JPH07106629A - ソリッドステートリレー及びその製造方法 - Google Patents
ソリッドステートリレー及びその製造方法Info
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- JPH07106629A JPH07106629A JP24341593A JP24341593A JPH07106629A JP H07106629 A JPH07106629 A JP H07106629A JP 24341593 A JP24341593 A JP 24341593A JP 24341593 A JP24341593 A JP 24341593A JP H07106629 A JPH07106629 A JP H07106629A
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- semiconductor element
- control semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トランスファーモールドタイプのソリッドス
テートリレーに関し電力制御半導体素子及び各種電子部
品をリードフレームに搭載することによりＳＳＲとして
の部品点数の削減を図る。 【構成】 リードフレーム２と、トライアックチップ
４、点弧用ソリッドステートリレー３、抵抗８及びコン
デンサ９を有し、前記トライアックチップ４、点弧用ソ
リッドステートリレー３、抵抗８及びコンデンサ９はハ
ンダ付け可能であり、かつ前記リードフレーム２に搭載
されてなり該リードフレーム２に搭載した前記トライア
ックチップ４、点弧用ソリッドステートリレー３、抵抗
８及びコンデンサ９をトランスファーモールドにて樹脂
封止されてなることを特徴とするソリッドステートリレ
ー。
テートリレーに関し電力制御半導体素子及び各種電子部
品をリードフレームに搭載することによりＳＳＲとして
の部品点数の削減を図る。 【構成】 リードフレーム２と、トライアックチップ
４、点弧用ソリッドステートリレー３、抵抗８及びコン
デンサ９を有し、前記トライアックチップ４、点弧用ソ
リッドステートリレー３、抵抗８及びコンデンサ９はハ
ンダ付け可能であり、かつ前記リードフレーム２に搭載
されてなり該リードフレーム２に搭載した前記トライア
ックチップ４、点弧用ソリッドステートリレー３、抵抗
８及びコンデンサ９をトランスファーモールドにて樹脂
封止されてなることを特徴とするソリッドステートリレ
ー。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに電力
制御半導体素子及び電子部品を搭載し、トランスファー
モールド法によって樹脂封止するソリッドステートリレ
ー及びその製造方法に関する。
制御半導体素子及び電子部品を搭載し、トランスファー
モールド法によって樹脂封止するソリッドステートリレ
ー及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のトランスファーモールド法にて樹
脂封止されたソリッドステートリレー（以下、「ＳＳ
Ｒ」と記す。）の構造について図３及び図４を用いて説
明する。ここで図３は従来のＳＳＲの内部透視図であり
図（ａ）は平面図、図（ｂ）は側面図である。また、図
４は内部結線図である。
脂封止されたソリッドステートリレー（以下、「ＳＳ
Ｒ」と記す。）の構造について図３及び図４を用いて説
明する。ここで図３は従来のＳＳＲの内部透視図であり
図（ａ）は平面図、図（ｂ）は側面図である。また、図
４は内部結線図である。
【０００３】リードフレーム２に電力制御半導体素子で
あるトライアックチップ４を高融点ハンダ５にてハンダ
付けし、トライアックチップ４を駆動するフォトトライ
アックチップ１０と赤外発光ダイオードチップ１１は、
絶縁ペーストやＡｇペーストによりリードフレーム２上
に取付られていた。次いでこれらトライアックチップ
４，フォトトライアックチップ１０，赤外発光ダイオー
ドチップ１１は、モールド樹脂１にてトランスファーモ
ールド法により樹脂封止されていた。
あるトライアックチップ４を高融点ハンダ５にてハンダ
付けし、トライアックチップ４を駆動するフォトトライ
アックチップ１０と赤外発光ダイオードチップ１１は、
絶縁ペーストやＡｇペーストによりリードフレーム２上
に取付られていた。次いでこれらトライアックチップ
４，フォトトライアックチップ１０，赤外発光ダイオー
ドチップ１１は、モールド樹脂１にてトランスファーモ
ールド法により樹脂封止されていた。
【０００４】また、図４に示すようにノイズ吸収回路を
