしかも安価であ
ることから、Ａｇ粒子またはＡｇ粒子とＰｄ粒子との混
合物を用いるか、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子あるいはこれにＡ
ｇ粒子および／またはＰｄ粒子を混合したものを用いる
ことが好ましい。そして、導体粉とガラス粉との合計に
対する各金属の含有率は、 Ａｇ：８０〜９９重量％、 Ｐｄ：０〜１９重量％、かつ Ａｇ＋Ｐｄ≦９９重量％ であることが好ましい。Ａｇが少なすぎると抵抗が大き
くなってしまう。Ｐｄは必須ではないが、Ｐｄ添加によ
りＡｇのマイグレーションが少なくなる。導体粉の平均
径（粒子形状が異方性をもつときは長軸径の平均）は特
に限定されないが、通常、０．１〜５μm 程度とすれば
よい。粒子形状は特に制約されないが、一般に球状とす
ることが好ましい。ただし、導体粒子の一部または全部
を鱗片状としてもよい。
ることから、Ａｇ粒子またはＡｇ粒子とＰｄ粒子との混
合物を用いるか、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子あるいはこれにＡ
ｇ粒子および／またはＰｄ粒子を混合したものを用いる
ことが好ましい。そして、導体粉とガラス粉との合計に
対する各金属の含有率は、 Ａｇ：８０〜９９重量％、 Ｐｄ：０〜１９重量％、かつ Ａｇ＋Ｐｄ≦９９重量％ であることが好ましい。Ａｇが少なすぎると抵抗が大き
くなってしまう。Ｐｄは必須ではないが、Ｐｄ添加によ
りＡｇのマイグレーションが少なくなる。導体粉の平均
径（粒子形状が異方性をもつときは長軸径の平均）は特
に限定されないが、通常、０．１〜５μm 程度とすれば
よい。粒子形状は特に制約されないが、一般に球状とす
ることが好ましい。ただし、導体粒子の一部または全部
を鱗片状としてもよい。
【００１９】導体ペーストに含まれるビヒクルは、バイ
ンダおよび溶剤を含む。バインダとしては、エチルセル
ロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチ
ルメタアクリレート等が挙げられ、溶剤としては、テル
ピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトール
アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等が挙げ
られる。また、ビヒクル中には、これらの他、各種分散
剤、活性剤、可塑剤等が、必要に応じて添加される。ペ
ースト中のビヒクルの含有率は、１０〜２０重量％程度
とすることが好ましい。
ンダおよび溶剤を含む。バインダとしては、エチルセル
ロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチ
ルメタアクリレート等が挙げられ、溶剤としては、テル
ピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトール
アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等が挙げ
られる。また、ビヒクル中には、これらの他、各種分散
剤、活性剤、可塑剤等が、必要に応じて添加される。ペ
ースト中のビヒクルの含有率は、１０〜２０重量％程度
とすることが好ましい。
【００２０】導体層の厚さは特に限定されないが、通
常、３〜２０μm 程度とする。
常、３〜２０μm 程度とする。
【００２１】誘電体層は、誘電体材料として鉛系ペロブ
スカイト化合物を含有する。鉛系ペロブスカイト化合物
のうちＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2
Ｗ1/ 2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰ
ｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3は特に分解されやすいの
で、これらの少なくとも１種を用いた場合に本発明の効
果は特に高くなる。鉛系ペロブスカイト化合物全体に対
するこれらの化合物の合計含有率は、好ましくは８０重
量％以上である。なお、これらの他、ＰｂＴｉＯ3 、Ｃ
ｕＯなどを併用してもよい。ＰｂＴｉＯ3 はキュリー温
度を上昇させ、ＣｕＯは焼結性を向上させる。鉛系ペロ
ブスカイト化合物以外の誘電体材料を併用してもよい
が、鉛系ペロブスカイト化合物が誘電体材料全体の７０
重量％以上であることが好ましい。誘電体ペーストは、
これらの誘電体材料にビヒクルを添加して混練すること
により調製する。ビヒクルには導体ペーストと同様なも
のを用いることができる。
スカイト化合物を含有する。鉛系ペロブスカイト化合物
のうちＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2
Ｗ1/ 2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰ
ｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3は特に分解されやすいの
で、これらの少なくとも１種を用いた場合に本発明の効
