JPH07109724B2

JPH07109724B2 - はんだ付け可能な銅系導電性ペースト

Info

Publication number: JPH07109724B2
Application number: JP3118706A
Authority: JP
Inventors: 明典横山; 章大谷; 勉勝又
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1991-05-23
Filing date: 1991-05-23
Publication date: 1995-11-22
Anticipated expiration: 2010-11-22
Also published as: JPH04345701A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電性、耐酸化性、耐
マイグレーション性に優れ、且つ、はんだ付け可能な銅
系導電性ペースト及び該ペーストを用いた導電体にかん
するものであり、電磁波シールド、導電性接着剤、導電
回路用ペースト、電極用ペースト、スクリーン印刷用ペ
ースト、印刷抵抗用ペースト、スルーホール用ペース
ト、コンデンサー電極用ペースト、接点材料として利用
できる。

【０００２】

【従来の技術】公知の導電性ペーストとして用いられて
いるものには以下の欠点がある。銅は安価であるが、酸
化により導電性が低下しやすい。また、酸化防止剤を銅
粉末を用いたペーストに添加する試みも行われている
が、初期には粉末表面の銅酸化物が除去された導電性が
得られるが、やはり塗膜化された後、高温あるいは高湿
度中では粒子表面が酸化され、次第に接点抵抗が増加し
導電性を損ねる。そのためはんだ付けが悪く、銅を用い
た導電性ペーストにははんだ付けが困難であった。

【０００３】また、銀粉を用いた導電性ペーストが公知
であるが、マイグレーションし易く、かつ、はんだ食わ
れが著しく充分な塗膜の接着強度が得られない。銀を銅
粉にメッキした粉末を用いた導電性ペーストも公知であ
るが（例えば特開平３−２１６５９号公報）、混練り時
の剥がれの問題や耐銀マイグレーションが劣るなどの問
題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電性、耐
酸化性、耐マイグレーション性が良く、かつはんだ付け
可能な銅系導電性ペースト及びそれを用いた製品を提供
するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、１．一般式ＡｇｘＣｕｙ（ただし、０．
００１≦ｘ≦０．９９９、０．００１≦ｙ≦０．９９
９、ｘ＋ｙ＝１、原子比）で表わされる銅合金粉末１０
０重量部とフェノール系有機バインダー５〜１００重量
部、チタンカップリング剤０．００１〜３重量部、及び
銅酸化物を除去しうる添加剤０．０１〜１００重量部か
らなるはんだ付け可能な銅系導電性ペースト。２．一般式ＡｇｘＣｕｙで表される銅合金粉末が０．
００１≦ｘ≦０．４、０．６≦ｙ≦０．９９９（原子
比）の範囲で、銅合金粉末の粒子表面の銀濃度が平均の
銀濃度より高く、かつ表面近傍で内部より表面に向かっ
て銀濃度が増加する領域を有することを特徴とする請求
項１記載のはんだ付け可能な銅系導電性ペーストであ
る。

【０００６】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明に用いる銅合金粉末は、アトマイズ法により作製さ
れる。ガスアトマイズ法、水アトマイズ法が好ましい
が、特に不活性ガスアトマイズ法が好ましい。本発明で
用いられる不活性ガスアトマイズ法については本発明者
らの発明した特開平２−２８２４０１号公報記載の方法
が好ましい。例えば、かかる組成の銅、銀混合物、また
は合金を不活性雰囲気中あるいは真空中で、高周波誘導
加熱を用いてるつぼ中で融解する。この時、不活性雰囲
気とは、融液と全く反応しないか、あるいは極めてゆる
やかにしか反応しない雰囲気を意味する。例えば、窒
素、ヘリウム、水素、アルゴンを主成分にした雰囲気が
好ましい。さらに、るつぼ先端より融液を不活性ガス雰
囲気中へ噴出する。噴出と同時に、圧縮された不活性ガ
スを断熱膨張させて発生した高速気流を融液に向かって
噴出し、アトマイズする方法である。ここで用いられる
不活性ガスとは、かかる組成の融液とまったく反応しな
いか、あるいは極めてゆるやかにしか反応しないガスを
意味する。例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン、水素、
及びそれらの混合物が好ましい。この時、ガスに含まれ
る酸素は、２％以下が好ましく、さらに０．１％以下が
好ましい。

【０００７】ガスの圧力（膨張直前）は、５ｋｇ／ｃｍ
²Ｇ以上が好ましく、さらに１５ｋｇ／ｃｍ²Ｇ以上が
好ましい。高速気流の速度は、融液との衝突位置で５０
ｍ／秒以上が好ましく、さらに１００ｍ／秒以上が好ま
しく、３００ｍ／秒以上が最も好ましい。ガスと融液と
の質量速度比（ガス質量速度／融液質量速度）は０．１
以上が好ましく、１以上がさらに好ましい。また、この
時の冷却速度は１０²℃/ 秒〜10⁹℃／秒が好ましく、
１０³℃／秒〜１０⁷℃／秒がより好ましい。

【０００８】本発明で用いるＡｇｘＣｕｙ（ただし、
０．００１≦ｘ≦０．９９９、０．００１≦ｙ≦０．９
９９、ｘ＋ｙ＝１、原子数比）であるが、ｘが０．００
１未満では、充分な耐酸化性、はんだ付け性が得られ
ず、またｘが０．９９９を越える場合には耐マイグレー
ション性、耐はんだ食われ性が充分でない。本発明で用
いる銅合金粉末は０．００１≦ｘ≦０．４の場合には、
粉末表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、かつ表面近
傍で銀濃度が内部より表面に向かって銀濃度が増加する
領域を有しており、表面の銀濃度が平均の銀濃度の２．
１倍以上である。好ましくは、３倍〜４０倍であり、さ
らに４倍〜１５倍が好ましい。銀量ｘは、好ましくは
０．００５≦ｘ≦０．３、さらに０．０１≦ｘ≦０．２
５が好ましい。

【０００９】本発明で用いる０．００１≦ｘ≦０．４の
銅合金粉末は、表面の銀濃度が平均の銀濃度より高い
が、低融点である銀が表面に濃縮される機構について
は、本発明者らにより既に開示されているように（特開
平２−２８２４０１号公報）、以下の様に考えられる。
例えば高速気流ガスとの衝突により生じた微細な金属液
滴が高速気流に同伴し高速走行しながら急冷凝固する。
この凝固過程で低融点である銀に富んだ液相が表面に排
出されて遅れて固化し、表面に銀が濃縮された粉末がで
きるものと考えられる。