形成する抵抗８やコンデンサ９は外付け部品として構成
されていた。
形成する抵抗８やコンデンサ９は外付け部品として構成
されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般にＳＳＲは、エア
コン室外機のファンモータや複写機の露光ランプ等の制
御に使用されている。
コン室外機のファンモータや複写機の露光ランプ等の制
御に使用されている。
【０００６】ＳＳＲをエアコン室外機や複写機等に取り
付ける際、ＳＳＲ及びその周辺回路の部品点数を少なく
し取り付け工数を短縮したいという要望がある。
付ける際、ＳＳＲ及びその周辺回路の部品点数を少なく
し取り付け工数を短縮したいという要望がある。
【０００７】その要望に対応するには、従来のトランス
ファーモールドタイプのＳＳＲにおいて外付け部品とし
て接続されていたノイズ吸収回路を形成する抵抗８及び
コンデンサ９等をＳＳＲに内蔵することが必要になる。
ファーモールドタイプのＳＳＲにおいて外付け部品とし
て接続されていたノイズ吸収回路を形成する抵抗８及び
コンデンサ９等をＳＳＲに内蔵することが必要になる。
【０００８】従来はフォトトライアックチップ１０を絶
縁ペーストで、赤外発光ダイオードチップ１１をＡｇペ
ーストでリードフレームに取り付けられＡｕ線７でワイ
ヤーボンドした構造となっていた。
縁ペーストで、赤外発光ダイオードチップ１１をＡｇペ
ーストでリードフレームに取り付けられＡｕ線７でワイ
ヤーボンドした構造となっていた。
【０００９】しかし、この構造の中にノイズ吸収回路を
形成する抵抗８及びコンデンサ９をハンダ付け搭載する
とフラックスの除去が必要となる。このフラックスを除
去するため、超音波洗浄を行うと前記フォトトライアッ
クチップ１０及び赤外発光ダイオードチップ１１のペー
スト剥離やＡｕ線の断線が発生するという問題点があっ
た。
形成する抵抗８及びコンデンサ９をハンダ付け搭載する
とフラックスの除去が必要となる。このフラックスを除
去するため、超音波洗浄を行うと前記フォトトライアッ
クチップ１０及び赤外発光ダイオードチップ１１のペー
スト剥離やＡｕ線の断線が発生するという問題点があっ
た。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
でハンダ付け可能な電力制御半導体素子及び各種電子部
品をリードフレーム上に搭載しトランスファーモールド
により樹脂封止できるＳＳＲを提供するものである。
でハンダ付け可能な電力制御半導体素子及び各種電子部
品をリードフレーム上に搭載しトランスファーモールド
により樹脂封止できるＳＳＲを提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、ＳＳＲにおいて、リードフレームと、電力制御半導
体素子、入出力を絶縁され前記電力制御半導体素子を駆
動する第１の電子部品及び外部ノイズ吸収回路を形成す
る第２の電子部品を有し、前記電力制御半導体素子及び
第１、第２の電子部品は、ハンダ付け可能であり、かつ
前記リードフレームに搭載されてなり、該リードフレー
ムに搭載した前記電力制御半導体素子及び第１、第２の
電子部品をトランスファーモールドにて樹脂封止されて
なることを特徴とする。
め、ＳＳＲにおいて、リードフレームと、電力制御半導
体素子、入出力を絶縁され前記電力制御半導体素子を駆
動する第１の電子部品及び外部ノイズ吸収回路を形成す
る第２の電子部品を有し、前記電力制御半導体素子及び
第１、第２の電子部品は、ハンダ付け可能であり、かつ
前記リードフレームに搭載されてなり、該リードフレー
ムに搭載した前記電力制御半導体素子及び第１、第２の
電子部品をトランスファーモールドにて樹脂封止されて
なることを特徴とする。
【００１２】また、ＳＳＲの製造方法において、リード
フレームと、該リードフレームに搭載されトランスファ
ーモールドにより樹脂封止される電力制御半導体素子、
入出力を絶縁され前記電力制御半導体素子を駆動する第
１の電子部品及び外部ノイズ吸収回路を形成する第２の
電子部品を有し、前記リードフレームに異なる融点を有
するハンダにて、前記電力制御半導体素子及び第１、第
２の電子部品をハンダ付け処理する手段を備えたことを
特徴とする。
フレームと、該リードフレームに搭載されトランスファ
ーモールドにより樹脂封止される電力制御半導体素子、
入出力を絶縁され前記電力制御半導体素子を駆動する第
１の電子部品及び外部ノイズ吸収回路を形成する第２の
電子部品を有し、前記リードフレームに異なる融点を有
するハンダにて、前記電力制御半導体素子及び第１、第
２の電子部品をハンダ付け処理する手段を備えたことを
特徴とする。