果は特に高くなる。鉛系ペロブスカイト化合物全体に対
するこれらの化合物の合計含有率は、好ましくは８０重
量％以上である。なお、これらの他、ＰｂＴｉＯ3 、Ｃ
ｕＯなどを併用してもよい。ＰｂＴｉＯ3 はキュリー温
度を上昇させ、ＣｕＯは焼結性を向上させる。鉛系ペロ
ブスカイト化合物以外の誘電体材料を併用してもよい
が、鉛系ペロブスカイト化合物が誘電体材料全体の７０
重量％以上であることが好ましい。誘電体ペーストは、
これらの誘電体材料にビヒクルを添加して混練すること
により調製する。ビヒクルには導体ペーストと同様なも
のを用いることができる。
【００２２】絶縁性基板には、Ａｇを主体とする導体ペ
ーストとの同時焼成を可能とするために、酸化物骨材と
ガラス粉とを含むコンポジット基板を用いるか、結晶化
ガラス基板を用いる。
ーストとの同時焼成を可能とするために、酸化物骨材と
ガラス粉とを含むコンポジット基板を用いるか、結晶化
ガラス基板を用いる。
【００２３】絶縁性基板に用いるガラス粉は特に限定さ
れず、従来から絶縁性基板に用いられている通常の組成
のものであってよい。このようなガラス粉としては、例
えば、特開平１−１３２１９４号公報に開示されている
ＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ−Ｂ
ａＯ系ガラスなどが挙げられる。具体的には、絶縁性基
板の抗折強度向上、酸化物骨材に対する濡れ性、端子電
極に対する接着性などを考慮して、例えば軟化点７５０
〜８５０℃程度のガラスを適宜選択すればよい。
れず、従来から絶縁性基板に用いられている通常の組成
のものであってよい。このようなガラス粉としては、例
えば、特開平１−１３２１９４号公報に開示されている
ＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ−Ｂ
ａＯ系ガラスなどが挙げられる。具体的には、絶縁性基
板の抗折強度向上、酸化物骨材に対する濡れ性、端子電
極に対する接着性などを考慮して、例えば軟化点７５０
〜８５０℃程度のガラスを適宜選択すればよい。
【００２４】ただし、誘電体層の鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化をより抑えるためには、絶縁性基板に含ませ
るガラス粉の一部または全部を、上記した導体層と同様
にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量％以下であるガ
ラス粉とすることが好ましい。
合物の劣化をより抑えるためには、絶縁性基板に含ませ
るガラス粉の一部または全部を、上記した導体層と同様
にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量％以下であるガ
ラス粉とすることが好ましい。
【００２５】ガラス粉の平均径は特に限定されないが、
成形性等を考慮して、通常、１〜３μm 程度のものを用
いる。
成形性等を考慮して、通常、１〜３μm 程度のものを用
いる。
【００２６】コンポジット基板を用いる場合、基板材料
全体に対するガラス粉の含有率は、５０〜８０重量％と
することが好ましい。ガラス粉が少なすぎると焼結性が
悪化する傾向にあり、多すぎると絶縁性基板の抗析強度
が低くなる傾向にある。
全体に対するガラス粉の含有率は、５０〜８０重量％と
することが好ましい。ガラス粉が少なすぎると焼結性が
悪化する傾向にあり、多すぎると絶縁性基板の抗析強度
が低くなる傾向にある。
【００２７】酸化物骨材としては、例えばＡｌ2 Ｏ3 、
フォルステライト、石英、ムライト、コージェライト、
Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、
Ｃａ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ
9 Ｏ20、Ｓｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、ＳｒＳｎＯ3 、ＢａＯ・Ｒ2 Ｏ3 ・ｎＴｉＯ2 （Ｒ
はランタノイド元素の１種以上）系等の１種ないし２種
以上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨
材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であってもよ
く、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏倚した
組成のもの同士の混合物であってもよい。また、さらに
各種酸化物、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＭｎＯ、ＣｕＯ等を添
加したものであってもよい。
フォルステライト、石英、ムライト、コージェライト、
Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、
Ｃａ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ
9 Ｏ20、Ｓｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、ＳｒＳｎＯ3 、ＢａＯ・Ｒ2 Ｏ3 ・ｎＴｉＯ2 （Ｒ