【００１０】水アトマイズ法を用いる場合には、銅合金
の融液をるつぼ先端より噴出する。噴出と同時に、ノズ
ル先端より噴出された融液に向かって、加圧された水を
ノズルより噴出し、上記融液と衝突させ微粒子化し、急
冷凝固する。この時、水の質量速度／融液の質量速度比
が１０以上であることが好ましく、さらに、４０以上が
好ましい。また、水と融液との衝突位置における水の速
度は８０ｍ／秒以上が好ましく、さらに、１００ｍ／秒
以上が好ましい。加圧水をノズル先端より噴出する時の
圧力は５０ｋｇ／ｃｍ²Ｇ以上が好ましく、さらに１０
０ｋｇ／ｃｍ²Ｇ以上が好ましい。

【００１１】銀量ｘが０．４を越える場合には（０．４
≦ｘ≦０．９９９）、特に高温での耐酸化性を要求する
場合に用いることができる。この場合には、粉末中の銀
が銅と合金化しているために耐マイグレーション性も高
く、且つ、表面の銀の濃度が高く、しかもかなり粒子内
部にまでも銀が存在しているために銅の酸化防止に対し
て効果を有するものである。

【００１２】水アトマイズ法により作製された急冷凝固
粉末は、不規則形状のものが多く含まれるが、本発明の
球状粒子のはんちゅうに入る。ここで、銀濃度とは、Ａ
ｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子数比）を意味する。本発明で
用いる銅合金粉末は、平均粒径が０．１〜１００μｍで
あるが、０．１μｍ未満では、接触抵抗が増加して導電
性を損ねる。また、１００μｍを越える場合には、スク
リーン印刷適正が劣る。好ましくは、０．１〜５０μ
ｍ、さらに好ましくは０．５〜３０μｍである。

【００１３】粒子形状は、球状、燐片状及びそれらの混
合物が好ましい。燐片状粉末を用いる場合には、機械的
に偏平化させる公知の方法を用いることができる。例え
ば、スタンプミル、ポールミル等の方法が挙げられる。
本発明で用いられる銅合金粉末は、特性を損なわない程
度であれば、溶融時にＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｉ，
Ｍｎ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｂ，Ｐ，
Ｍｇ，Ｌｉ，Ｃ，Ｎａ，Ｂａ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｌａなどの金
属、半金属及びそれらの化合物を添加しても構わない
し、また、本発明で用いる粉末と同時に、Ａｌ，Ｚｎ，
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎ
ｂ，Ｓｂ，Ｂ，Ｐ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｃ，Ｎａ，Ｂａ，Ｔ
ｉ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒ
ｕ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｌａなどの金属、半金属及びそれ
らの化合物からなる粉末を混合しても構わない。

【００１４】本発明の銅系導電性ペーストは、銅合金粉
末１００重量部に対して、フェノール系有機バインダー
を５〜１００重量部を有するが、５未満の場合には、塗
膜中の導電性銅合金粉末を結合させておくに充分な樹脂
量がなく、導電性及び密着強度を低下させる。また、１
００重量部を越える場合には、導電性銅合金粉末量が充
分でなく、導電性が得られない。また、はんだ付け性が
劣る。好ましくは、５〜５０重量部である。さらに、５
〜３０重量部が好ましい。

【００１５】本発明に用いるフェノール系有機バインダ
ーとしては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型
フェノール樹脂、キシレン樹脂変性レゾール型樹脂、ロ
ジン変性フェノール型樹脂が挙げられる。なかでも、レ
ゾール型、及び変性レゾール型樹脂が好ましい。また、
必要に応じて、公知のエポキシ樹脂、フェノール性ＯＨ
変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
エステル樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン
樹脂を混合して用いることができる。

【００１６】本発明の銅系導電性ペーストは、銅合金粉
末１００重量部に対して、チタンカップリング剤を０．
００１〜３重量部、及び銅酸化物を除去しうる添加剤を
０．０１〜５０重量部を有するが、この銅酸化物を除去
しうる添加剤の効果としては、粒子表面の銅酸化物を還
元するか又は粒子表面より銅酸化物を溶出除去する機能
を有するものである。即ち、本発明の銅系導電性ペース
トの導電機構は、粉末どうし接点によって導電性を有す
るものであり、そのため各粒子の表面の特性が重要とな
る。本発明で用いる銅合金粉末は、粒子表面に銀が濃縮
されているが、粒子表面に存在する銅酸化物を除去また
は還元することで銀の接点が充分に確保され、高温ある
いは高湿度中での粒子表面の耐酸化性に関して長期の安
定性を示すものである。

【００１７】該添加剤の量としては、０．０１重量部未
満の場合には、充分な導電性が得られず、また、５０重
量部を越える場合にはかえって粒子表面に添加剤が吸着
して導電性を損ねる。従って、粒子表面の銅酸化物の存
在量に対して必要量加えるのが好ましく、０．１〜３０
重量部が好ましく、さらに、１〜１５重量部が好まし
い。

【００１８】上記銅酸化物を除去しうる添加剤として
は、脂肪酸、ジカルボン酸、オキシカルボン酸及びその
金属塩、フェノール化合物、金属キレート形成剤、高級
脂肪族アミン、ロジン、アントラセン及びその誘導体か
ら選ばれた１種以上が挙げられる。脂肪酸としては、飽
和脂肪酸（例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、カプリン
酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタ
デシル酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン
酸、アラキン酸、ベヘン酸、など）や不飽和脂肪酸（例
えば、アクリル酸、オレイン酸、エライジン酸、セトレ
イン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、ソルビン酸、リノー
ル酸、アラキドン酸、ステアロール酸など）、及びその
金属塩が挙げられる。この時、密着性の高い塗膜を作製
するためには、高級脂肪酸の金属塩あるいは炭素数１３
以下の脂肪酸及びその金属塩が好ましい。

【００１９】ジカルボン酸としては、脂肪族飽和ジカル
ボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グル
タル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼラ
イン酸、セバシン酸など）、脂肪族不飽和ジカルボン酸
（例えばマレイン酸、フマル酸など）、芳香族ジカルボ
ン酸（例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸
など）及びその金属塩（例えば銅、鉄、マグネシウム、
マンガン、銀など）、無水物が挙げられる。

