JPH07109819B2 - ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法 - Google Patents
ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH07109819B2 JPH07109819B2 JP31246693A JP31246693A JPH07109819B2 JP H07109819 B2 JPH07109819 B2 JP H07109819B2 JP 31246693 A JP31246693 A JP 31246693A JP 31246693 A JP31246693 A JP 31246693A JP H07109819 B2 JPH07109819 B2 JP H07109819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- silicon substrate
- ray exposure
- mask
- exposure mask
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- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は，微細パターンを高精
度に転写するためのＸ線露光に使用するステップアンド
レピート方式用Ｘ線露光マスク（以下Ｘ線露光用マスク
という）の製造方法に関する。
度に転写するためのＸ線露光に使用するステップアンド
レピート方式用Ｘ線露光マスク（以下Ｘ線露光用マスク
という）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光法は，波長が４〜５０Åの軟Ｘ
線を線源とし，サブミクロンパターンを含む微細パター
ンの転写が可能な技術として従来より用いられている。
一般に，Ｘ線露光方式としては，被露光基板のほぼ全面
にわたって一括に転写する一括転写方式と，被露光基板
上で分割露光を繰り返すステップアンドレピート方式が
ある。本発明は，ステップアンドレピート方式のＸ線露
光に使用するＸ線露光マスクの製造方法に関するもので
ある。
線を線源とし，サブミクロンパターンを含む微細パター
ンの転写が可能な技術として従来より用いられている。
一般に，Ｘ線露光方式としては，被露光基板のほぼ全面
にわたって一括に転写する一括転写方式と，被露光基板
上で分割露光を繰り返すステップアンドレピート方式が
ある。本発明は，ステップアンドレピート方式のＸ線露
光に使用するＸ線露光マスクの製造方法に関するもので
ある。
【０００３】従来，Ｘ線露光マスクの例として特開昭６
０−６８３３６号公報，特開昭６０−６８３３９号公報
が知られているが，マスク材保持薄膜の接着剤による接
着で，最上部平端面での接着を避けて，貼り合わせ法で
の接着剤のはみだし等による平面度の悪化防止を図った
ものであるが，そのマスク材保持薄膜は，伸張して貼り
合わせる必要上，無機薄膜の場合では破れる可能性が強
く，実用的には有機薄膜に限定されるが，品質劣化し易
いこと，「しわ」の発生があること，及び放射線耐性が
十分なものが得られないとの理由で，材質選択にも限界
があり，一括転写方式には使用できると考えられるもの
の，繰り返しＸ線照射に「耐久性」がない上，「しわ」
が露光時に障害となるため，精度を要するステップアン
ドレピート方式には適していない。従来からのステップ
アンドレピート方式用のＸ線露光マスクの例としては，
図４に示すように，平坦なシリコン基板の表面側に積層
固着したＸ線透過性薄膜２と，この薄膜上に形成された
Ｘ線吸収性パターン３と，シリコン基板の一部を除去し
てなる転写パターン領域としての窓６と，除去せずに残
したシリコン基板部分よりなる支持枠４と，シリコン基
板を部分的に除去する際に使用する保護膜５からなるＸ
線露光用マスク１があった。このようなＸ線露光マスク
１は，Ｘ線透過性薄膜２として１×１０9dyn/cm 2程度
の引張り応力を有する自己支持状態の薄膜を使用してい
るため, 窓６を除去した場合, 従来のＸ線露光用マスク
１はこの薄膜側が凹面になるような反りを生じていた。
例えば, 直径５０ｍｍのＸ線露光用マスクの場合，１０
〜２０μｍの反りを生じ，平面度の良いマスクホールダ
ーに吸着して，矯正しても，２〜４μｍ程度の反りが残
