JPH07104212B2

JPH07104212B2 - 加熱装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07104212B2
Application number: JP2197815A
Authority: JP
Inventors: 昭彦 ▲吉▼田
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1990-07-27
Filing date: 1990-07-27
Publication date: 1995-11-13
Anticipated expiration: 2010-11-13
Also published as: JPH0484722A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は加熱装置およびその製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術及びその問題点）スーパークリーン状態を必要とする半導体製造用装置で
は、デポジション用ガス、エッチング用ガス、クリーニ
ング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐食性ガ
スが使用されている。このため、ウエハーをこれらの腐
食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱装置と
して、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、インコ
ネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使用する
と、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化物、弗
化物等の粒径数μｍの、好ましくないパーティクルが発
生する。

そこで、デポジション用ガス等に曝露される容器の外側
に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外線透過窓を設
け、グラファイト等の耐食性良好な材質からなる被加熱
体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置かれたウエハ
ーを加熱する、間接加熱方式のウエハー加熱装置が開発
されている。ところがこの方式のものは、直接加熱式の
ものに比較して熱損失が大きいこと、温度上昇に時間が
かかること、赤外線透過窓へのCVD膜の付着により赤外
線の透過が次第に妨げられ、赤外線透過窓で熱吸収が生
じて窓が加熱すること等の問題があった。

（発明に至る経過）上記の問題を解決するため、新たに円盤状の緻密質セラ
ミックス内に抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒ
ーターをグラファイトのケースに保持した加熱装置につ
いて検討した。その結果この加熱装置は、上述のような
問題点を一掃した極めて優れた装置であることが判明し
た。

しかし、更に研究を進める過程で、セラミックスヒータ
ーの半導体ウエハー加熱面の温度測定に問題があること
が解った。

すなわち、例えば従来の金属ヒーターでは熱電対がヒー
ター内部にほぼ完全に埋め込まれ、熱電対の一端はウエ
ハー加熱面付近に位置し、熱電対の他端は容器外へと取
り出されている。従って熱電対は容器内部に露出してお
らず、特に誤動作を起すおそれもなかった。

これに対し、上記したような円盤状セラミックスヒータ
ーの場合には、このヒーター本体に熱電対の一端を直接
取り付ける必要があった。そして、このような加熱装置
は、通常の一定圧力で使用する場合には大きな問題はな
いが、容器の内部を圧力変化させた場合には熱電対に誤
動作を生ずることがあり、正確なヒーター温度の制御が
行えないという問題が生じた。

更に、例えば1M、4M、16Mなどの極めて高密度の半導体
の製造装置を適用するには、従来は問題とならなかった
ような微小部位からも半導体ウエハー汚染を生じうると
いう問題もある。

（発明が解決しようとする課題）本発明の課題は、半導体製造装置内において、ガス圧力
が変動するときにも、正確に温度測定を行うことがで
き、従ってヒーターの温度を正確に制御することがで
き、しかも半導体製造装置内を汚染するおそれもない、
加熱装置及びその製造方法を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明は、内部の圧力が変化する半導体製造装置の内部
に収容するための加熱装置であって：非金属無機質部材
の内部に抵抗発熱体が埋設されている非金属無機質ヒー
ター；半導体製造装置内の圧力が変動しても実質的に内
部圧力が変化しない中空シース；この中空シースの内部
に収容された熱電対；及び、ナトリウムとカリウムとを
いずれも実質的に含有しないガラスからなり、中空シー
スの先端部分を非金属無機質ヒーターへと接合するガラ
ス接合層を有しており、非金属無機質ヒーターに設けら
れた接合用孔に先端部分が挿入されており、この接合用
孔で先端部分と非金属無機質ヒーターとの間にガラス接
合層が形成されていることを特徴とする、加熱装置に係
るものである。

また、本発明は、内部の圧力が変化する半導体製造装置
の内部に収容するための加熱装置を製造する方法であっ
て：抵抗発熱体が非金属無機質部材の内部に埋設されて
いる非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔の底部
に、接合用ガラスの小片を収容する工程；及び、この接
合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、かつ熱
電対が収容された中空シースの先端を接合用孔の底部に
位置させ、これにより接合用孔と前記先端部分との間に
ガラス接合層を形成し、中空シースと非金属無機質部材
とを接合する工程を有する、加熱装置の製造方法に係る
ものである。

「中空シース」とは、内部に熱電対を収容するための金
属製の鞘を意味するものである。

温度測定の対象となる非金属無機質部材は一般のアルミ
ナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等のセラミックス及び半導体材料であるシリコン、ガ
リウム、砒素及びこれらの無機物質を含有する複合物を
包含する。非金属無機質部材に抵抗発熱体を埋設した場
合には、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等が
好ましく、特に耐熱衝撃性の高い窒化珪素、サイアロン
が好ましい。

「ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しな
い」とは、ナトリウムとカリウムとをいずれも不可避的
不純物としてしか含有しないことをいう。更に具体的に
は、不純物として混入するナトリウム、カリウムをいず
れも酸化物換算で0.1重量％以下とするのが好ましく、
0.01重量％以下とするのが更に好ましい。

（実施例）第１図において、１は半導体製造用熱CVDに使用される
容器、２はその内部のケース３に取付けられたウエハー
加熱用のヒーター本体であり、その大きさは例えば４〜
８インチとしてウエハーを設置可能なサイズとしてお
く。

容器１の内部にはガス供給孔４から熱CVD用のガスが供
給され、吸引孔５から真空ポンプにより内部の空気が排
出される。非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のような
緻密でガスタイトな非金属無機質基体６の内部に抵抗発
熱体７をスパイラル状に埋設したもので、その中央及び
端部のケーブル８を介して外部から電力が供給され、非
金属無機質ヒーター２を例えば1100℃程度に加熱するこ
とができる。９はケース３の上面を覆う水冷ジャケット
10付のフランジであり、Ｏリング11により容器１の側壁
との間をシールされ、容器１の天井面を構成している。

12はこのような容器１のフランジ９の壁面を貫通して容
器１の内部に挿入された中空シースである。中空シース
12はモリブデン又はタングステンからなるもので、図示
のようにその先端部分12aは伝熱による放熱を少なくす
るために細く成形されている。中空シース12の上端はフ
ランジ９の外部に達しているので、中空シース12の内部
は容器１の内圧変化に影響されない一定圧に保たれてい
る。そしてこのような中空シース12の内部に、ステンレ
スシース付きの熱電対14が収容されている。なお中空シ
ース12と容器１のフランジ９との間にはＯリング15が設
けられ、大気の侵入を防止している。

中空シース12と非金属無機質ヒーター２の背面22との接
合は、第２図に拡大して示すように行う。

即ち、ヒーター背面22側に開口した接合用孔25をヒータ
ー２に設け、この接合用孔25内に中空シース先端部分12
aを挿入し、両者の間をガラス接合層13で接合する。こ
のガラス接合層13を形成するガラスは、ナトリウムとカ
リウムをいずれも実質的に含有しないガラスとする。

本実施例に係る半導体ウエハー加熱装置又は半導体ウエ
ハー加熱用非金属無機質ヒーターの温度測定装置によれ
ば、以下の効果を奏しうる。

（１）本発明者は上記した熱電対の誤動作の原因を追
求した結果、特に真空中の場合、熱電対の周囲のガス分
子の挙動は大気圧〜1torrの真空状態においては粘性流
域にあるが、真空度が高まると分子流域に移行し、これ
に伴って熱電対の周囲における熱移動の態様が大幅に変
化するため、正確な温度測定ができなくなることを知っ
た。また粘性流域においても、大きい圧力変動による温
度測定誤動差が存在することが判った。

また、一般に温度測定の対象物が金属材料である場合に
は、熱電対を直接ろう付けや溶接により金属ヒーターに
取り付けることが可能であるが、上記のように温度測定
の対象物が非金属無機質ヒーターの場合には、直接的な
取り付けが布可能である。又、一般に使用される無機系
接着剤は、Na等のアルカリ成分を数％以上含むため、ア
ルカリのコンタミネーションを問題とする半導体製造装
置に使用することができなかった。このために従来考え
うる方法は、非金属無機質ヒーターの孔に熱電対を機械
的に押しつける方法だけであり、非金属無機質ヒーター
との間の熱移動は圧力変化をするガスに依存しているこ
とを知った。

この点、本実施例においては、内部が容器１の内圧変化
に対して実質的に変化しないように保たれた中空シース
12の先端部分12aを接合用孔25内に接合し、中空シース
の内部に熱電対14を収容してあるので、熱電対14の周囲
は、容器１の内圧変化に影響されない一定圧力に保たれ
ている。このために仮に容器１の内部が高真空度まで減
圧されても、熱電対14の周囲のガス分子の挙動が変化す
ることがなく、常に安定した温度検出が可能である。従
って本発明の加熱装置は、高真空度中で非金属無機質ヒ
ーターの温度を正確に制御することができる。

（２）ガラス接合層13を、ナトリウムとカリウムとを
いずれも実質的に含有しないガラスで形成したところ、
高密度半導体のウエハーも汚染することなく加熱でき
た。

このガラスにおいては、更に不純物であるMgO、CaOの量
を0.1重量％以下、更には0.01重量％以下に抑えること
が好ましい。更には、アルカリ金属元素、アルカリ土類
金属元素の不純物量を、いずれも0.1重量％以下、更に
は0.01重量％以下に抑えることが好ましい。従来よりも
高密度の半導体の製造装置においては、ガラス接合層の
ような微小部位に存在する元素として、ナトリウム、カ
リウムほどではないが、これらの各元素も、半導体欠陥
を引き起すような汚染の原因となりうるからである。

（３）中空シース先端部分12aと非金属無機質ヒータ
ー２との接合をガラスによって行っているので、気密性
が高く、またこの接合部分の耐熱性、安定性が高い。

ガラスの熱膨張率は、温度変化の耐久性の面から基材と
シース材の熱膨張率の中間が望ましい。

特に、シースとヒーターの材質を同じにした場合には、
ガラスの熱膨張率をできるだけシースとヒーターの熱膨
張率に近づけるのが好ましい。

（４）従来の金属ヒーターでは、熱電対がヒーター内
に設置されていたため、熱電対の交換が容易ではなかっ
た。しかし第１図に示すように、熱電対10を、容器１の
壁面を貫通する中空シース12の内部に設けておけば、容
器１のシール性を損なうことなく熱電対14だけを容易に
交換することができる。

（５）非金属無機質材料として窒化珪素を採用する
と、ヒーターの強度が高く、窒化珪素の熱膨脹率の小さ
さからヒーターの耐熱衝撃性も高く、高温への急熱、急
冷を繰り返して行ってもヒーターが破損しない。また、
窒化珪素が耐食性に優れていることから、熱CVD装置内
等の腐食性ガス条件下でもヒーターの耐久性が高く、寿
命が長くなる。

（６）本実施例の加熱装置によれば、ヒーター材料と
して非金属無機質材料を使用しているので、従来の金属
ヒーターの場合のような汚染を防止できる。また、容器
１内に設置した円盤状ヒーターで半導体ウエハーを直接
加熱するので、間接加熱方式の場合のような熱効率の悪
化の問題を解決できる。

（７）中空シース12をモリブデン又はダングステンあ
るいはこれらを主成分とする合金からなるものとすれ
ば、非金属無機質ヒーター２と中空シース12とガラス接
合層13との熱膨脹をほぼ一致させることができ、クラッ
クの発生を防止することができる。

（８）中空シース12の材質として、酸化セリウム添加
モリブデンを使用すると、小径穴の加工性が良好とな
り、しかもガラス接合時に中空シース先端部分12aを例
えば1100℃〜1800℃に加熱しても、この先端部分12aが
脆化しない。

なお、接合性、加工性、または脆化性の問題がなけれ
ば、ステンレス、ハステロイ、インコロイ等の合金を使
用してもかまわない。

ガラス接合層13の材質としては、B₂O₃含有量が50重量％
以下のSiO₂−B₂O₃系ガラスが好ましい。B₂O₃含有量が50
重量％を越えると、接合時にクラックが発生したり、ガ
ラスの吸湿量が多くなる傾向がある。

また、ガラス接合層13の材質として、石英ガラス、オキ
シナイトライドガラスが強度、耐熱衝撃性、気密性等の
点で好ましい。

更にセラミックスヒーターの1100℃までの耐熱性を生か
すために、接合ガラスの転移温度が高い方が好ましく、
オキシナイトライドガラスが最も適している。

ウエハー加熱面は平滑面とすることが好ましく、特にウ
エハー加熱面にウエハーが直接セットされる場合には、
平面度を500μｍ以下としてウエハーの裏面へのデポジ
ション用ガスの侵入を防止する必要がある。

抵抗発熱体７としては、高融点でありしかも窒化珪素等
との密着性に優れたタングステン、モリブデン、白金等
を使用することが適当である。

第１図の例ではウエハー加熱面を下向きにしたが、ウエ
ハー加熱面を上向きにしてもよい。

次に、ガラス接合層の形成方法について述べる。

まず、第３図に示すように、例えば窒化珪素製のヒータ
ー２の背面22側に接合用孔25を設け、この底部25aに、
接合用ガラスの小片30を設置する。

そして、ヒーター背面22上に位置決め用治具27,26を固
定し、治具26の孔26aに中空シース12を挿入し、中空シ
ース12の先端12bを接合用孔25中へと挿入し、この先端1
2bを小片30上に載置する。接合用孔25の上には、好まし
くは窒化珪素からなるカバー20を固定し、このカバー20
を、好ましくは窒化珪素からなるおもり28で押える。

次いで、小片30を加熱して溶融又は軟化させると、中空
シース12が上下方向にスライド可能に保持されているこ
とから、中空シース12が自重によって下方へと下がり、
先端12bが第２図に示すように底部25aの方に位置し、溶
融又は軟化した接合用ガラスが、中空シース先端部分12
aと接合用孔25内周面との間に回り込む。この状態で放
冷すると、先端部分12aと接合用孔25との間にガラス接
合層13が形成され、両者の間が気密に接合される。な
お、ガラスが溶融又は軟化したとき、中空シースを下方
へと押し込んでもよい接合用ガラス小片として、溶融ガラスを急冷して粘度を
調節したガラスフリットを使用することもできる。更
に、ガラス接合層のガラスを結晶化させることもでき
る。

接合用ガラス小片を軟化又は溶融させるとき、ガラス小
片の軟化点以上で雰囲気を減圧（好ましくは0.1torr以
下）とすると、ガラス接合層中に気泡が残留しないの
で、ガラス接合層にクラックが発生するのを防止でき
る。

第４図に示す加熱装置では、中空シース12の端部をシー
ルし、この中空シース12を容器１の内部に封入する。熱
電対14のリード線はＯリング16によりシールされ、容器
１の外側に引き出されている。第４図の実施例では中空
シース12の内部は密閉されているため、ヒーターの昇温
による圧力変化はあるものの、容器１の内部にガスが侵
入したときにも中空シース12の内部の圧力は実質的に変
化することがない。

第１図又は第４図において、中空シース12の内部には大
気圧の空気を導入すればよいが、内部の酸化を防止する
ために還元性雰囲気で満たすことも可能である。このよ
うにすれば、1100℃程度までの加熱を容易に行うことが
できる。

上記各例において、ウエハー加熱用非金属無機質ヒータ
ーの形状は、円形ウエハーを均等に加熱するためには円
盤状とするのが好ましいが、他の形状、例えば四角盤
状、六角盤状等としてもよい。

こうしたヒーターは、プラズマエッチング装置、光エッ
チング装置等における加熱装置に対しても適用可能であ
る。

以下、具体的な実験例について述べる。

実験例１（各種ガラスによるセラミックスヒーターと中空シース
の接合及び温度測定）第１図に示す窒化珪素製セラミックスヒーターにMo製、
Ｗ製の中空シースを下記ガラスにより接合した。１×10
^-5torrの真空容器内で接合したシース内の熱電対の測定
温度により制御し、セラミックスヒーターを700℃まで
加熱し温度が一定になった時にArガスを導入し、容器内
を10torrにした時の測定温度の変化ΔＴを測定した。各
接合用ガラス中のNa,K含有量はいずれも0.01wt％とし
た。結果を表に示す。

中空シース形状は、非金属無機質ヒーター２の温度変化
を追従性良く正確に測定できるように、熱容量をできる
だけ小さくするため、1mm以下の薄肉でφ5mm以下の小径
とすることが望ましく、実施例では中空シース先端部分
12aを外径φ2mm、圧さ0.4mmの肉厚とし、φ3mm、深さ13
mmの接合用孔25に下記の各ガラスにより接合した。さら
に中空シースの非接合ブラケットは容器１とのシール性
及びシースの加工性を考慮して、太径（外径φ6mm）と
してリングシールした。

SiO₂−B₂O₃系ガラスガラスは電子天秤により所定量を秤量し、アルミナ製乳
鉢、乳棒により混合粉砕し、白金るつぼに入れ、1600℃
で溶融し、溶融物を水中投下し、ガラスフリットを作製
した。ガラスをより均質にするため、作製したガラスフ
リットをアルミナ製乳鉢、乳棒により粉砕し、白金製る
つぼに入れ1600℃で再溶融し、溶融物をステンレス製型
に入れて固化し、型から取り出した後、φ3mm、長さ6mm
の小片に加工した。また、粉砕し、フリットも用意し
た。

このガラス小片を接合用孔の底に入れ、その上にシース
を置き、フリットは孔とシースの隙間に詰め、セットし
た。室温で接合電気炉内を真空にし、室温から1200℃ま
で300℃/hrで昇温し、1200℃で1hr維持した後、1400℃
まで200℃/hrで昇温し、昇温中に電気炉内にN₂を導入
し、３気圧まで加圧した。1400℃で3hr維持したのち、
降温した。降温中800℃から400℃までは１℃/hrで降温
し、ガラスの歪み取りを行った。

石英ガラス石英ガラスフリットを用意した。接合はSiO₂−B₂O₃系ガ
ラスと同じ方法で行ったが、接合時の最高加熱温度は16
00℃とした。

オキシナイトライドガラス電子天秤により所定量秤量し、アルミナ製乳鉢、乳棒に
より混合粉砕し、窒化ほう素ルツボに入れ、1600℃、
N₂、2atmの雰囲気で溶融し、電気炉内で急冷しガラスを
得た。窒化ホウ素ルツボ中のガラスをSiO₂−B₂O₂系ガラ
スと同様に小片に加工し、接合した。接合は室温から14
00℃まで1atmのN₂雰囲気で実施した。

その結果、No.1〜８では、容器内を10Torrにした時の温
度差ΔＴは１℃以下であったのに対し、ガラス接合しな
い比較例のNo.11では、ΔＴ＝11/℃と大きく変化した。
また、接合ガラスSiO−B₂O₃系ガラスでB₂O₃が50wt％を
越えるものについては、ガラスにクラックが入ってΔＴ
が大きくなり、さらにB₂O₃を増やすとガラスが吸湿し
た。

実験例２実験例１において試料No.4の組成のガラスを使用し、不
純物濃度の異なる原料からガラスを作製し、窒化珪素製
ヒーターに、これらのガラスを用いて上記の方法に従っ
て温度測定用シースを接合した。このヒーターのウエハ
ー加熱面にシリコンウエハーを置き、800℃で１時間加
熱し、シリコンウエハーのヒーターに当接した側の面に
ついて、SIMS（二次イオン質量分析法）でNa,K,Mg,Caを
分析した。

その結果、酸化物換算でNa₂O,K₂O,MgO,CaOが0.2wt％〜
0.7wt％含まれる場合は、シリコンウエハ表面から内部
にNa,K,Mg,Caの拡散が認められたが、0.01wt％〜0.1wt
％では表面に僅かに検出されたものの内部への拡散は見
られなかった。0.01wt％以下では全く検出されなかっ
た。

また、酸化物換算でNa₂O,K₂O,MgO,CaOが0.2wt％〜0.7wt
％含まれる場合はシリコンウエハ表面にFeも検出され
た。

シリコンウエハにアルカリ金属、アルカリ土類金属ある
いはFeなどの遷移金属が入ると、シリコン中に不純物欠
陥を形成するため好ましくない。その内、特にNa,Kは微
量でも不純物欠陥を形成するため、特に好ましくない。

実験例３実験例１の試料No.4のガラスを用い、ガラス接合時に雰
囲気を減圧にした場合（0.1torr）と減圧にしない場合
の各試料を作成し、それぞれについて室温と700℃との
間で昇降温を行い、容器内を圧力変化させた時の温度変
化を測定した。減圧にしない場合ガラス中に気泡が多く
残留した。試験の結果、減圧にしない場合は、160回目
で10℃の温度変化を生じた。試験後、接合ガラスにクラ
ックが発生していた。減圧にした場合は200回以上温度
変化は無かった。

（発明の効果）本発明に係る加熱装置及びその製造方法によれば、半導
体製造装置の容器の内部の圧力が変化しても実質的に内
部圧力が変化しない中空シースの内部に熱電対を収容す
るので、容器の内部の圧力が変化しても熱電対の周囲の
ガス分子の挙動が変化することがなく、従って常に安定
した温度測定が可能である。

また、ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有
しないガラスからなるガラス接合層により、中空シース
の先端部分を非金属無機質部材へと接合するので、高度
の清浄性を要求される装置においてもこの接合部分から
ナトリウム、カリウムによる汚染を生ずるおそれはな
い。

また、非金属無機質ヒーターの温度を安定して測定でき
ることにより、容器内の圧力が大きく変化しても、非金
属無機質ヒーターの温度を正確に制御することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は非金属無機質ヒーターを容器内に設置した状態
を示す概略断面図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図は中空シースを非金属無機質ヒーターへと接合す
る前の状態を示す断面図、第４図は他の非金属無機質ヒーターを容器内に設置した
状態を示す概略断面図である。２……円盤状非金属無機質ヒーター７……抵抗発熱体、９……フランジ 12……中空シース 12a……中空シースの先端部分 12b……先端、13……ガラス接合層 14……熱電対、20……カバー 22……ヒーター背面、25……接合用孔 25a……接合用孔の底部、30……ガラス小片

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部の圧力が変化する半導体製造装置の内
部に収容するための加熱装置であって：非金属無機質部材の内部に抵抗発熱体が埋設されている
非金属無機質ヒーター；前記半導体製造装置内の圧力が変動しても実質的に内部
圧力が変化しない中空シース；この中空シースの内部に収容された熱電対；及びナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しない
ガラスからなり、前記中空シースの先端部分を前記非金
属無機質ヒーターへと接合するガラス接合層を有してお
り、前記非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔に前記
先端部分が挿入されており、この接合用孔で前記先端部
分と前記非金属無機質ヒーターとの間に前記ガラス接合
層が形成されていることを特徴とする、加熱装置。
【請求項２】前記ガラスが、B₂O₃含有量が50重量％以下
のSiO₂−B₂O₃系ガラスである、請求項１記載の加熱装
置。
【請求項３】前記ガラスが石英ガラスである、請求項１
記載の加熱装置。
【請求項４】前記ガラスがオキシナイトライドガラスで
ある、請求項１記載の加熱装置。
【請求項５】前記非金属無機質部材がセラミックスから
なる、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の加
熱装置。
【請求項６】内部の圧力が変化する半導体製造装置の内
部に収容するための加熱装置を製造する方法であって：抵抗発熱体が非金属無機質部材の内部に埋設されている
非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔の底部に、
接合用ガラスの小片を収容する工程；及びこの接合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、
かつ熱電対が収容された中空シースの先端を前記接合用
孔の前記底部に位置させ、これにより前記接合用孔と前
記中空シースの前記先端部分との間にガラス接合層を形
成し、前記中空シースと前記非金属無機質部材とを接合
する工程を有する、加熱装置の製造方法。
【請求項７】前記接合用孔と前記中空シースの先端部分
との間に接合用ガラス層を形成するのに際し、前記小片
を前記接合用ガラスの軟化点以上の温度で保持した状態
で雰囲気を減圧にする、請求項６記載の加熱装置の製造
方法。