JPH0697135A - 半導体ウエハ研磨のための懸濁液封止装置 - Google Patents
半導体ウエハ研磨のための懸濁液封止装置Info
- Publication number
- JPH0697135A JPH0697135A JP13846593A JP13846593A JPH0697135A JP H0697135 A JPH0697135 A JP H0697135A JP 13846593 A JP13846593 A JP 13846593A JP 13846593 A JP13846593 A JP 13846593A JP H0697135 A JPH0697135 A JP H0697135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- band
- suspension
- polishing
- sealing device
- clamping means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学機械研磨のための懸濁液封止装置の改
善。 【構成】 半導体ウエハの化学機械研磨のための研削用
懸濁液は、可撓性の異なる二つの連続した環状の接合さ
れた条帯２１０、２２０を有する封止装置によって、回
転する研磨テーブルの上に保持される。ゆるめることが
できるクランプ２４２が、より可撓性のある方の条帯２
２０の全長にわたって、そのテーブルの周縁を封止す
る。
善。 【構成】 半導体ウエハの化学機械研磨のための研削用
懸濁液は、可撓性の異なる二つの連続した環状の接合さ
れた条帯２１０、２２０を有する封止装置によって、回
転する研磨テーブルの上に保持される。ゆるめることが
できるクランプ２４２が、より可撓性のある方の条帯２
２０の全長にわたって、そのテーブルの周縁を封止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハあるいは類
似の加工物の化学機械研磨に関する、そして特に回転す
る研磨テーブルの上に研削懸濁液を効果的に封止する装
置に関する。
似の加工物の化学機械研磨に関する、そして特に回転す
る研磨テーブルの上に研削懸濁液を効果的に封止する装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化学機械研磨(以下ＣＭＰとい
う。)工程において、パシベーションされた半導体ウエ
ハは研磨パッドに対して回転させられる。回転テーブル
の上に導入させられるｐＨを管理された研削懸濁液は、
ウエハの表面が非常に滑らかな平坦面になるように、パ
シベーション層の適切なエッチング率を維持する。コー
トおよびリーチに与えられた米国特許 4,910,155号に
は、半導体ウエハの研磨のための好ましい手順と材料が
記述され、この特許には、また化学機械研磨方法の他の
記述も言及されている。
う。)工程において、パシベーションされた半導体ウエ
ハは研磨パッドに対して回転させられる。回転テーブル
の上に導入させられるｐＨを管理された研削懸濁液は、
ウエハの表面が非常に滑らかな平坦面になるように、パ
シベーション層の適切なエッチング率を維持する。コー
トおよびリーチに与えられた米国特許 4,910,155号に
は、半導体ウエハの研磨のための好ましい手順と材料が
記述され、この特許には、また化学機械研磨方法の他の
記述も言及されている。
【０００３】あるＣＭＰシステムでは、懸濁液は平坦な
研磨テーブル上に連続的に流れ込む。テーブルが回転す
ると懸濁液はテーブルの端から振り払われ、ドレインに
より排出される。これは懸濁液材料の浪費であり、それ
ぞれ異なった場所で懸濁液が不均一になり、研削用懸濁
液を周囲の機械類にまき散らすことになる。コート他の
特許には、テーブルの縁部を囲み矩形断面をもつ立上り
壁が記述されている。そのような壁あるいは封止装置
は、研磨テーブルの全周囲にわたって液漏れ防止シール
を形成する必要がある。その上同時に、その壁は研磨テ
ーブルを定期的に清掃するために、容易に取り外すこと
ができ、新しい懸濁液を使った次の運転の段取りのため
に、短時間でテーブルに再設置されなければならない。
研磨テーブル上に連続的に流れ込む。テーブルが回転す
ると懸濁液はテーブルの端から振り払われ、ドレインに
より排出される。これは懸濁液材料の浪費であり、それ
ぞれ異なった場所で懸濁液が不均一になり、研削用懸濁
液を周囲の機械類にまき散らすことになる。コート他の
特許には、テーブルの縁部を囲み矩形断面をもつ立上り
壁が記述されている。そのような壁あるいは封止装置
は、研磨テーブルの全周囲にわたって液漏れ防止シール
を形成する必要がある。その上同時に、その壁は研磨テ
ーブルを定期的に清掃するために、容易に取り外すこと
ができ、新しい懸濁液を使った次の運転の段取りのため
に、短時間でテーブルに再設置されなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＭＰシステム
のための封止装置は、液体が漏れやすく、物理的に使い
にくく、取付け、取外しにくい傾向があった。あるあま
り洗練されていないシステムでは、壁は単に研磨テーブ
ルの縁の周りにテープで取付けられた薄いプラスチック
の板あるいは金属のバンドにしか過ぎないものであっ