【００１３】更に、請求項１または２記載のＳＳＲ及び
その製造方法において、入出力を絶縁され電力制御半導
体素子を駆動する第１の電子部品は、点弧用ソリッドス
テートリレーからなることを特徴とする。
その製造方法において、入出力を絶縁され電力制御半導
体素子を駆動する第１の電子部品は、点弧用ソリッドス
テートリレーからなることを特徴とする。
【００１４】最後に、請求項２記載のＳＳＲの製造方法
において、ハンダ付け処理する手段は、高融点ハンダに
て前記電力制御半導体素子をリードフレームにダイボン
ドし、次いで融点が封止樹脂の成型温度より高く、前記
電力制御半導体素子をダイボンドしたハンダの溶融温度
より低い中融点ハンダにてリードフレームにハンダ付け
したことを特徴とする。
において、ハンダ付け処理する手段は、高融点ハンダに
て前記電力制御半導体素子をリードフレームにダイボン
ドし、次いで融点が封止樹脂の成型温度より高く、前記
電力制御半導体素子をダイボンドしたハンダの溶融温度
より低い中融点ハンダにてリードフレームにハンダ付け
したことを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成により本発明のＳＳＲによれば、電力
制御半導体素子及び第１、第２の電子部品をハンダ付け
可能に構成したことによりノイズ吸収回路をＳＳＲに内
蔵でき、その結果、ＳＳＲとしての部品点数を少なくし
ＳＳＲ搭載機器への取り付け工数の短縮が図れる。
制御半導体素子及び第１、第２の電子部品をハンダ付け
可能に構成したことによりノイズ吸収回路をＳＳＲに内
蔵でき、その結果、ＳＳＲとしての部品点数を少なくし
ＳＳＲ搭載機器への取り付け工数の短縮が図れる。
【００１６】また、一工程で同時に搭載できない電力制
御半導体素子や第１及び第２の電子部品を溶融温度の異
なるハンダを用いてリードフレームに搭載することがで
きる。
御半導体素子や第１及び第２の電子部品を溶融温度の異
なるハンダを用いてリードフレームに搭載することがで
きる。
【００１７】更に、請求項３記載のＳＳＲによれば、樹
脂封止された点弧用ＳＳＲを使用しているため、従来の
ように超音波洗浄により発生したペースト剥離やＡｕ線
断線は発生しない。
脂封止された点弧用ＳＳＲを使用しているため、従来の
ように超音波洗浄により発生したペースト剥離やＡｕ線
断線は発生しない。
【００１８】最後に、電力半導体素子を高融点ハンダに
てリードフレーム上に搭載し、次いで第１、第２の電子
部品をトランスファーモールドの成型温度以上の融点を
有する中融点ハンダにてリードフレーム上に搭載するこ
とによりトランスファーモールドにて樹脂封止すること
が可能となる。
てリードフレーム上に搭載し、次いで第１、第２の電子
部品をトランスファーモールドの成型温度以上の融点を
有する中融点ハンダにてリードフレーム上に搭載するこ
とによりトランスファーモールドにて樹脂封止すること
が可能となる。
【００１９】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図１は本発明のＳＳＲの内部透視図であり、図
（ａ）は平面図、図（ｂ）は側面図である。また図２
は、その製造工程図である。
する。図１は本発明のＳＳＲの内部透視図であり、図
（ａ）は平面図、図（ｂ）は側面図である。また図２
は、その製造工程図である。
【００２０】本発明によるＳＳＲの製造方法は、まず図
２（ａ）の如くリードフレーム２上に高融点ハンダ５
（例えば融点３００℃）を載置し、その上に図２（ｂ）
の如く電力制御半導体素子であるトライアックチップ４
を搭載しリードフレーム２をリフロー炉に流し高融点ハ
ンダ５を溶融、硬化させトライアックチップ４をハンダ
付けする。その後トライアックチップ４とリードフレー
ム２をＡｌワイヤー７′により電気的に接続する。
２（ａ）の如くリードフレーム２上に高融点ハンダ５
（例えば融点３００℃）を載置し、その上に図２（ｂ）
の如く電力制御半導体素子であるトライアックチップ４
を搭載しリードフレーム２をリフロー炉に流し高融点ハ
ンダ５を溶融、硬化させトライアックチップ４をハンダ
付けする。その後トライアックチップ４とリードフレー
ム２をＡｌワイヤー７′により電気的に接続する。
【００２１】次に電子部品を搭載する箇所に図２（ｃ）
の如くフラックス入り中融点ハンダ６（例えば融点２２
０℃）を載置し、その上に図２（ｄ）の如く第１の電子
部品である点弧用ＳＳＲ３及び第２の電子部品である抵
抗８及びコンデンサ９を搭載する。その後、リフロー炉
に流し中融点ハンダ６を溶融、硬化させ電子部品をハン
ダ付けする。次にハンダ付けにより発生したフラックス
を除去するため超音波洗浄を行う。
