JPH0484723A

JPH0484723A - 加熱装置

Info

Publication number: JPH0484723A
Application number: JP19781990A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Yoshida; 昭彦吉田
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1990-07-27
Filing date: 1990-07-27
Publication date: 1992-03-18
Anticipated expiration: 2010-11-13
Also published as: JPH07104213B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は非金属無機質部材の温度測定装置及びこれを利
用した加熱装置に関するものである。

（従来の技術及びその問題点）スーパークリーン状態を必要とする半導体製造用装置で
は、デポジション性ガス、エツチング用ガス、クリーニ
ング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐食性ガ
スが使用されている。このため、ウェハーをこれらの腐
食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱装置と
して、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、インコ
ネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使用する
と、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化物、弗
化物等の粒径数μｍの、好ましくないパーティクルが発
生する。

そこで、デポジション用ガス等に曝露される容器の外側
に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外線透過窓を設
け、グラファイト等の耐食性良好な材質からなる被加熱
体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置かれたウェハ
ーを加熱する、間接加熱方式のウェハー加熱装置が開発
されている。

ところがこの方式のものは、直接加熱式のものに比較し
て熱損失が大きいこと、温度上昇に時間がかかること、
赤外線透過窓へのＣＶＤ膜の付着により赤外線の透過が
次第に妨げられ、赤外線透過窓で熱吸収が生じて窓が加
熱すること等の問題があった。

（発明に至る経過）上記の問題を解決するため、新たに円盤状の緻密質セラ
ミックス内に抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒ
ーターをグラファイトのケースに保持した加熱装置につ
いて検討した。その結果この加熱装置は、上述のような
問題点を一掃した極めて優れた装置であることが判明し
た。しかし、更に研究を進める過程で、セラミックスヒ
ーターの半導体ウェハー加熱面の温度測定に問題がある
ことが解った。

即ち、例えば従来の金属ヒーターでは熱電対がヒータ内
部にほぼ完全に埋め込まれ、熱電対の一端はウェハー加
熱面付近に位置し、熱電対の他端は容器外へと取り出さ
れている。従って熱電対は容器内部に露出しておらず、
特に誤動作を起こすおそれもなかった。

これに対し、上記したような円盤状セラミックスヒータ
ーの場合には、このヒーター本体に熱電対の一端を直接
取り付ける必要があった。そして、このような加熱装置
は、通常の一定圧力で使用する場合には大きな問題はな
いが、容器の内部を圧力変化させた場合には熱電対に誤
動作を生ずることがあり、正確なヒーター温度の制御が
行えないという問題が生じた。

さらに、ヒーター本体に熱電対の一端を取り付ける際、
ウェハー加熱面に対して直接熱電対を取り付けることは
できず、ヒーター背面へと取り付ける必要があるため、
熱電対による測定温度がウェハー加熱温度と非常に大き
く食い違うという問題も生じた。

（発明が解決しようとする課題）本発明の課題は、ガス圧力の変動時において正確に非金
属無機質部材の温度測定を行うことができ、しかも無機
質部材の真の温度との偏差が小さい、非金属無機質部材
の温度測定装置を提供することである。

さらに、本発明の課題は、上記の温度測定装置を利用し
て非金属無機質ヒーターの温度を正確に制御できるよう
にした加熱装置を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明は、圧力が変化する容器の内部に設置された非金
属無機質部材の温度測定装置であって、前記容器の内部
の圧力が変化しても実質的に内部圧力が変化しない中空
シース；この中空シースの内部に収容された熱電対；前
記中空シースの先端部分が収容され、前記非金属無機質
部材の厚みの１０％以上の深さを有する接合用孔；及び
この接合用孔と前記中空シースの先端部分との間隙に形
成されたガラス接合層を有する、非金属無機質部材の温
度測定装置に係るものである。

また、本発明は圧力が変化する容器；抵抗発熱体が埋設
され、前記容器の内部に設置された非金属無機質ヒータ
ー；前記容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧
力が変化しない中空シース；この中空シースの内部に収
容された熱電対；前記中空シースの先端部分が収容され
、前記非金属無機質ヒーターの厚みの１０％以上の深さ
を有する接合用孔；及びこの接合用孔と前記中空シース
の先端部分との間隙に形成されるガラス接合層を存する
加熱装置に係るものである。

