JPH0687217A - インクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッドの製造方法Info
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- JPH0687217A JPH0687217A JP3915592A JP3915592A JPH0687217A JP H0687217 A JPH0687217 A JP H0687217A JP 3915592 A JP3915592 A JP 3915592A JP 3915592 A JP3915592 A JP 3915592A JP H0687217 A JPH0687217 A JP H0687217A
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、インクジェットプリンタに使用さ
れるインクジェットヘッドの製造方法に関し、接合基板
の両面を異方性エッチング法により同時エッチングする
ことにより所望のエッチング形状が得られるようにした
インクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。 【構成】 本発明では、厚さの異なる二枚の単結晶基板
１１，１２をＳｉＯ2 膜１３を介し接合して接合基板１
４を作製し、該接合基板１４の両面を、ＳｉＯ2膜１３
をエッチング停止膜として異方性エッチング法によりエ
ッチングする。この場合、（１１１）面はエッチング停
止部分となる。このため、接合基板１４の片面にはイン
ク供給路，圧力室に対応するエッチングパターン１５ａ
を、他面にはノズルに対応するエッチングパターン１５
ｂを形成しておく。その後、エッチング部分のＳｉＯ2
膜を除去し、両面のエッチング部分を連絡させてヘッド
基板１７が作製される。
れるインクジェットヘッドの製造方法に関し、接合基板
の両面を異方性エッチング法により同時エッチングする
ことにより所望のエッチング形状が得られるようにした
インクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。 【構成】 本発明では、厚さの異なる二枚の単結晶基板
１１，１２をＳｉＯ2 膜１３を介し接合して接合基板１
４を作製し、該接合基板１４の両面を、ＳｉＯ2膜１３
をエッチング停止膜として異方性エッチング法によりエ
ッチングする。この場合、（１１１）面はエッチング停
止部分となる。このため、接合基板１４の片面にはイン
ク供給路，圧力室に対応するエッチングパターン１５ａ
を、他面にはノズルに対応するエッチングパターン１５
ｂを形成しておく。その後、エッチング部分のＳｉＯ2
膜を除去し、両面のエッチング部分を連絡させてヘッド
基板１７が作製される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェットプリン
タに使用されるインクジェットヘッドの製造方法に関す
るものである。
タに使用されるインクジェットヘッドの製造方法に関す
るものである。
【０００２】プリンタやファクシミリ等の記録装置で
は、印字手段として、インクジェットヘッドが使用され
るようになってきている。
は、印字手段として、インクジェットヘッドが使用され
るようになってきている。
【０００３】
【従来の技術】図３に従来のインクジェットヘッドの構
造を示す。インクジェットヘッド１は、ノズル２と、該
ノズル２に連通しインク供給路３からインクの供給を受
ける圧力室４と、該圧力室４の一部に圧力を発生させる
圧電素子５とを備えている。このインクジェットヘッド
１はプラテンに沿って往復動する図示しないキヤリアに
搭載され、該キヤリアとともに移動可能である。
造を示す。インクジェットヘッド１は、ノズル２と、該
ノズル２に連通しインク供給路３からインクの供給を受
ける圧力室４と、該圧力室４の一部に圧力を発生させる
圧電素子５とを備えている。このインクジェットヘッド
１はプラテンに沿って往復動する図示しないキヤリアに
搭載され、該キヤリアとともに移動可能である。
【０００４】印字時には、ヘッドをキヤリアとともに移
動させ、所定時機に圧電素子５に電圧を印加して駆動す
る。これにより、圧力室４内に圧力が発生し、ノズル２
からインク粒子６が噴出する。噴出したインク粒子６は
記録紙１００に付着して印字が行われる。
動させ、所定時機に圧電素子５に電圧を印加して駆動す
る。これにより、圧力室４内に圧力が発生し、ノズル２
からインク粒子６が噴出する。噴出したインク粒子６は
記録紙１００に付着して印字が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ヘッド