の如くフラックス入り中融点ハンダ６（例えば融点２２
０℃）を載置し、その上に図２（ｄ）の如く第１の電子
部品である点弧用ＳＳＲ３及び第２の電子部品である抵
抗８及びコンデンサ９を搭載する。その後、リフロー炉
に流し中融点ハンダ６を溶融、硬化させ電子部品をハン
ダ付けする。次にハンダ付けにより発生したフラックス
を除去するため超音波洗浄を行う。
【００２２】ここで、点弧用ＳＳＲ３はフォトトライア
ックチップ１０及び赤外発光ダイオードチップ１１を内
蔵し、Ａｕ線及びペーストにて内部結線した後樹脂封止
したもので、本発明のＳＳＲでは前記点弧用ＳＳＲ３を
使用しているため従来の方法において超音波洗浄により
発生したペースト剥離やＡｕ線断線は発生しない。
ックチップ１０及び赤外発光ダイオードチップ１１を内
蔵し、Ａｕ線及びペーストにて内部結線した後樹脂封止
したもので、本発明のＳＳＲでは前記点弧用ＳＳＲ３を
使用しているため従来の方法において超音波洗浄により
発生したペースト剥離やＡｕ線断線は発生しない。
【００２３】その後、トランスファーモールド法により
樹脂１にて封止し、リードフレーム２のタイバー部をカ
ットすることにより図１の実施例に示す構造のＳＳＲが
完成する。
樹脂１にて封止し、リードフレーム２のタイバー部をカ
ットすることにより図１の実施例に示す構造のＳＳＲが
完成する。
【００２４】ここでトランスファーモールドの成型温度
は１７５℃前後であり中融点ハンダ６の融点を２１０℃
〜２３０℃とすることによりトランスファーモールドに
よる成型が可能となる。
は１７５℃前後であり中融点ハンダ６の融点を２１０℃
〜２３０℃とすることによりトランスファーモールドに
よる成型が可能となる。
【００２５】また、本構造によればノイズ吸収回路を形
成する抵抗８及びコンデンサ９をＳＳＲに内蔵している
為、トランスファーモールドタイプのＳＳＲとしてＳＳ
Ｒ搭載機器への取り付け部品点数の削減が達成出来る。
成する抵抗８及びコンデンサ９をＳＳＲに内蔵している
為、トランスファーモールドタイプのＳＳＲとしてＳＳ
Ｒ搭載機器への取り付け部品点数の削減が達成出来る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳＳＲ構成
要素である電力制御半導体素子及び第１、第２の電子部
品がハンダ付け可能に構成され、異なる融点を有するハ
ンダにてリードフレームに搭載しトランスファーモール
ドにより樹脂封止されることによりＳＳＲとしての部品
点数を少なくしＳＳＲ搭載機器への取り付け工数を短縮
出来る。
要素である電力制御半導体素子及び第１、第２の電子部
品がハンダ付け可能に構成され、異なる融点を有するハ
ンダにてリードフレームに搭載しトランスファーモール
ドにより樹脂封止されることによりＳＳＲとしての部品
点数を少なくしＳＳＲ搭載機器への取り付け工数を短縮
出来る。
【図１】本発明のＳＳＲを示す内部透視図であり、図
（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
【図２】図（ａ）乃至図（ｄ）は本発明のＳＳＲの製造
工程図である。
工程図である。
【図３】従来品のＳＳＲを示す内部透視図であり、図
（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
【図４】従来品のＳＳＲを示す内部結線図である。
１ モールド樹脂 ２ リードフレーム ３ 点弧用ＳＳＲ ４ トライアックチップ ５ 高融点ハンダ ６ 中融点ハンダ ７ Ａｕワイヤー ７′ Ａｌワイヤー ８ 抵抗 ９ コンデンサ １０ フォトトライアックチップ １１ 赤外発光ダイオードチップ
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームと、 電力制御半導体素子、入出力を絶縁され前記電力制御半
導体素子を駆動する第１の電子部品及び外部ノイズ吸収
回路を形成する第２の電子部品を有し、 前記電力制御半導体素子及び第１、第２の電子部品は、
ハンダ付け可能であり、かつ前記リードフレームに搭載
されてなり、 該リードフレームに搭載した前記電力制御半導体素子及
び第１、第２の電子部品をトランスファーモールドにて
樹脂封止されてなることを特徴とするソリッドステート
リレー。 - 【請求項２】 リードフレームと、 該リードフレームに搭載されトランスファーモールドに
より樹脂封止される電力制御半導体素子、入出力を絶縁
され前記電力制御半導体素子を駆動する第１の電子部品
及び外部ノイズ吸収回路を形成する第２の電子部品を有
し、 前記リードフレームに異なる融点を有するハンダにて、
前記電力制御半導体素子及び第１、第２の電子部品をハ