た。そのようなシステムでは、多量の漏れが発生する
し、運転の間の清掃では壁のテープの取り外し、再設
置、そして壁全体の再シーリングが必要となる。他のＣ
ＭＰシステム装置では、厚い円周状の金属壁を平坦な研
磨テーブルの数個所の座ぐり部にボルト締めしている。
このような壁はかさばっているが、それでもぜい弱であ
り、研磨テーブルからそれを取外す際、元の形から容易
に変形してしまう。次の新しい運転のための再設置に
は、正確な位置決めと数個所の多くのボルト締めの手作
業が必要となる。しかし、ボルトとボルトの間の領域で
壁とテーブルの間での漏れは、それでもなお発生する。
のための封止装置は、液体が漏れやすく、物理的に使い
にくく、取付け、取外しにくい傾向があった。あるあま
り洗練されていないシステムでは、壁は単に研磨テーブ
ルの縁の周りにテープで取付けられた薄いプラスチック
の板あるいは金属のバンドにしか過ぎないものであっ
た。そのようなシステムでは、多量の漏れが発生する
し、運転の間の清掃では壁のテープの取り外し、再設
置、そして壁全体の再シーリングが必要となる。他のＣ
ＭＰシステム装置では、厚い円周状の金属壁を平坦な研
磨テーブルの数個所の座ぐり部にボルト締めしている。
このような壁はかさばっているが、それでもぜい弱であ
り、研磨テーブルからそれを取外す際、元の形から容易
に変形してしまう。次の新しい運転のための再設置に
は、正確な位置決めと数個所の多くのボルト締めの手作
業が必要となる。しかし、ボルトとボルトの間の領域で
壁とテーブルの間での漏れは、それでもなお発生する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
あるいは類似の加工物の化学機械研磨のための改良され
た封止装置を提供する。その封止装置は研磨テーブルか
らの懸濁液の漏れを効果的に防ぐ。それは清掃のために
容易に取外すことができ、短時間に再設置できる。それ
は軽いが、ぜい弱ではなく、損傷され易いものではな
い。それはまた、非常に安価で、一般の材料で簡単に製
作できる。
あるいは類似の加工物の化学機械研磨のための改良され
た封止装置を提供する。その封止装置は研磨テーブルか
らの懸濁液の漏れを効果的に防ぐ。それは清掃のために
容易に取外すことができ、短時間に再設置できる。それ
は軽いが、ぜい弱ではなく、損傷され易いものではな
い。それはまた、非常に安価で、一般の材料で簡単に製
作できる。
【０００６】本発明にもとづく封止装置は、比較的剛性
があり、可撓性に富む材料で、実質的に円周状の周囲を
もつ研磨テーブルに合わせて形づくられた、環状の連続
したバンドを有する。そのテーブルの周囲に密接して適
合する、剛性は少ないが、可撓性材料による、もう一つ
の環状の連続したバンドは、第一のバンドに対し、連続
した不透性の接合を有する。前記の第二のバンドの全内
側表面はテーブルの周囲に緊密に押しつけるように、可
撓性のクランプが第二のバンドを完全に取巻いている。
テーブルの周囲から封止装置全体を取外せるように、第
二のバンドを充分にゆるめるためのリリーズあるいはラ
ッチがそのクランプについている。
があり、可撓性に富む材料で、実質的に円周状の周囲を
もつ研磨テーブルに合わせて形づくられた、環状の連続
したバンドを有する。そのテーブルの周囲に密接して適
合する、剛性は少ないが、可撓性材料による、もう一つ
の環状の連続したバンドは、第一のバンドに対し、連続
した不透性の接合を有する。前記の第二のバンドの全内
側表面はテーブルの周囲に緊密に押しつけるように、可
撓性のクランプが第二のバンドを完全に取巻いている。
テーブルの周囲から封止装置全体を取外せるように、第
二のバンドを充分にゆるめるためのリリーズあるいはラ
ッチがそのクランプについている。
【０００７】本発明のその他の目的および利点、ならび
に当業者に自明な変更が、本発明の好ましい実施例の以
下の詳細な記述に関連して、明らかになるであろう。
に当業者に自明な変更が、本発明の好ましい実施例の以
下の詳細な記述に関連して、明らかになるであろう。
【０００８】
【実施例】図１は、正確な平面度をもった表面を得るた
めに、１１０のような半導体ウエハを化学機械研磨する
装置１００を表す。円形の研磨テーブル１２０には、そ
の上面に研磨パッド１２１があり、滑らかな円形の周囲
あるいは縁１２２がある。示された研磨テーブルは、直
径８４０ｍｍ、厚さ７６ｍｍで、工程に依存して０−２
００回転／分の可変速度で回転する。しかし、この封止
装置はいかなるテーブルの周縁にも合うように、設計す
ることができる。この実施例の中で使われる研磨パッド
は、微小多孔質状のふくらんだポリウレタンの材料によ
るが、類似の材料も使用できる。
めに、１１０のような半導体ウエハを化学機械研磨する
装置１００を表す。円形の研磨テーブル１２０には、そ
の上面に研磨パッド１２１があり、滑らかな円形の周囲
あるいは縁１２２がある。示された研磨テーブルは、直
径８４０ｍｍ、厚さ７６ｍｍで、工程に依存して０−２
００回転／分の可変速度で回転する。しかし、この封止
装置はいかなるテーブルの周縁にも合うように、設計す
ることができる。この実施例の中で使われる研磨パッド
は、微小多孔質状のふくらんだポリウレタンの材料によ
るが、類似の材料も使用できる。
【０００９】駆動スピンドル１２３は、その工程に必要
な方向にそのテーブルを回転する。１３０で全体的に示
されるクイルアセンブリはウエハ１１０を保持し、回転
する。サポートキャリア１３１は、ウエハを通常の弾性
パッド（図示せず）の上に保持する。可動支持アーム１
３２は、ウエハが研磨パッドに接触するように保持し、
そのサポートキャリアがその工程に必要な方向に回転す
るように、ギヤ駆動手段（図示せず）を有している。
な方向にそのテーブルを回転する。１３０で全体的に示
されるクイルアセンブリはウエハ１１０を保持し、回転
する。サポートキャリア１３１は、ウエハを通常の弾性
パッド（図示せず）の上に保持する。可動支持アーム１
３２は、ウエハが研磨パッドに接触するように保持し、
そのサポートキャリアがその工程に必要な方向に回転す
るように、ギヤ駆動手段（図示せず）を有している。
【００１０】コロイド状のシリカのような懸濁液１４０
の溜りは、テーブル１２０の回転中、研磨パッド１２１
を完全に覆うに充分な約７ｍｍの深さになるまで注入さ
れる。大量の懸濁液を用いれば、ウエハを一層均一に
し、研磨パッドの寿命を延ばすということが、この技術
分野で知られている。しかし、その懸濁液は周期的に汚
濁するので、従って研磨テーブルからは洗浄除去されな
ければならないし、新しいものに取り換えられなければ
ならない。本発明の主題である取り外し可能な封止装置
あるいはダム２００は、研磨工程中、研磨テーブル１２
０の上に大量の懸濁液を確実に保持し、しかもテーブル
の清掃のためには容易に取外され、次の運転のために簡
単に再設置される。
の溜りは、テーブル１２０の回転中、研磨パッド１２１
を完全に覆うに充分な約７ｍｍの深さになるまで注入さ
れる。大量の懸濁液を用いれば、ウエハを一層均一に
し、研磨パッドの寿命を延ばすということが、この技術
分野で知られている。しかし、その懸濁液は周期的に汚
濁するので、従って研磨テーブルからは洗浄除去されな
ければならないし、新しいものに取り換えられなければ
ならない。本発明の主題である取り外し可能な封止装置
あるいはダム２００は、研磨工程中、研磨テーブル１２
０の上に大量の懸濁液を確実に保持し、しかもテーブル
の清掃のためには容易に取外され、次の運転のために簡
単に再設置される。
【００１１】図２は、図１の線２−２に沿ってとらえた
図１の封止装置あるいはダム２００の断面図を示し、図
３は、等角図を表す。環状の封止装置の壁２１０は、研
磨テーブル１２０の周縁１２２と同形、同寸法の第一の
連続したプラスチッグバンドで構成される。望ましく
は、その下端２１１は研磨テーブルの上部に載り、その
外側表面２１２は研磨テーブルの周縁１２２に合致す
る。従って、その内側表面２１３は懸濁液１４０に接触
する。
図１の封止装置あるいはダム２００の断面図を示し、図
３は、等角図を表す。環状の封止装置の壁２１０は、研
磨テーブル１２０の周縁１２２と同形、同寸法の第一の
連続したプラスチッグバンドで構成される。望ましく
は、その下端２１１は研磨テーブルの上部に載り、その
外側表面２１２は研磨テーブルの周縁１２２に合致す
る。従って、その内側表面２１３は懸濁液１４０に接触
する。
【００１２】バンド２１０は、ポリプロピレン、あるい
はポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリふつ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）あるいはテフロン（デュポン社の商標）の
ような他の適切な材料による、継ぎ目のない条帯で形成
される。そのバンドは比較的剛性があり、その研磨テー
ブルの円周状の周縁の形状に、合致するのに充分なだけ
の可撓性があるだけである。バンド２１０のその剛さと
形状により、その上部２１４はいかなる支えもなしに、
自立している。この実施例では、バンド２１０は、直径
８４０ｍｍ、高さ７６ｍｍ、厚さ６ｍｍである。そのバ
ンドの直径と高さは、テーブルの直径と工具設計の高さ
により決定され、本実施例においてはそれぞれ８４０ｍ
ｍと７６ｍｍである。
はポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリふつ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）あるいはテフロン（デュポン社の商標）の
ような他の適切な材料による、継ぎ目のない条帯で形成
される。そのバンドは比較的剛性があり、その研磨テー
ブルの円周状の周縁の形状に、合致するのに充分なだけ
の可撓性があるだけである。バンド２１０のその剛さと
形状により、その上部２１４はいかなる支えもなしに、
自立している。この実施例では、バンド２１０は、直径
８４０ｍｍ、高さ７６ｍｍ、厚さ６ｍｍである。そのバ
ンドの直径と高さは、テーブルの直径と工具設計の高さ
により決定され、本実施例においてはそれぞれ８４０ｍ
ｍと７６ｍｍである。
【００１３】環状の封止部材は第二の連続したプラスチ
ックバンド２２０から成り、これはネオプレンラバーあ
るいは柔軟性のあるＰＶＣのような他の適切な材料によ
る継ぎ目のない条帯であってもよい。しかしバンド２２
０は、バンド２１０よりはるかに可撓性があるように作
られている。このバンドの内側表面２２１は、研磨テー
ブルの周縁１２２の寸法と形状に合致しており、下方部
分２２２で幾分きつめに合う状態でテーブルに接してい
る。内側表面２２１の上方部分２２３には、第一のバン
ド２１０の外側表面２１２の下方部分２１５に対する接
合部２３０がある。この実施例においては、バンド２２
０は直径８４０ｍｍ、高さ６４ｍｍ、そして厚さ３ｍｍ
である。
ックバンド２２０から成り、これはネオプレンラバーあ
るいは柔軟性のあるＰＶＣのような他の適切な材料によ
る継ぎ目のない条帯であってもよい。しかしバンド２２
０は、バンド２１０よりはるかに可撓性があるように作
られている。このバンドの内側表面２２１は、研磨テー
ブルの周縁１２２の寸法と形状に合致しており、下方部
分２２２で幾分きつめに合う状態でテーブルに接してい
る。内側表面２２１の上方部分２２３には、第一のバン
ド２１０の外側表面２１２の下方部分２１５に対する接
合部２３０がある。この実施例においては、バンド２２
０は直径８４０ｍｍ、高さ６４ｍｍ、そして厚さ３ｍｍ
である。
【００１４】接合部２３０は、ロックタイト（ロックタ
イト社の商標）接着剤、あるいはＰＶＣセメントのよう
なその他の材料であってよく、これは懸濁液１４０を通
さないような連続状のシールを形成する。接合部２３
０、懸濁液１４０そしてバンド２１０および２２０に
は、あらゆる材料が相互に適用でき、他の材料の何れを
も破壊しない限り、種々の材料の組合せが使用できる。
イト社の商標）接着剤、あるいはＰＶＣセメントのよう
なその他の材料であってよく、これは懸濁液１４０を通
さないような連続状のシールを形成する。接合部２３
０、懸濁液１４０そしてバンド２１０および２２０に
は、あらゆる材料が相互に適用でき、他の材料の何れを
も破壊しない限り、種々の材料の組合せが使用できる。
【００１５】クランプアセンブリ２４０は封止バンド２
２０の外側表面２２４にぴったりと合う平らなステンレ
ス鋼のリング２４１を有する。懸濁液材料１４０に対し
不透性の連続状のシールを全周に与えるために、通常の
オーバセンタラッチ２４２が研磨テーブルの周縁１２２
のまわりにバンド２２０を締め付けている。ラッチ２４
２は、航空機クランプで使われているタイプのウオーム
スクリューラッチ、あるいは研磨テーブルの周囲に封止
バンド２２０を開放可能なように締付けるための他の普
通の機構のものに変更できる。リング２４１は、フラッ
トタイストリップ２４５により、取付けられ、あるいは
支持されているが、これは表面２２４に接着されている
わけではない。
２０の外側表面２２４にぴったりと合う平らなステンレ
ス鋼のリング２４１を有する。懸濁液材料１４０に対し
不透性の連続状のシールを全周に与えるために、通常の
オーバセンタラッチ２４２が研磨テーブルの周縁１２２
のまわりにバンド２２０を締め付けている。ラッチ２４
２は、航空機クランプで使われているタイプのウオーム
スクリューラッチ、あるいは研磨テーブルの周囲に封止
バンド２２０を開放可能なように締付けるための他の普
通の機構のものに変更できる。リング２４１は、フラッ
トタイストリップ２４５により、取付けられ、あるいは
支持されているが、これは表面２２４に接着されている
わけではない。
【００１６】さらに、クランプアセンブリ２４０には、
もう一つの平らなステンレス鋼のリング２４３があり、
図２に示すように研磨テーブル１２０の表面より上方の
接合部２３０の領域にあるバンド２１０および２２０の
両者を取巻くようについている。第二のリングは、バン
ド２１０に対するバンド２２０の封止をゆるめる傾向に
ある上記のリング２４１上のどのような半径方向のスト
レスや動きに対しても、バンド２１０および２２０の間
の接合を安定化する。リング２４３は、固定締具２４４
により閉じられているが、このリングは締め付けたり、
ゆるめたりする必要はない。フラットタイストリップ２
４５は、リング２４１および２４３を相互に所要の間隔
に保持する。これ等のタイストリップは、二つのリング
を支えるようにバンド２２０にタック溶接あるいは接着
により接合されてよい。リング２４１および２４３は、
プラスチックのバンド２１０および２２０に接着あるい
はしっかりと取付けられているわけではない。リング２
４３は、クランプアセンブリ全部がプラスチックのバン
ドから滑り落ちないようのに充分な程度にきつめに付い
ている。
もう一つの平らなステンレス鋼のリング２４３があり、
図２に示すように研磨テーブル１２０の表面より上方の
接合部２３０の領域にあるバンド２１０および２２０の
両者を取巻くようについている。第二のリングは、バン
ド２１０に対するバンド２２０の封止をゆるめる傾向に
ある上記のリング２４１上のどのような半径方向のスト
レスや動きに対しても、バンド２１０および２２０の間
の接合を安定化する。リング２４３は、固定締具２４４
により閉じられているが、このリングは締め付けたり、
ゆるめたりする必要はない。フラットタイストリップ２
４５は、リング２４１および２４３を相互に所要の間隔
に保持する。これ等のタイストリップは、二つのリング
を支えるようにバンド２２０にタック溶接あるいは接着
により接合されてよい。リング２４１および２４３は、
プラスチックのバンド２１０および２２０に接着あるい
はしっかりと取付けられているわけではない。リング２
４３は、クランプアセンブリ全部がプラスチックのバン
ドから滑り落ちないようのに充分な程度にきつめに付い
ている。
【００１７】運転中は、封止装置２００は、研磨テーブ
ル１２０の上に下の端面が載るまで、テーブル１２０の
周縁１２２上で降下される。それから下側のバンド２２
０が、研磨テーブルの全周囲のまわりで液体が漏らない
封止を形成するように、ラッチ２４２が締付けられる。
懸濁液１４０は、それからそのテーブルの上に入れら
れ、そしてテーブル１２０とクイルアセンブリ１３０が
半導体ウエハ１１０を平坦化するために回転させられ
る。この作業には、その工程にもよるが、６−１０分あ
るいはそれ以上かかる。そしてウエハは、クイルアセン
ブリから、通常の方法で取外される。その後、その工程
は監視される。均一性の劣化が測定された場合、その封
止装置２００が取り外されて、研磨テーブルを次の運転
のために、清掃することができるようになる。装置２０
０は、ラッチ２４２をゆるめ、そのテーブルの上面から
その装置を持ち上げることによって、簡単かつ容易に取
り外される。
ル１２０の上に下の端面が載るまで、テーブル１２０の
周縁１２２上で降下される。それから下側のバンド２２
０が、研磨テーブルの全周囲のまわりで液体が漏らない
封止を形成するように、ラッチ２４２が締付けられる。
懸濁液１４０は、それからそのテーブルの上に入れら
れ、そしてテーブル１２０とクイルアセンブリ１３０が
半導体ウエハ１１０を平坦化するために回転させられ
る。この作業には、その工程にもよるが、６−１０分あ
るいはそれ以上かかる。そしてウエハは、クイルアセン
ブリから、通常の方法で取外される。その後、その工程
は監視される。均一性の劣化が測定された場合、その封
止装置２００が取り外されて、研磨テーブルを次の運転
のために、清掃することができるようになる。装置２０
０は、ラッチ２４２をゆるめ、そのテーブルの上面から
その装置を持ち上げることによって、簡単かつ容易に取
り外される。
【００１８】一日に二回しか運転しないような作業環境
では、懸濁液１４０は、毎日ではなくむしろ一週間で僅
か二、三回取り替えるだけでよい。通常一日に数回懸濁
液が交換されるような大量生産の作業環境では、この装
置は懸濁液の均一化を改善するので、交換回数を僅かし
か要しないことになる。
では、懸濁液１４０は、毎日ではなくむしろ一週間で僅
か二、三回取り替えるだけでよい。通常一日に数回懸濁
液が交換されるような大量生産の作業環境では、この装
置は懸濁液の均一化を改善するので、交換回数を僅かし
か要しないことになる。
【図１】本発明による半導体ウエハの研磨装置の上面図
である。
である。
【図２】図１の封止装置を線２−２に沿って見た断面図
である。
である。
【図３】図１および２の封止装置の等角図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラヴアーン・バーナード・ジャコブソン アメリカ合衆国ミネソタ州オワトンナ、サ ウス・オーク1025 (72)発明者 ロバート・デール・ジョンソン アメリカ合衆国ミネソタ州ロチェスター、 フアースト・ストリート エヌダブリュ 4234 (72)発明者 スチーブン・エドワード・モノハン アメリカ合衆国ミネソタ州ロチェスター、 17 １／２ ストリート エスイー507
Claims (6)
- 【請求項１】実質的に円周状の周囲を持った平坦なテー
ブルを有する研磨装置のための、懸濁液封止装置におい
て、 前記テーブルの周縁にほぼ等しい形状と寸法を有し、比
較的剛性があり、かつ可撓性を有する材料より成る環状
の連続した第一のバンドであって、内側表面と外側表面
を有し、それぞれに上方部分と下方部分を有するもの
と、 前記テーブルの周縁に密接して適合する、比較的剛性が
少ないが、可撓性を有する材料より成る環状の連続した
下側の第二のバンドであって、内側表面と外側表面を有
し、それぞれに上方部分と下方部分を有するものと、 前記第一のバンドの前記表面の一方の前記下方部分と、
前記第二のバンドの前記表面の一方の前記上方部分の間
にある、連続した不透性の接合部と、 前記第二のバンドの前記内側表面全体を前記テーブルの
前記円周状の周縁に緊密に押しつけるように、前記第二
のバンドの前記外側表面を完全に取巻くクランプ手段
と、 前記クランプ手段に含まれ、前記テーブルの周囲からの
取外しを可能にするのに充分な程度に、前記第二のバン
ドをゆるめるためのリリーズ手段と、 をもって構成されることを特徴とする半導体ウエハの研
磨のための懸濁液封止装置。 - 【請求項２】前記接合部が、前記第一のバンドの前記外
側表面と、前記第二のバンドの前記内側表面の間に形成
されることを特徴とする請求項１記載の懸濁液封止装
置。 - 【請求項３】前記第一のバンドが、前記周縁の丁度内側
で前記テーブルに合うように形づくられていることを特
徴とする請求項２記載の懸濁液封止装置。 - 【請求項４】前記クランプ手段が、前記第二のバンドの
前記下方部分を取巻く平な可撓性を有するリングで構成
されることを特徴とする請求項１記載の懸濁液封止装
置。 - 【請求項５】前記クランプ手段が、さらに前記第一のバ
ンドの前記外側表面を緊密に取巻く第二の平な可撓性を
有するリングで構成されることを特徴とする請求項４記
載の懸濁液封止装置。 - 【請求項６】前記第二のリングが、前記接合部の領域内
で、前記第一のバンドの下方部分を取巻くことを特徴と