「中空シース」とは、内部に熱電対を収容するための金
属製の鞘を意味するものである。

温度測定の対象となる非金属無機質部材は一般のアルミ
ナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等のセラミックス及び半導体材料であるシリコン、ガ
リウム、砒素及びこれらの無機物質を含有する複合物を
包含する。非金属無機質部材に抵抗発熱体を埋設した場
合には、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等が
好ましく、特に耐熱衝撃性の高い窒化珪素、サイアロン
が好ましい。

（実施例）第１図において、１は半導体製造用熱ＣＶＤに使用され
る容器、２はその内部のケース３に取付けられたウェハ
ー加熱用のヒーター本体であり、その大きさは例えば４
〜８インチとしてウェハーを設置可能なサイズとしてお
く。

容器１の内部にはガス供給孔４から熱ＣＶＤ用のガスが
供給され、吸引孔５から真空ポンプにより内部の空気が
排出される。非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のよう
な緻密でガスタイトな非金属無機質材料の内部に抵抗発
熱体７をスパイラル状に埋設したもので、その中央およ
び端部のケーブル８を介して外部から電力が供給され、
非金属無機質ヒーター２を例えば１１００°Ｃ程度に加
熱することができる。９はケース３の上面を覆う水冷ジ
ャケット１０付きのフランジであり、Ｏリング１１によ
り容器１の側壁との間をシールされ、容器１の天井面を
構成している。

１２はこのような容器１のフランジ９の壁面を貫通して
容器１の内部に挿入された中空シースである。中空シー
ス１２はモリブデン又はタングステンからなるもので、
図示のようにその先端部分１２ａは、伝熱による放熱を
少なくするために細く成形されている。中空シース１２
の上端はフランジ９の外部に達しているので、中空シー
ス１２の内部は容器１の内圧変化に影響されない一定圧
力に保たれている。そしてこのような中空シース１２の
内部に、ステンレスシース付きの熱電対１４が収容され
ている。なお中空シース１２と容器１のフランジ９との
間には０リング１５が設けられ、大気の侵入を防止して
いる。

中空シース１２と非金属無機質ヒーター２の背面２２と
の接合は、第２図に拡大して示すように行う。

即ち、ヒーター背面２２側に開口した断面円形の接合用
孔２５をヒーター２に設け、この接合用孔２５内に中空
シース先端部分１２ａを挿入し、両者の間をガラス接合
層１３で接合する。

接合用孔２５の深さＬは、非金属無機質ヒーターの厚み
ｄの１０％以上とし、より好ましくは５０％以上とする
。また、接合用孔２５の開口端部にはテーパー面４２を
設けである。更に、接合用孔２５は、好ましくは窒化珪
素からなる非金属無機質板２０で覆われ、この非金属無
機質板２０は、中空シースの先端部分１２ａが貫通する
貫通孔２０ａを有している。

本実施例に係る半導体ウェハー加熱装置又は半導体ウェ
ハー加熱用非金属無機質ヒーターの温度測定装置によれ
ば、以下の効果を奏しうる。

（１）本発明者は上記した熱電対の誤動作の原因を追求
した結果、特に真空中の場合、熱電対の周囲のガス分子
の挙動は大気圧〜ｌ　ｔｏｒｒの真空状態においては粘
性流域にあるが、真空度が高まると分子流域に移行し、
これに伴って熱電対の周囲における熱移動の態様が大幅
に変化するため、正確な温度測定ができなくなることを
知った。また粘性流域においても、大きい圧力変動によ
る温度測定誤動作が存在することが判った。

また、一般に温度測定の対象物が金属材料である場合に
は、熱電対を直接ろう付けや溶接により金属ヒーターへ
と取り付けることが可能であるが、上記のように温度測
定の対象物が非金属無機質ヒーターの場合には、直接的
な取り付けが不可能である。このために従来者えうる方
法は、無機質ヒーターの穴に熱電対を機械的に押しつけ
る方法だけであり、非金属無機質ヒーターとの間の熱移
動は圧力変化をするガスに依存していることを知った。