を構成する材料として、ガラス，金属，樹脂，ステンレ
ス等が使用されているが、近年インクジェットプリンタ
の高解像化に伴い、インクジェットヘッド作製に高加工
精度が求められるようになった。しかし、上記材料によ
り高加工精度を得ることは困難である。
を構成する材料として、ガラス，金属，樹脂，ステンレ
ス等が使用されているが、近年インクジェットプリンタ
の高解像化に伴い、インクジェットヘッド作製に高加工
精度が求められるようになった。しかし、上記材料によ
り高加工精度を得ることは困難である。
【０００６】この解決手段として、Ｓｉ（１００）単結
晶基板またはＳｉ（１１０）単結晶基板に、ＫＯＨ水溶
液等のアルカリ系水溶液を用い異方性エッチングを行い
高加工精度のインクジェットヘッドを作製する方式が試
みられている（例；特開昭５４−１５０１２７，特開昭
５４−１４６６３３）。
晶基板またはＳｉ（１１０）単結晶基板に、ＫＯＨ水溶
液等のアルカリ系水溶液を用い異方性エッチングを行い
高加工精度のインクジェットヘッドを作製する方式が試
みられている（例；特開昭５４−１５０１２７，特開昭
５４−１４６６３３）。
【０００７】ところが、上記方式を用いた場合、次のよ
うな問題が生じる。 （１）Ｓｉ単結晶基板を使用した場合、各面で異方性エ
ッチングによる異なったエッチング形状の作製が困難で
ある。 （２）Ｓｉ単結晶基板を使用した場合、一回の異方性エ
ッチングで両面エッチングを行ったとき、各面から異な
った深さを得ることは困難である。
うな問題が生じる。 （１）Ｓｉ単結晶基板を使用した場合、各面で異方性エ
ッチングによる異なったエッチング形状の作製が困難で
ある。 （２）Ｓｉ単結晶基板を使用した場合、一回の異方性エ
ッチングで両面エッチングを行ったとき、各面から異な
った深さを得ることは困難である。
【０００８】本発明は、接合基板の両面を異方性エッチ
ング法により同時エッチングすることにより所望のエッ
チング形状が得られるようにしたインクジェットヘッド
の製造方法を提供することを目的としている。
ング法により同時エッチングすることにより所望のエッ
チング形状が得られるようにしたインクジェットヘッド
の製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、圧力室と、該圧力室にインクを供給す
るインク供給路と、前記圧力室に連絡するノズルとを備
えたヘッド基板を有するインクジェットヘッドの製造方
法において、厚さの異なる二枚の単結晶基板をシリコン
酸化膜を介し接合して接合基板を形成し、該接合基板の
片面には前記インク供給路，前記圧力室形成用のエッチ
ングパターンを、他面には前記ノズル形成用のエッチン
グパターンを、それぞれ形成した後、前記シリコン酸化
膜をエッチング停止膜として両面同時の異方性エッチン
グを行い、その後前記両エッチングパターン及びエッチ
ング部分の前記シリコン酸化膜を除去し、両面のエッチ
ング部分を連絡させてヘッド基板を形成することを特徴
とする構成（第１の構成）とする。
め、本発明では、圧力室と、該圧力室にインクを供給す
るインク供給路と、前記圧力室に連絡するノズルとを備
えたヘッド基板を有するインクジェットヘッドの製造方
法において、厚さの異なる二枚の単結晶基板をシリコン
酸化膜を介し接合して接合基板を形成し、該接合基板の
片面には前記インク供給路，前記圧力室形成用のエッチ
ングパターンを、他面には前記ノズル形成用のエッチン
グパターンを、それぞれ形成した後、前記シリコン酸化
膜をエッチング停止膜として両面同時の異方性エッチン
グを行い、その後前記両エッチングパターン及びエッチ
ング部分の前記シリコン酸化膜を除去し、両面のエッチ
ング部分を連絡させてヘッド基板を形成することを特徴
とする構成（第１の構成）とする。
【００１０】また、上記第１の構成のインクジェットヘ
ッドの製造方法において、二枚の単結晶基板として、表
面の持つ結晶方向が異なるものを用いたことを特徴とす
る構成（第２の構成）とする。
ッドの製造方法において、二枚の単結晶基板として、表
面の持つ結晶方向が異なるものを用いたことを特徴とす
る構成（第２の構成）とする。
【００１１】また、上記第１の構成または第２の構成の
インクジェットヘッドの製造方法において、接合基板
が、両単結晶基板の加熱による直接接合により形成され
たことを特徴とする構成（第３の構成）とする。
インクジェットヘッドの製造方法において、接合基板
が、両単結晶基板の加熱による直接接合により形成され
たことを特徴とする構成（第３の構成）とする。
【００１２】
【作用】厚さの異なる二枚の単結晶基板を接合した接合
基板を用いて両面を同時に異方性エッチングすることに