ンダ付け処理する手段を備えたことを特徴とするソリッ
ドステートリレーの製造方法。 - 【請求項３】 入出力を絶縁され電力制御半導体素子を
駆動する第１の電子部品は、点弧用ソリッドステートリ
レーからなることを特徴とする請求項１または２記載の
ソリッドステートリレー及びその製造方法。 - 【請求項４】 ハンダ付け処理する手段は、高融点ハン
ダにて前記電力制御半導体素子をリードフレームにダイ
ボンドし、次いで融点が封止樹脂の成型温度より高く、
前記電力制御半導体素子をダイボンドしたハンダの溶融
温度より低い中融点ハンダにてリードフレームにハンダ
付けしたことを特徴とする請求項２記載のソリッドステ
ートリレーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24341593A JP3074099B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ソリッドステートリレー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24341593A JP3074099B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ソリッドステートリレー及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106629A true JPH07106629A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3074099B2 JP3074099B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17103531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24341593A Expired - Fee Related JP3074099B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ソリッドステートリレー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074099B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196598A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | ソリッドステートリレー、電子機器及びソリッドステートリレーの製造方法 |
| JP2006228956A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Sharp Corp | 双方向フォトサイリスタチップ、光点弧カプラ、および、ソリッドステートリレー |
| JP2021180208A (ja) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP24341593A patent/JP3074099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196598A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | ソリッドステートリレー、電子機器及びソリッドステートリレーの製造方法 |
| US7439532B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state relay, electronic device, and method for manufacturing solid state relays having a first control terminal, a first output terminal and a second output terminal as lead terminals |
| JP2006228956A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Sharp Corp | 双方向フォトサイリスタチップ、光点弧カプラ、および、ソリッドステートリレー |
| JP2021180208A (ja) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3074099B2 (ja) | 2000-08-07 |
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