この点、本実施例においては、内部が容器工の内圧変化
に対して実質的に変化しないように保たれた中空シース
１２の先端部分１２ａを接合用孔２５内に接合し、中空
シースの内部に熱電対１４を収容しであるので、熱電対
１４の周囲は、容器１の内圧変化に影響されない一定圧
力に保たれている。このために仮に容器１の内部が高真
空度まで減圧されても、熱電対１４の周囲のガス分子の
挙動が変化することがなく、常に安定した温度検出が可
能である。従って本発明の加熱装置は、高真空度中で非
金属無機質ヒーターの温度を正確に制御することができ
る。

（２）中空シース先端部分１２ａと非金属無機質ヒータ
２との接合をガラスによって行っているので、気密性が
高く、またこの接合部分の耐熱性、安定性が高い。

ガラスの熱膨張率は温度変化の耐久性の面から基材とシ
ース材の熱膨張率の中間が望ましい。

（３）接合用孔２５の深さＬを、非金属無機質ヒーター
２の厚みの１０％以上（より好ましくは５０％以上）と
したので、ウェハー加熱面６の真の温度と、熱電対１４
による測定温度との偏差を小さく抑えることができる。

なお、接合用孔２５が実質的に非金属無機質ヒーター２
をその厚さ方向に貫通していてもよい。ここで、実質的
に貫通するとは、接合用孔２５の底部２５ａがウェハー
加熱面６側にごく僅かな面積だけ点的に現れる場合も含
む趣旨である。

（４）接合用孔２５の開口端部にテーパー面４２を設け
ているので、ガラス接合層１３の形成時にガラス量のコ
ントロールがし易い。

即ち、ガラス接合層１３を形成する際には、後述するよ
うに、まず接合用孔２５中に接合用ガラス小片を入れ、
これを溶融又は軟化させ、中空シースの先端部分１２ａ
を接合用孔２５内に入れる。このとき、接合用ガラス小
片の重量を予め計算し、接合用ガラスが接合用孔２５か
ら溢れたりするのを防止しなければならい。しかし、現
実の製作段階ではある程度の寸法誤差が生じ得るため、
接合用ガラス量のコントロールは難しいのである。

この点、本実施例では、テーパー面４２を形成すること
で、接合用孔２５の開口端部付近の容積を大きくしであ
るので、接合用孔２５の寸法等に若干の誤差が生じても
、ガラス接合層１３の表面の高さはさほど上下しないた
め、接合用ガラス量の計算、寸法誤差に対する裕度を大
きくできる。

（５）接合用孔２５を非金属無機質板２０で覆い、この
貫通孔２０ａに中空シースの先端部分１２ａを貫通させ
ているので、仮に中空シース１２に図面において左右方
向へのモーメントが働いてもこれを非金属無機質板２０
で押える作用があり、このモーメントによりガラス接合
層１３にクラックが入るのを防止する作用がある。

（６）接合用孔２５の径と中空シースの先端部分１２ａ
の外径との差を０．２ｍｍ以上、５．０閣以下とすると
、非金属無機質ヒーター２の加熱、冷却を繰り返し行っ
ても、熱膨張差によるクランクの発生を防止できる。

即ち、上記の差が０．２　ａｎより小さいと、中空シー
ス１２の材料とヒーター材料との間のクリアランスが小
さすぎ、両者の熱膨張差をガラス接合層１３で緩和する
ことが困難になる傾向がある。また、上記の差が５．０
ｍｍを越えると、今度はガラス接合層１３と中空シース
の先端部分１２ａとの間の熱膨張差が大きくなり、ガラ
ス接合層１３にクラックが発生し易くなる。

（７）従来の金属ヒーターでは、熱電対がヒーター内に
配置されていたため、熱電対の交換が容易ではなかった
。しかし第１図に示すように、熱電対１４を、容器１の
壁面を貫通する中空シースＩ２の内部に設けておけば、
容器１のシール性を損なうことなく熱電対１４だけを容
易に交換することができる。

（８）非金属無機質材料として窒化珪素を採用すると、
ヒーターの強度が高く、窒化珪素の熱膨張率の小ささか
らヒーターの耐熱衝撃性も高く、高温への急熱、急冷を
繰り返して行ってもヒーターが破損しない。また、窒化
珪素が耐食性に優れていることから、熱ＣＶＤ装置内等
の腐食性ガス条件下でもヒーターの耐久性が高く、寿命
が長くなる。