っていた。
０−６８３３６号公報，特開昭６０−６８３３９号公報
が知られているが，マスク材保持薄膜の接着剤による接
着で，最上部平端面での接着を避けて，貼り合わせ法で
の接着剤のはみだし等による平面度の悪化防止を図った
ものであるが，そのマスク材保持薄膜は，伸張して貼り
合わせる必要上，無機薄膜の場合では破れる可能性が強
く，実用的には有機薄膜に限定されるが，品質劣化し易
いこと，「しわ」の発生があること，及び放射線耐性が
十分なものが得られないとの理由で，材質選択にも限界
があり，一括転写方式には使用できると考えられるもの
の，繰り返しＸ線照射に「耐久性」がない上，「しわ」
が露光時に障害となるため，精度を要するステップアン
ドレピート方式には適していない。従来からのステップ
アンドレピート方式用のＸ線露光マスクの例としては，
図４に示すように，平坦なシリコン基板の表面側に積層
固着したＸ線透過性薄膜２と，この薄膜上に形成された
Ｘ線吸収性パターン３と，シリコン基板の一部を除去し
てなる転写パターン領域としての窓６と，除去せずに残
したシリコン基板部分よりなる支持枠４と，シリコン基
板を部分的に除去する際に使用する保護膜５からなるＸ
線露光用マスク１があった。このようなＸ線露光マスク
１は，Ｘ線透過性薄膜２として１×１０9dyn/cm 2程度
の引張り応力を有する自己支持状態の薄膜を使用してい
るため, 窓６を除去した場合, 従来のＸ線露光用マスク
１はこの薄膜側が凹面になるような反りを生じていた。
例えば, 直径５０ｍｍのＸ線露光用マスクの場合，１０
〜２０μｍの反りを生じ，平面度の良いマスクホールダ
ーに吸着して，矯正しても，２〜４μｍ程度の反りが残
っていた。
【０００４】電子線励起等による発散線源を用いたＸ線
露光法において，Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収性パター
ン付着面と被露光基板面との間の距離（以下，マスク−
ウエハ間距離と呼ぶ）は，一般に，１０〜２０μｍ程度
であり，例えば，転写領域内の異なる３箇所において±
１μｍ前後の精度で一定距離になるように，被露光基板
面に対し，Ｘ線露光用マスク全体を近づけたり，傾けた
りして調整する。この際，数μｍ程度のゴミの付着があ
ると，許容範囲はさらに狭くなる。また，露光時の解像
度を上げるためには，マスク−ウエハ間距離はより狭い
方向が求められている。前述したように，図４に示す従
来のＸ線露光用マスクではＸ線吸収性パターン３が付着
している側に凹型の反りを生じ，吸着矯正しても，２〜
４μｍ程度の反りが残る。
露光法において，Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収性パター
ン付着面と被露光基板面との間の距離（以下，マスク−
ウエハ間距離と呼ぶ）は，一般に，１０〜２０μｍ程度
であり，例えば，転写領域内の異なる３箇所において±
１μｍ前後の精度で一定距離になるように，被露光基板
面に対し，Ｘ線露光用マスク全体を近づけたり，傾けた
りして調整する。この際，数μｍ程度のゴミの付着があ
ると，許容範囲はさらに狭くなる。また，露光時の解像
度を上げるためには，マスク−ウエハ間距離はより狭い
方向が求められている。前述したように，図４に示す従
来のＸ線露光用マスクではＸ線吸収性パターン３が付着
している側に凹型の反りを生じ，吸着矯正しても，２〜
４μｍ程度の反りが残る。
【０００５】一方，被露光基板面全体の平面度は，従来
のシリコン基板を用い，平面度の良い吸着ホールダーで
矯正しても，２〜３μｍ程度と一般にいわれている。従
って，上述した方法でマスク−ウエハ間距離を調整する
際，被露光基板面にＸ線露光用マスク１の支持枠４の外
周部が接触し，Ｘ線露光用マスク１または被露光基板に
欠陥が発生するという問題が生じていた。
のシリコン基板を用い，平面度の良い吸着ホールダーで
矯正しても，２〜３μｍ程度と一般にいわれている。従
って，上述した方法でマスク−ウエハ間距離を調整する
際，被露光基板面にＸ線露光用マスク１の支持枠４の外
周部が接触し，Ｘ線露光用マスク１または被露光基板に
欠陥が発生するという問題が生じていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで，本発明が解決
しようとする問題点は，ステップアンドレピート方式の