する請求項６記載の懸濁液封止装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/918,332 US5299393A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Slurry containment device for polishing semiconductor wafers |
| US918332 | 1992-07-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697135A true JPH0697135A (ja) | 1994-04-08 |
| JPH0831433B2 JPH0831433B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=25440197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13846593A Expired - Lifetime JPH0831433B2 (ja) | 1992-07-21 | 1993-06-10 | 半導体ウエハ研磨のための懸濁液封止装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5299393A (ja) |
| EP (1) | EP0581350A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0831433B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003159645A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-03 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 研磨装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5733175A (en) | 1994-04-25 | 1998-03-31 | Leach; Michael A. | Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher |
| US5607341A (en) | 1994-08-08 | 1997-03-04 | Leach; Michael A. | Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits |
| JP2833552B2 (ja) * | 1995-10-19 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | ウェハ研磨方法および研磨装置 |
| KR100445139B1 (ko) | 1996-01-23 | 2004-11-17 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| US5833519A (en) * | 1996-08-06 | 1998-11-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical polishing |
| US5967882A (en) * | 1997-03-06 | 1999-10-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens |
| US6149506A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-21 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
| US6120352A (en) * | 1997-03-06 | 2000-09-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets |
| US6048254A (en) * | 1997-03-06 | 2000-04-11 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with annular abrasive area |
| US6146241A (en) * | 1997-11-12 | 2000-11-14 | Fujitsu Limited | Apparatus for uniform chemical mechanical polishing by intermittent lifting and reversible rotation |
| KR100286980B1 (ko) * | 1998-02-11 | 2001-04-16 | 윤종용 | 웨이퍼 연마 설비 및 웨이퍼 연마 방법 |
| US6102777A (en) * | 1998-03-06 | 2000-08-15 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
| US6187681B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarization of a substrate |
| US6491570B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing media stabilizer |
| KR100339412B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼의 연마장치 |
| US6283840B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus |
| US6443810B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US6592439B1 (en) | 2000-11-10 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Platen for retaining polishing material |
| US6514123B1 (en) * | 2000-11-21 | 2003-02-04 | Agere Systems Inc. | Semiconductor polishing pad alignment device for a polishing apparatus and method of use |
| US6503131B1 (en) | 2001-08-16 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system |
| US7232363B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing solution retainer |
| US10018228B2 (en) * | 2015-07-10 | 2018-07-10 | Mark Ercole Innocenzi | Split boot with zipper closure |
| US10682737B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-06-16 | Seagate Technology Llc | Barrier device used in the manufacture of a lapping plate, and related apparatuses and methods of making |
| CN111975605A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-24 | 台州市老林装饰有限公司 | 一种晶圆抛光用抛光平台机构 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB549604A (en) * | 1941-04-26 | 1942-11-30 | Douglas Taylor | Improvements relating to lens grinding or polishing machines |
| US2466610A (en) * | 1945-11-23 | 1949-04-05 | Prec Scient Co | Specimen holder |
| US3148488A (en) * | 1961-12-11 | 1964-09-15 | Sun Tool And Machine Company | Coolant splash shield and support |
| US3233370A (en) * | 1963-07-19 | 1966-02-08 | Falk | Production of parallel lapped surfaces |
| US3377750A (en) * | 1965-08-16 | 1968-04-16 | Spitfire Tool & Machine Co Inc | Self-positioning combination work holder and dressing ring for flat lapping machines |
| US3457682A (en) * | 1966-11-25 | 1969-07-29 | Speedfam Corp | Lapping machine |
| US3748790A (en) * | 1971-08-16 | 1973-07-31 | F Pizzarello | Lapping machine and vibratory drive system therefor |
| US3818648A (en) * | 1973-01-10 | 1974-06-25 | Cincinnati Milacron Inc | Quick-change wheel guard for tool and cutter grinder |
| US4043081A (en) * | 1976-08-19 | 1977-08-23 | Detray Donald E | Dry lap polisher |
| US4216629A (en) * | 1978-09-15 | 1980-08-12 | Degaeta Albert M | Method and apparatus for producing balls |
| FR2523892A1 (fr) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Procedes Equip Sciences Ind | Perfectionnements aux machines de polissage a plateau tournant |
| JPS63216672A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 超精密研摩装置 |
| JPS63300852A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Seiko Giken:Kk | 光ファイバの端面研磨装置 |
| JPH0248218Y2 (ja) * | 1987-11-11 | 1990-12-18 | ||
| US4910155A (en) * | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
-
1992
- 1992-07-21 US US07/918,332 patent/US5299393A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-10 JP JP13846593A patent/JPH0831433B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-01 EP EP93201912A patent/EP0581350A1/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003159645A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-03 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5299393A (en) | 1994-04-05 |
| JPH0831433B2 (ja) | 1996-03-27 |
| EP0581350A1 (en) | 1994-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0697135A (ja) | 半導体ウエハ研磨のための懸濁液封止装置 | |
| JP4680314B1 (ja) | 研磨パッド用補助板およびそれを用いた研磨パッドの再生方法 | |
| JP3418467B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| US6705932B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
| JPH10270538A (ja) | 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置 | |
| KR101441669B1 (ko) | 캐리어 헤드에 사용하기 위한 가요성 박막 및 기판 폴리싱 방법 | |
| US20040259476A1 (en) | Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece | |
| US2688220A (en) | Means of chucking thin edge lenses | |
| JP2002524281A (ja) | 基板を化学機械的に研磨するためのキャリアヘッド | |
| KR20020018641A (ko) | 가변 연마력 웨이퍼 캐리어 헤드를 구비하는 반도체웨이퍼 연마 장치 | |
| JPH07227757A (ja) | ウエーハのポリッシング装置 | |
| US3197174A (en) | Resilient adjustable valve seat for butterfly valves | |
| US3604098A (en) | Method of servicing a pump unit | |
| KR101836233B1 (ko) | 연마 패드용 보조판을 이용한 연마 패드의 재생 방법 | |
| JPS60118467A (ja) | 半導体ウエハ−の取付方法 | |
| JP3183204B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP4041577B2 (ja) | ポリッシング装置の定盤及び研磨パッド貼着方法 | |
| JPH07280105A (ja) | 非接触形軸封装置 | |
| US3998347A (en) | Creep resistant sealing arrangement for bell jar | |
| JP2011161623A (ja) | 研磨パッドの再生方法 | |
| JPH0741534B2 (ja) | ウエーハの研摩方法及び研摩装置 | |
| JP2007019317A (ja) | スピンチャック及びその製造方法 | |
| JPS5926119A (ja) | フイルタ−装置 | |
| JPS62271666A (ja) | 管台フランジ面の研摩装置 | |
| JPH08150558A (ja) | 研磨装置 |