JPH069222B2 - 多層配線構造の製造法 - Google Patents

多層配線構造の製造法

Info

Publication number
JPH069222B2
JPH069222B2 JP61001129A JP112986A JPH069222B2 JP H069222 B2 JPH069222 B2 JP H069222B2 JP 61001129 A JP61001129 A JP 61001129A JP 112986 A JP112986 A JP 112986A JP H069222 B2 JPH069222 B2 JP H069222B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dianhydride
acid ester
wiring layer
aromatic tetracarboxylic
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61001129A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62159449A (ja
Inventor
俊一郎 内村
宏 鈴木
任延 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP61001129A priority Critical patent/JPH069222B2/ja
Priority to GB8700065A priority patent/GB2188191B/en
Priority to DE3700301A priority patent/DE3700301C2/de
Publication of JPS62159449A publication Critical patent/JPS62159449A/ja
Priority to GB8902665A priority patent/GB2211352B/en
Priority to US07/593,309 priority patent/US5165957A/en
Publication of JPH069222B2 publication Critical patent/JPH069222B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306—Polyimides or polyesterimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676—Single layer compositions

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，半導体集積回路，バブルメモリ素子等の電子
回路部品における多層配線構造の製造法に関する。
（従来の技術） 従来，半導体集積回路等における多層配線構造の製造法
としては，パターン形成された配線層を有する基板上に
真空蒸着，ＣＶＤ（ケキカルベーパーデポジシヨン）等
の気相成長法によりSiO2，SiN等からなる層間絶縁膜を
形成し，スルーホールを開孔した後，上層配線法を形成
する方法が用いられている。しかし，気相成長法によつ
て層間絶縁膜を形成する方法では，第３図のように下層
配線層２の段差が層間絶縁膜３形成後もそのまま残り，
上層配線層４を形成した際，上記段差部分で配線層がき
わめて薄くなり配線切れが起こりやすいという問題があ
つた。第３図において１は基体である。
そこでこれを改良するために，層間絶縁膜の形成を芳香
族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とから得
られたポリアミツク酸の溶液を塗布，硬化して行なう方
法が提案され（特公昭５１−４４８７１号公報）実用化
されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、近年半導体集積回路等の電子部品における集積
度の向上はめざましく，配線構造もますます多層化さ
れ，配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大してき
ている。上記芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
から得られるポリアミツク酸では，ポリアミツク酸の溶
媒に対する溶解性が非常に低く，溶液を高濃度化するこ
とができないため，上記配線段差の平坦化性が十分でな
く，２層以上の多層配線構造の製造は困難であつた。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは，これら従来技術の欠点に鑑み鋭意検討し
た結果，パターンの形成された配線層を有する基材上に
塗布するポリアミツク酸溶液を高濃度化する程，配線段
差の平坦化率が向上すること，また，ポリアミツク酸溶
液を高濃度化するためには，低分子量のエステルオリゴ
マー化することが効果的であることを見い出し本発明に
到達した。
本発明は，パターンの形成された配線層を有する基材上
に，芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び
／又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族
テトラカルボン酸エステルに，芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミツ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し，硬化して層間
絶縁膜としたのちスルーホールを形成し，その後上層配
線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法
に関する。
本発明におけるパターンの形成された配線層を有する基
材とは，例えば，Ａｌ配線層を形成したシリコン半導体
基板，Ｃｕ配線層を形成したセラミツクハイフリツド基
板等を指す。
また，本発明におけるポリアミツク酸エステルオリゴマ
ーは，必要に応じて溶媒の存在下で芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物とアルコール及び／又はアルコール誘導体
とを反応させて得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルに，芳香族ジアミン及び／又はジアミノシロキサンを
