JPH0693460A - 薄膜形成基材の製造法 - Google Patents
薄膜形成基材の製造法Info
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- JPH0693460A JPH0693460A JP10990191A JP10990191A JPH0693460A JP H0693460 A JPH0693460 A JP H0693460A JP 10990191 A JP10990191 A JP 10990191A JP 10990191 A JP10990191 A JP 10990191A JP H0693460 A JPH0693460 A JP H0693460A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/22—Heat treatment; Thermal decomposition; Chemical vapour deposition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ８属金属の酢酸塩を減圧下に熱分解し薄膜形
成基材を得る。 【構成】 基材と８属金属の酢酸塩とを共存させ、減圧
下で該８属金属の酢酸塩を熱分解することを特徴とする
薄膜形成基材の製造法
成基材を得る。 【構成】 基材と８属金属の酢酸塩とを共存させ、減圧
下で該８属金属の酢酸塩を熱分解することを特徴とする
薄膜形成基材の製造法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、８属金属の酢酸塩を熱
分解して薄膜が形成された基材を製造する方法であり、
例えば、抵抗体、電極、センサー、磁気媒体などの各種
エレクトロニクスデバイスなどの用途において好適に使
用されるものである。
分解して薄膜が形成された基材を製造する方法であり、
例えば、抵抗体、電極、センサー、磁気媒体などの各種
エレクトロニクスデバイスなどの用途において好適に使
用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】各種エレクトロニクスデバイスにおいて
様々な金属またはその酸化物などの薄膜が使用されてい
る。これらの薄膜の形成法としては、真空蒸着法、イオ
ンスパッタリング、イオンプレーティング法などの蒸着
法、有機金属化合物を用いた化学的気相成長法や液相成
長法、または金属の無機化合物を用いた固相反応法など
が知られている。
様々な金属またはその酸化物などの薄膜が使用されてい
る。これらの薄膜の形成法としては、真空蒸着法、イオ
ンスパッタリング、イオンプレーティング法などの蒸着
法、有機金属化合物を用いた化学的気相成長法や液相成
長法、または金属の無機化合物を用いた固相反応法など
が知られている。
【０００３】しかし、高度の真空系を使用する方法の場
合、装置、排気処理などが大規模で高価となったり、原
料として用いる化合物の合成が困難で高価であったり、
有毒であるなどの取扱いや経済性などに課題があった。
また、真空系を必要としない液相或いは固相法では、原
料と使用可能な化合物が制約され、また、熱処理温度と
して通常、 400℃程度、 600℃を越える場合も多々あ
り、金属、セラミックス、ガラスなどの場合には適用可
能であったが、これより通常、耐熱性の低い基材には適
用できないものであった。
合、装置、排気処理などが大規模で高価となったり、原
料として用いる化合物の合成が困難で高価であったり、
有毒であるなどの取扱いや経済性などに課題があった。
また、真空系を必要としない液相或いは固相法では、原
料と使用可能な化合物が制約され、また、熱処理温度と
して通常、 400℃程度、 600℃を越える場合も多々あ
り、金属、セラミックス、ガラスなどの場合には適用可
能であったが、これより通常、耐熱性の低い基材には適
用できないものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、より低温で、
より強固に密着した各種金属或いはその酸化物などの薄
膜を形成することが可能で、原料、取扱いなどが容易な
方法が望まれていた。本発明者らは、容易に入手可能な
各種金属化合物について、その熱分解特性を検討した。
その結果、酢酸コバルトなどの８属金属の酢酸塩を減圧
下に熱分解すると薄膜が形成される場合があること、さ
らに、パラジウムがこの熱分解を促進する効果があるこ
とを見出し、これに基づいて本発明に至った。
より強固に密着した各種金属或いはその酸化物などの薄
膜を形成することが可能で、原料、取扱いなどが容易な
方法が望まれていた。本発明者らは、容易に入手可能な
各種金属化合物について、その熱分解特性を検討した。
その結果、酢酸コバルトなどの８属金属の酢酸塩を減圧
下に熱分解すると薄膜が形成される場合があること、さ
らに、パラジウムがこの熱分解を促進する効果があるこ
とを見出し、これに基づいて本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
材と８属金属の酢酸塩とを共存させ、減圧下で該金属の
酢酸塩を熱分解することを特徴とする薄膜形成基材の製
造法であり、該熱分解温度が 400℃以下であること、該
８属金属の酢酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニッケル、酢酸コバ
ルトおよび酢酸パラジウムからなる群からなる一種また
は二種以上の酢酸金属塩である。また、該８属金属の酢
酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニッケルまたは酢酸コバルトであ
り、パラジウムを共存させてなるものであり、該パラジ
ウムが、該基材表面に付着させてなるもので、付着パラ
ジウム量が10-7〜10-1 g/cm2の範囲であること、該パラ
ジウムが、該８属金属の酢酸塩に含有或いは付着させて
なるもので、含有或いは付着パラジウム重量が、該８属
金属の酢酸塩に対して 100〜4,000ppmの範囲であること
を特徴とする薄膜形成基材の製造法である。
材と８属金属の酢酸塩とを共存させ、減圧下で該金属の
酢酸塩を熱分解することを特徴とする薄膜形成基材の製
造法であり、該熱分解温度が 400℃以下であること、該
８属金属の酢酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニッケル、酢酸コバ
ルトおよび酢酸パラジウムからなる群からなる一種また
は二種以上の酢酸金属塩である。また、該８属金属の酢
酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニッケルまたは酢酸コバルトであ
り、パラジウムを共存させてなるものであり、該パラジ
ウムが、該基材表面に付着させてなるもので、付着パラ
ジウム量が10-7〜10-1 g/cm2の範囲であること、該パラ
ジウムが、該８属金属の酢酸塩に含有或いは付着させて
なるもので、含有或いは付着パラジウム重量が、該８属
金属の酢酸塩に対して 100〜4,000ppmの範囲であること
を特徴とする薄膜形成基材の製造法である。
【０００６】以下、本発明について説明する。本発明の
８属金属の酢酸塩としては、酢酸塩を形成するものであ
ればいずれも使用可能である。好適には、酢酸鉄、酢酸
ニッケル、酢酸コバルトおよび酢酸パラジウムからなる
群から選択されるものである。これら化合物のうち、酢
酸パラジウム以外は、単独で用いた場合、薄膜が全く形
成しないか、比較的高温側を必要とする。しかし、パラ
ジウムを共存させることは、より低温で熱分解を可能と
し、実用性のある厚さの薄膜を形成可能とする。このパ
ラジウムは、通常、パラジウム塩の形で使用する。パラ
ジウム塩としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、
硝酸パラジウム、硫酸パラジウムなどが挙げられ、ハロ
ゲン、硫黄、その他の不純物を残留させない面からは酢
酸パラジウムなどが好ましい。尚、酢酸塩以外、例え
ば、蟻酸塩、有機金属化合物を併用すること、或いはこ
れらの方法と本発明の方法とを順次繰り返して、異種の
金属或いはその酸化物などが層状に堆積した薄膜とする
こともできる。
８属金属の酢酸塩としては、酢酸塩を形成するものであ
ればいずれも使用可能である。好適には、酢酸鉄、酢酸
ニッケル、酢酸コバルトおよび酢酸パラジウムからなる
群から選択されるものである。これら化合物のうち、酢
酸パラジウム以外は、単独で用いた場合、薄膜が全く形
成しないか、比較的高温側を必要とする。しかし、パラ
ジウムを共存させることは、より低温で熱分解を可能と
し、実用性のある厚さの薄膜を形成可能とする。このパ
ラジウムは、通常、パラジウム塩の形で使用する。パラ
ジウム塩としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、
硝酸パラジウム、硫酸パラジウムなどが挙げられ、ハロ
ゲン、硫黄、その他の不純物を残留させない面からは酢
酸パラジウムなどが好ましい。尚、酢酸塩以外、例え
ば、蟻酸塩、有機金属化合物を併用すること、或いはこ
れらの方法と本発明の方法とを順次繰り返して、異種の
金属或いはその酸化物などが層状に堆積した薄膜とする
こともできる。
【０００７】パラジウムを共存させる方法には、. ８
属金属の酢酸塩の、通常、微粉末にパラジウム塩を添加
し、機械的に混合して分散させる方法または酢酸塩の製
造工程中にパラジウム塩を添加して結晶中に含有させる
方法と. 基材表面にパラジウムを付着させる方法；さ
らに両者を併用する方法が挙げられる。より少量のパラ
ジウムでより良好な熱分解特性を得るためには、８属金
属の酢酸塩の結晶中にパラジウムが含有されたパラジウ
ム含有金属酢酸塩が好ましく、好適にはパラジウムを重
量で 100〜4,000 ppm の範囲で含む８属金属の酢酸塩の
結晶が好ましい。また、の場合、基材表面に、通常、
パラジウム塩の水や有機溶剤溶液を塗布してパラジウム
を10-7〜10-1g/cm2 以上付着させたものとする。
属金属の酢酸塩の、通常、微粉末にパラジウム塩を添加
し、機械的に混合して分散させる方法または酢酸塩の製
造工程中にパラジウム塩を添加して結晶中に含有させる
方法と. 基材表面にパラジウムを付着させる方法；さ
らに両者を併用する方法が挙げられる。より少量のパラ
ジウムでより良好な熱分解特性を得るためには、８属金
属の酢酸塩の結晶中にパラジウムが含有されたパラジウ
ム含有金属酢酸塩が好ましく、好適にはパラジウムを重
量で 100〜4,000 ppm の範囲で含む８属金属の酢酸塩の
結晶が好ましい。また、の場合、基材表面に、通常、
パラジウム塩の水や有機溶剤溶液を塗布してパラジウム
を10-7〜10-1g/cm2 以上付着させたものとする。
【０００８】本発明の基材とは、繊維強化或いは未強化
の耐熱性の熱可塑性樹脂、超耐熱性の熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂を用いて製造した成形品、フィルム、シー
ト、積層板類などの樹脂製物品、各種セラミックス、ガ
ラス、金属などである。
の耐熱性の熱可塑性樹脂、超耐熱性の熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂を用いて製造した成形品、フィルム、シー
ト、積層板類などの樹脂製物品、各種セラミックス、ガ
ラス、金属などである。
【０００９】本発明の熱分解を行うための加熱は、遠赤
外線、赤外線、電子線、マイクロ波などの放射加熱、電
気炉、オーブン、オイル加熱、加圧蒸気加熱、ニクロム
線、その他の加熱盤を用いた加熱手段が挙げられる。本
発明では、昇温時並びに所定温度保持時の場所による温
度のバラツキが少ないものが好ましく、バッチ式又は被
物品の導入部、メッキ部、取り出し部を持った半連続式
又は連続式加熱機などが挙げられる。また、昇温速度を
速くし、薄膜の形成時間を短くし、さらに場所による昇
温速度のバラツキを小さくして、良好な薄膜を得るため
に、基材と金属の酢酸塩、必要に応じてさらにパラジウ
ムを予め 150℃以下の温度に予熱し、これを所定温度に
設定された加熱部として熱容量のある熱盤を持った加熱
機器に投入する方法、赤外線、特に遠赤外線セラミック
ヒーターなどを用いて加熱する方法、さらに両者を組み
合わせることが好適な方法として例示される。
外線、赤外線、電子線、マイクロ波などの放射加熱、電
気炉、オーブン、オイル加熱、加圧蒸気加熱、ニクロム
線、その他の加熱盤を用いた加熱手段が挙げられる。本
発明では、昇温時並びに所定温度保持時の場所による温
度のバラツキが少ないものが好ましく、バッチ式又は被
物品の導入部、メッキ部、取り出し部を持った半連続式
又は連続式加熱機などが挙げられる。また、昇温速度を
速くし、薄膜の形成時間を短くし、さらに場所による昇
温速度のバラツキを小さくして、良好な薄膜を得るため
に、基材と金属の酢酸塩、必要に応じてさらにパラジウ
ムを予め 150℃以下の温度に予熱し、これを所定温度に
設定された加熱部として熱容量のある熱盤を持った加熱
機器に投入する方法、赤外線、特に遠赤外線セラミック
ヒーターなどを用いて加熱する方法、さらに両者を組み
合わせることが好適な方法として例示される。
【００１７】加熱は、実質的に減圧下で、好ましくは 3
0Torr 以下、特に 5Torr以下の減圧下で 400℃以下で且
つ該基材の変形劣化温度以下の範囲の所定温度、好まし
くは160〜300 ℃の範囲でかつ該基材の変形劣化温度以
下の範囲の所定温度である。通常、基材と８属金属の酢
酸塩とは同時に加熱するが、別々に加熱することもでき
るものであり、例えば、基材を予め所定温度に加熱し、
そこに８属金属の酢酸塩を導入して昇温してもよい。
0Torr 以下、特に 5Torr以下の減圧下で 400℃以下で且
