JPH07110358A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH07110358A
JPH07110358A JP5253012A JP25301293A JPH07110358A JP H07110358 A JPH07110358 A JP H07110358A JP 5253012 A JP5253012 A JP 5253012A JP 25301293 A JP25301293 A JP 25301293A JP H07110358 A JPH07110358 A JP H07110358A
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semiconductor integrated
integrated circuit
circuit
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signal
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Suketaka Yamada
資隆 山田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路において、少ない素子の追加
で容易に実装後の接続チェックを可能にする。 【構成】 リード14〜19間はNMOSトランジスタ
22とPMOSトランジスタ21の両トランスファーゲ
ートで接続されている。これらトランスファーゲートは
リード20より入力する信号により、入力バッファ1
1、インバータ10で制御される。該信号が“H”のと
きトランスファーゲートがオンとなり、すべてのリード
14〜19が短絡される。該信号が“L”のときトラン
スファーゲートはオフして開放状態、つまり本体回路試
験状態となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の機能を有する本
体回路と、複数のリードピンを有する半導体集積回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】バウンダリスキャンは、図4に示すよう
に、各デバイスと内部ロジック42との間にレジスタセ
ル41を配した設計構造の半導体集積回路(以下デバイ
スと称す)を取り扱い対象とするテスト技術である(I
EEE Standard 1149.1 )。これらのレジスタセル4
1で各入力および出力ピン47,48の発生事象をコン
トロールならびに観測することができる。レジスタセル
41を一連に接続すると、バウンダリレジスタと呼ばれ
るデータ・レジスタ・チェーンが形成される。他にもレ
ジスタがあり、インストラクションレジスタ45は命令
ビットをデコードし、その結果、デバイスに各種の機能
を実行させることができる。バイパスレジスタ44は、
スキャン入力からスキャン出力までの距離を最短にする
1ビット経路を提供する。INCODEレジスタ43
は、デバイスおよび製造メーカを識別する。また、入
力、出力および制御の各機能専用の複数本のデバイスピ
ンをもつテストアクセスポート(TAP)コントローラ
46を備えている。
【0003】IEEE Standard 1149.1 に記述されて
いる必須の公用命令としてEXTEST,BYPAS
S,およびSAMPLE/PRELOADがあるが、こ
こではEXTESTについて述べる。EXTESTは主
として、バウンダリレジスタセルからデバイス外のいず
れかの点までの回路のテストを取り扱い対象とし、次の
3つの機能がある。バウンダリレジスタおよび被試験
デバイスと回路基板との接続回路のテストをするスタン
ド・アロン機能、バウンダリレジスタおよびバウンダ
リスキャンデバイス同士間を接続する回路のテストをす
るインターコネクト機能、バウンダリレジスタとバウ
ンダリスキャンデバイス同士間の実装回路のテストをす
るクラスタ機能。ここでは、特にスタンド・アロン機能
について説明する。バウンダリレジスタセル、レジスタ
セルとの間のボンディングワイヤ、および端子と回路ボ
ードとの間のハンダ接続をテストすると、デバイスの入
力に与えられるデータビットは入力レジスタセルによっ
て取り込まれ、そこからシフト出力され解析される。出
力は同様に出力レジスタセルにビットシリアルにシフト
ロードし、パラレルラッチ出力を調べることによってテ
ストされる。
【0004】特開平3−160377号公報は、所定の
機能を有する本体回路と、該本体回路に接続された複数
の配線と、該複数の配線の接地配線を除くいずれか2つ
の配線毎に接続された論理反転素子と、該論理反転素子
に給電するための論理反転素子用電源回路を有してい
る。
【0005】図5はプリント基板への実装状態を示す概
略平面図である。同図に示すように、半導体集積回路の
パッケージ30に設けられた電源ピン31b,43bは
プリント基板50上の電源プリント配線51,63と接
続され、同様に、接地ピン32bは接地プリント配線5
2と、信号ピン33b〜42bは信号プリント配線53
〜62とそれぞれ接続されている。電源ピン31bは電
源リード31とボンディングワイヤ26と電源配線11
を経て半導体集積回路チップ10上の本体回路24と接
続され、接地ピン32bは接地リード32と接地配線1
2を経て本体回路24と接続されている。信号ピン33
b〜42bは信号リード33〜42と信号配線13〜2
2を経て本体回路24と接続されている。電源ピン43
bは反転素子用電源リード43とボンディングワイヤ2
6と論理反転素子用電源リード23を通して本体回路2
4と接続されている。信号プリント配線54と55、5
6と57、58と59、60と61それぞれの間に短絡
バー64が設けられている。
【0006】次に、試験方法について述べる。図5にお
いて電源プリント配線51には電源を接続することな
く、論理反転素子用の電源プリント配線63に電源を接
続する。このことにより、論理反転素子25は動作状態
となるが、本体回路24は非動作状態におかれる。この
状態において、信号プリント配線54と55間、56と
57間、58と59間および60と61間を治工具等に
より短絡バー64を使用して短絡させ、かつ図示されて
いないが、信号プリント配線62と53間も同様に治工
具等により一時的に短絡させる。このような状態におい
ては、論理反転素子25の直列接続回路はリングオシレ
ーション動作を行なう。これを検知することにより各信
号ピン32b〜42bがプリント配線52〜62と正常
に接続されていること確認することが可能となる。これ
に対し、接続点のうちのいずれか1箇所あるいは複数箇
所が開放している場合、論理反転素子25の直列接続回