反応させて得られる。この際必要に応じて芳香族テトラ
カルボン酸エステルとともに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を併用し，生成するポリアミツク酸エステルオリ
ゴマーの分子量を調整することも可能である。芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を併用する場合には，芳香族テ
トラカルボン酸エステルを合成する際に用いるアルコー
ル及び／又はアルコール誘導体の量を芳香族テトラカル
ボン酸二無水物の当量より少なくして二無水物を残す様
にしてもよいし，また，後で芳香族ジアミン及び／又は
ジアミノシロキサンと反応させる際に新たに添加しても
よい。
溶解性，硬化時の発泡等の点から芳香族テトラカルボン
酸二無水物１モルに対し，アルコール及び／又はアルコ
ール誘導体１．５〜２モルを反応させることが好まし
い。
また，必要に応じて用いられる溶媒としてはブチルセロ
ソルブ等のエーテルグリコール系溶媒，Ｎ−メチル−２
−ピロリドン，Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド，Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミド，ジメチルスルホキサイド等のア
ミド系溶媒等の１種または２種以上が用いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物は，一般式 （ここでR1は４価の芳香族炭化水素基である。）で示さ
れるが，例えば，3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラ
カルボン酸二無水物，ピロメリツト酸二無水物，3,3′,
4,4′−ジフエニルテトラカルボン酸二無水物，シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物，1,2,5,６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物，2,3,6,７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物，2,3,5,６−ピリジンテトラ
カルボン酸二無水物，1,4,5,８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物，3,4,9,１０−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物，4,4′−スルホニルジフタル酸二無水物な
どがあり，これらは１種又は２種以上が用いられる。
また，芳香族テトラカルボン酸二無水物をエステル化す
るアルコール及びアルコール誘導体としては，メタノー
ル，エタノール，プロパノール，イソプロピルアルコー
ル，ブタノール等の１価アルコール，エチレングリコー
ル，プロピレングリコール，グリセリン，トリメチロー
ルプロパン等の多価アルコール，セロソルブ類，カルビ
トール類などがあり，これらの１種または２種以上が用
いられる。アルコールとアルコール誘導体とを併用して
もよい。
また，本発明に用いられる芳香族ジアミンは一般式 H2Ｎ−R2−NH2 （ここでR2は２価の芳香族炭化水素基である。）で示さ
れるが，例えば，4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル，4,4′−ジアミノジフエニルメタン，4,4′−ジアミ
ノジフエニルスルホン，4,4′−ジアミノジフエニルサ
ルフアイド，ベンジジン，メタフエニレンジアミン，パ
ラフエニレンジアミン，1,５−ナフタレンジアミン，2,
６−ナフタレンジアミン等があり，これらは１種または
２種以上が用いられる。
また本発明に用いられるジアミノシロキサンは一般式 （ここでR3は炭素数１〜１０の２価の炭化水素基，R4，
R5，R6，R7は炭素数１〜１０の１価の炭化水素基であ
り，これらは同一であつても相違してもよい。ｎは１〜
１０の整数である）で示され，例えば， 等があり，これらは１種または２種以上が用いられる。
芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとは併用してもよ
い。
本発明における芳香族テトラカルボン酸二無水物のエス
テル化反応の反応温度は使用する溶媒，アルコール及び
アルコール誘導体によつて異なり，特に制限はないが，
例えば3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸
二無水物をＮ−メチル−２−ピロリドン中でエタノール
を用いてエステル化する場合には８０℃〜１５０℃の反
応温度が好ましい。
芳香族テトラカルボン酸エステルおよび必要に応じて芳
香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン及び／
又はジアミノシロキサンとの反応は，生成したポリアミ
ツク酸エステルオリゴマーを硬化して得られるポリイミ
ド樹脂の耐熱性を最良とするために芳香族テトラカルボ
ン酸エステル（芳香族テトラカルボン酸二無水物を用い
る場合にはそれとの総和）と，芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行なうこと
が好ましい。またこの反応温度は，高すぎると生成する
ポリアミツク酸エステルオリゴマーがイミド化し，溶解
性が落ちて析出してしまうため，高くとも９０℃までの
反応温度で行なうことが好ましい。
次にこうして得られたポリアミツク酸エステルオリゴマ
ー溶液を，あらかじめパターンの形成された配線層を有
する基材上に，スピンナ等を用いて塗布し，１００〜２
００℃好ましくは１２０〜１８０℃の温度で好ましくは
１〜２時間乾燥した後，３００〜４００℃好ましくは３
２０〜３８０℃の温度で好ましくは１〜２時間硬化する
ことによりポリイミドの層間絶縁膜が得られる。
こうして得られた層間絶縁膜上に通常のホトレソグラフ
イー工程によつてレジストパターンを形成した後，ヒド
ラジン系エツチヤントを用たウエツトエツチングもしく
はO2プラズマによるドライエツチング等の方法で所定の
部位にスルーホールを開孔する。
次に，上記のスルーホールを形成した層間絶縁膜上に上
層配線層を真空蒸着，ＣＶＤ等の方法を用いて形成する
