JPH07107902B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07107902B2 JPH07107902B2 JP60150096A JP15009685A JPH07107902B2 JP H07107902 B2 JPH07107902 B2 JP H07107902B2 JP 60150096 A JP60150096 A JP 60150096A JP 15009685 A JP15009685 A JP 15009685A JP H07107902 B2 JPH07107902 B2 JP H07107902B2
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- Japan
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- semiconductor thin
- thin film
- superlattice
- wiring
- semiconductor
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、不純物を高濃度にドーピングした半導体で構
成した導電層或いは配線を利用する半導体装置に於い
て、 （１） 高濃度にドーピングされたｎ型半導体薄膜及びｐ型半導
体薄膜からなる二種類の半導体薄膜を積層するか或いは
一方の半導体薄膜に於けるコンダクション・バンドの底
が他方の半導体薄膜に於けるバレンス・バンドの項より
低いエネルギ関係を有する二種類の半導体薄膜を積層し
て構成された半金属性を示す超格子が導電層或いは配線
として設けられてなることを特徴とするか、又は、 （２） 前記（１）に於いて、半金属性を示す超格子がヘテロ接
合バイポーラ・トランジスタに於けるサブ・コレクタ層
であることを特徴とする構成を採ることに依って、導電
層或いは配線の抵抗率を著しく低下させ、高速動作及び
低消費電力性の向上を図り、また、半導体装置の設計を
容易にするものである。
成した導電層或いは配線を利用する半導体装置に於い
て、 （１） 高濃度にドーピングされたｎ型半導体薄膜及びｐ型半導
体薄膜からなる二種類の半導体薄膜を積層するか或いは
一方の半導体薄膜に於けるコンダクション・バンドの底
が他方の半導体薄膜に於けるバレンス・バンドの項より
低いエネルギ関係を有する二種類の半導体薄膜を積層し
て構成された半金属性を示す超格子が導電層或いは配線
として設けられてなることを特徴とするか、又は、 （２） 前記（１）に於いて、半金属性を示す超格子がヘテロ接
合バイポーラ・トランジスタに於けるサブ・コレクタ層
であることを特徴とする構成を採ることに依って、導電
層或いは配線の抵抗率を著しく低下させ、高速動作及び
低消費電力性の向上を図り、また、半導体装置の設計を
容易にするものである。
本発明は、半導体に不純物を高濃度にドーピングして導
電層或いは配線として用いる半導体装置の改良に関す
る。
電層或いは配線として用いる半導体装置の改良に関す
る。
一般に、半導体装置に於いては、半導体基板或いは半導
体層に不純物を高濃度にドーピングしてシート抵抗を低
下させ導電層或いは諸領域を結ぶ配線などとして用いる
ことは日常的に行われている。
体層に不純物を高濃度にドーピングしてシート抵抗を低
下させ導電層或いは諸領域を結ぶ配線などとして用いる
ことは日常的に行われている。
この場合、高速動作性、低消費電力性、設計の容易性な
どの観点から、導電層や配線の抵抗率は低い方が望まし
いので、不純物はできる限り高濃度にドーピングされ
る。
どの観点から、導電層や配線の抵抗率は低い方が望まし
いので、不純物はできる限り高濃度にドーピングされ
る。
前記のように、半導体に高濃度の不純物をドーピングす
る場合、その半導体が均質である場合、ドーピングでき
る不純物の濃度には結晶性に由来する限界があり、ま
た、多量のドーピングを行うと不純物散乱の影響でキャ
リヤのモビリティが低下するのでシート抵抗の低減は然
程期待することができず、実現し得る抵抗率には下限が
存在し、その値は、現在のところ満足できるものとは考
えられていない。
る場合、その半導体が均質である場合、ドーピングでき
る不純物の濃度には結晶性に由来する限界があり、ま
た、多量のドーピングを行うと不純物散乱の影響でキャ
リヤのモビリティが低下するのでシート抵抗の低減は然
程期待することができず、実現し得る抵抗率には下限が
存在し、その値は、現在のところ満足できるものとは考
えられていない。
尚、適当に高濃度の不純物をドーピングした導電層或い
は配線のシート抵抗を更に低下させる為の別な手段とし
ては、導電層或いは配線の厚みを大にすると良いが、そ
の場合、抵抗率低下の実効を得る為の厚さとしては数
〔μｍ〕を必要とするから、そのように深い導電層或い
は厚い配線を形成するには多くの時間が必要となり、し
かも、例えば導電層の場合、それを他から絶縁分離する
には、かなり深いアイソレーション領域を形成しなけれ
ばならず、製造上の面から種々の問題を生ずるので実用
的とはいえない。
は配線のシート抵抗を更に低下させる為の別な手段とし