【００２０】また、オキシカルボン酸としては、脂肪族
オキシカルボン酸（例えば、グリコール酸、乳酸、ヒド
ロアクロル酸、α−オキシ酪酸、グリセリン酸、タルト
ロン酸、酒石酸、クエン酸など）や芳香族オキシカルボ
ン酸（例えば、サリチル酸、ｐ−，ｍ−オキシ安息香
酸、マンデル酸、トロパ酸、オキシフェニル酢酸、レゾ
ルシン酸、オルセリン酸、ゲンチシン酸、プロトカテチ
ュ酸、カフェー酸、ウンベル酸など）やその金属塩が挙
げられる。金属としては、銅、マンガン、銀、鉄、マグ
ネシウム、コバルトなどが挙げられる。好ましくは、マ
ンデル酸、クエン酸、サリチル酸、レゾルシン酸、ｐ
−，ｍ−オキシ安息香酸である。

【００２１】フェノール化合物としては、一価、二価、
三価フェノール及びその誘導体が挙げられる（例えば、
フェノール、クレゾール、３、５キシレノール、カルバ
クロール、チモール、ナフトール、カテコール、レゾル
シン、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ｔｅｒｔ−
ブチルハイドロキノン、クロルハイドロキノン、フェニ
ルハイドロキノン、１、２、４ベンゼントリオール、ピ
ロガロール、フロログルシンなど）。

【００２２】金属キレート形成剤としては、たとえばア
ミノアルコール（例えば、エタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン及びその誘導体）
や、エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、トルエ
チレンテトラミンなどのアミン化合物や、アセチルアセ
トン及びその誘導体（例えばトリフルオルアセチルアセ
トン、ヘキサフルオルアセチルアセトン、ベンゾイルア
セトンなど）が挙げられる。

【００２３】また、高級脂肪酸アミンとしては、溶剤に
可溶の炭素数８〜２２のものが好ましく、例えば、飽和
モノアミンとしては、ステアリルアミン、パルミチルア
ミン、ベヘニルアミン、セチルアミン、オクチルアミ
ン、デシルアミン、ラウリルアミンなど、不飽和モノア
ミンとしては、オレイルアミン、ジアミンとしては、ス
テアリルアミンプロピレンジアミン、オレイルプロピレ
ンジアミンなどが挙げられる。アントラセン及びその誘
導体としては、例えば、アントラセンカルボン酸が挙げ
られる。ロジンとしては、例えば部分水添ロジン、完全
水添ロジン、エステル化ロジン、マレイン化ロジン、不
均化ロジン、重合ロジンなどの変性ロジンが挙げられ
る。

【００２４】なかでも好ましくは、ジカルボン酸、金属
キレート形成剤、及びフェノール化合物である。本発明
の銅系導電性ペーストの特徴であるはんだ付け性に関し
ては、チタンカップリング剤を用いることで粒子の塗膜
中での分散性が良好になり、硬化膜の表面に、導電性銅
合金粉末が分散され易くなる。また、本発明で用いる導
電性銅合金粉末粒子は表面に銀が高濃度に存在している
ために、はんだ付け性を向上できる。

【００２５】本発明で用いることのできるチタンカップ
リング剤は、親水基、親油基を有しているものであり、
モノアルコキシ型（イソプロポキシ基）、キレート型
（オキシ酢酸の残基を有するもの及びエチレングリコー
ルの残基を有するもの）、コーディネート型（テトラア
ルキルチタネートに亜燐酸エステルを付加させたもの）
が挙げられる。例えば、イソプロピルトリイソステアロ
イルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルパイロ
ホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−ア
ミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチ
ルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テト
ラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオ
クチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネー
ト、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチ
タネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、
イソプロピルジメタアクリルイソステアロイルチタネー
ト、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタ
ネート、イソプロピルイソステアロリルジアクリルチタ
ネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネー
ト、テトロイソプロピルビス（ジオクチルホスフェー
ト）チタネートがある。中でも、モノアルコシ基を有し
た、カルボン酸エステルタイプのチタンカップリング剤
が好ましい。例えば、イソプロピルトリイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリオクタニルチタネート
が好ましい。

【００２６】使用量としては、０．００１〜３重量部で
あるが、３重量部を越える場合には、導電性が損なわれ
る。また、０．００１未満では充分なはんだ付け性が得
られない。好ましくは、０．０１〜１重量部、さらに、
０．０１〜０．５重量部が好ましい。これに対して、従
来の技術でも説明しましたように公知の銅粉を用いたペ
ーストにおいては、酸化物除去剤で表面処理されていて
も新たな接点が銅−銅接点であることから、やはり長期
に渡る高温あるいは高湿度中では表面が酸化されて導電
性が除々に劣化し、そのためにはんだ付け性は低下す
る。

【００２７】また、公知の銀を用いたペーストは、本発
明の添加剤を加えることでかえって銀表面に添加剤が吸
着して接点抵抗増加をおこし導電性を損ねてしまう。本
発明の銅系導電性ペーストは、導電性、耐マイグレーシ
ョン性に優れ、且つはんだ付け可能な導電性ペーストを
提供するものであり、用いる際には、公知の粘度調整
剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、消泡剤、シラ
ンカップリング剤、アルミカップリング剤、ジルコニウ
ムカップリング剤などの添加剤を加えても良いことは言
うまでもない。

【００２８】本発明の銅系導電性ペーストの硬化方法と
しては、ボックス式熱風対流炉、連続式熱風炉、マッフ
ル式加熱炉、近赤外線炉、遠赤外線炉、ベーパーフェイ
ズ加熱炉、あるいはＥＢ硬化法等の公知の方法が用いら
れる。また、乾燥あるいは熱硬化する温度としては、基
板の特性に悪影響を与えない温度が好ましく、例えば、
室温から３００℃が好ましく、さらに、室温から２５０
℃が好ましい。また、硬化させる雰囲気としては、空気
中（酸素濃度約２０％）で構わないが、酸素濃度が少な
いかあるいは存在しない雰囲気が好ましい。