Ｘ線露光において，マスク−ウエハ間距離を調整する
際，Ｘ線露光用マスクの支持枠外周部が被露光基板面に
接触する危険性のないＸ線露光用マスクの製造方法を提
供することにある。
しようとする問題点は，ステップアンドレピート方式の
Ｘ線露光において，マスク−ウエハ間距離を調整する
際，Ｘ線露光用マスクの支持枠外周部が被露光基板面に
接触する危険性のないＸ線露光用マスクの製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の手段は，シリコ
ン基板４ａの被露光基板面に近接せしめられる表面側
に，その外周部領域全周囲にわたって除去部９を形成す
る工程と，Ｘ線透過性薄膜２をＣＶＤ法，スパッタリン
グ法で積層固着する工程と，Ｘ線透過性薄膜２上にＸ線
吸収性パターン３を設ける工程と，シリコン基板４ａの
裏面側に，Ｘ線吸収性パターン３の領域を含むシリコン
基板４ａの一部を窓６として除去する工程とを包含する
ことを特徴とするステップアンドレピート方式用Ｘ線露
光マスクの製造方法である。
ン基板４ａの被露光基板面に近接せしめられる表面側
に，その外周部領域全周囲にわたって除去部９を形成す
る工程と，Ｘ線透過性薄膜２をＣＶＤ法，スパッタリン
グ法で積層固着する工程と，Ｘ線透過性薄膜２上にＸ線
吸収性パターン３を設ける工程と，シリコン基板４ａの
裏面側に，Ｘ線吸収性パターン３の領域を含むシリコン
基板４ａの一部を窓６として除去する工程とを包含する
ことを特徴とするステップアンドレピート方式用Ｘ線露
光マスクの製造方法である。
【０００８】本発明のＸ線露光用マスクの製造方法にお
いて，シリコン基板の支持枠の外周部側を除去する方法
としては，腐食液を用いて化学的にエッチング除去する
方法及び機械加工法により研削除去する方法が適用でき
る。次に，本発明において，支持枠の除去部は除去部全
域にわたって，ほぼ同一深さになるように形成しても良
く，或いはシリコン基板の外周部側へ向けて深くなるよ
うに傾斜面に形成しても良い。シリコン基板４ａの裏面
側に，Ｘ線吸収性パターン３の領域を含むシリコン基板
４ａの一部を窓６として除去する工程としては，シリコ
ン基板４ａの裏面側に，ＣＶＤ法，スパッタリング法に
より支持枠４の形状に保護膜５を積層固着して保護膜５
を形成した後，支持枠４の形状にレジストパターンを形
成した後，不要部をエッチング除去することにより形成
することができる。
いて，シリコン基板の支持枠の外周部側を除去する方法
としては，腐食液を用いて化学的にエッチング除去する
方法及び機械加工法により研削除去する方法が適用でき
る。次に，本発明において，支持枠の除去部は除去部全
域にわたって，ほぼ同一深さになるように形成しても良
く，或いはシリコン基板の外周部側へ向けて深くなるよ
うに傾斜面に形成しても良い。シリコン基板４ａの裏面
側に，Ｘ線吸収性パターン３の領域を含むシリコン基板
４ａの一部を窓６として除去する工程としては，シリコ
ン基板４ａの裏面側に，ＣＶＤ法，スパッタリング法に
より支持枠４の形状に保護膜５を積層固着して保護膜５
を形成した後，支持枠４の形状にレジストパターンを形
成した後，不要部をエッチング除去することにより形成
することができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下，実施例により，さらに本
発明を詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｅ）に本発明に
係るＸ線露光用マスクの一実施例における主な製造工程
の概略断面図を示す。先ず，少なくとも，片面が鏡面研
磨された厚さ０．３〜３ｍｍのシリコン基板４ａを従来
からの熱酸化法により酸化し，厚さ０．１〜０．５μｍ
のＳｉＯ2 膜を基板両面に形成する。次いで，この基板
の鏡面研磨された片面（以後，この面を表面，反対の面
を裏面と呼ぶ）上で，シリコン基板４ａ平面のうち，除
去すべき部分以外のシリコン基板４ａの領域に，従来か
らの紫外線露光法等によりレジストパターン（図示せ
ず）を設け，例えば，ＣＦ4 等のガスを用いた反応性ス
パッタエッチング法により，表面のＳｉＯ2 膜を選択的
に除去する。その後，レジストパターンを専用レジスト
剥離液で除去することにより，図２（ａ）に示すような
シリコン基板４ａの表面にＳｉＯ2 パターン７が形成さ