ては、導電層或いは配線の厚みを大にすると良いが、そ
の場合、抵抗率低下の実効を得る為の厚さとしては数
〔μｍ〕を必要とするから、そのように深い導電層或い
は厚い配線を形成するには多くの時間が必要となり、し
かも、例えば導電層の場合、それを他から絶縁分離する
には、かなり深いアイソレーション領域を形成しなけれ
ばならず、製造上の面から種々の問題を生ずるので実用
的とはいえない。
本発明は、極めて抵抗率が低い導電層や配線を有する半
導体装置を容易に得られるようにする。
導体装置を容易に得られるようにする。
本発明では、導電層或いは配線としては半金属性を示す
超格子を用いることが基本になっている。
超格子を用いることが基本になっている。
このような超格子としては、ｎ型半導体薄膜とｐ型半導
体薄膜とを交互に積層したドーピング超格子、或いは、
超格子を形成する為に積載される一方の半導体薄膜に於
けるコンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に
於けるバレンス・バンドの項よりも低いエネルギを持つ
ような組み合わせの二種類の半導体薄膜で構成された超
格子を用いることができる。
体薄膜とを交互に積層したドーピング超格子、或いは、
超格子を形成する為に積載される一方の半導体薄膜に於
けるコンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に
於けるバレンス・バンドの項よりも低いエネルギを持つ
ような組み合わせの二種類の半導体薄膜で構成された超
格子を用いることができる。
前記ドーピング超格子では、ｎ型半導体薄膜及びｐ型半
導体薄膜に於けるドーピング濃度及び積層の周期により
実効的エネルギ・バンド・ギャップが本来のエネルギ・
バンド・ギャップに比較して小さい値にすることがで
き、そして、半導体材料にも依るが、ドーピング濃度を
或る値以上にすると、半導体は半金属へ変化し、その場
合の抵抗率は極めて小さい値となる。
導体薄膜に於けるドーピング濃度及び積層の周期により
実効的エネルギ・バンド・ギャップが本来のエネルギ・
バンド・ギャップに比較して小さい値にすることがで
き、そして、半導体材料にも依るが、ドーピング濃度を
或る値以上にすると、半導体は半金属へ変化し、その場
合の抵抗率は極めて小さい値となる。
また、前記コンダクション・バンドとバレンス・バンド
との関係で規定される二種類の半導体薄膜で構成される
超格子は、前記ドーピング超格子の場合と全く同様な半
金属性を示すようになる。
との関係で規定される二種類の半導体薄膜で構成される
超格子は、前記ドーピング超格子の場合と全く同様な半
金属性を示すようになる。
そこで、本発明に於いては、高濃度にドーピングされた
ｎ型半導体薄膜及びｐ型半導体薄膜からなる二種類の半
導体薄膜を積層するか或いは一方の半導体薄膜に於ける
コンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に於け
るバレンス・バンドの項より低いエネルギ関係を有する
二種類の半導体薄膜を積層して構成された半金属性を示
す超格子が導電層或いは配線として設けられてなること
を特徴とするか、或いは、前記した特徴に於いて、半金
属性を示す超格子がヘテロ接合バイポーラ・トランジス
タに於けるサブ・コレクタ層であることを特徴とする構
成を採るものである。
ｎ型半導体薄膜及びｐ型半導体薄膜からなる二種類の半
導体薄膜を積層するか或いは一方の半導体薄膜に於ける
コンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に於け
るバレンス・バンドの項より低いエネルギ関係を有する
二種類の半導体薄膜を積層して構成された半金属性を示
す超格子が導電層或いは配線として設けられてなること
を特徴とするか、或いは、前記した特徴に於いて、半金
属性を示す超格子がヘテロ接合バイポーラ・トランジス
タに於けるサブ・コレクタ層であることを特徴とする構
成を採るものである。
前記手段に依り、導電層或いは配線は半金属性となるか
ら、その抵抗率は著しく低下し、高速動作性及び低消費
電力性は向上し、且つ、設計は容易となる。
ら、その抵抗率は著しく低下し、高速動作性及び低消費
電力性は向上し、且つ、設計は容易となる。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表してい
る。尚、本実施例は、本発明をヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタ（heterojunction bipolar transistor:
HBT）に適用した場合を説明する。
る。尚、本実施例は、本発明をヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタ（heterojunction bipolar transistor:
HBT）に適用した場合を説明する。
図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板は、２は半金属性の
超格子からなるサブ・コレクタ層、３はｎ型GaAsコレク