【００２９】本発明の銅系導電性ペーストを用いる場
合、必要に応じて溶剤を用いることができる。溶剤量と
しては、銅合金粉末とフェノール系有機バインダーの合
計１００重量部に対して０〜１００重量部を含有するこ
とが好ましい。本発明で用いることができる溶剤として
は、有機バインダーに用いる樹脂によって異なるが、公
知の溶剤で構わない。例えば、トルエン、キシレン、な
どの芳香族類、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、酢酸ブチル、酢酸エチルなどの
エステル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリ
コールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノｎ−ヘキシルエーテル、エ
チレングリコールモノアリルエーテル、エチレングリコ
ールドデシルエーテル、エチレングリコールモノイソブ
チルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエ
ーテル及びそのアセテート、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、，ジ
エチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールドデシルエーテル、ジエチレングリコール
モノヘキシルエーテル及びそのアセテート、ジエチレン
グリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリ
エチレングリコールドデシルエーテル、トリエチレング
リコールモノｎ−ブチルエーテル及びそのアセテート、
トリエチレングリコールジメチルエーテルやα−テノペ
ノール、β−テルペノール、イソプロパノール、ブタノ
ールなどのアルコール類、フェノール、クロルフェノー
ルなどのフェノール類ジオキサン、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ
−ラクトンより選ばれた１種以上を含むものが好まし
い。

【００３０】本発明のはんだ付け可能な銅系導電性ペー
ストを使用する場合には、スクリーン印刷、スプレー
法、刷毛、バーコート法、ドクターブレード法、フレク
シャー印刷、マイクロディスペンサー法、グラビア印刷
法、オフセット印刷法、ペンライティング法及び浸漬法
などの公知の印刷、塗布法を用いることができる。この
なかでも、スクリーン印刷法が好ましい。スクリーン印
刷法を用いる場合には、パターンにもよるが、例えば、
５０から４００メッシュが好ましく、さらに、１５０か
ら４００メッシュが好ましい。ファインラインを印刷す
るのには中でも２００メッシュ以上が好ましい。

【００３１】本発明の銅系導電性ペーストを印刷する基
板は、公知の基板をもちいることができるが、例えば、
ガラスエポキシ樹脂基板、紙フェノール樹脂基板、紙エ
ポキシ樹脂基板、ポリイミド基板、ポリエステル樹脂基
板、ＢＴレジン樹脂基板、ポリサルフォン樹脂基板、ポ
リエーテルサルフォン樹脂基板、ポリエーテルイミド樹
脂基板、樹脂、ポエブタジエン樹脂基板、ガラスポリイ
ミド樹脂基板の硬質板やフレキシブル基板、または、ア
ルミナ基板、窒化アルミ基板などのセラミックス基板、
アルミ、ステンレスなどのメタル基板への塗布ができ
る。例えば、ポリイミドやポリエステルなどのフレキシ
ブル基板へ用いる場合には、ビニル系樹脂（例えば、塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体など）、飽和ポリエステ
ル、ポリウレタン系樹脂主成分とするバインダーを用い
る銅系導電性ペーストが好ましい。

【００３２】本発明の銅系導電性ペーストを電磁波シー
ルドペーストとして用いる場合には、印刷回路基板の表
面に印刷し、シールドするのが好ましい。また、ワード
プロセッサー、コンピューター用機器ハウジング、カー
ドリーダー、計測器、自動車電話、キーボード、医療
器、楽器、ＣＲＴなどのプラスチック匡体にコーティン
グして用いることもできる。

【００３３】また、本発明の銅系導電性ペーストを導電
性接着剤として使用する場合、例えば、水晶振動子の電
極からのリード線の取り出し用接着剤、成形カーボンと
金属との接着剤、液晶（ＬＣＤ）内部のガラス間の導電
性接着剤、ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ、ＳＡＷフィルターな
どの素子をリードフレームや基板への接着剤（特にＩＣ
ダイボンディング用）、光導電素子のＣｄＳ部やポテン
ショメーターのリード線接着剤、回路補修などの接着
剤、高温がかけられない素材などへの応用ができる。

【００３４】また、スルーホールに用いる場合には、プ
リント配線板へのパンチングなどであけられたスルーホ
ールに前記記載の銅系導電性ペーストを穴の内部に埋め
込みして用いられる。この場合、例えばスクリーン印
刷、フレクシャー印刷を用いて行うのが好ましく、この
時、該ペーストをホールに充分埋め込めるようにホール
の裏側から多少減圧しておくのが良い。

【００３５】また、電極用としては、コンデンサーの電
極として塗布（例えば電極部をペースト中へ浸漬）して
用いることができる。表面及び表面近傍の銀濃度の測定
はＸＰＳ（Ｘ線電子分光分析装置：ＫＲＡＴＯＳ社製商
品名ＸＳＡＭ８００）を用いた。先ず、試料台に導電性
を有するカーボン両面接着テープをはりつけ、試料粉末
を変形させないように静かに両面テープ上を完全に覆う
ように付着させた。銀濃度の測定はマグネシウムのＫα
線（電圧１２ｋｖ、電流１０ｍＡ）を入射させ、光電子
の取り出し角は試料面に対し９０度、室内圧力１０^-8ｔ
ｏｒｒで行った。エッチングはアルゴンイオンガンを加
速電圧３ｋｅＶ、アルゴンイオンビームの試料面にたい
する入射角４５度、室内圧力１０^-7ｔｏｒｒ、１０分間
で行った。

【００３６】銀濃度の測定は、測定とエッチングを５回
繰り返し行い、最初の２回の測定値の平均値を表面の銀
濃度とした。平均の銀濃度の測定は、試料を濃硝酸中で
溶解し、ＩＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計
セイコー電子（株）製）を用いて測定した。平均粒径
の測定は、レーザー回折型粒度分析計（島津製作所
（株）製、商品名ＳＡＬＤ１１００）を用いた。測定法
としては、エチレングリコール溶液に粉末を充分に分散
させ（粉末濃度１〜２０×１０^-3ｇ／ｃｃ）、５回測定
した。体積積算平均値５回測定の平均値を平均粒子径と
した。

【００３７】銅系導電性ペーストからなる塗膜の導電性
は、４端子方を用いて測定した。また、マイグレーショ
ン試験は、１ｍｍ間隔に塗布した２本の膜間に１０Ｖの
直流電圧を印加し、さらに、０．２ｍｌの水滴を膜間に
滴下してもれ電流を測定し、電流値が１００μＡを越え
る場合をマイグレーション時間とした。耐久性試験とし
ては、６０℃、９０％湿度放置後の導電性の変化（耐湿
度試験）を測定した。

【００３８】膜の密着性は碁盤目試験を用いた。（１ｃ
ｍ×１ｃｍのパット上に１ｍｍ間隔の１００個のますめ
をつくりテープにより剥したときの残りのますめの数を
測定した。）はんだ付け性は、塗膜（２ｃｍ×２ｃｍパ
ット）上へフラックス（マルチコアー社製商品名＃３６
６）を必要量塗布し、はんだ浴（２３０℃、共晶はん
だ）へ３秒浸漬して濡れ面積を測定した。９０％以上ぬ
れ面積を良とした。