れ，裏面にＳｉＯ2保護膜８が形成されたものを得る。
図２（ｂ）には，ＳｉＯ2 パターン７をマスクとして，
シリコン基板４ａの表面を２〜１００μｍの間で一定の
厚さだけ，エッチング除去した後を示す。ここでのエッ
チング除去液としては，例えば，ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ
3 ＣＯＯＨ＝１：３：１の混合液や２０〜４０％ＫＯＨ
水溶液を用いる。次いで，緩衝ＨＦ液によりＳｉＯ2 パ
ターン７，及びＳｉＯ2 保護膜８をエッチング除去する
ことにより，図２（ｃ）に示すように，シリコン基板４
ａのうち支持枠４となる部分の被露光基板面に近接せし
められる側において外周部側領域が全周にわたって除去
され，除去部９が形成されたものを得る。
発明を詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｅ）に本発明に
係るＸ線露光用マスクの一実施例における主な製造工程
の概略断面図を示す。先ず，少なくとも，片面が鏡面研
磨された厚さ０．３〜３ｍｍのシリコン基板４ａを従来
からの熱酸化法により酸化し，厚さ０．１〜０．５μｍ
のＳｉＯ2 膜を基板両面に形成する。次いで，この基板
の鏡面研磨された片面（以後，この面を表面，反対の面
を裏面と呼ぶ）上で，シリコン基板４ａ平面のうち，除
去すべき部分以外のシリコン基板４ａの領域に，従来か
らの紫外線露光法等によりレジストパターン（図示せ
ず）を設け，例えば，ＣＦ4 等のガスを用いた反応性ス
パッタエッチング法により，表面のＳｉＯ2 膜を選択的
に除去する。その後，レジストパターンを専用レジスト
剥離液で除去することにより，図２（ａ）に示すような
シリコン基板４ａの表面にＳｉＯ2 パターン７が形成さ
れ，裏面にＳｉＯ2保護膜８が形成されたものを得る。
図２（ｂ）には，ＳｉＯ2 パターン７をマスクとして，
シリコン基板４ａの表面を２〜１００μｍの間で一定の
厚さだけ，エッチング除去した後を示す。ここでのエッ
チング除去液としては，例えば，ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ
3 ＣＯＯＨ＝１：３：１の混合液や２０〜４０％ＫＯＨ
水溶液を用いる。次いで，緩衝ＨＦ液によりＳｉＯ2 パ
ターン７，及びＳｉＯ2 保護膜８をエッチング除去する
ことにより，図２（ｃ）に示すように，シリコン基板４
ａのうち支持枠４となる部分の被露光基板面に近接せし
められる側において外周部側領域が全周にわたって除去
され，除去部９が形成されたものを得る。
【００１０】次に，シリコン基板４ａの表面にＳｉ3 Ｎ
4 ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材の単層
もしくは複合層からなり，弱い緊張力を有した厚さ０．
２〜４μｍのＸ線透過性薄膜２を，例えば，ＣＶＤ（Ch
emical Vaper Deposition)法やスパッタリング法により
形成する。また，シリコン基板４ａの裏面にＳｉ
3 Ｎ4 ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＢＮ等の薄膜を，
ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成し，従来の紫外線露
光法等によりレジストパターン（図示せず）を形成した
後，不要部をエッチング除去し，しかるのち，専用レジ
スト除去液を用いてレジストパターンを除去することに
より，図２（ｄ）に示すように，シリコン基板４ａのう
ち支持枠４となる部分の被露光基板面に近接せしめられ
る側において外周部側領域が全周にわたって除去されて
除去部９が形成され，且つシリコン基板４ａの表面全体
にＸ線透過性薄膜２が設けられ，裏面に枠状の保護膜５
が設けられたものを得る。
4 ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材の単層
もしくは複合層からなり，弱い緊張力を有した厚さ０．
２〜４μｍのＸ線透過性薄膜２を，例えば，ＣＶＤ（Ch
emical Vaper Deposition)法やスパッタリング法により
形成する。また，シリコン基板４ａの裏面にＳｉ
3 Ｎ4 ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＢＮ等の薄膜を，
ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成し，従来の紫外線露
光法等によりレジストパターン（図示せず）を形成した
後，不要部をエッチング除去し，しかるのち，専用レジ
スト除去液を用いてレジストパターンを除去することに
より，図２（ｄ）に示すように，シリコン基板４ａのう
ち支持枠４となる部分の被露光基板面に近接せしめられ
る側において外周部側領域が全周にわたって除去されて
除去部９が形成され，且つシリコン基板４ａの表面全体
にＸ線透過性薄膜２が設けられ，裏面に枠状の保護膜５
が設けられたものを得る。
【００１１】図２（ｅ）は，さらに，Ｘ線透過性薄膜２
の上に，従来からＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パター
ンを形成する方法として知られているめっき法（めっき
マスクを設け，めっきマスクの開口部に金属を電着する
方法）や蒸着またはスパッタリング−ドライエッチング
法（全面に重金属を蒸着またはスパッタリングしたの
ち，ドライエッチングする方法）により，Ａｕ，Ｗ，Ｔ
ａ等の重金属を主成分とする厚さ０．２〜１．２μｍの
所望のＸ線吸収性パターン３を形成した状態を示す。最
後に図１に示すように，保護膜５をマスクとし，シリコ
ン基板４ａの一部を裏面からエッチング除去することに
より支持枠４及び転写パターン領域となる窓６を形成す
る。このエッチングの際，Ｘ線透過性薄膜２及びＸ線吸
収性パターン３を保護するためにＯリング等からなる治
具を使用し，エッチング液としては，例えば，２０〜４
０％ＫＯＨ水溶液やＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝
１：３：１の混合液を使用することにより良好にエッチ
ング除去できる。以上の製造工程により，図１に示す本
発明の一実施例によるＸ線露光用マスク１が得られる。
の上に，従来からＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パター
ンを形成する方法として知られているめっき法（めっき
マスクを設け，めっきマスクの開口部に金属を電着する
方法）や蒸着またはスパッタリング−ドライエッチング
法（全面に重金属を蒸着またはスパッタリングしたの
ち，ドライエッチングする方法）により，Ａｕ，Ｗ，Ｔ
ａ等の重金属を主成分とする厚さ０．２〜１．２μｍの
所望のＸ線吸収性パターン３を形成した状態を示す。最
後に図１に示すように，保護膜５をマスクとし，シリコ
ン基板４ａの一部を裏面からエッチング除去することに
より支持枠４及び転写パターン領域となる窓６を形成す
る。このエッチングの際，Ｘ線透過性薄膜２及びＸ線吸
収性パターン３を保護するためにＯリング等からなる治
具を使用し，エッチング液としては，例えば，２０〜４
０％ＫＯＨ水溶液やＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝
１：３：１の混合液を使用することにより良好にエッチ
ング除去できる。以上の製造工程により，図１に示す本
発明の一実施例によるＸ線露光用マスク１が得られる。
【００１２】（実施例２）本発明による他の実施例を図
３に示す。この実施例は研削等の周知の機械加工法によ
り，平らなシリコン基板４ａの外周部を予め一定角度で
削り取ることにより除去部９を形成し，その後，前記実
施例１の図２（ｄ），（ｅ）及び図１にて説明したと同
様の工程を経て形成したＸ線露光用マスク１の例であ
る。図３に示すように，所望の緊張力を有したＸ線透過
性薄膜２が表面外周部が一定角度で削り取られた支持枠
４の表面に張られ，さらに薄膜上に所望のＸ線吸収性パ
ターン３が形成され，転写パターン領域を規定する窓６
がある。
３に示す。この実施例は研削等の周知の機械加工法によ
り，平らなシリコン基板４ａの外周部を予め一定角度で
削り取ることにより除去部９を形成し，その後，前記実
施例１の図２（ｄ），（ｅ）及び図１にて説明したと同
様の工程を経て形成したＸ線露光用マスク１の例であ
る。図３に示すように，所望の緊張力を有したＸ線透過
性薄膜２が表面外周部が一定角度で削り取られた支持枠
４の表面に張られ，さらに薄膜上に所望のＸ線吸収性パ
ターン３が形成され，転写パターン領域を規定する窓６
がある。
【００１３】