ことにより本発明の多層配線構造が得られる。
また，さらに上層配線層をパターニングし，上記プロセ
スをくり返すことにより，配線層と絶縁層の多層化され
た構造を形成することができる。
（実施例） 以下，実施例，比較例を用いて本発明を説明する。
実施例１ ａ．ポリアミツク酸エステルオリゴマー溶液の合成 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物３２．２１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６９．１
ｇに添加し，８０℃まで加熱した後エタノール９．２１
ｇを加え，１００℃で２時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル２０．０１ｇを添加し，８
０℃で３時間反応させた。得られたポリアミツク酸エス
テルオリゴマー溶液は２５℃で２ポイズの粘度であつ
た。
ｂ．多層配線層の形成 次に厚さ１μｍで幅１．０〜５．０μｍのＡｌ配線パタ
ーンを真空蒸着および通常のホトリソプロセスで形成し
たシリコンウエフア上に，スピンナー塗布材を用いて３
０００ｒｐｍ／３０secで上記ポリアミツク酸エステル
オリゴマー液を塗布した。その後，１５０℃で１時間乾
燥，３５０℃で１時間硬化し，ポリイミドの層間絶縁膜
とした。ポリイミド膜の厚みは２μｍであつた。次に通
常のホトリソプロセスでレジストパターンを形成した
後，ヒドラジンとエチレンジアミンからなるエツチング
液で上記ポリイミド膜にスルーホールを開孔した。
その後，上層Al配線層を真空蒸着法によつて形成し，第
１図の様な多層配線構造を得た。図において５はポリイ
ミドの層間絶縁膜，１，２および４は第３図と同じであ
る。
こうして得られた多層配線構造の下層配線段差平坦化率
を第２図のａ，ｂの値から次式 により求めたところおよそ９０％であつた。
実施例２ 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物３２．２１ｇをN,Ｎ−ジメチルホルムアミド６９．１
ｇに添加し，８０℃まで加熱した後エタノール８．２９
ｇを加え，１００℃で２時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル１９．０１ｇと1,３−ビス
（３−アミノプロピル）1,1,3,３−テトラメチルジシロ
キサン０．７４ｇを加え８０℃で２時間反応させた。こ
うして得られたシロキサン結合を含むポリアミツク酸エ
ステルオリゴマー溶液は２５℃で３ポイズの粘度であつ
た。次にこの溶液を用いて実施例１と同様にして厚さ２
μｍの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成し，その平
坦化率を求めたところおよそ９５％であつた。
比較列１ 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフエニルエーテルから公知の方
法によつて合成されたポリアミツク酸溶液（濃度１５
％，粘度１０Ps）を用いて，実施例１と同様にして厚さ
２μｍの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成した。こ
うして得られた多層配線構造の平坦化率を実施例１と同
様にして求めたところおよそ３０％であつた。
（発明の効果） 本発明によれば，下層配線層の段差を層間絶縁層によつ
てほぼ完全に平坦化出来るため，多層配線化による段差
の発生がほとんどなく，従つて配線の信頼性が飛躍的に
向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は，本発明の一実施例になる多層配線構造の断面
図，第２図は，平坦化率評価法パターンの断面図および
第３図は，気相成長法によるSiO2膜を層間絶縁膜とした
従来法による多層配線構造の断面図を示す。 符号の説明 １…基材 ２…下層配線層 ３…層間絶縁膜 ４…上層配線層 ５…ポリイミドの層間絶縁膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】パターンの形成された配線層を有する基材
    上に，芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及
    び／又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香
    族テトラカルボン酸エステルに芳香族ジアミン及び／又
    はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミツ
    ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し，硬化して層間
    絶縁膜としたのちスルホールを形成し，その後上層配線
    層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法。
JP61001129A 1986-01-07 1986-01-07 多層配線構造の製造法 Expired - Lifetime JPH069222B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61001129A JPH069222B2 (ja) 1986-01-07 1986-01-07 多層配線構造の製造法
GB8700065A GB2188191B (en) 1986-01-07 1987-01-05 Process for producing multilayer wiring structure
DE3700301A DE3700301C2 (de) 1986-01-07 1987-01-07 Verfahren zur Herstellung einer Vielschicht-Verdrahtungsstruktur
GB8902665A GB2211352B (en) 1986-01-07 1989-02-07 Multilayer wiring structure
US07/593,309 US5165957A (en) 1986-01-07 1990-10-04 Process for producing multilayer wiring structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61001129A JPH069222B2 (ja) 1986-01-07 1986-01-07 多層配線構造の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62159449A JPS62159449A (ja) 1987-07-15