路が形成されず、リングオシレーション動作も示されな
い。よって全ての接続点が正常に接続されている場合と
明確に区別することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
プリント基板上にデバイスを実装した場合、従来例での
バウンダリスキャンでは、バウンダリスキャン用のレジ
スタが必要となる。同レジスタは素子が数十トランジス
タ必要となり、面積が大きくなるという欠点がある。
【0008】また、特開平3−160377号では、論
理反転素子を直列に接続するために各端子を短絡する治
工具が必要となり、ピン数が多くなると、ピン間の距離
も短かくなり、余分の費用が発生し、また技術的にも困
難となる欠点がある。
【0009】本発明の目的は、バウンダリスキャンに比
べ少ない素子で済み、かつ端子を短絡する工具を必要と
しない半導体集積回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定の機能を
有する本体回路と、複数のリードピンを有する半導体集
積回路において、前記のリードピン相互をMOSトラン
ジスタのソースおよびドレインで接続したトランスファ
ーゲートを備えている。
【0011】
【作用】トランスファーゲートでリードピン相互を任意
に開放・短絡するので、追加する素子の数が少なくて済
み、また各端子を短絡する工具も不要である。
【0012】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の一実施例の半導体集積回路
の概略平面図である。所定の機能を有する本体回路12
には入出力バッファも含まれている。本体回路12から
リード14〜19まではボンディングパッド(図示して
いない)−ボンディングワイヤ(図示していない)を経
由する。各リード14〜19間はNMOSトランジスタ
22とPMOSトランジスタ21の両トランスファーゲ
ートで接続されている。該トランスファーゲートはリー
ド20より入力する信号により入力バッファ11、イン
バータ10で制御され、リード20が“H”の時オンと
なり、すべてのリード14〜19が短絡される。リード
20が“L”の時はオフして開放状態、つまり、本体回
路試験状態となる。
【0013】本実施例の半導体集積回路13Aをプリン
ト基板に実装し、各リード14〜19がプリント基板に
接続されているかどうかを確認するには、リード20を
“H”としトランスファーゲートで接続されているリー
ドの最初のリード14と最後のリード19をプリント基
板を通して導通チェックを行なえばよい。プリント基板
への接続がすべてOKであれば、トランスファーゲート
がすべてのリード14〜19を短絡しており、導通が確
認される。いずれかに接続の不具合があれば導通がとれ
ないことになる。トランスファーゲートによる接続は各
リードをリング状に接続してはならず、一箇所は切断さ
れていないといけない。
【0014】図2および図3は本発明の他の実施例の半
導体集積回路の平面図である。図2の半導体集積回路1
3Bでは、トランスファーゲートがNMOSトランジス
タ22で構成されており、動作は図1の実施例と同様で
ある。また、図3の半導体集積回路13Cでは、トラン
スファーゲートがPMOSトランジスタ21で構成され
ており、動作は図1の実施例と同様である。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、各リー
ドに相互を接続するようにMOSのトランスファーゲー
トを接続し、任意に短絡、開放を可能としたことによ
り、バウンダリスキャンに比べ10分の1以下の素子で
すみ、また特開平3−160377号に比べ短絡する治
工具は必要とせず、多ピンになっても何ら技術的に困難
性はなく容易に実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体集積回路の概略
平面図である。
【図2】本発明の第2の実施例の半導体集積回路の概略
平面図である。
【図3】本発明の第3の実施例の半導体集積回路の概略
平面図である。
【図4】第1の従来例(バウンダリスキャン IEEE
Standard 1149.1-1990)を示す図である。
【図5】第2の従来例(特開平3−160377号)を
示す図である。
【符号の説明】
10 インバータ 11 入力バッファ 12 本体回路 13A,13B,13C 半導体集積回路 14〜19 リード 20 テスト端子のリード 21 PMOSトランジスタ 22 NMOSトランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年1月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 21/822

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の機能を有する本体回路と、複数の
    リードピンを有する半導体集積回路において、 前記のリードピン相互を、MOSトランジスタのソース
    およびドレインで接続したトランスファーゲートを有す
    ることを特徴とする半導体集積回路。
JP5253012A 1993-10-08 1993-10-08 半導体集積回路 Expired - Lifetime JP2978692B2 (ja)

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JPH07110358A true JPH07110358A (ja) 1995-04-25
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290642A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Nec Corp 半導体集積回路
JPH0299877A (ja) * 1988-10-07 1990-04-11 Hitachi Ltd 集積回路部品及びその接続検査方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290642A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Nec Corp 半導体集積回路
JPH0299877A (ja) * 1988-10-07 1990-04-11 Hitachi Ltd 集積回路部品及びその接続検査方法

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Effective date: 19961210