【００３９】また、はんだ付けの密着力は、２ｍｍ×２
ｍｍパットへ０．８ｍｍ径のワイヤーをはんだ付けし、
２ｃｍ／秒の速度で引っ張った時の剥がれ時の強度を測
定し、５００ｇ／４ｍｍ²以上を良とした。電磁波シー
ルド特性は、導波管を用いて、スペクトロアナライザ
ー、トラッキングジェネレーターを用いて、１００ｋＨ
ｚから２ＧＨｚまでのシールド効果を測定した。

【００４０】スルーホール用の導電性特性は、１．５、
１．０、０．５、０．３ｍｍφのホールを３０個並べて
空けた紙フェノール樹脂基板へスクリーン印刷（３２０
メッシュ）を用いて減圧しながらホールが完全に満たさ
れるように印刷した。印刷後、それぞれの組成物にあっ
た方法で硬化した。また、本発明の組成物よりなる硬化
物を必要であれば、レーザーやその他の方法でトリミン
グしたりすることも可能である。

【００４１】以下、実施例及び比較例によって、本発明
を具体的に説明する。

【００４２】

【実施例】銅合金粉末作製例を参考例として示す。

【００４３】

【参考例１】銅粒子３１５．５９５ｇと銀粒子３．２３
７ｇを黒鉛るつぼ中で高周波誘導加熱を用いて融解し
た。雰囲気は９９．９％以上の窒素中で行った。１７２
０℃まで加熱後、圧力１５ｋ／Ｇの窒素ガス９９．９％
以上をるつぼ先端より落下する融液に対してガス／液質
量速度比１．５でマトマイズした。衝突位置でのガスの
線速度は１００ｍ／秒であった。得られた粉末は平均粒
径１８μｍであった。ＸＰＳで測定したところ、表面の
銀濃度は表面より０．０６、０．０４、０．０３、０．
０２、０．０１であり、表面の銀濃度は０．０５、ま
た、平均の銀濃度はｘ＝０．００６（ｙ＝０．９９４）
であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の７．５倍であっ
た。

【００４４】

【参考例２】銅粒子３１４．３２５ｇと銀粒子５．３９
５ｇを参考例１と同様にして高周波誘導加熱のもとで融
解した。１７００℃まで融解後、ガス圧２０ｋ／Ｇの窒
素ガス（９９．７％以上）をノズル先端より噴出する融
液に対してガス／液質量速度比１．５でアトマイズし
た。この時のガスノズル出口でのガスの線速度は１２０
ｍ／秒であった。得られた粉末は平均粒径１７μｍであ
った。表面の銀濃度は表面より０．０７、０．０６、
０．０５、０．０４、０．０３であり、表面の銀濃度は
０．０６５、また、平均の銀濃度はｘ＝０．０１（ｙ＝
０．９９）であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の６．
５倍であった。

【００４５】

【参考例３】銅粒子２８５．７５ｇと銀粒子５３．９５
ｇを黒鉛るつぼ中で同様にして融解した。１５７０℃ま
で融解後、るつぼ先端より融液を噴出し、同時に圧力１
５ｋ／Ｇの窒素ガス（９９．９％以上）をガス／液質量
速度比１．７でアトマイズした。この時のガスノズル出
口でのガスの線速度は１００ｍ／秒であり、得られた粉
末の平均粒径１８μｍであった。また、表面の銀濃度は
表面より０．７４、０．６５、０．５５、０．５、０．
４８であり、表面の銀濃度は０．６９５、また、平均の
銀濃度はｘ＝０．１（ｙ＝０．９）であり、表面の銀濃
度は平均の銀濃度の６．８５倍であった。

【００４６】

【参考例４】銅粒子２５４ｇと銀粒子１０７．９ｇを同
様にして高周波誘導加熱で融解した。１８５０℃まで加
熱した後、るつぼ先端より不活性雰囲気中（窒素）へ噴
出した融液に向かって窒素ガス（圧力１７ｋ／Ｇ、９
９．９％以上）をガス／液質量速度比２でアトマイズし
た。この時のガスノズル出口でのガスの線速度は８０ｍ
／秒であった。得られた粉末は平均粒径２０μｍであっ
た。表面の銀濃度は表面より０．８、０．７５、０．
７、０．６５、０．６であり、表面の銀濃度は０．７７
５であり、また、平均の銀濃度はｘ＝０．２（ｙ＝０．
８）であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の３．８５倍
であった。

【００４７】

【参考例５】銅粒子２０６．３７５ｇと銀粒子１８８．
８２５ｇを同様にして高周波誘導加熱で１５００℃まで
融解した。さらに融液をるつぼ先端より不活性雰囲気中
（窒素）へ噴出した。噴出と同時に、ガス圧１５ｋ／Ｇ
の窒素ガス（９９．９％以上）を融液に対してガス／液
質量速度比１．８でアトマイズした。この時のガス線速
度は９０ｍ／秒であった。得られた粉末の平均粒径は、
１７μｍであった。表面の銀濃度は、０．８８、０．
８、０．７５、０．７、０．６５であり、表面の銀濃度
は０．８４であった。また、平均の銀濃度はｘ＝０．３
５（ｙ＝０．６５）であり、平均の銀濃度の２．４倍で
あった。

【００４８】

【参考例６】銅粒子１２７ｇと銀粒子３２３．７ｇを同
様にして１６００℃まで融解した。るつぼ先端より融液
を不活性ガス雰囲気中（窒素）へ噴出した。噴出と同時
に、ガス圧３０ｋ／Ｇの窒素ガス（９９．９％以上）を
融液に対してガス／液質量速度比０．８でアトマイズし
た。この時のガスの線速度は、ガスノズル出口で１５０
ｍ／秒であり、得られた粉末は、平均粒径１６μｍであ
った。得られた粉末の平均銀濃度はｘ＝０．６（ｙ＝
０．４）であった。

【００４９】

【参考例７】銅粒子６３．５ｇと銀粒子４３１．６ｇを
同様にして高周波誘導加熱で１７２０℃まで融解した。
融液をるつぼ先端より不活性雰囲気中へ噴射した。噴出
と同時にガス圧４０ｋ／Ｇの窒素ガス（９９．９％以
上）を融液にたいしてガス／液質量速度比２．１でアト
マイズした。この時のガス線速度は１６０ｍ／秒であっ
た。得られた粉末の平均粒径は１４μｍであった。ま
た、平均の銀濃度はｘ＝０．８（ｙ＝０．２）であっ
た。