（９）本実施例の加熱装置によれば、ヒーター材料とし
て非金属無機質材料を使用しているので、従来の金属ヒ
ーターの場合のような汚染を防止できる。また、容器Ｉ
内に設置した円盤状ヒーターで半導体ウェハーを直接加
熱するので、間接加熱方式の場合のような熱効率の悪化
の問題を解決できる。

００）中空シース１２をモリブデン又はタングステンあ
るいはこれを主成分とする合金からなるものとすれば、
非金属無機質ヒーター２と中空シース１２とガラス接合
層１３との熱膨張をほぼ一致させることができ、クラッ
クの発生を防止することができる。

００　　中空シース１２の材質として、酸化セリウム添
加モリブデンを使用すると、小径穴の加工性が良好とな
り、しかもガラス接合時に中空シース先端部分１２ａを
例えば１１００度〜１８００度に加熱しても、この先端
部分１２ａが脆化しない。

なお、接合性、加工性、また脆化性の問題がなケレハ、
ステンレス、ハステロイ、インコロイ等の合金を使用し
てもかまわない。

ガラス接合層１３の材質としては、Ｂ！０３含有量が５
０重量％以下のＳｉｎ、　−Ｂ、０２系ガラスが好まし
い。

Ｂ２０．含有量が５０重量％を越えると、接合時にクラ
ックが発生したり、ガラスの吸湿量が多くなる傾向があ
る。

また、ガラス接合層１３の材質として、石英ガラス、オ
キシナイトライドガラスが強度、耐熱衝撃性、気密性等
の点で好ましい。

ウェハー加熱面６は平滑面とすることが好ましく、特に
ウェハー加熱面６にウェハーが直接セットされる場合に
は、平面度を５００μ−以下としてウェハーの裏面への
デポジション用ガスの侵入を防止する必要がある。

抵抗発熱体７としては、高融点でありしかも窒化珪素等
との密着性に優れたタングステン、モリブデン、白金等
を使用することが適当である。

第１図の例ではウェハー加熱面を下向きにしたが、ウェ
ハー加熱面を上向きにしてもよい。

次に、ガラス接合層の形成方法について述べる。

まず、第３図に示すように、例えば窒化珪素製のヒータ
ー２の背面２２側に接合用孔２５を設け、この底部２５
ａに、接合用ガラスの小片３０を設置する。

そして、ヒーター背面２２上に位置決め用治具２７゜２
６を固定し、治具２６の穴２６ａに中空シース１２を挿
入し、中空シース１２の先端１２ｂを接合用孔２５中へ
と挿入し、この先端１２ｂを小片３０上に載置する。

接合用孔２５の上には、好ましくは窒化珪素からなる非
金属無機質板２０を固定し、この非金属無機質板２０を
、好ましくは窒化珪素からなる錘り２８で押さえる。

次いで、小片３０を加熱して溶融又は軟化させると、中
空シース１２が上下方向にスライド可能に保持されてい
ることから、中空シース１２が自重によって下方へと下
がり、先端１２ｂが第２図に示すように底部２５ａの方
に位置し、溶融又は軟化した接合用ガラスが、中空シー
ス先端部分１２ａと接合用孔２５内周面との間に回り込
む。この状態で放冷すると、先端部分１２ａと接合用孔
２５との間にガラス接合層１３が形成され、両者の間が
気密に接合される。なお、ガラスが溶融又は軟化したと
き、中空シースを下方へと押し込んでもよい。

接合用ガラス小片として、溶融ガラスを急冷して粒度を
調節したガラスフリットを使用することもできる。更に
、ガラス接合層のガラスを結晶化させることもできる。

接合用ガラス小片を軟化又は溶融させるとき、ガラス小
片の軟化点以上で雰囲気を減圧（好ましくは０．１ｔｏ
ｒｒ以下）とすると、ガラス接合層中に気泡が残留しな
いので、ガラス接合層にクラックが発生するのを防止で
きる。

第４図に示す加熱装置では、中空シース１２の端部をシ
ールし、この中空シース１２を容器１の内部に封入する
。熱雷対１４のリード線はＯリング１６によりシールさ
れ、容器１の外側に引き出されている。第４図の実施例
では中空シース１２の内部は密閉されているため、ヒー
ターの昇温による圧力変化はあるものの、容器１の内部
にガスが侵入したときにも中空シース１２の内部の圧力
は実質的に変化することがない。