はランタノイド元素の１種以上）系等の１種ないし２種
以上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨
材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であってもよ
く、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏倚した
組成のもの同士の混合物であってもよい。また、さらに
各種酸化物、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＭｎＯ、ＣｕＯ等を添
加したものであってもよい。
【００２８】なお、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率を低くす
ると熱膨張率が高くなるので、本発明では導体層の熱膨
張率が高くなる傾向にある。したがって、ＳｉＯ2 ＋Ｂ
2 Ｏ3 含有率の高い通常のガラス粉を基板に用いる場合
には、酸化物骨材として熱膨張率の比較的高いフォルス
テライト、ＭｇＯ（焼結マグネシア）、安定化ジルコニ
アなどを用いて、絶縁性基板の熱膨張率を導体層の熱膨
張率に近づけることが好ましい。
ると熱膨張率が高くなるので、本発明では導体層の熱膨
張率が高くなる傾向にある。したがって、ＳｉＯ2 ＋Ｂ
2 Ｏ3 含有率の高い通常のガラス粉を基板に用いる場合
には、酸化物骨材として熱膨張率の比較的高いフォルス
テライト、ＭｇＯ（焼結マグネシア）、安定化ジルコニ
アなどを用いて、絶縁性基板の熱膨張率を導体層の熱膨
張率に近づけることが好ましい。
【００２９】酸化物骨材の平均径は、一般に０．５〜３
μm 程度であることが好ましい。平均径が小さすぎると
シート形成が困難となる傾向にあり、大きすぎると絶縁
性基板の強度が不足する傾向にある。
μm 程度であることが好ましい。平均径が小さすぎると
シート形成が困難となる傾向にあり、大きすぎると絶縁
性基板の強度が不足する傾向にある。
【００３０】酸化物骨材とガラス粉は、ビヒクルを加え
てスラリーとされ、このスラリーは成形されて乾燥さ
れ、グリーンシートとされる。ビヒクルには、導体ペー
ストの説明において挙げたものを用いればよい。
てスラリーとされ、このスラリーは成形されて乾燥さ
れ、グリーンシートとされる。ビヒクルには、導体ペー
ストの説明において挙げたものを用いればよい。
【００３１】焼成は、通常、空気中で行なえばよい。焼
成温度は８００〜１０００℃とすることが好ましく、導
体粉の組成に応じて適宜決定すればよい。焼成時間は、
通常、２〜１２時間程度とする。なお、焼成は複数回行
なってもよい。
成温度は８００〜１０００℃とすることが好ましく、導
体粉の組成に応じて適宜決定すればよい。焼成時間は、
通常、２〜１２時間程度とする。なお、焼成は複数回行
なってもよい。
【００３２】図示例では誘電体層が１層だけであるが、
誘電体層を２層以上設けた多層構造としてもよい。
誘電体層を２層以上設けた多層構造としてもよい。
【００３３】また、以上では多層セラミック基板のコン
デンサ部について説明したが、本発明は多層セラミック
コンデンサにも適用することができる。
デンサ部について説明したが、本発明は多層セラミック
コンデンサにも適用することができる。
【００３４】また、以上では、セラミックコンデンサの
導体層にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低いガラス粉を含
ませる態様について説明したが、外部のＳｉ源およびＢ
源から誘電体層に侵入するＳｉおよびＢを捕獲して鉛系
ペロブスカイト化合物の分解を防ぐためには、前記ガラ
ス粉を必ずしも導体層に含ませる必要はない。例えば、
基板と誘電体層との間、あるいは導体層と誘電体層との
間に、前記ガラス粉を含む捕獲層を設けてもよい。捕獲
層は、前記ガラス粉だけで構成することもできるが、ガ
ラス粉の他にアルミナ、マグネシア、フォルステライト
等の各種酸化物骨材を含んでいてもよい。また、この
他、誘電体層中にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％以下であるガラス粉を含ませてもよい。誘電体層中に
このようなガラス粉を含ませることにより、鉛系ペロブ
スカイト化合物誘電体の焼結温度を低くすることがで
き、しかも、外部から侵入するＳｉおよびＢを捕獲する
ことができる。誘電体層中に含ませるガラス粉として
は、ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のものが好まし
い。
導体層にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低いガラス粉を含
ませる態様について説明したが、外部のＳｉ源およびＢ
源から誘電体層に侵入するＳｉおよびＢを捕獲して鉛系
ペロブスカイト化合物の分解を防ぐためには、前記ガラ
ス粉を必ずしも導体層に含ませる必要はない。例えば、
基板と誘電体層との間、あるいは導体層と誘電体層との
間に、前記ガラス粉を含む捕獲層を設けてもよい。捕獲