【００５０】

【参考例８】銅粒子９．５２５ｇと銀粒子５２３．３１
５ｇを同様にして、高周波誘導加熱で１８００℃まで加
熱融解した。融液をるつぼ先端より噴出し、同時にガス
圧５０ｋ／Ｇの窒素ガス（９９．９％以上）を融液に対
してガス／液質量速度比２．３でアトマイズした。この
時のガスの線速度はガスノズル出口で１８０ｍ／秒であ
った。得られた粉末は、平均粒径は、平均粒径１３μｍ
であった。平均の銀濃度はｘ＝０．９７（ｙ＝０．０
３）であった。

【００５１】

【実施例１】参考例１で得られたｘ＝０．００６、ｙ＝０．９９４の粉末のうち１５μｍ以下の粒子（平均粒径７μｍ）１０ｇアルキル化フェノール樹脂０．２ｇリノール酸銅塩０．１ｇイソプロピルトリ（Ｎ−アミノ・アミノエチル）チタネート０．０１ｇブチルカルビトール３ｇを充分に混合し、ガラスエポキシ樹脂基板上へスクリー
ン印刷（２５０メッシュ）を用いて塗布した。塗膜を１
７０℃、３０分間加熱硬化した。得られた塗膜の体積抵
抗率は、１×１０^-4Ω・ｃｍであり、また、マイグレー
ション時間は、２９５秒と銅と同程度であった。さら
に、耐湿度試験をしたところ、（６０℃、９０％湿度）
１０００時間放置後の変化率は２０％であった。また、
碁盤目試験をしたところ１００／１００であった。はん
だ付け性試験は、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形パターン
をスクリーン印刷し、１７０℃、３０分間加熱硬化した
塗膜にフラックス（マルチコアー社製商品名＃３６
６）を塗布した後、２３０℃に維持された共晶はんだ浴
に３秒浸漬して塗れ面積を測定した。塗れ面積は、９５
％以上であった。また、はんだ付け密着力は、１ｋｇ／
４ｍｍ²あった。

【００５２】

【実施例２】参考例３で得られたｘ＝０．１、ｙ＝０．９の粉末のうち１５μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂０．８ｇイソプロピルトリイソステアロイルチタネート０．０１５ｇトリエタノールアミン０．３ｇブチルセロソルブ４ｇを充分に混合し、ガラスエポキシ樹脂基板上へスクリー
ン印刷を用いて塗布した。塗膜を１５０℃、３０分間空
気中で加熱硬化した。得られた塗膜の体積抵抗率は、８
×１０^-5Ω・ｃｍであり、マイグレーション試験の結
果、２９０秒、また、耐湿度試験の結果、１０００時間
放置後でも変化率１０％であった。碁盤目試験の結果１
００／１００であった。はんだ付け性試験を実施例１と
同様にして試験したところ濡れ面積は９５％以上であっ
た。はんだ付密着力は１．３ｋｇ／４ｍｍ²であった。

【００５３】

【実施例３】参考例４で得られたＸ＝０．２、ｙ＝０．８の粉末のうち１５μｍ以下の粉末１０ｇノボラック型フェノール樹脂１．７ｇマンデル酸０．０１ｇピロカテコール０．０５ｇビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート０．００５ｇ酢酸エチル２ｇエチルセロソルブ３ｇを充分に混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へ塗布し
た。塗膜を１５５℃、２０分間空気中で加熱硬化した。
硬化後の塗膜の体積抵抗率は６×１０^-5Ω・ｃｍ、マイ
グレーション時間は２８５秒であった。さらに、耐湿度
試験の結果、１０００時間放置後の変化率は１％以内で
あった。また、碁盤目試験の結果１００／１００であっ
た。はんだ付け性試験の結果、濡れ面積は９２％であっ
た。また、はんだ付け密着力は１．６ｋｇ／４ｍｍ²で
あった。

【００５４】

【実施例４】参考例５で得られたｘ＝０．３５、ｙ＝０．６５の粉末のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型キシレン樹脂０．７ｇＯＨ末端変性エポキシ樹脂０．３ｇブチル化メラミン樹脂０．２ｇジイソプロピルビス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート０．０１７ｇエタノールアミン０．１ｇブチルカルビトールアセテート３ｇを充分に混合し、アルミナ基板上へスクリーン印刷し
た。塗膜を１８０℃、３０分間加熱硬化した。得られた
硬化膜の体積抵抗率は、２×１０^-4Ω・ｃｍ、マイグレ
ーション時間は、２６０秒であった。さらに、耐湿度試
験の変化率は１％以内であった。碁盤目試験の結果、１
００／１００であった。はんだ付け性を同様にして測定
したところ、９５％以上の濡れ面積が観測された。ま
た、はんだ付け密着力は１．３ｋｇ／４ｍｍ²であっ
た。

【００５５】

【実施例５】参考例６で得られたｘ＝０．６、ｙ＝０．４の粉末のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型キシレン変性フェノール樹脂０．８ｇエポキシアクリレート０．４ｇピロカテコール０．１ｇビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート０．０２ｇＭＥＫ１ｇを充分に混合し、ポリサルフォン樹脂基板上へ塗布し、
１８０℃、３０分間加熱硬化した。得られた塗膜の体積
抵抗率は、８×１０^-5Ω・ｃｍ、マイグレーション時間
は、２３０秒であった。さらに、耐湿度試験の結果、１
０００時間放置後の変化率は、１％以内であった。ま
た、碁盤目試験の結果、１００／１００であった。はん
だ付け性を同様にして測定したところ、濡れ面積は、９
０％であった。また、はんだ付け密着力は、８００ｇ／
４ｍｍ²であった。

【００５６】

【実施例６】参考例７で得られたｘ＝０．８、ｙ＝０．２の粉末のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂１．５ｇセバシン酸０．１ｇテトラ（２、２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート０．００５ｇエチルセロソルブ４ｇを充分に混合し、ポリイミド樹脂フレキシブル基板上へ
塗布した。塗膜を１９０℃、遠赤外線炉で４分間加熱硬
化した。硬化膜の体積抵抗率は、６×１０^-5Ω・ｃｍで
あった。マイグレーション試験の結果、１８０秒であっ
た。さらに、耐湿度試験の結果１０００時間後の変化率
は１％以内であった。また、碁盤目試験の結果、１００
／１００であった。はんだ付け性試験を同様にして評価
したところ、濡れ面積は９５％以上であった。また、は
んだ付け密着力は、０．７ｋｇ／４ｍｍ²であった。