つ該基材の変形劣化温度以下の範囲の所定温度、好まし
くは160〜300 ℃の範囲でかつ該基材の変形劣化温度以
下の範囲の所定温度である。通常、基材と８属金属の酢
酸塩とは同時に加熱するが、別々に加熱することもでき
るものであり、例えば、基材を予め所定温度に加熱し、
そこに８属金属の酢酸塩を導入して昇温してもよい。
【００１８】以上の方法で加熱処理した後、室温に冷却
して、所望部に金属或いはその酸化物などの薄膜が形成
された基材を得る。取り出された薄膜形成基材は、その
まま或いはそのままでは表面活性が極めて高いために吸
着や酸化が容易におこる場合には適当な防錆処理または
用途によってはメッキ、その他の方法によって後加工な
どして製品或いは実用に供する。また、鉄の酢酸塩を使
用して形成される薄膜は、空気中に取り出すと発熱して
少なくともその表面が酸化度の進んだものに変質する。
従って、酸化などが好ましくない場合には窒素シールな
どして取り扱うことが必要である。
して、所望部に金属或いはその酸化物などの薄膜が形成
された基材を得る。取り出された薄膜形成基材は、その
まま或いはそのままでは表面活性が極めて高いために吸
着や酸化が容易におこる場合には適当な防錆処理または
用途によってはメッキ、その他の方法によって後加工な
どして製品或いは実用に供する。また、鉄の酢酸塩を使
用して形成される薄膜は、空気中に取り出すと発熱して
少なくともその表面が酸化度の進んだものに変質する。
従って、酸化などが好ましくない場合には窒素シールな
どして取り扱うことが必要である。
【００１９】
【実施例】以下, 実施例などによって本発明をさらに具
体的に説明する。 実施例１ 縦横各 100mm、高さ 10mm 、厚さ 1mmのアルミニウム製
の試料皿(=試料皿) 、縦横各 95mm、肉厚 1mmのアルミ
ニウム板に片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=
基板11) および縦横各 100mm、肉厚 1mmのアルミニウム
板の片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=基板2
1) を準備した。上記の試料皿の底に、基板11のポリイ
ミドフィルム側を内面 (上面) として敷き、この上に酢
酸コバルトの微粉末 5g を均一に敷き、基板２をポリイ
ミドフィルム側を内面として用い蓋をした後、アルミニ
ウム箔で全体を包んだ。
体的に説明する。 実施例１ 縦横各 100mm、高さ 10mm 、厚さ 1mmのアルミニウム製
の試料皿(=試料皿) 、縦横各 95mm、肉厚 1mmのアルミ
ニウム板に片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=
基板11) および縦横各 100mm、肉厚 1mmのアルミニウム
板の片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=基板2
1) を準備した。上記の試料皿の底に、基板11のポリイ
ミドフィルム側を内面 (上面) として敷き、この上に酢
酸コバルトの微粉末 5g を均一に敷き、基板２をポリイ
ミドフィルム側を内面として用い蓋をした後、アルミニ
ウム箔で全体を包んだ。
【００２０】これを減圧乾燥機中に入れ、 5mmHgの減圧
下、温度 260℃で 1時間保持した後、徐冷して取り出し
た。底に敷いた基板11から生成した金属コバルト粉末を
取得した。また、付着したコバルト粉末を除去した結
果、薄膜が生成した基板11を得た。また、試料皿の蓋と
した基板21の内側面も薄膜が生成したものであった。こ
れらの薄膜はＸ線回折で金属コバルトであることが確認
された。又、それぞれの膜厚は、基板11：0.4μｍ、基
板21： 0.2μｍであった。
下、温度 260℃で 1時間保持した後、徐冷して取り出し
た。底に敷いた基板11から生成した金属コバルト粉末を
取得した。また、付着したコバルト粉末を除去した結
果、薄膜が生成した基板11を得た。また、試料皿の蓋と
した基板21の内側面も薄膜が生成したものであった。こ
れらの薄膜はＸ線回折で金属コバルトであることが確認
された。又、それぞれの膜厚は、基板11：0.4μｍ、基
板21： 0.2μｍであった。
【００２１】実施例２ 実施例１において、基板11を用いず、基板21に代えて、
厚さ 1mmのパイレックスガラス板を使用し、その片面に
濃度 0.1重量％の酢酸パラジウムのアセトン溶液を用
い、これを基板の半分にコーティングし、乾燥して、基
板22を得た。この基板22のコーティングした表面にはパ
ラジウムが約 4.7×10-4g/cm2 付着したものであった。