タ層、４はp+型GaAsベース層、５はｎ型AlGaAsエミッタ
層、６はn+型GaAsエミッタ・コンタクト層、７はエミッ
タ電極、８はベース電極、９はコレクタ電極をそれぞれ
示している。
超格子からなるサブ・コレクタ層、３はｎ型GaAsコレク
タ層、４はp+型GaAsベース層、５はｎ型AlGaAsエミッタ
層、６はn+型GaAsエミッタ・コンタクト層、７はエミッ
タ電極、８はベース電極、９はコレクタ電極をそれぞれ
示している。
この実施例に於けるサブ・コレクタ層２はｎ型GaAs薄膜
とｐ型GaAs薄膜からなるドーピング超格子で構成されて
いる。その場合、薄膜の不純物濃度は約１×1017〜１×
1018〔cm-3〕程度の範囲で、そして、薄膜の厚さは約50
〜500〔Å〕程度の範囲でそれぞれ選択され、その成長
には、分子線エピタキシャル成長（molecular beam e
pitaxy:MBE）法や有機金属化学気相堆積（metalorga n
ics chemical vapour deposition:MOCVD）法が適用
される。
とｐ型GaAs薄膜からなるドーピング超格子で構成されて
いる。その場合、薄膜の不純物濃度は約１×1017〜１×
1018〔cm-3〕程度の範囲で、そして、薄膜の厚さは約50
〜500〔Å〕程度の範囲でそれぞれ選択され、その成長
には、分子線エピタキシャル成長（molecular beam e
pitaxy:MBE）法や有機金属化学気相堆積（metalorga n
ics chemical vapour deposition:MOCVD）法が適用
される。
このようにして形成されたサブ・コレクタ層２のシート
抵抗は0.5乃至５〔Ω／□〕程度となり、従来技術に依
って得られるサブ・コレクタ層に比較して充分に低抵抗
化されている。
抵抗は0.5乃至５〔Ω／□〕程度となり、従来技術に依
って得られるサブ・コレクタ層に比較して充分に低抵抗
化されている。
第２図は本発明の他の実施例を説明する為のエネルギ・
バンド・ダイヤグラムを表している。
バンド・ダイヤグラムを表している。
図に於いて、TF1及びTF2は超格子を構成する為の半導体
薄膜、EFはフェルミ・レベル、ECコンダクション・バン
ドの底、EVはバレンス・バンドの頂をそれぞれ示してい
る。
薄膜、EFはフェルミ・レベル、ECコンダクション・バン
ドの底、EVはバレンス・バンドの頂をそれぞれ示してい
る。
図から明らかように、半導体薄膜TF1に於けるコンダク
ション・バンドの底ECは、半導体薄膜TF2に於けるバレ
ンス・バンドの項EVよりも低い値になっている。
ション・バンドの底ECは、半導体薄膜TF2に於けるバレ
ンス・バンドの項EVよりも低い値になっている。
このような半導体薄膜TF1及びTF2を交互に積層して得た
超格子も第１図に関して説明した超格子と同様に半金属
性を示す。尚、具体例を挙げると、例えばInAs/GaSbな
どがそれに相当する。
超格子も第１図に関して説明した超格子と同様に半金属
性を示す。尚、具体例を挙げると、例えばInAs/GaSbな
どがそれに相当する。
本発明に依る半導体装置では、高濃度にドーピングされ
たｎ型半導体薄膜及びｐ型半導体薄膜からなる二種類の
半導体薄膜を積層するか或いは一方の半導体薄膜に於け
るコンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に於
けるバレンス・バンドの項より低いエネルギ関係を有す
る二種類の半導体薄膜を積層して構成された半金属性を
示す超格子が導電層或いは配線として設けられてなるこ
とを特徴とするか、或いは、前記した特徴に於いて、半
金属性を示す超格子がヘテロ接合バイポーラ・トランジ
スタに於けるサブ・コレクタ層であることを特徴とする
構成を採るものである。
たｎ型半導体薄膜及びｐ型半導体薄膜からなる二種類の
半導体薄膜を積層するか或いは一方の半導体薄膜に於け
るコンダクション・バンドの底が他方の半導体薄膜に於
けるバレンス・バンドの項より低いエネルギ関係を有す
る二種類の半導体薄膜を積層して構成された半金属性を
示す超格子が導電層或いは配線として設けられてなるこ
とを特徴とするか、或いは、前記した特徴に於いて、半
金属性を示す超格子がヘテロ接合バイポーラ・トランジ
スタに於けるサブ・コレクタ層であることを特徴とする
構成を採るものである。
前記超格子は何れも半金属性を示し、従って、半導体装
置の導電層或いは配線に於ける抵抗率は著しく低下する
ので、半導体装置の高速動作性及び低消費電力性は向上
し、また、設計が容易になる旨の効果を奏することがで
き、更にまた、前記半金属性を示す超格子を導電層或い
は配線とする場合、それ等を埋め込み構造にすることは
容易であり、従って、金属配線は省略することが可能に
なる。この他、例えばｐ−GaAs/n−GaAs構造を導電層或
いは配線に適用した場合、これをｐ型半導体層及びｎ型
半導体層の何れの層にも任意に接続することができる。
置の導電層或いは配線に於ける抵抗率は著しく低下する
ので、半導体装置の高速動作性及び低消費電力性は向上
し、また、設計が容易になる旨の効果を奏することがで