【発明の効果】本発明により，Ｘ線透過性薄膜上でＸ線
吸収性パターンの付着している平面の大きさを必要最小
に限定し，かつ，マスク−ウエハ間距離調整の際，支持
枠外周部の反りを無視できる形状にすることが可能とな
る。従って，ステップアンドレピート方式のＸ線露光に
おいて，マスク面と被露光面との接触によるＸ線露光用
マスク上または被露光基板上での欠陥の発生を無くすこ
とができるので，歩留りの高いＸ線露光が期待できると
同時にマスク−ウエハ間距離を調整する際の空間的調整
範囲が増し，マスク−ウエハ間距離を安定して調整する
ことが可能となるので，Ｘ線露光において安定して高精
度なパターン転写が期待できる。
吸収性パターンの付着している平面の大きさを必要最小
に限定し，かつ，マスク−ウエハ間距離調整の際，支持
枠外周部の反りを無視できる形状にすることが可能とな
る。従って，ステップアンドレピート方式のＸ線露光に
おいて，マスク面と被露光面との接触によるＸ線露光用
マスク上または被露光基板上での欠陥の発生を無くすこ
とができるので，歩留りの高いＸ線露光が期待できると
同時にマスク−ウエハ間距離を調整する際の空間的調整
範囲が増し，マスク−ウエハ間距離を安定して調整する
ことが可能となるので，Ｘ線露光において安定して高精
度なパターン転写が期待できる。
【図１】本発明の実施例による製品の断面図である。
【図２】本発明の実施例１の製造工程を説明する断面図
である。
である。
【図３】本発明の別の実施例による製品の断面図であ
る。
る。
【図４】従来の製品の断面図である。
１ Ｘ線露光用マスク ２ Ｘ線透過性薄膜 ３ Ｘ線吸収性パターン ４ 支持枠 ４ａ シリコン基板 ５ 保護膜 ６ 窓 ７ ＳｉＯ2 パターン ８ ＳｉＯ2 保護膜 ９ 除去部
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板（４ａ）の被露光基板面に
近接せしめられる表面側に，その外周部領域全周囲にわ
たって除去部（９）を形成する工程と，Ｘ線透過性薄膜
（２）をＣＶＤ法，スパッタリング法で積層固着する工
程と，Ｘ線透過性薄膜（２）上にＸ線吸収性パターン
（３）を設ける工程と，シリコン基板（４ａ）の裏面側
に，Ｘ線吸収性パターン（３）の領域を含むシリコン基
板（４ａ）の一部を窓（６）として除去する工程とを包
含することを特徴とするステップアンドレピート方式用
Ｘ線露光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31246693A JPH07109819B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31246693A JPH07109819B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19269085A Division JPH0744137B2 (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076947A JPH076947A (ja) | 1995-01-10 |
| JPH07109819B2 true JPH07109819B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=18029543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31246693A Expired - Lifetime JPH07109819B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | ステップアンドレピート方式用ｘ線露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109819B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP31246693A patent/JPH07109819B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH076947A (ja) | 1995-01-10 |
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