上記で得た基板22を使用し、温度を 230℃とする他は実
施例１と同様とした。この結果、試料皿上から、原料と
して用いた酢酸コバルト 3.4g が分解することなくその
まま回収された。また、基板22のパラジウムをコーティ
ングした部分には、厚さ 0.1μｍのコバルト膜が形成さ
れた。
厚さ 1mmのパイレックスガラス板を使用し、その片面に
濃度 0.1重量％の酢酸パラジウムのアセトン溶液を用
い、これを基板の半分にコーティングし、乾燥して、基
板22を得た。この基板22のコーティングした表面にはパ
ラジウムが約 4.7×10-4g/cm2 付着したものであった。
上記で得た基板22を使用し、温度を 230℃とする他は実
施例１と同様とした。この結果、試料皿上から、原料と
して用いた酢酸コバルト 3.4g が分解することなくその
まま回収された。また、基板22のパラジウムをコーティ
ングした部分には、厚さ 0.1μｍのコバルト膜が形成さ
れた。
【００２２】実施例３ 実施例２において、パラジウムを重量で 1,000 ppm含む
酢酸コバルトを使用する他は同様とした。この結果、基
板22のパラジウムをコーティングした部分には、厚さ
0.4μｍのコバルト膜が形成された。 実施例４ 酢酸ニッケル(II)４水和物 5g、酢酸パラジウム 0.011
g を乳鉢にて混合した。実施例２において酢酸コバルト
に代えて得られた混合粉末を使用し、温度を 280〜300
℃、1mmHg とする他は同様とした。この結果、基板22の
パラジウムをコーティングした部分には、ニッケル薄膜
が形成された。
酢酸コバルトを使用する他は同様とした。この結果、基
板22のパラジウムをコーティングした部分には、厚さ
0.4μｍのコバルト膜が形成された。 実施例４ 酢酸ニッケル(II)４水和物 5g、酢酸パラジウム 0.011
g を乳鉢にて混合した。実施例２において酢酸コバルト
に代えて得られた混合粉末を使用し、温度を 280〜300
℃、1mmHg とする他は同様とした。この結果、基板22の
パラジウムをコーティングした部分には、ニッケル薄膜
が形成された。
【００２３】実施例５ 実施例４において、酢酸ニッケル(II)４水和物に代え
て、塩基性酢酸第二鉄を使用する他は同様とした。基板
22のパラジウムをコーティングした部分には、薄膜が形
成されたものであり、空気中に取り出すと発熱するのが
観察された。この発熱後の膜を観察したところ、鉄と酸
素原子との存在が確認された。
て、塩基性酢酸第二鉄を使用する他は同様とした。基板
22のパラジウムをコーティングした部分には、薄膜が形
成されたものであり、空気中に取り出すと発熱するのが
観察された。この発熱後の膜を観察したところ、鉄と酸
素原子との存在が確認された。
【００２４】実施例６ 実施例１と同様の試料皿を用い、その蓋として厚さ 1mm
のパイレックスガラス板（基板20) を使用した。酢酸パ
ラジウム 0.1g を 200メッシュのシリカゲル 4.9g に添
加し、乳鉢で混合し均一に分散させた。上記の試料皿の
底に、この酢酸パラジウム分散シリカゲル 5g を均一に
敷き、基板20で蓋をした後、アルミニウム箔で全体を包
んだ。これを減圧乾燥機中に入れ、 1mmHgの減圧下、温
度 180℃で 0.5時間保持した後、徐冷して取り出した。
この結果、蓋としたパイレックスガラス板の内面には厚
さ 0.2μｍの金属パラジウム膜が形成された。
のパイレックスガラス板（基板20) を使用した。酢酸パ
ラジウム 0.1g を 200メッシュのシリカゲル 4.9g に添
加し、乳鉢で混合し均一に分散させた。上記の試料皿の
底に、この酢酸パラジウム分散シリカゲル 5g を均一に
敷き、基板20で蓋をした後、アルミニウム箔で全体を包
んだ。これを減圧乾燥機中に入れ、 1mmHgの減圧下、温
度 180℃で 0.5時間保持した後、徐冷して取り出した。
この結果、蓋としたパイレックスガラス板の内面には厚
さ 0.2μｍの金属パラジウム膜が形成された。
【００２５】
【発明の効果】以上の如くである本発明の薄膜形成基材
の製造法によれば、大規模な真空系、装置類を必要とせ
ず、取り扱いやすく安価で入手容易な原料を用いて、特
にパラジウムを併用することにより実用条充分に低い温
度領域において８属金属を用いた薄膜を形成することが
可能である。この結果、ポリイミドなどにも薄膜が容易
に形成可能となる。また、ガラス、セラミックス、金属
基板等にもより低温で良好な薄膜を形成可能とするもの
であり、実用性の高い新規で有意義な技術であることは
明白である。
の製造法によれば、大規模な真空系、装置類を必要とせ
ず、取り扱いやすく安価で入手容易な原料を用いて、特
にパラジウムを併用することにより実用条充分に低い温
度領域において８属金属を用いた薄膜を形成することが
可能である。この結果、ポリイミドなどにも薄膜が容易
に形成可能となる。また、ガラス、セラミックス、金属
基板等にもより低温で良好な薄膜を形成可能とするもの
であり、実用性の高い新規で有意義な技術であることは
明白である。
Claims (8)
- 【請求項１】 基材と８属金属の酢酸塩とを共存させ、
減圧下で該金属の酢酸塩を熱分解することを特徴とする
薄膜形成基材の製造法 - 【請求項２】 該熱分解温度が 400℃以下である請求項
１記載の薄膜形成基材の製造法 - 【請求項３】 該８属金属の酢酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニ
ッケル、酢酸コバルトおよび酢酸パラジウムからなる群
からなる一種または二種以上の酢酸金属塩である請求項
１記載の薄膜形成基材の製造法 - 【請求項４】 該８属金属の酢酸塩が、酢酸鉄、酢酸ニ
ッケルまたは酢酸コバルトであり、パラジウムを共存さ
せてなる請求項１記載の薄膜形成基材の製造法 - 【請求項５】 該パラジウムが、該基材表面に付着させ
てなるものである請求項４記載の薄膜形形成基材の製造
法 - 【請求項６】 該基材表面に付着させたパラジウムの量
が10-7〜10-1 g/cm2の範囲である請求項５記載の薄膜形
成基材の製造法 - 【請求項７】 該パラジウムが、該８属金属の酢酸塩に
含有或いは付着させてなるものである請求項４記載の薄
膜形形成基材の製造法 - 【請求項８】該パラジウムの含有或いは付着重量が、該
８属金属の酢酸塩に対して 100〜4,000ppmの範囲である
請求項７記載の薄膜形成基材の製造法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10990191A JPH0693460A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 薄膜形成基材の製造法 |
| EP92106064A EP0508399A2 (en) | 1991-04-08 | 1992-04-08 | Method of producing thin film-deposited substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10990191A JPH0693460A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 薄膜形成基材の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693460A true JPH0693460A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=14522035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10990191A Pending JPH0693460A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-15 | 薄膜形成基材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693460A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004124261A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Enthone Inc | 金属の無電解析出法 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP10990191A patent/JPH0693460A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004124261A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Enthone Inc | 金属の無電解析出法 |
| KR101063851B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2011-09-14 | 엔쏜 인코포레이티드 | 무전계 도금법 |
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