き、更にまた、前記半金属性を示す超格子を導電層或い
は配線とする場合、それ等を埋め込み構造にすることは
容易であり、従って、金属配線は省略することが可能に
なる。この他、例えばｐ−GaAs/n−GaAs構造を導電層或
いは配線に適用した場合、これをｐ型半導体層及びｎ型
半導体層の何れの層にも任意に接続することができる。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は本
発明の他の実施例に於けるエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２は半金属性の超
格子からなるサブ・コレクタ層、３はｎ型GaAsコレクタ
層、４はp+型GaAsベース層、５はｎ型AlGaAsエミッタ
層、６はn+型GaAsエミッタ・コンタクト層、７はエミッ
タ電極、８はベース電極、９はコレクタ電極をそれぞれ
示している。
発明の他の実施例に於けるエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２は半金属性の超
格子からなるサブ・コレクタ層、３はｎ型GaAsコレクタ
層、４はp+型GaAsベース層、５はｎ型AlGaAsエミッタ
層、６はn+型GaAsエミッタ・コンタクト層、７はエミッ
タ電極、８はベース電極、９はコレクタ電極をそれぞれ
示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/43 29/73 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｐ 29/46 Ｚ
Claims (2)
- 【請求項１】高濃度にドーピングされたｎ型半導体薄膜
及びｐ型半導体薄膜からなる二種類の半導体薄膜を積層
するか 或いは一方の半導体薄膜に於けるコンダクション・バン
ドの底が他方の半導体薄膜に於けるバレンス・バンドの
項より低いエネルギ関係を有する二種類の半導体薄膜を
積層して構成された 半金属性を示す超格子が導電層或いは配線として設けら
れてなることを 特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】半金属性を示す超格子がヘテロ接合バイポ
ーラ・トランジスタに於けるサブ・コレクタ層であるこ
と を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150096A JPH07107902B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150096A JPH07107902B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212164A JPS6212164A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH07107902B2 true JPH07107902B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=15489423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150096A Expired - Fee Related JPH07107902B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107902B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1299771C (en) * | 1987-02-06 | 1992-04-28 | Tadao Ishibashi | Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer |
| JPH0715835U (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-17 | 三晃化学株式会社 | のり枠工ののり枠保護装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120560A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60150096A patent/JPH07107902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３５（１２），Ｐ．Ｐ．９３９−９４２，１５Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９７９ |
| Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２８，Ｐ．Ｐ．４００−４１０（１９８１） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212164A (ja) | 1987-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |