JPH0484722A - 加熱装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は非金属無機質部材の温度測定装置、その製造方
法及びこれを利用した加熱装置に関するものである。

（従来の技術及びその問題点） スーパークリーン状態を必要とする半導体製造用装置で
は、デポジション用ガス、エツチング用ガス、クリーニ
ング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐食性ガ
スが使用されている。このため、ウェハーをこれらの腐
食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱装置と
して、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、インコ
ネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使用する
と、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化物、弗
化物等の粒径数μｍの、好ましくないパーティクルが発
生する。

そこで、デポジション用ガス等に曝露される容器の外側
に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外線透過窓を設
け、グラファイト等の耐食性良好な材質からなる被加熱
体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置かれたウェハ
ーを加熱する、間接加熱方式のウェハー加熱装置が開発
されている。

ところがこの方式のものは、直接加熱式のものに比較し
て熱損失が大きいこと、温度上昇に時間がかかること、
赤外線透過窓へのＣＶＤ膜の付着により赤外線の透過が
次第に妨げられ、赤外線透過窓で熱吸収が生じて窓が加
熱すること等の問題があった。

（発明に至る経過） 上記の問題を解決するため、新たに円盤状の緻密質セラ
ミックス内に抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒ
ーターをグラファイトのケースに保持した加熱装置につ
いて検討した。その結果この加熱装置は、上述のような
問題点を一掃した極めて優れた装置であることが判明し
た。

しかし、更に研究を進める過程で、セラミックスヒータ
ーの半導体ウェハー加熱面の温度測定に問題があること
が解った。

すなわち、例えば従来の金属ヒーターでは熱電対がヒー
ター内部にほぼ完全に埋め込まれ、熱電対の一端はウェ
ハー加熱面付近に位置し、熱電対の他端は容器外へと取
り出されている。従って熱電対は容器内部に露出してお
らず、特に誤動作を起すおそれもなかった。

これに対し、上記したような円盤状セラミックスヒータ
ーの場合には、このヒーター本体に熱電対の一端を直接
取り付ける必要があった。そして、このような加熱装置
は、通常の一定圧力で使用する場合には大きな問題はな
いが、容器の内部を圧力変化させた場合には熱電対に誤
動作を生ずることがあり、正確なヒーター温度の制御が
行えないという問題が生じた。

更に、例えばＩＭ、４Ｍ、１６Ｍなどの極めて高密度の
半導体の製造装置に適用するには、従来は問題とならな
かったような微小部位からも半導体ウェハー汚染を生じ
うるという問題もある。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の課題は、ガス圧力の変動時においても正確に非
金属無機質部材の温度測定を行うことができ、しかも圧
力が変化する容器内を汚染するおそれもない、非金属無
機質部材の温度測定装置及びその製造方法を提供するこ
とである。

更に、本発明の課題は、上記の温度測定装置を利用して
非金属無機質ヒーターの温度を正確に制御できるように
した加熱装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、圧力が変化する容器の内部に設置された非金
属無機質部材の温度測定装置であって、前記容器の内部
の圧力が変化しても実質的に内部圧力が変化しない中空
シース； この中空シースの内部に収容された熱電対；及び ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しない
ガラスからなり、前記中空シースの先端部分を前記非金
属無機質部材へと接合するガラス接合層 を有する、非金属無機質部材の温度測定装置に係るもの
である。

また、本発明は、非金属無機質部材に設けられた接合用
孔の底部に接合用ガラスの小片を収容する工程；及び この接合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、
かつ熱電対が収容された中空シースの先端を前記接合用
孔の前記底部に位置させ、これにより前記接合用孔と前
記中空シースの先端部分との間にガラス接合層を形成し
、前記中空シースと前記非金属無機質部材とを接合する
工程を有する非金属無機質部材の温度測定装置の製造方
法に係るものである。

更に、本発明は、圧力が変化する容器；抵抗発熱体が埋
設され、前記容器の内部に設置された非金属無機質ヒー
ター； 前記容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧力が
変化しない中空シース； この中空シースの内部に収容された熱電対；及び ナトリウムとカリウムをいずれも実質的に含有しないガ
ラスからなり、前記中空シースの先端部分を前記非金属
無機質ヒーターへと接合するガラス接合層 を有する加熱装置に係るものである。

「中空シース」とは、内部に熱電対を収容するための金
属製の鞘を意味するものである。また「接合」とは、埋
設の他に表面への接合をも包含するものとする。

温度測定の対象となる非金属無機質部材は一般のアルミ
ナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等のセラミックス及び半導体材料であるシリコン、ガ
リウム、砒素及びこれらの無機物質を含有する複合物を
包含する。非金属無機質部材に抵抗発熱体を埋設した場
合には、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等が
好ましく、特に耐熱衝撃性の高い窒化珪素、サイアロン
が好ましい。

［ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しな
い」とは、ナトリウムとカリウムとをいずれも不可避的
不純物としてしか含有しないことをいう。更に具体的に
は、不純物として混入するナトリウム、カリウムをいず
れも酸化物換算で０．１重量％以下とするのが好ましく
２Ｏ．０１重量％以下とするのが更に好ましい。

（実施例） 第１図において、■は半導体製造用熱ＣＶＤに使用され
る容器、２はその内部のケース３に取付けられたウェハ
ー加熱用のヒーター本体であり、その大きさは例えば４
〜８インチとしてウェハーを設置可能なサイズとしてお
く。

容器ｌの内部にはガス供給孔４から熱ＣＶＤ用のガスが
供給され、吸引孔５から真空ポンプにより内部の空気が
排出される。非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のよう
な緻密でガスタイトな非金属無機質基体６の内部に抵抗
発熱体７をスパイラル状に埋設したもので、その中央及
び端部のケーブル８を介して外部から電力が供給され、
非金属無機質ヒーター２を例えば１１００℃程度に加熱
することができる。９はケース３の上面を覆う水冷ジャ
ケット１０付のフランジであり２Ｏリング１１により容
器１の側壁との間をシールされ、容器１の天弁面を構成
している。

１２はこのような容器ｌのフランジ９の壁面を貫通して
容器ｌの内部に挿入された中空シースである。中空シー
ス１２はモリブデン又はタングステンからなるもので、
図示のようにその先端部分１２ａは伝熱による放熱を少
な（するために細く成形されている。中空シース１２の
上端はフランジ９の外部に達しているので、中空シース
Ｉ２の内部は容器ｌの内圧変化に影響されない一定圧に
保たれている。そしてこのような中空シース１２の内部
に、ステンレスシース付きの熱電対Ｉ４が収容されてい
る。なお中空シース１２と容器ｌのフランジ９との間に
はＯリング１５が設けられ、大気の侵入を防止している
。

中空シース１２と非金属無機質ヒーター２の背面２２と
の接合は、第２図に拡大して示すように行う。

即ち、ヒーター背面２２側に開口した接合用孔２５をヒ
ーター２に設け、この接合用孔２５内に中空シース先端
部分１２ａを挿入し、両者の間をガラス接合層１３で接
合する。このガラス接合層１３を形成するガラスは、ナ
トリウムとカリウムをいずれも実質的に含有しないガラ
スとする。

本実施例に係る半導体ウェハー加熱装置又は半導体ウェ
ハー加熱用非金属無機質ヒーターの温度測定装置によれ
ば、以下の効果を奏しつる。

（１）本発明者は上記した熱電対の誤動作の原因を追求
した結果、特に真空中の場合、熱電対の周囲のガス分子
の挙動は大気圧〜１ｔｏｒｒの真空状態においては粘性
流域にあるが、真空度が高まると分子流域に移行し、こ
れに伴って熱電対の周囲における熱移動の態様が大幅に
変化するため、正確な温度測定ができなくなることを知
った。また粘性流域においても、大きい圧力変動による
温度測定誤動差が存在することが判った。

また、一般に温度測定の対象物が金属材料である場合に
は、熱電対を直接ろう付けや溶接により金属ヒーターに
取り付けることが可能であるが、上記のように温度測定
の対象物が非金属無機質ヒーターの場合には、直接的な
取り付けが不可能である。このために従来前えうる方法
は、非金属無機質ヒーターの孔に熱電対を機械的に押し
つける方法だけであり、非金属無機質ヒーターとの間の
熱移動は圧力変化をするガスに依存していることを知っ
た。

この点、本実施例においては、内部が客器１の内圧変化
に対して実質的に変化しないはうに保たれた中空シース
１２の先端部分１２ａを持合用孔２５内に接合し、中空
シースの内部に熱電対１４を収容しであるので、熱電対
１４の周囲は、容器ｌの内圧変化に影響されない一定圧
力に僅たれている。このために仮に容器ｌの内部が高真
空度まで減圧されても、熱電対１４の周囲のガス分子の
挙動が変化することがなく、常に安定した温度検出が可
能である。従って本発明のカロ熱装置は、高真空度中で
非金属無機質ヒーターの温度を正確に制御することがで
きる。

（２）ガラス接合層Ｉ３を、ナトリウムとカリウムとを
いずれも実質的に含有しないガラスで形成したところ、
高密度半導体のウェハーも汚兼することなく加熱できた
。

このガラスにおいては、更に不純物であるＭｇＯ、Ｃａ
Ｏの量を０．１重量％以下、更には０．０１重量％以下
に抑えることが好ましい。更には、アルカリ金属元素、
アルカリ土類金属元素の不純物量を、いずれも０．１重
量％以下、更には０．０１重量％以下に抑えることが好
ましい。従来よりも高密度の半導体の製造装置において
は、ガラス接合層のような微小部位に存在する元素とし
て、ナトリウム、カリウムはどではないが、これらの各
元素も、半導体欠陥を引き起すような汚染の原因となり
うるからである。

（３）中空シース先端部分１２ａと非金属無機質ヒータ
ー２との接合をガラスによって行っているので、気密性
が高く、またこの接合部分の耐熱性、安定性が高い。

ガラスの熱膨張率は、温度変化の耐久性の面から基材と
シース材の熱膨張率の中間が望ましい。

（４）従来の金属ヒーターでは、熱電対がヒーター内に
設置されていたため、熱電対の交換が容易ではなかった
。しかし第１図に示すように、熱電対ＩＯを、容器１の
壁面を貫通する中空シース１２の内部に設けておけば、
容器１のシール性を損なうことなく熱電対１４だけを容
易に交換することができる。

（５）非金属無機質材料として窒化珪素を採用すると、
ヒーターの強度が高く、窒化珪素の熱膨張率の小ささか
らヒーターの耐熱衝撃性も高く、高温への急熱、急冷を
繰り返して行ってもヒーターが破損しない。また、窒化
珪素が耐食性に優れていることから、熱ＣＶＤ装置内等
の腐食性ガス条件下でもヒーターの耐久性が高く、寿命
が長くなる。

（６）本実施例の加熱装置によれば、ヒーター材料とし
て非金属無機質材料を使用しているので、従来の金属ヒ
ーターの場合のような汚染を防止できる。また、容器１
内に設置した円盤状ヒーターで半導体ウェハーを直接加
熱するので、間接加熱方式の場合のような熱効率の悪化
の問題を解決できる。

（７）中空シース１２をモリブデン又はタングステンあ
るいはこれらを主成分とする合金からなるものとすれば
、非金属無機質ヒーター２と中空シース１２とガラス接
合層１３との熱膨張をほぼ一致させることができ、クラ
ックの発生を防止することができる。

（８）中空シース１２の材質として、酸化セリウム添加
モリブデンを使用すると、小径穴の加工性が良好となり
、しかもガラス接合時に中空シース先端部分１２ａを例
えば１１００°Ｃ〜１８００℃に加熱しても、この先端
部分１２ａが脆化しない。

なお、接合性、加工性、また脆化性の問題がなければ、
ステンレス、ハステロイ、インコロイ等の合金を使用し
てもかまわない。

ガラス接合層１３の材質としては、Ｂ２Ｏ３含有量が５
０重量％以下のＳｉＯ□−Ｂ２Ｏ３系ガラスが好ましい
。

Ｂ２Ｏ３含有量が５０重量％を越えると、接合時にクラ
ックが発生したり、ガラスの吸湿量が多くなる傾向があ
る。

また、ガラス接合層１３の材質として、石英ガラス、オ
キシナイトライドガラスが強度、耐熱衝撃性、気密性等
の点で好ましい。

ウェハー加熱面は平滑面とすることが好ましく、特にウ
ェハー加熱面にウェハーが直接セットされる場合には、
平面度を５００μｍ以下としてウェハーの裏面へのデポ
ジション用ガスの侵入を防止する必要がある。

抵抗発熱体７としては、高融点でありしかも窒化珪素等
との密着性に優れたタングステン、モリブデン、白金等
を使用することが適当である。

第１図の例ではウェハー加熱面を下向きにしたが、ウェ
ハー加熱面を上向きにしてもよい。

次に、ガラス接合層の形成方法について述べる。

まず、第３図に示すように、例えば窒化珪素製のヒータ
ー２の背面２２側に接合用孔２５を設け、この底部２５
ａに、接合用ガラスの小片３０を設置する。

そして、ヒーター背面２２上に位置決め用治具２７゜２
６を固定し、治具２６の孔２６ａに中空シース１２を挿
入し、中空シース１２の先端１２ｂを接合用孔２５中へ
と挿入し、この先端１２ｂを小片３０上に載置する。

接合用孔２５の上には、好ましくは窒化珪素からなるカ
バー２Ｏを固定し、このカバー２Ｏを、好ましくは窒化
珪素からなるお　もり２８で押える。

次いで、小片３０を加熱して溶融又は軟化させると、中
空シース１２が上下方向にスライド可能に保持されてい
ることから、中空シース１２が自重によって下方へと下
がり、先端１２ｂが第２図に示すように底部２５ａの方
に位置し、溶融又は軟化した接合用ガラスが、中空シー
ス先端部分１２ａと接合用孔２５内周面との間に回り込
む。この状態で放冷すると、先端部分１２ａと接合用孔
２５との間にガラス接合層１３が形成され、両者の間が
気密に接合される。なお、ガラスが溶融又は軟化したと
き、中空シースを下方へと押し込んでもよい 接合用ガラス小片として、溶融ガラスを急冷して粘度を
調節したガラスフリットを使用することもできる。更に
、ガラス接合層のガラスを結晶化させることもできる。

接合用ガラス小片を軟化又は溶融させるとき、ガラス小
片の軟化点以上で雰囲気を減圧（好ましくはＯ，１ｔｏ
ｒｒ以下）とすると、ガラス接合層中に気泡が残留しな
いので、ガラス接合層にクラックが発生するのを防止で
きる。

第４図に示す加熱装置では、中空シース１２の端部をシ
ールし、この中空シース１２を容器ｌの内部に封入する
。熱電対１４のリード線はＯリング１６によりシールさ
れ、容器１の外側に引き出されている。第４図の実施例
では中空シース１２の内部は密閉されているため、ヒー
ターの昇温による圧力変化はあるものの、容器ｌの内部
にガスが侵入したときにも中空シース１２の内部の圧力
は実質的に変化することがない。

第１図又は第４図において、中空シース１２の内部には
大気圧の空気を導入すればよいが、内部の酸化を防止す
るために還元性雰囲気で満たすことも可能である。この
ようにすれば、１１００℃程度までの加熱を容易に行う
ことができる。

上記各側において、ウェハー加熱用非金属無機質ヒータ
ーの形状は、円形ウェハーを均等に加熱するためには円
盤状とするのが好ましいが、他の形状、例えば四角盤状
、六角盤状等としてもよい。

こうしたヒーターは、プラズマエツチング装置、光エツ
チング装置等における加熱装置に対しても適用可能であ
る。

また、本発明の適用対象である非金属無機質部材は、非
金属無機質ヒーターには限らない。

以下、具体的な実験例について述べる。

実験例１ （各種ガラスによるセラミックスヒーターと中空シース
の接合及び温度測定） 第１図に示す窒化珪素製セラミックスヒーターにＭｏ製
、Ｗ製の中空シースを下記ガラスにより接合した。Ｉ　
Ｘ　１０−’ｔｏｒｒの真空容器内で接合したシース内
の熱電対の測定温度により制御し、セラミックスヒータ
ーを７００℃まで加熱し温度が一定になった時にＡｒガ
スを導入し、容器内を１０ｔｏｒｒにした時の測定温度
の変化ＡＴを測定した。各接合用ガラス中のＮａ、　Ｋ
含有量はいずれも０．０１　ｗｔＸとした。結果を表に
示す。

中空シース形状は、非金属無機質ヒーター２の温度変化
を追従性良く正確に測定できるように、熱容量をできる
だけ小さくするため、１　ｍｍ以下の薄肉でφ５世以下
の小径とすることが望ましく、実施例では中空シース先
端部分１２ａを外径φ２ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの肉厚と
し、φ３ｍｍ、深さ１３ｍｍの接合用孔２５に下記の各
ガラスにより接合した。さらに中空シースの非接合ブラ
ケットは容器ｌとのシール性及びシースの加工性を考慮
して、大径（外径φ６闘）としてリングシールした。

釘免二Ｂｔｕｓ系友二区 ガラスは電子天秤により所定量を秤量し、アルミナ製乳
鉢、乳棒により混合粉砕し、白金るつぼに入れ、１６０
０℃で溶融し、溶融物を水中投下し、ガラスフリットを
作製した。ガラスをより均質にするため、作製したガラ
スフリットをアルミナ製乳鉢、乳棒により粉砕し、白金
製るつぼに入れ１６００℃で再溶融し、溶融物をステン
レス製型に入れて固化し、型から取り出した後、φ３ｍ
ｍ、長さ６０の小片に加工した。また、粉砕し、フリッ
トも用意した。

このガラス小片を接合用孔の底に入れ、その上にシース
を置き、フリットは孔とシースの隙間に詰め、セットし
た。室温で接合電気炉内を真空にし、室温から１２Ｏ０
℃まで３００℃／ｈｒで昇温し、１２Ｏ０℃でｌｈｒ維
持した後、１４００°Ｃまで２Ｏ０°Ｃ／ｈｒで昇温し
、昇温中に電気炉内にＮ２を導入し、３気圧まで加圧し
た。１４００℃で３ｈｒ維持したのち、降温した。降温
中８００℃から４００℃までは１８Ｃ／ｈｒで降温し、
ガラスの歪み取りを行った。

石英ガラス 石英ガラスフリットを用意した。接合はＳｉＯ□−８２
Ｏ３系ガラスと同じ方法で行ったが、接合時の最高加熱
温度は１６００℃とした。

オキシナイトライドガラス 電子天秤により所定量秤量し、アルミナ製乳鉢、乳棒に
より混合粉砕し、窒化はう素ルツボに入れ、１６００℃
、Ｎ２．２　ａｔｍの雰囲気で溶融し、電気炉内で急冷
しガラスを得た。窒化はう素ルツボ中のガラスをＳｉＯ
□−Ｂ２Ｏ３系ガラスと同様に小片に加工し、接合した
。接合は室温から１４００℃まで１　ａｔｍのＮ２雰囲
気で実施した。

その結果、ＮＱ、１〜８では、容器内を１０Ｔｏｒｒに
した時の温度差ΔＴは１℃以下であったのに対し、ガラ
ス接合しない比較例のＮα１１では、ΔＴ＝１１／℃と
大きく変化した。また、接合ガラスＳｉＯ□−Ｂ２Ｏ３
　　系ガラスで８２Ｏ３が５０ｗｔＸを越えるものにつ
いては、ガラスにクラックが入ってΔＴが大きくなり、
さらにＢ２Ｏ３を増やすとガラスが吸湿した。

犬！ガ１ 実験例１において試料Ｎ０１４の組成のガラスを使用し
、不純物濃度の異なる原料からガラスを作製し、窒化珪
素製ヒーターに、これらのガラスを用いて上記の方法に
従って温度測定用シースを接合した。このヒーターのウ
ェハー加熱面にシリコンウェハーを置き、８００℃で１
時間加熱し、シリコンウェハーのヒーターに当接した側
の面について、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）でＮ
ａ、　Ｋ、　Ｍｇ。

Ｃａを分析した。

その結果、酸化物換算でＮａ２Ｏ，Ｎ２Ｏ．　ＭｇＯ，
ＣａＯが０．２ｗｔ％〜０．７ｗｔＸ含まれる場合は、
シリコンウェハ表面から内部にＮａ、　Ｋ、　Ｍｇ、　
Ｃａの拡散が認められたが２Ｏ．０１ｗｔＸ　〜０．　
ｌ　ｗｔＸ　テは表面に僅かに検出されたものの内部へ
の拡散は見られなかった。０．０１ｗｔＸ以下では全く
検出されなかった。

また、酸化物換算でＮａｚＯ，Ｎ２Ｏ．　ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏが０．２ｗｔＸ〜０゜７　ｗｔＸ含まれる場合はシリ
コンウェハ表面にＦｅも検出された。

シリコンウェハにアルカリ金属、アルカリ土類金属ある
いはＦｅなどの遷移金属が入ると、シリコン中に不純物
欠陥を形成するため好ましくない。

その内、特にＮａ、には微量でも不純物欠陥を形成する
ため、特に好ましくない。

実験例３ 実験例１の試料Ｎα４のガラスを用い、ガラス接合時に
雰囲気を減圧にした場合（０，１ｔｏｒｒ）と減圧にし
ない場合の各試料を作成し、それぞれについて室温と７
００℃との間で昇降温を行い、容器内を圧力変化させた
時の温度変化を測定した。減圧にしない場合ガラス中に
気泡が多く残留した。試験の結果、減圧にしない場合は
、１６０回目で１０℃の温度変化を生じた。試験後、接
合ガラスにクラックが発生していた。減圧にしだ場合は
２Ｏ０回以上温度変化は無かった。

（発明の効果） 本発明に係る非金属無機質部材の温度測定装置及びその
製造方法によれば、容器の内部の圧力が変化しても実質
的に内部圧力が変化しない中空シースの内部に熱電対を
収容するので、容器の内部の圧力が変化しても熱電対の
周囲のガス分子の挙動が変化することがなく、従って常
に安定した温度測定が可能である。

また、ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有
しないガラスからなるガラス接合層により、中空シース
の先端部分を非金属無機質部材へと接合するので、高度
の清浄性を要求される装置においてもこの接合部分から
ナトリウム、カリウムによる汚染を生ずるおそれはない
。

また、本発明に係る加熱装置によれば、上記の効果に加
え、非金属無機質ヒーターの温度を安定して測定できる
ことにより、容器内の圧力が大きく変化しても、非金属
無機質ヒーターの温度を正確に制御することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は非金属無機質ヒーターを容器内に設置した状態
を示す概略断面図、 第２図は第１図のＡ部拡大図、 第３図は中空シースを非金属無機質ヒーターへと接合す
る前の状態を示す断面図、 第４図は他の非金属無機質ヒーターを容器内に設置した
状態を示す概略断面図である。 ２・・・円盤状非金属無機質ヒーター ７・・・抵抗発熱体　　　　９・・・フランジ１２・・
・中空シース １２ａ・・・中空シースの先端部分 １２ｂ・・・先端　　　　　　１３・・・ガラス接合層
１４・・・熱電対　　　　　　２Ｏ・・・カバー２２・
・・ヒーター背面　　　２５・・・接合用孔２５ａ・・
・接合用孔の底部　３０・・・ガラス小片第１ｖ！！ 第２図 手　　続　　補　　正　　書 平成３年９月２７日 特許庁長官　　　深　　沢　　　　　　亘　　殿１、事
件の表示 平成２年特許願第１９７８１５号 ２、発明の名称 非金属無機質部材の温度測定装置、その製造方法及びこ
れを利用した加熱装置 ４、代理人 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容（別紙の通り） １、明細書第９頁第５行を「ための金属製又はセラミッ
クス製の鞘を意味するものであり、管状の一端を袋管と
したもの又は、両端が貫通穴となるものをも包含する。 また」に訂正し、同頁第１６行を「が好ましい。更に高
熱伝導率の特性を有する窒化アルミニウムは測温の高精
度化の点で好ましい。」に訂正する。 ２、同第１１頁第５行の「からなるもので、」を「ある
いはセラミックス（窒化珪素、窒化アルミニウム、アル
ミナ、サイアロン等）からなるもので、」に訂正する。 ３、同第１３頁第１行の「不可能である。」の次に「又
、一般に使用される無機系接着剤は、Ｎａ等のアルカリ
成分を数％以上含むため、アルカリのコンタミネーショ
ンを問題とする半導体製造装置に使用することができな
かった。」を加入する。 ４、同第１４頁第１９〜２Ｏ行間に下記を加入する。 「　特に、シースとヒーターの材質を同じくした場合に
は、ガラスの熱膨張率をできるだけシースとヒーターの
熱膨張率に近づけるのが好ましい。」 ５、同第１６頁第７〜８行間に下記を加入し、［特に中
空シース１２をヒータ２と同材質とする事で熱膨張を完
全に一致させる事ができる。」同頁第１５〜１６行間に
下記を加入する。 「　更に半導体製造装置内で使用する場合には、コンタ
ミネーションを防止するためタングステン、モリブデン
、ニッケル、シリコン、Ｓｉｎ、、５ｉ３Ｎａ＋、Ｓｉ
Ｃ、ＡｆＮ　、　Ａｆｚ（ｈ　、サイアロン等が好まし
い。」 ６、同第１７頁第３〜４行間に下記を加入する。 「　更にセラミックスヒーターの１１００°Ｃまでの耐
熱性を生かすために、接合ガラスの転位温度が高い方が
好ましく、オキシナイトライドガラスが最も適している
。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、圧力が変化する容器の内部に設置された非金属無機
   質部材の温度測定装置であって、前記容器の内部の圧力
   が変化しても実質的に内部圧力が変化しない中空シース
   ； この中空シースの内部に収容された熱電対；及び ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しない
   ガラスからなり、前記中空シースの先端部分を前記非金
   属無機質部材へと接合するガラス接合層 を有する、非金属無機質部材の温度測定装置。 ２、前記ガラスが、Ｂ＿２Ｏ＿３含有量が５０重量％以
   下のＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿３系ガラスである、請求項
   １記載の非金属無機質部材の温度測定装置。 ３、前記ガラスが石英ガラスである、請求項１記載の非
   金属無機質部材の温度測定装置。４、前記ガラスがオキ
   シナイトライドガラスである、請求項１記載の非金属無
   機質部材の温度測定装置。 ５、前記非金属無機質部材がセラミックスからなる、請
   求項１〜４項のうちいずれか一つの項に記載の非金属無
   機質部材の温度測定装置。 ６、前記非金属無機質部材がセラミックスヒーターであ
   る、請求項５記載の非金属無機質部材の温度測定装置。 ７、非金属無機質部材に設けられた接合用孔の底部に接
   合用ガラスの小片を収容する工程；及び この接合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、
   かつ熱電対が収容された中空シースの先端を前記接合用
   孔の前記底部に位置させ、これにより前記接合用孔と前
   記中空シースの先端部分との間にガラス接合層を形成し
   、前記中空シースと前記非金属無機質部材とを接合する
   工程 を有する、非金属無機質部材の温度測定装置の製造方法
   。 ８、前記接合用孔と前記中空シースの先端部分との間に
   接合用ガラス層を形成するに際し、前記小片を前記接合
   用ガラスの軟化点以上の温度で保持した状態で雰囲気を
   減圧にする、請求項７項記載の非金属無機質部材の温度
   測定装置の製造方法。 ９、圧力が変化する容器； 抵抗発熱体が埋設され、前記容器の内部に設置された非
   金属無機質ヒーター； 前記容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧力が
   変化しない中空シース： この中空シースの内部に収容された熱電対：及び ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しない
   ガラスからなり、前記中空シースの先端部分を前記非金
   属無機質ヒーターへと接合するガラス接合層 を有する加熱装置。