層は、前記ガラス粉だけで構成することもできるが、ガ
ラス粉の他にアルミナ、マグネシア、フォルステライト
等の各種酸化物骨材を含んでいてもよい。また、この
他、誘電体層中にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％以下であるガラス粉を含ませてもよい。誘電体層中に
このようなガラス粉を含ませることにより、鉛系ペロブ
スカイト化合物誘電体の焼結温度を低くすることがで
き、しかも、外部から侵入するＳｉおよびＢを捕獲する
ことができる。誘電体層中に含ませるガラス粉として
は、ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のものが好まし
い。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００３６】図１に示す構造の多層セラミック基板を以
下のようにして製造した。
下のようにして製造した。
【００３７】＜絶縁性基板用グリーンシート＞４０重量
部のＡｌ2 Ｏ3 および６０重量部のＳｉＯ2 −ＳｒＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3
含有率５５重量％）にビヒクルを添加して混練し、ドク
ターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥し、
厚さ約２５０μm のグリーンシートを作製した。ビヒク
ルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤としてエ
チルアルコールおよびトルエン、可塑剤としてフタル酸
エステルを用いた。このグリーンシートに、パンチング
によりスルーホールを穿孔した。
部のＡｌ2 Ｏ3 および６０重量部のＳｉＯ2 −ＳｒＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3
含有率５５重量％）にビヒクルを添加して混練し、ドク
ターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥し、
厚さ約２５０μm のグリーンシートを作製した。ビヒク
ルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤としてエ
チルアルコールおよびトルエン、可塑剤としてフタル酸
エステルを用いた。このグリーンシートに、パンチング
によりスルーホールを穿孔した。
【００３８】＜導体ペースト＞導体粉（平均径３．５μ
m ）およびガラス粉（平均径１．０μm ）にビヒクルを
添加して三本ロールミルで混練し、ペースト化した。ビ
ヒクルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤とし
てテルピネオールおよびブチルカルビトールアセテート
を用いた。ガラス粉は、表１に示す組成および結晶化温
度（Ｔx ）を有するものを用いた。結晶化温度は、示差
熱分析における発熱ピーク温度として求めた。なお、ガ
ラス粉No. ５は、軟化・溶融するまでに結晶化しなかっ
た。
m ）およびガラス粉（平均径１．０μm ）にビヒクルを
添加して三本ロールミルで混練し、ペースト化した。ビ
ヒクルには、バインダとしてアクリル系樹脂、溶剤とし
てテルピネオールおよびブチルカルビトールアセテート
を用いた。ガラス粉は、表１に示す組成および結晶化温
度（Ｔx ）を有するものを用いた。結晶化温度は、示差
熱分析における発熱ピーク温度として求めた。なお、ガ
ラス粉No. ５は、軟化・溶融するまでに結晶化しなかっ
た。
【００３９】＜誘電体ペースト＞Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系誘電体材料に、導体ペース
トに用いたビヒクルを加え、３本ロールミルで混練して
ペースト化した。
2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系誘電体材料に、導体ペース
トに用いたビヒクルを加え、３本ロールミルで混練して
ペースト化した。
【００４０】絶縁性基板のグリーンシート上に、導体ペ
ースト、誘電体ペーストおよび導体ペーストをスクリー
ン印刷法により順次印刷した後、さらに絶縁性基板のグ
リーンシートを重ねて熱プレスにより圧着し、次いで２
時間焼成して多層セラミック基板サンプルを得た。焼成
時の最高温度は９００℃とし、この温度に１０分間保持
した。焼成体の導体層の厚さは１５μm 、誘電体層の厚
さは３０μm であった。
ースト、誘電体ペーストおよび導体ペーストをスクリー
ン印刷法により順次印刷した後、さらに絶縁性基板のグ
リーンシートを重ねて熱プレスにより圧着し、次いで２
時間焼成して多層セラミック基板サンプルを得た。焼成
時の最高温度は９００℃とし、この温度に１０分間保持
した。焼成体の導体層の厚さは１５μm 、誘電体層の厚
さは３０μm であった。
【００４１】次いで、導体ペーストをスクリーン印刷法
により焼成体外面に印刷し、空気中において８５０℃で
１０分間焼成して、コンデンサ部を内蔵する多層セラミ
ック基板サンプルとした。
により焼成体外面に印刷し、空気中において８５０℃で