【００５７】

【実施例７】参考例８で得られたｘ＝０．９７、ｙ＝０．０３の粉末うち１５μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂１．８ｇイソプロピルトリイソステアロイルチタネート０．０００３ｇＬ−アスコルビン酸０．１ｇステアリルアミン０．１ｇブチルカルビトール３ｇを充分に混合した。タンタルコンデンサー３ｍｍ×３ｍ
ｍ×２ｍｍをかかる組成のペーストへ片面の部分だけ浸
漬した。コンデンサーの対面にも同様にしてペーストを
浸漬した。さらに、１８０℃、３０分間窒素中で加熱硬
化して電極とした。

【００５８】膜厚が０．８ｍｍの電極が得られた。体積
抵抗率は５×１０^-4Ω・ｃｍであった。耐湿度試験の結
果、１０００時間放置後の変化率は２％以内であった。
また、はんだ付け性を評価したところ９５％以上の濡れ
面積があった。はんだ付密着力は１．４ｋｇ／４ｍｍ²
であった。

【００５９】

【実施例８】参考例２で得られたｘ＝０．０１、ｙ＝０．９９の粉末のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂２ｇトリエタノールアミン０．３ｇブチルカルビトール２ｇジイソプロピルビス（ジョクチルパイロハスフェート）チタネート０．１ｇを充分に混合し、ポリイミド樹脂基盤上へ既に印刷硬化
されているカーボン抵抗体の両末端に電極としてスクリ
ーン印刷し、窒素中で２００℃、１０分間加熱硬化し
た。硬化膜を測定したところ抵抗体の抵抗値に変化は見
られず、充分なオーミックコンタクトが得られているこ
とが確認できた。また、同様にしてはんだ付け性を測定
したところ、９５％以上の濡れ面積が確認できた。はん
だ付け密着力は、０．９ｋｇ／４ｍｍ²であった。

【００６０】

【参考例９】銅粒子３１７．４６８２５ｇ、銀粒子０．
０５３９５ｇを黒鉛るつぼ中で高周波誘導加熱で１７０
０℃まで加熱融解した。融液をるつぼ先端に取り付けた
ノズルより不活性雰囲気中（窒素）へ噴出した。噴出と
同時に、ガス圧２０ｋ／Ｇの窒素（９９．９％以上）を
融液に対して、ガス／液質量速度比１．７でアトマイズ
した。この時のガス線速度は、１００ｍ／秒であった。
得られた粉末の平均粒径は、１９μｍであった。この時
の平均の銀濃度は、ｘ＝０．０００１（ｙ＝０．９９９
９）であった。

【００６１】

【参考例１０】銅粒子０．０３１７５ｇ、銀粒子５３
９．４４６ｇを同様にして高周波誘導加熱で１７８０℃
まで融解した。融液を噴出させ同時に、ガス圧２０ｋ／
Ｇの窒素ガス（９９．９％以上）を融液にたいして、ガ
ス／液質量速度比２でアトマイズした。この時のガス線
速度は、１００ｍ／秒であった。得られた粉末の平均粒
径は、１８μｍであった。平均の銀濃度はｘ＝０．９９
９９（ｙ＝０．０００１）であった。

【００６２】

【参考例１１】銅粒子２８５．７５ｇ、銀粒子５３．９
５ｇを同様にして１６００℃まで加熱融解した。融液を
噴出と同時にガス圧２０ｋ／Ｇ（酸素１０％窒素９０％
の混合ガス）を融液にたいして、ガス／液質量速度比２
でアトマイズした。この時のガス線速度は、１００ｍ／
秒であった。得られた粉末の表面銀濃度を測定したとこ
ろ、表面より０．０８、０．０９、０．１、０．１１、
０．１３と表面の方が銀濃度が少なく、表面の銀濃度は
０．０８５、また平均の銀濃度はｘ＝０．１、ｙ＝０．
９であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の０．８５倍で
あった。

【００６３】

【比較例１】参考例９で作製したｘ＝０．０００１、ｙ＝０．９９９９の粉末のうち１０μ ｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂３ｇリノール酸銅塩０．０１ｇＭＥＫ３ｇイソプロピルトリイソステアロイルチタネート０．００１ｇを充分に混合し、紙フェノール樹脂基板上へスプレー塗
布した。塗膜を１５０℃、１５分間加熱硬化した。硬化
後の塗膜の体積抵抗率は２×１０^-2Ω・ｃｍと高かっ
た。また、碁盤目試験の結果１００／１００であった
が、耐湿度試験の結果、１０００時間放置後の変化率は
３００％と大きかった。また、はんだ付け性を測定した
ところはんだ濡れ面積は５％と少なかった。

【００６４】

【比較例２】参考例１０で作製したｘ＝０．９９９９、ｙ＝０．０００１の粉末のうち１０ μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型キシレン樹脂１．２ｇイソプロピルトリイソステアロイルチタネート０．００５ｇトリエタノールアミン０．００５ｇブチルカルビトール２ｇを充分に混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へ塗布し
た。塗膜の体積抵抗率は、５×１０^-5Ω・ｃｍであり、
耐湿度試験の結果１０００時間放置しても変化率が１０
％で、碁盤目試験も１００／１００であったが、マイグ
レーション時間は１５秒と短くマイグレーションしやす
かった。また、はんだ付け性試験の結果、はんだ食われ
が著しかった。はんだ密着力は０．２ｋｇ／４ｍｍ²で
あった。

【００６５】

【比較例３】参考例１０で作製したｘ＝０．０１、ｙ＝０．９９の粉末のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂２０ｇイソプロピルイソステアロイルチタネート０．００１ｇトリエタノールアミン０．０５ｇエチルセロソルブ２０ｇを充分に混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へ塗布し
た。塗膜を３０分間、１５０℃で加熱硬化した。得られ
た硬化膜の体積抵抗率は、１×１０Ω・ｃｍと高かっ
た。また、耐湿度試験の結果、１０００時間放置後の変
化率は、２００％と大きかった。碁盤目試験の結果１０
０／１００であった。また、はんだ付け試験の結果濡れ
面積は１％であった。はんだ密着力は０．０１ｋｇ／４
ｍｍ²であった。