第１図又は第４図において、中空シース１２の内部には
大気圧の空気を導入すればよいが、内部の酸化を防止す
るために還元性雰囲気を満たすことも可能である。この
ようにすれば、１１００°Ｃ程度までの加熱を容易に行
うことができる。

上記各側において、ウェハー加熱用非金属無機質ヒータ
ーの形状は、円形ウェハーを均等に加熱するためには円
盤状とするのが好ましいが、他の形状、例えば四角盤状
、六角盤状等としてもよい。

こうしたヒーターは、プラズマエツチング装置、光エツ
チング装置等における加熱装置に対しても適用可能であ
る。

また、本発明の適用対象である非金属無機質部材は、非
金属無機質ヒーターには限られない。

以下、具体的な実験例について述べる。

１ｉ貫上第１図に示す熱ＣＶＤ装置を用い、窒化珪素製円盤状セ
ラミックスヒーター２の厚みｄを２０卸とし、モリブデ
ン製中空シース１２の先端部分１２ａの外径を２．０　
ｍｍ、接合用孔２５の径を３．０口とした。

この先端部分１２ａと接合用孔２５とを、５ｉＯｚ　：
　６２重量％、Ｂ２０：ｌ　：　３８重量％のガラスに
より接合し、Ｉ　Ｘｌ０−’ｔｏｒｒの真空容器内で、
中空シース１２内の熱電対の測定温度で制御し、セラミ
ックスヒーターを７００　’Ｃまで加熱した。

そして、透明な石英窓４０を容器に設け、赤外線放射温
度計４１でウェハー加熱面での温度を測定し、熱電対１
４による測定温度と赤外線放射温度計による測定温度と
の偏差ΔＴを得た。結果を表１に示す。

その結果、Ｌ／ｄ　＜　１０％ではＬ／ｄに対するΔＴ
の変化が大きくヒータなど被測定物毎のバラツキが大き
くなるため、Ｌ／ｄ≧１０％が望ましいことがわかる、
さらにＬ／ｄ≧５０％ではＬ／ｄに対するΔＴの変化が
さらに小さくなり、より望ましい。

（Ｓｔｏｗ　−ＢｚＯ３系ガラス接合方法）電子天秤に
より所定量のガラスを秤量し、アルミナ製乳鉢、乳棒に
より混合粉砕し、白金製るつぼに入れ、１６００℃で溶
融し、溶融物を水中投下し、ガラスフリットを作製した
。ガラスをより均質にするため、作製したガラスフリッ
トをアルミナ製乳鉢、乳棒により粉砕し、白金製るつぼ
に入れ１６００℃で再溶融し、溶融物をステンレス製型
に入れて固化し、型から取り出した後中空シース先端部
分１２ａ　と接合用孔２５とのクリアランスに相当する
ガラスの小片に加工した。ガラス小片を接合用孔の底部
２５ａに入れ、その上にシースを置き、電気炉にて接合
した。接合は室温で接合電気炉内を真空にし、室温から
１２００°Ｃまで３００°Ｃ／ｈｒで昇温、１２００℃
でｌｈｒ維持した後、１４００″Ｃまで２００°Ｃ／ｈ
ｒで昇温し、昇温中に電気炉内にＮ２を導入し、３気圧
まで加圧した。１４００°Ｃで３ｈｒ維持したのち、降
温した。降温中８００°Ｃから４００°Ｃまでは１°Ｃ
／ｈｒで降温し、ガラスの歪み取りを行った。

スｆｆｉ実験例１と同様にして第１図に示すような接合構造を作
製した。

ただし、セラミックスヒーター２の厚みは１５ｍｍとし
、接合用孔２５の深さを１２ｍｍとして、接合用孔２５
の径とモリブデン製中空シースの先端部分１２ａの外径
とを変更した。また、テーパー面４２を形成した場合と
形成しない場合とについて実験を行い、更に窒化珪素製
の円形板２０を設けた場合と設けない場合との双方につ
いて実験を行った。

そして、中空シース内の熱電対の測定温度によって制御
しつつセラミックスヒーターを７００°Ｃまで加熱し、
測定温度が一定になった時にアルゴンガスを容器内に導
入し、容器内の圧力を１０ｔｏｒｒにした時の測定温度
の変化（初期ΔＴ）を測定した。