１０分間焼成して、コンデンサ部を内蔵する多層セラミ
ック基板サンプルとした。
【００４２】表２に、各サンプルの導体層に用いたガラ
ス粉の番号（表１に示す番号）と、導体ペーストの固形
分全体に対する各成分の重量百分率を示す。
ス粉の番号（表１に示す番号）と、導体ペーストの固形
分全体に対する各成分の重量百分率を示す。
【００４３】このようにして作製したサンプルのコンデ
ンサ部の容量を、表２に示す。容量は、ＬＣＲメータに
より１kHz 、１V の条件で測定した。
ンサ部の容量を、表２に示す。容量は、ＬＣＲメータに
より１kHz 、１V の条件で測定した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。すなわち、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％以下のガラス粉No. １または２を導体層に用いた本発
明サンプルでは、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％を超えるガラス粉No. ３〜６を用いた比較サンプルに
比べ、著しく高い容量が得られている。
ある。すなわち、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％以下のガラス粉No. １または２を導体層に用いた本発
明サンプルでは、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量
％を超えるガラス粉No. ３〜６を用いた比較サンプルに
比べ、著しく高い容量が得られている。
【００４７】サンプル断面を走査型透過電子顕微鏡（Ｓ
ＴＥＭ）および電子線プローブＸ線マイクロアナリシス
（ＥＰＭＡ）により観察したところ、本発明サンプルで
は誘電体層中へのガラス成分、特にＳｉの拡散は殆ど認
められなかったが、比較サンプルでは誘電体層中にガラ
スが多量に拡散していた。拡散したガラス中には、誘電
体材料由来のＰｂが多量に侵入しており、ＮｂおよびＭ
ｇの侵入も認められた。さらに、拡散したガラス中に
は、ＳｉとＭｇとを主成分とする柱状結晶が認められ
た。また、比較サンプルでは、誘電体層中にパイロクロ
ア化合物（Ｐｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13）が生成していることがＸ
線回折により確認されたが、本発明サンプルではパイロ
クロア化合物の生成は認められなかった。
ＴＥＭ）および電子線プローブＸ線マイクロアナリシス
（ＥＰＭＡ）により観察したところ、本発明サンプルで
は誘電体層中へのガラス成分、特にＳｉの拡散は殆ど認
められなかったが、比較サンプルでは誘電体層中にガラ
スが多量に拡散していた。拡散したガラス中には、誘電
体材料由来のＰｂが多量に侵入しており、ＮｂおよびＭ
ｇの侵入も認められた。さらに、拡散したガラス中に
は、ＳｉとＭｇとを主成分とする柱状結晶が認められ
た。また、比較サンプルでは、誘電体層中にパイロクロ
ア化合物（Ｐｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13）が生成していることがＸ
線回折により確認されたが、本発明サンプルではパイロ
クロア化合物の生成は認められなかった。
【００４８】本発明サンプルにおいて絶縁性基板のガラ
ス粉を表１のガラス粉No. １および２に替えたところ、
誘電体層中へのＳｉの拡散がさらに少なくなった。
ス粉を表１のガラス粉No. １および２に替えたところ、
誘電体層中へのＳｉの拡散がさらに少なくなった。
【００４９】なお、ＳＴＥＭおよびＥＰＭＡではＢの挙
動の確認はできなかった。しかし、ＳｉＯ2 含有率は低
いがＢ2 Ｏ3 含有率が高いガラス粉No. ６を用いた場合
に、ＳｉＯ2 含有率の高いガラス粉と同様な結果が得ら
れていることから、Ｂ2 Ｏ3はＳｉＯ2 と同様な作用を
示すと考えられる。
動の確認はできなかった。しかし、ＳｉＯ2 含有率は低
いがＢ2 Ｏ3 含有率が高いガラス粉No. ６を用いた場合
に、ＳｉＯ2 含有率の高いガラス粉と同様な結果が得ら
れていることから、Ｂ2 Ｏ3はＳｉＯ2 と同様な作用を
示すと考えられる。
【図１】コンデンサ部を内蔵する多層セラミック基板の
構成例を示す部分断面図である。
構成例を示す部分断面図である。
２ 誘電体層 ３１，３２ 導体層 ４１，４２ 絶縁性基板 ５１，５２ 端子電極 ６１，６２ スルーホール
Claims (16)
- 【請求項１】 導体粉、ガラス粉および有機ビヒクルを
含む導体ペーストであって、ガラス粉がＳｉＯ2 を含有
するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラス粉中のＳ
ｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２０重量％以
下であることを特徴とする導体ペースト。 - 【請求項２】 ガラス粉のＳｉＯ2 含有率が３重量％以
上である請求項１の導体ペースト。 - 【請求項３】 ガラス粉がアルミナ、チタニア、アルカ
リ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビスマスか
ら選択される少なくとも１種を含有する請求項１または
２の導体ペースト。 - 【請求項４】 ガラス粉の結晶化温度が１０００℃以下
である請求項１〜３のいずれかの導体ペースト。 - 【請求項５】 導体粉とガラス粉との合計に対するガラ
ス粉の比率が１〜２０重量％である請求項１〜４のいず
れかの導体ペースト。 - 【請求項６】 導体粉とガラス粉との合計に対し、 Ａｇ：８０〜９９重量％、 Ｐｄ：０〜１９重量％、かつ Ａｇ＋Ｐｄ≦９９重量％ である請求項１〜５のいずれかの導体ペースト。
- 【請求項７】 誘電体層が導体層で挟まれた構成のセラ
ミックコンデンサであって、誘電体層が鉛系ペロブスカ
イト化合物を含有し、導体層が請求項１〜６のいずれか
の導体ペーストを焼成したものであることを特徴とする
セラミックコンデンサ。 - 【請求項８】 誘電体層が含有する鉛系ペロブスカイト
化合物がＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およ
びＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 から選択された少なく
とも１種を含む請求項７のセラミックコンデンサ。 - 【請求項９】 ガラス粉を含む一対の絶縁性基板に挟ま
れた請求項７または８のセラミックコンデンサ。 - 【請求項１０】 絶縁性基板に含まれるガラス粉がＳｉ
Ｏ2 を含有するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ガラ
ス粉中のＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が２
０重量％以下である請求項９のセラミックコンデンサ。 - 【請求項１１】 絶縁性基板に含まれるガラス粉のＳｉ
Ｏ2 含有率が３重量％以上である請求項１０のセラミッ
クコンデンサ。 - 【請求項１２】 絶縁性基板に含まれるガラス粉がアル
ミナ、チタニア、アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化
鉛および酸化ビスマスから選択される１種以上を含有す
る請求項１０または１１のセラミックコンデンサ。 - 【請求項１３】 絶縁性基板に含まれるガラス粉の結晶
化温度が１０００℃以下である請求項１０〜１２のいず
れかのセラミックコンデンサ。 - 【請求項１４】 ＳｉＯ2 を含有するかＳｉＯ2 とＢ2
Ｏ3 とを含有し、ＳｉＯ2 含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との
合計が２０重量％以下であるガラス粉と、鉛系ペロブス
カイト化合物とを含む誘電体材料を用いて、セラミック
コンデンサを製造することを特徴とするセラミックコン
デンサの製造方法。 - 【請求項１５】 焼成の際にＳｉ源およびＢ源から拡散
して鉛系ペロブスカイト化合物を分解するＳｉおよびＢ
を、前記ガラス粉により捕獲することにより、鉛系ペロ
ブスカイト化合物の誘電率の低下を抑える請求項１４の
セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項７〜１３のいずれかのセラミッ
クコンデンサを製造する請求項１４または１５のセラミ
ックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27896093A JPH07111225A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27896093A JPH07111225A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111225A true JPH07111225A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17604468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27896093A Withdrawn JPH07111225A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 導体ペーストならびにセラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199579A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Lite-On Capital Inc | 磁気コンデンサー |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP27896093A patent/JPH07111225A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199579A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Lite-On Capital Inc | 磁気コンデンサー |
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