【００６６】

【比較例４】参考例１１で得られた粉末ｘ＝０．１、ｙ＝０．９のうち１０μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂０．１ｇピロカテコール０．２ｇビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート０．０００５ｇブチルカルビトール４ｇを混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へスクリーン印刷
した。塗膜を１４０℃、３０分間加熱硬化した。硬化膜
の体積抵抗率は２×１０^-2Ω・ｃｍと高かった。また、
耐湿度試験の結果、１０００時間放置後の変化率は、２
５０％と大きかった。また、膜は剥がれ易かった。碁盤
目試験結果は３／１００と非常に悪かった。

【００６７】

【比較例５】参考例２で作製したｘ＝０．０１、ｙ＝０．９９の粉末の中１５μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂１ｇピロカテコール０．１ｇイソプロピルイソステアロイルチタネート０．００００１ｇエチルセロソルブ２ｇを混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へスクリーン印刷
した。塗膜を１５０℃、３０分間空気中で加熱硬化し
た。硬化膜の体積抵抗率は５×１０^-4Ω・ｃｍであった
が、はんだ付け性は、濡れ面積５０％しかなかった。

【００６８】

【比較例６】参考例２で作製したｘ＝０．０１ｇ、ｙ＝０．９９の粉末のうち１５μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂２ｇトリエタノールアミン１０ｇイソプロピルイソステアロイルチタネート０．００１ｇブチルカルビトールアセテート２ｇを分散させた組成物を同様にしてガラスエポキシ樹脂基
盤上へスクリーン印刷した。塗膜を１６０℃、２０分間
加熱硬化した。得られた硬化膜の体積抵抗率は、２×１
０^-2Ω・ｃｍと高かった。また、耐湿度試験の結果、１
０００時間放置後の変化率は、２００％と大きかった。
また、碁盤目試験の結果、３０／１００と悪かった。ま
た、はんだ付け試験の結果、濡れ面積は１０％以下であ
った。

【００６９】

【比較例７】銅粉末に銀９０％メッキした平均粒径１０μｍの粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂２ｇトリエタノールアミン０．８ｇイソプロピルビス（オクチルパイロホスフェート）チタネート０．００１ｇブチルセロソルブ２ｇを混合し、ガラスエポキシ樹脂基盤上へスクリーン印刷
した。１５０℃、２０分間加熱硬化した。硬化膜の体積
抵抗率は、３×１０^-3Ω・ｃｍでマイグレーション試験
の結果、１５秒と速かった。また、はんだ付け試験の結
果、はんだ食われが著しかった。はんだ付け密着力は
０．４ｋｇ／４ｍｍ²であった。

【００７０】

【比較例８】参考例２で作製したｘ＝０．０１、ｙ＝０．９９の粉末のうち１５μｍ以下の粉末１０ｇレゾール型フェノール樹脂２ｇトリエタノールアミン０．１ｇイソプロピルビス（オクチルパイロホスフェート）チタネート１０ｇブチルカルビトールアセテート２ｇを充分に混合し、分散させて得られた組成物を同様にし
てガラスエポキシ樹脂基盤上へスクリーン印刷した。塗
膜を１８０℃、３０分間加熱硬化した。得られた塗膜の
体積抵抗率は、２×１０^-2Ω・ｃｍと高かった。また、
はんだ付け試験の結果、１０００時間放置後の変化率は
２００％と大きかった。また、はんだ付け試験の結果、
３％と殆どはんだが付かなかった。

【００７１】

【発明の効果】本発明は、導電性、耐酸化性、耐マイグ
レーション性に優れ、且つはんだ付け可能な銅系導電性
ペーストであり、電磁波シールド、導電性接着剤、導電
回路用ペースト、電極用導電ペースト、コンデンサー用
電極ペースト、スルーホール用ペーストとして優れた特
性を示すものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｂ 1/22 ＡＨ０１Ｃ 7/00 ＨＨ０１Ｇ 4/008 Ｈ０１Ｒ 4/02 Ｚ 6901−5ＥＨ０５Ｋ 1/09 Ａ 7726−4Ｅ 9/00 Ｗ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式ＡｇｘＣｕｙ（ただし、０．００
１≦ｘ≦０．９９９、０．００１≦ｙ≦０．９９９、ｘ
＋ｙ＝１、原子比）で表わされる銅合金粉末１００重量
部とフェノール系有機バインダー５〜１００重量部、チ
タンカップリング剤０．００１〜３重量部、及び銅酸化
物を除去しうる添加剤０．０１〜１００重量部からなる
はんだ付け可能な銅系導電性ペースト。
【請求項２】一般式ＡｇｘＣｕｙで表される銅合金粉
末が０．００１≦ｘ≦０．４、０．６≦ｙ≦０．９９９
（原子比）の範囲で、銅合金粉末の粒子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、かつ表面近傍で内部より表面に
向かって銀濃度が増加する領域を有することを特徴とす
る請求項１記載のはんだ付け可能な銅系導電性ペース
ト。
【請求項３】請求項１または２記載の銅合金粉末が窒
素、ヘリウム、アルゴン、水素またはそれらの混合物か
らなる不活性ガスアトマイズ法を用いて製造されること
を特徴とするはんだ付け可能な銅系導電性ペースト。
【請求項４】スクリーン印刷に用いることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅
系導電性ペースト。
【請求項５】導電回路に用いることを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅系導電
性ペースト。
【請求項６】電極に用いることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅系導電性ペ
ースト。
【請求項７】コンデンサー電極に用いることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な
銅系導電性ペースト。
【請求項８】スルーホールに用いることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅系
導電性ペースト。
【請求項９】電磁波シールドに用いることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅
系導電性ペースト。
【請求項１０】導電接着剤に用いることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ付け可能な銅系
導電性ペースト。
【請求項１１】カーボン抵抗体接点材料として用いる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のはん
だ付け可能な銅系導電性ペースト。
【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかに記載のは
んだ付け可能な銅系導電性ペーストをガラスエポキシ樹
脂基板、紙フェノール樹脂基板、紙エポキシ樹脂基板、
ポリイミド基板、ポリエステル樹脂基板、ＢＴレジン樹
脂基板、ポリサルフォン樹脂基板、ポリエーテルイミド
樹脂基板、ポリエーテルサルフォン樹脂基板、ガラスポ
リイミド樹脂基板、アルミナ基板、窒化アルミ基板、ア
ルミ基板、ステンレス基板などの硬質あるいはフレキシ
ブル基板上に硬化してなるはんだ付け可能な銅系導電
体。