JPH05339742A - 金属酸化物薄膜形成基材の製造法 - Google Patents
金属酸化物薄膜形成基材の製造法Info
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- JPH05339742A JPH05339742A JP20640891A JP20640891A JPH05339742A JP H05339742 A JPH05339742 A JP H05339742A JP 20640891 A JP20640891 A JP 20640891A JP 20640891 A JP20640891 A JP 20640891A JP H05339742 A JPH05339742 A JP H05339742A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Mg, Mn, Pbほかの金属酸化物薄膜形成基材を
提供する。 【構成】 基材と Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr, M
n, Fe 及び Sn からなる群から選択した１種或いは２種
以上の金属の酢酸塩およびパラジウムとを減圧下、 400
℃以下で熱分解することを特徴とする金属酸化物薄膜形
成基材の製造法
提供する。 【構成】 基材と Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr, M
n, Fe 及び Sn からなる群から選択した１種或いは２種
以上の金属の酢酸塩およびパラジウムとを減圧下、 400
℃以下で熱分解することを特徴とする金属酸化物薄膜形
成基材の製造法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の金属の酢酸塩を
熱分解して該金属酸化物薄膜を形成した基材を製造する
方法であり、例えば、導電性薄膜、光電変換素子、表示
素子、各種センサー或いはオプトエレクトロニクス素子
等の用途に好適に使用されるものである。
熱分解して該金属酸化物薄膜を形成した基材を製造する
方法であり、例えば、導電性薄膜、光電変換素子、表示
素子、各種センサー或いはオプトエレクトロニクス素子
等の用途に好適に使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】各種エレクトロニクスデバイスにおいて
様々な金属またはその酸化物などの薄膜が使用されてい
る。これらの薄膜の形成法としては、真空蒸着法、イオ
ンスパッタリング、イオンプレーティング法などの蒸着
法、有機金属化合物を用いた化学的気相成長法や液相成
長法、または金属の無機化合物を用いた固相反応法など
が知られている。
様々な金属またはその酸化物などの薄膜が使用されてい
る。これらの薄膜の形成法としては、真空蒸着法、イオ
ンスパッタリング、イオンプレーティング法などの蒸着
法、有機金属化合物を用いた化学的気相成長法や液相成
長法、または金属の無機化合物を用いた固相反応法など
が知られている。
【０００３】しかし、高度の真空系を使用する方法の場
合、装置、排気処理などが大規模で高価となったり、原
料として用いる化合物の合成が困難で高価であったり、
有毒であるなどの取扱いや経済性などに課題があった。
また、真空系を必要としない液相或いは固相法では、原
料と使用可能な化合物が制約され、また、熱処理温度と
して通常、 400℃程度、 600℃を越える場合も多々あ
り、金属、セラミックス、ガラスなどの場合には適用可
能であったが、これより通常、耐熱性の低い基材には適
用できないものであった。
合、装置、排気処理などが大規模で高価となったり、原
料として用いる化合物の合成が困難で高価であったり、
有毒であるなどの取扱いや経済性などに課題があった。
また、真空系を必要としない液相或いは固相法では、原
料と使用可能な化合物が制約され、また、熱処理温度と
して通常、 400℃程度、 600℃を越える場合も多々あ
り、金属、セラミックス、ガラスなどの場合には適用可
能であったが、これより通常、耐熱性の低い基材には適
用できないものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、より低温で、
より強固に密着した各種金属或いはその酸化物などの薄
膜を形成することが可能で、原料、取扱いなどが容易な
方法が望まれていた。本発明者らは、容易に入手可能な
各種金属化合物について、その熱分解特性を検討した。
その結果、特定の金属の酢酸塩を減圧下に熱分解すると
薄膜が形成される場合があること、さらに、パラジウム
がこの熱分解を促進する効果があることを見出し、これ
に基づいて本発明に至った。
より強固に密着した各種金属或いはその酸化物などの薄
膜を形成することが可能で、原料、取扱いなどが容易な
方法が望まれていた。本発明者らは、容易に入手可能な
各種金属化合物について、その熱分解特性を検討した。
その結果、特定の金属の酢酸塩を減圧下に熱分解すると
薄膜が形成される場合があること、さらに、パラジウム
がこの熱分解を促進する効果があることを見出し、これ
に基づいて本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
材と Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr, Mn, Fe 及びSn
からなる群から選択した１種或いは２種以上の金属の
酢酸塩およびパラジウムとを減圧下、 400℃以下で熱分
解することを特徴とする金属酸化物薄膜形成基材の製造