JPH069222B2 true JPH069222B2 (ja) 1994-02-02

Family

ID=11492833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61001129A Expired - Lifetime JPH069222B2 (ja) 1986-01-07 1986-01-07 多層配線構造の製造法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5165957A (ja)
JP (1) JPH069222B2 (ja)
DE (1) DE3700301C2 (ja)
GB (2) GB2188191B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268193A (en) * 1988-06-28 1993-12-07 Amoco Corporation Low dielectric constant, low moisture uptake polyimides and copolyimides for interlevel dielectrics and substrate coatings
US5310862A (en) * 1991-08-20 1994-05-10 Toray Industries, Inc. Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same
US5708300A (en) * 1995-09-05 1998-01-13 Woosley; Alan H. Semiconductor device having contoured package body profile
DE19811878C2 (de) * 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
JP2001288362A (ja) * 2000-04-05 2001-10-16 Hitachi Ltd 耐熱性樹脂組成物及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3037966A (en) * 1960-04-01 1962-06-05 Union Carbide Corp Method for producing polyimides from diamines and di-acid di-ester derivatives of dianhydrides
DE1261672B (de) * 1962-12-04 1968-02-22 Beck & Co G M B H Dr Verfahren zur Herstellung von Polykondensationsprodukten
JPS5144871B2 (ja) * 1971-09-25 1976-12-01
US4030948A (en) * 1975-07-21 1977-06-21 Abe Berger Polyimide containing silicones as protective coating on semiconductor device
DE3060913D1 (en) * 1979-05-12 1982-11-11 Fujitsu Ltd Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure
DE3065150D1 (en) * 1979-06-21 1983-11-10 Fujitsu Ltd Improved electronic device having multilayer wiring structure
JPS57168943A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Coating liquid for thin film formation
JPS57181146A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device
US4528216A (en) * 1983-02-24 1985-07-09 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming heat-resistant resin films of polyimide and organosilicic reactants
JPS59229839A (ja) * 1983-06-03 1984-12-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置
JPS601846A (ja) * 1983-06-18 1985-01-08 Toshiba Corp 多層配線構造の半導体装置とその製造方法
US4871619A (en) * 1983-11-30 1989-10-03 International Business Machines Corporation Electronic components comprising polymide dielectric layers
US4654223A (en) * 1983-11-30 1987-03-31 International Business Machines Corporation Method for forming a film of dielectric material on an electric component
US4699803A (en) * 1983-11-30 1987-10-13 International Business Machines Corporation Method for forming electrical components comprising cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers
JPS60120723A (ja) * 1983-11-30 1985-06-28 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子装置
US4656050A (en) * 1983-11-30 1987-04-07 International Business Machines Corporation Method of producing electronic components utilizing cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers
JPS60119730A (ja) * 1983-11-30 1985-06-27 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション ポリイミド誘導体薄膜の形成方法
US4603195A (en) * 1983-12-30 1986-07-29 International Business Machines Corporation Organosilicon compound and use thereof in photolithography
DE3407799A1 (de) * 1984-03-02 1985-09-05 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zur herstellung einer multilayer-hybridschaltung
US4568601A (en) * 1984-10-19 1986-02-04 International Business Machines Corporation Use of radiation sensitive polymerizable oligomers to produce polyimide negative resists and planarized dielectric components for semiconductor structures
US4586997A (en) * 1984-10-19 1986-05-06 General Electric Company Soluble silicone-imide copolymers
DE3506524A1 (de) * 1985-02-25 1986-08-28 Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal Flexible polyimid-mehrschichtlaminate
JPH0791509B2 (ja) * 1985-12-17 1995-10-04 住友化学工業株式会社 半導体用絶縁膜形成塗布液

Also Published As

Publication number Publication date
DE3700301C2 (de) 1994-03-24
GB2188191A (en) 1987-09-23
GB2211352B (en) 1990-07-11
GB2188191B (en) 1990-08-22
DE3700301A1 (de) 1987-07-09
GB8700065D0 (en) 1987-02-11
GB8902665D0 (en) 1989-03-30
US5165957A (en) 1992-11-24
GB2211352A (en) 1989-06-28
JPS62159449A (ja) 1987-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5883219A (en) Integrated circuit device and process for its manufacture
JP5439268B2 (ja) 架橋ポリイミド、それを含む組成物及びその製造方法
US5089593A (en) Polyimide containing 4,4'-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-biphenyl moieties
KR900005120B1 (ko) 반도체 장치용 절연수지조성물 및 반도체장치
JPH04262593A (ja) 多層配線構造体およびその製造方法とその用途
EP0875906B1 (en) Electronic part and process for manufacturing the same
US5962113A (en) Integrated circuit device and process for its manufacture
US6342455B2 (en) Process for forming an integrated circuit
KR101062556B1 (ko) 다층 배선간의 공동 형성 방법
US5133989A (en) Process for producing metal-polyimide composite article
JPH069222B2 (ja) 多層配線構造の製造法
JPH11292968A (ja) 電子部品およびその製造方法
JPH04235034A (ja) ポリイミド多層膜及びその製造方法
JPH0812763A (ja) 新規ポリアミドイミド共重合体、その製造方法、それを含む被膜形成材料およびパターン形成方法
JPH05230213A (ja) ポリイミド及びそれを用いた配線構造体
JPH05222195A (ja) ポリイミド系樹脂前駆体の製造法および樹脂組成物
JPH0637459A (ja) 多層配線構造の製造法
JPH02158625A (ja) フツ素含有ポリアミツク酸エステルオリゴマーの製造法，絶縁膜用組成物，フツ素含有ポリイミド系樹脂の製造法および絶縁膜の製造法
WO1991010699A1 (en) Resin for protecting semiconductors
JPH06132409A (ja) 多層配線構造の製造法および半導体装置
JP2594545B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR19980032200A (ko) 유전체 조성물 및 집적회로 소자
JPH06140384A (ja) 半導体装置
JPH0766501B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH05267479A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term