また、室温と７００°Ｃとの間での昇降温とΔＴの測定
とを繰り返して行い、八Ｔが２°Ｃ以上となった時の昇
降温回数を測定した。そして、Ｎ０１１〜９については
、２００回目の測定値を最終６丁とし、Ｎ０１０、１１
についてはΔＴが２°Ｃを越えたときの値を最終６丁と
した。

二のように、接合用孔２５の径と先端部分１２ａとの差
（クリアランス）を０．２ｍｍ以上、５．０＋ｎｍ以下
とすること、テーパー面４２を設けること、円形板２０
を設けることは、いずれも八Ｔを小さく抑え、接合部分
の耐久性を高めるうえで効果がある。

（発明の効果）本発明に係る非金属無機質部材の温度測定装置によれば
、容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧力が変
化しない中空シースの内部に熱電対を収容するので、容
器の内部の圧力が変化しても熱電対の周囲のガス分子の
挙動が変化することがなく、従って常に安定した温度測
定が可能である。

そして、非金属無機質部材の厚みの１０％以上の深さを
有する接合用孔に、中空シースの先端部分を収容するの
で、非金属無機質部材の温度変化面の真の温度と熱電対
による測定温度との偏差を小さく抑えることができる。

また、本発明に係る加熱装置によれば、上記の効果に加
えて、非金属無機質ヒーターの温度を安定して測定でき
ることにより、容器内の圧力が大きく変化しても、非金
属無機質ヒーターの温度を正確に制御することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は非金属無機質ヒーターを容器内に設置した状態
を示す概略断面図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図は中空シースを非金属無機質ヒーターへと接合す
る前の状態を示す断面図、第４図は他の非金属無機質ヒーターを容器内に設置した
状態を示す概略断面図である。２・・・円盤状非金属無機質ヒーター６・・・ウェハー加熱面７・・・抵抗発熱体９・・・フランジ　　　　　１２・・・中空シース１２
ａ・・・中空シースの先端部分１２ｂ・・・先端　　　　　　１３・・・ガラス接合層
１４・・・熱電対　　　　　　２０・・・非金属無機質
板２０ａ・・・貫通孔　　　　　２２・・・ヒーター背
面２５・・・接合用孔　　　　　２５ａ・・・接合用孔
の底部３０・・・ガラス小片　　　　４１・・・赤外線
放射温度計４２・・・テーパー面第１図第２図手続補正書平成３年月日

Claims

【特許請求の範囲】

１．圧力が変化する容器の内部に設置された非金属無機
質部材の温度測定装置であって、前記容器の内部の圧力
が変化しても実質的に内部圧力が変化しない中空シース
；この中空シースの内部に収容された熱電対；前記中空シ
ースの先端部分が収容され、前記非金属無機質部材の厚
みの１０％以上の深さを有する接合用孔；及びこの接合用孔と前記中空シースの先端部分との間隙に形成されたガラス接合層を有する、非金属無
機質部材の温度測定装置。
２．前記接合用孔の開口端部にテーパー面を形成した、
請求項１記載の非金属無機質部材の温度測定装置。
３．前記接合用孔を、前記中空シースの先端部分が貫通
する貫通孔を有する非金属無機質板で覆う、請求項１記
載の非金属無機質部材の温度測定装置。
４．前記接合用孔の径と前記中空シースの先端部分の外
径との差が０．２ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下である、請
求項１記載の非金属無機質部材の温度測定装置。
５．前記接合用孔が前記非金属無機質部材をその厚み方
向に実質的に貫通している、請求項１記載の非金属無機
質部材の温度測定装置。
６．前記非金属無機質部材がセラミックスからなる、請
求項１記載の非金属無機質部材の温度測定装置。
７．前記非金属無機質部材がセラミックスヒーターであ
る、請求項１記載の非金属無機質部材の温度測定装置。
８．圧力が変化する容器；抵抗発熱体が埋設され、前記容器の内部に設置された非
金属無機質ヒーター；前記容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧力が
変化しない中空シース；この中空シースの内部に収容された熱電対；前記中空シ
ースの先端部分が収容され、前記非金属無機質ヒーターの厚みの１０％以上の深さを
有する接合用孔；及びこの接合用孔と前記中空シースの先端部分との間隙に形成されるガラス接合層を有する加熱装置。