法であり、該パラジウムが、基材表面に付着させてなる
ものであること、その付着量が10-7〜10-1 g/cm2の範囲
であることであり、また、該パラジウムが、金属の酢酸
塩に含有或いは付着させたものであること、その含有或
いは付着重量が、該金属の酢酸塩に対して 100〜4,000p
pmの範囲であることを特徴とする金属酸化物薄膜形成基
材の製造法である。
材と Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr, Mn, Fe 及びSn
からなる群から選択した１種或いは２種以上の金属の
酢酸塩およびパラジウムとを減圧下、 400℃以下で熱分
解することを特徴とする金属酸化物薄膜形成基材の製造
法であり、該パラジウムが、基材表面に付着させてなる
ものであること、その付着量が10-7〜10-1 g/cm2の範囲
であることであり、また、該パラジウムが、金属の酢酸
塩に含有或いは付着させたものであること、その含有或
いは付着重量が、該金属の酢酸塩に対して 100〜4,000p
pmの範囲であることを特徴とする金属酸化物薄膜形成基
材の製造法である。
【０００６】以下、本発明について説明する。本発明の
金属の酢酸塩とは、 Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr,
Mn, Fe 及びSn からなる群から選択した１種或いは２
種以上の金属の酢酸塩であり、より好ましくは Cd, Cr,
Pb, Mg, Mn 及び Zn である。これら本金属の酢酸塩
は、単独で用いた場合、薄膜が全く形成しないか、比較
的高温側を必要とする。しかし、パラジウムを共存させ
ることにより、より低温で熱分解を可能とし、より実用
性のある厚さの酸化物薄膜を形成可能とする。このパラ
ジウムは、通常、パラジウム塩の形で使用する。パラジ
ウム塩としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硝
酸パラジウム、硫酸パラジウムなどが挙げられ、ハロゲ
ン、硫黄、その他の不純物を残留させない面からは酢酸
パラジウムなどが好ましい。尚、上記した以外の金属の
塩、例えば、蟻酸塩、有機金属化合物を熱分解時に併用
すること、或いはこれらの方法と本発明の方法とを順次
繰り返すことにより、異種の金属或いはその酸化物など
が層状に堆積した薄膜とすることもできる。
金属の酢酸塩とは、 Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr,
Mn, Fe 及びSn からなる群から選択した１種或いは２
種以上の金属の酢酸塩であり、より好ましくは Cd, Cr,
Pb, Mg, Mn 及び Zn である。これら本金属の酢酸塩
は、単独で用いた場合、薄膜が全く形成しないか、比較
的高温側を必要とする。しかし、パラジウムを共存させ
ることにより、より低温で熱分解を可能とし、より実用
性のある厚さの酸化物薄膜を形成可能とする。このパラ
ジウムは、通常、パラジウム塩の形で使用する。パラジ
ウム塩としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硝
酸パラジウム、硫酸パラジウムなどが挙げられ、ハロゲ
ン、硫黄、その他の不純物を残留させない面からは酢酸
パラジウムなどが好ましい。尚、上記した以外の金属の
塩、例えば、蟻酸塩、有機金属化合物を熱分解時に併用
すること、或いはこれらの方法と本発明の方法とを順次
繰り返すことにより、異種の金属或いはその酸化物など
が層状に堆積した薄膜とすることもできる。
【０００７】パラジウムを共存させる方法には、. 本
金属の酢酸塩の、通常、微粉末にパラジウム塩を添加
し、機械的に混合して分散させる方法または本金属の酢
酸塩の製造工程中にパラジウム塩を添加して結晶中に含
有させる方法と. 基材表面にパラジウムを付着させる
方法；さらに両者を併用する方法が挙げられる。より少
量のパラジウムでより良好な熱分解特性を得るために
は、本金属の酢酸塩の結晶中にパラジウムが含有された
パラジウム含有塩が好ましく、好適にはパラジウムを重
量で 100〜4,000 ppm の範囲で含む結晶が好ましい。ま
た、の場合、基材表面に、通常、パラジウム塩の水や
有機溶剤溶液を塗布してパラジウムを10-7〜10-1g/cm2
以上付着させたものとする。
金属の酢酸塩の、通常、微粉末にパラジウム塩を添加
し、機械的に混合して分散させる方法または本金属の酢
酸塩の製造工程中にパラジウム塩を添加して結晶中に含
有させる方法と. 基材表面にパラジウムを付着させる
方法；さらに両者を併用する方法が挙げられる。より少
量のパラジウムでより良好な熱分解特性を得るために
は、本金属の酢酸塩の結晶中にパラジウムが含有された
パラジウム含有塩が好ましく、好適にはパラジウムを重
量で 100〜4,000 ppm の範囲で含む結晶が好ましい。ま
た、の場合、基材表面に、通常、パラジウム塩の水や
有機溶剤溶液を塗布してパラジウムを10-7〜10-1g/cm2
以上付着させたものとする。
【０００８】本発明の基材とは、繊維強化或いは未強化
の耐熱性の熱可塑性樹脂、超耐熱性の熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂を用いて製造した成形品、フィルム、シー
ト、積層板類などの樹脂製物品、各種セラミックス、ガ
ラス、金属などである。
の耐熱性の熱可塑性樹脂、超耐熱性の熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂を用いて製造した成形品、フィルム、シー
ト、積層板類などの樹脂製物品、各種セラミックス、ガ
ラス、金属などである。
【０００９】本発明の熱分解を行うための加熱は、遠赤
外線、赤外線、電子線、マイクロ波などの放射加熱、電
気炉、オーブン、オイル加熱、加圧蒸気加熱、ニクロム
線、その他の加熱盤を用いた加熱手段が挙げられる。本
発明では、昇温時並びに所定温度保持時の場所による温
度のバラツキが少ないものが好ましく、バッチ式又は被
物品の導入部、メッキ部、取り出し部を持った半連続式
又は連続式加熱機などが挙げられる。また、昇温速度を
速くし、薄膜の形成時間を短くし、さらに場所による昇
温速度のバラツキを小さくして、良好な薄膜を得るため
に、基材と本金属の酢酸塩、必要に応じてさらにパラジ
ウムを予め 150℃以下の温度に予熱し、これを所定温度
に設定された加熱部として熱容量のある熱盤を持った加
熱機器に投入する方法、赤外線、特に遠赤外線セラミッ
クヒーターなどを用いて加熱する方法、さらに両者を組
み合わせることが好適な方法として例示される。
外線、赤外線、電子線、マイクロ波などの放射加熱、電
気炉、オーブン、オイル加熱、加圧蒸気加熱、ニクロム
線、その他の加熱盤を用いた加熱手段が挙げられる。本
発明では、昇温時並びに所定温度保持時の場所による温
度のバラツキが少ないものが好ましく、バッチ式又は被
物品の導入部、メッキ部、取り出し部を持った半連続式
又は連続式加熱機などが挙げられる。また、昇温速度を
速くし、薄膜の形成時間を短くし、さらに場所による昇
温速度のバラツキを小さくして、良好な薄膜を得るため
に、基材と本金属の酢酸塩、必要に応じてさらにパラジ
ウムを予め 150℃以下の温度に予熱し、これを所定温度
に設定された加熱部として熱容量のある熱盤を持った加
熱機器に投入する方法、赤外線、特に遠赤外線セラミッ
クヒーターなどを用いて加熱する方法、さらに両者を組
み合わせることが好適な方法として例示される。
【００１０】加熱は、実質的に減圧下で、好ましくは 3
0Torr 以下、特に 5Torr以下の減圧下で 400℃以下で且
つ該基材の変形劣化温度以下の範囲の所定温度、好まし
くは200〜300 ℃の範囲でかつ該基材の変形劣化温度以
下の範囲の所定温度である。通常、基材と本金属の酢酸
塩とは同時に加熱する。しかし、別々に加熱することも
できるものであり、例えば、基材を予め所定温度に加熱
し、そこに本金属の酢酸塩を導入して昇温してもよい。
以上の方法で加熱処理した後、室温に冷却して、所望部
に本金属酸化物薄膜が形成された基材を得る。
0Torr 以下、特に 5Torr以下の減圧下で 400℃以下で且
つ該基材の変形劣化温度以下の範囲の所定温度、好まし
くは200〜300 ℃の範囲でかつ該基材の変形劣化温度以
下の範囲の所定温度である。通常、基材と本金属の酢酸
塩とは同時に加熱する。しかし、別々に加熱することも
できるものであり、例えば、基材を予め所定温度に加熱
し、そこに本金属の酢酸塩を導入して昇温してもよい。
以上の方法で加熱処理した後、室温に冷却して、所望部
に本金属酸化物薄膜が形成された基材を得る。
【００１１】
【実施例】以下, 実施例などによって本発明をさらに具
体的に説明する。 実施例１ 縦横各 100mm、高さ 10mm 、厚さ 1mmのアルミニウム製
の試料皿(=試料皿) 、縦横各 100mm、肉厚 1mmのアルミ
ニウム板に片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=
基板11) および縦横各 100mm、肉厚 1mmのパイレックス
ガラス板(=基板21) を準備した。酢酸マグネシウム・４
水和物 5g と酢酸パラジウム 0.02gとを乳鉢で均一混合
した。これを上記の試料皿の底に均一に敷き、基板11を
ポリイミドフィルム側を内面として用い蓋をした後、ア
ルミニウム箔で全体を包んだ。
体的に説明する。 実施例１ 縦横各 100mm、高さ 10mm 、厚さ 1mmのアルミニウム製
の試料皿(=試料皿) 、縦横各 100mm、肉厚 1mmのアルミ
ニウム板に片面にポリイミドフィルムを固定したもの(=
基板11) および縦横各 100mm、肉厚 1mmのパイレックス
ガラス板(=基板21) を準備した。酢酸マグネシウム・４
水和物 5g と酢酸パラジウム 0.02gとを乳鉢で均一混合
した。これを上記の試料皿の底に均一に敷き、基板11を
ポリイミドフィルム側を内面として用い蓋をした後、ア
ルミニウム箔で全体を包んだ。
【００１２】これを減圧乾燥機中に入れ、 1mmHgの減圧
下、温度 300℃で30分間保持した後、徐冷して取り出し
た。試料皿の蓋とした基板11のポリイミドフィルム表面
にはＸ線回折の結果、酸化マグネシウムの薄膜（膜厚
0.1μｍ) が生成したものであることが確認された。 実施例２ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸亜鉛・２水和物 5g を用い、熱分解温度を
260℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした
基板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、
酸化亜鉛の薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものである
ことが確認された。
下、温度 300℃で30分間保持した後、徐冷して取り出し
た。試料皿の蓋とした基板11のポリイミドフィルム表面
にはＸ線回折の結果、酸化マグネシウムの薄膜（膜厚
0.1μｍ) が生成したものであることが確認された。 実施例２ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸亜鉛・２水和物 5g を用い、熱分解温度を
260℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした
基板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、
酸化亜鉛の薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものである
ことが確認された。
【００１３】実施例３ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸カドミウム・２水和物 5g を用い、基板21
を用い、熱分解温度を 280℃とする他は同様としたとこ
ろ、試料皿の蓋とした基板21のパイレックスガラス表面
にはＸ線回折の結果、酸化カドミウムの薄膜（膜厚 0.2
μｍ) が生成したものであることが確認された。 比較例１ 実施例３において、酢酸パラジウム 0.02gを用いない他
は同様とした。試料皿の蓋とした基板21のパイレックス
ガラス表面にはＸ線回折の結果、酸化カドミウムの薄膜
の生成は認められなかった。 実施例４ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸インジウム 5g を用い、熱分解温度を 240
℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基板
11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸化
インジウムの薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものであ
ることが確認された。
代えて、酢酸カドミウム・２水和物 5g を用い、基板21
を用い、熱分解温度を 280℃とする他は同様としたとこ
ろ、試料皿の蓋とした基板21のパイレックスガラス表面
にはＸ線回折の結果、酸化カドミウムの薄膜（膜厚 0.2
μｍ) が生成したものであることが確認された。 比較例１ 実施例３において、酢酸パラジウム 0.02gを用いない他
は同様とした。試料皿の蓋とした基板21のパイレックス
ガラス表面にはＸ線回折の結果、酸化カドミウムの薄膜
の生成は認められなかった。 実施例４ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸インジウム 5g を用い、熱分解温度を 240
℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基板
11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸化
インジウムの薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものであ
ることが確認された。
【００１４】実施例５、６ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸マンガン・４水和物 5g 又は無水酢酸鉛(I
I) 5g を用い、熱分解温度を 280℃とする他は同様とし
たところ、試料皿の蓋とした基板11のポリイミドフィル
ム表面にはＸ線回折の結果、酸化マンガン（膜厚 0.1μ
ｍ) 、酸化鉛（膜厚 0.2μｍ) の薄膜が生成したもので
あることが確認された。 実施例７ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸クロム(III) 5g を用い、熱分解温度を 3
50℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基
板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸
化クロムの薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものである
ことが確認された。
代えて、酢酸マンガン・４水和物 5g 又は無水酢酸鉛(I
I) 5g を用い、熱分解温度を 280℃とする他は同様とし
たところ、試料皿の蓋とした基板11のポリイミドフィル
ム表面にはＸ線回折の結果、酸化マンガン（膜厚 0.1μ
ｍ) 、酸化鉛（膜厚 0.2μｍ) の薄膜が生成したもので
あることが確認された。 実施例７ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸クロム(III) 5g を用い、熱分解温度を 3
50℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基
板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸
化クロムの薄膜（膜厚 0.1μｍ) が生成したものである
ことが確認された。
【００１５】実施例８ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、塩基性酢酸第二鉄 5g を用い、熱分解温度を 3
00℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基
板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸
化鉄の薄膜が生成したものであることが確認された。 実施例９ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸第一錫 5g を用い、熱分解温度を 260℃と
する他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基板11の
ポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸化錫の
薄膜が生成したものであることが確認された。
代えて、塩基性酢酸第二鉄 5g を用い、熱分解温度を 3
00℃とする他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基
板11のポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸
化鉄の薄膜が生成したものであることが確認された。 実施例９ 実施例１において、酢酸マグネシウム・４水和物 5g に
代えて、酢酸第一錫 5g を用い、熱分解温度を 260℃と
する他は同様としたところ、試料皿の蓋とした基板11の
ポリイミドフィルム表面にはＸ線回折の結果、酸化錫の
薄膜が生成したものであることが確認された。
【００１６】
【発明の効果】以上の如くである本発明の金属酸化物薄
膜形成基材の製造法によれば、大規模な真空系、装置類
を必要とせず、取り扱いやすく安価で入手容易な原料を
用いて、特にパラジウムを併用することにより実用上充
分に低い温度領域で、Mg, Sr,Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr,
Mn, Fe, Snなどの酸化物薄膜を形成することが可能で
ある。この結果、ポリイミドなどにも薄膜が容易に形成
可能となる。また、ガラス、セラミックス、金属基板等
にもより低温で良好な薄膜を形成可能とするものであ
り、実用性の高い新規で有意義な技術であることは明白
である。
膜形成基材の製造法によれば、大規模な真空系、装置類
を必要とせず、取り扱いやすく安価で入手容易な原料を
用いて、特にパラジウムを併用することにより実用上充
分に低い温度領域で、Mg, Sr,Ba, Zn, Cd, In, Pb, Cr,
Mn, Fe, Snなどの酸化物薄膜を形成することが可能で
ある。この結果、ポリイミドなどにも薄膜が容易に形成
可能となる。また、ガラス、セラミックス、金属基板等
にもより低温で良好な薄膜を形成可能とするものであ
り、実用性の高い新規で有意義な技術であることは明白
である。
Claims (5)
- 【請求項１】 基材と Mg, Sr, Ba, Zn, Cd, In, Pb, C
r, Mn, Fe 及び Snからなる群から選択した１種或いは
２種以上の金属の酢酸塩およびパラジウムとを減圧下、
400℃以下で熱分解することを特徴とする金属酸化物薄
膜形成基材の製造法 - 【請求項２】 該パラジウムが、基材表面に付着させて
なるものである請求項１記載の金属酸化物薄膜形成基材
の製造法 - 【請求項３】 該基材表面に付着させたパラジウムの量
が10-7〜10-1 g/cm2の範囲である請求項２記載の金属酸
化物薄膜形成基材の製造法 - 【請求項４】 該パラジウムが、金属の酢酸塩に含有或
いは付着されたものである請求項１記載の金属酸化物薄
膜形成基材の製造法 - 【請求項５】 該パラジウムの含有或いは付着重量が、
該金属の酢酸塩に対して 100〜4,000ppmの範囲である請
求項４記載の金属酸化物薄膜形成基材の製造法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20640891A JPH05339742A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 金属酸化物薄膜形成基材の製造法 |
| EP92106064A EP0508399A2 (en) | 1991-04-08 | 1992-04-08 | Method of producing thin film-deposited substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20640891A JPH05339742A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 金属酸化物薄膜形成基材の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339742A true JPH05339742A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=16522872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20640891A Pending JPH05339742A (ja) | 1991-04-08 | 1991-07-23 | 金属酸化物薄膜形成基材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339742A (ja) |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20640891A patent/JPH05339742A/ja active Pending
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