より、各面で異なった形状のエッチングを容易にかつ高
精度で行うことができ、しかもシリコン酸化膜をエッチ
ング停止膜とすることにより、エッチングの深さの深い
選択性エッチングが可能となる。
基板を用いて両面を同時に異方性エッチングすることに
より、各面で異なった形状のエッチングを容易にかつ高
精度で行うことができ、しかもシリコン酸化膜をエッチ
ング停止膜とすることにより、エッチングの深さの深い
選択性エッチングが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、図１及び図２に関連して本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１４】図１は本例のインクジェットヘッドの製造
方法説明図で、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は各工程を順に
示している。次に、本図を基にインクジェットヘッドの
製造方法を説明する。
方法説明図で、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は各工程を順に
示している。次に、本図を基にインクジェットヘッドの
製造方法を説明する。
【００１５】ヘッド製造に際しては、図１（Ａ）に示す
Ｓｉ（１００）単結晶基板１１及びＳｉ（１１０）単結
晶基板１２を用意し、該両基板１１，１２のいずれかに
熱酸化法またはスパッタ法等によりＳｉＯ2 膜１３を形
成して該両基板１１，１２をＳｉＯ2 膜１３を介し加熱
により直接接合する。その後、該両基板１１，１２を設
定した厚さまで研磨機により両面研磨して接合基板１４
を作製する。なお、研磨機の研磨精度は±１〜±２μｍ
と高く、本例ではＳｉ（１００）単結晶基板１１が８０
μｍ，Ｓｉ（１１０）単結晶基板１２が２００μｍの厚
さになるまで研磨を行った。
Ｓｉ（１００）単結晶基板１１及びＳｉ（１１０）単結
晶基板１２を用意し、該両基板１１，１２のいずれかに
熱酸化法またはスパッタ法等によりＳｉＯ2 膜１３を形
成して該両基板１１，１２をＳｉＯ2 膜１３を介し加熱
により直接接合する。その後、該両基板１１，１２を設
定した厚さまで研磨機により両面研磨して接合基板１４
を作製する。なお、研磨機の研磨精度は±１〜±２μｍ
と高く、本例ではＳｉ（１００）単結晶基板１１が８０
μｍ，Ｓｉ（１１０）単結晶基板１２が２００μｍの厚
さになるまで研磨を行った。
【００１６】次に、図１（Ｂ）に示すように、上記接合
基板１４の両面及び周面にエッチング保護膜としてＳｉ
Ｏ2 膜１６を熱酸化法等で形成した後、露光用レジスト
液を塗布し、Ｓｉ（１００）単結晶基板１１側の面（図
１（Ｂ）の上面）にインク室及びインク供給路のエッチ
ングパターンの露光，現像を、Ｓｉ（１００）単結晶基
板１２側の面（図１（Ｂ）の下面）にノズルのエッチン
グパターンの露光，現像を、それぞれ行う。
基板１４の両面及び周面にエッチング保護膜としてＳｉ
Ｏ2 膜１６を熱酸化法等で形成した後、露光用レジスト
液を塗布し、Ｓｉ（１００）単結晶基板１１側の面（図
１（Ｂ）の上面）にインク室及びインク供給路のエッチ
ングパターンの露光，現像を、Ｓｉ（１００）単結晶基
板１２側の面（図１（Ｂ）の下面）にノズルのエッチン
グパターンの露光，現像を、それぞれ行う。
【００１７】このとき、各面のエッチングパターンの位
置合わせを行うため、両面露光機を使用する。エッチン
グパターンの形状は、異方性エッチングを考慮した場
合、１００面側（上面側）は図２（Ａ）に示すように一
辺が＜１１０＞方向を持つ長方形（正方形）１５ａとな
り、１１０面側（下面側）は図２（Ｂ）に示すように一
辺が＜１１２＞方向を持つ鋭角が約７１°の平行四辺形
１５ｂとなる。現像後、ＨＦ（ふつ酸）水溶液によりレ
ジストを取り除いた部分のＳｉＯ2 膜１６を取り除くこ
とにより、Ｓｉが露出する。１１ａ，１２ａはＳｉ露出
部分である。
置合わせを行うため、両面露光機を使用する。エッチン
グパターンの形状は、異方性エッチングを考慮した場
合、１００面側（上面側）は図２（Ａ）に示すように一
辺が＜１１０＞方向を持つ長方形（正方形）１５ａとな
り、１１０面側（下面側）は図２（Ｂ）に示すように一
辺が＜１１２＞方向を持つ鋭角が約７１°の平行四辺形
１５ｂとなる。現像後、ＨＦ（ふつ酸）水溶液によりレ
ジストを取り除いた部分のＳｉＯ2 膜１６を取り除くこ
とにより、Ｓｉが露出する。１１ａ，１２ａはＳｉ露出
部分である。
【００１８】このように上，下面にＳｉ露出部分１１
ａ，１２ａが形成された接合基板１４をＫＯＨ水溶液等
のアルカリ系水溶液中に浸して異方性エッチングを行
う。これにより、図１（ｃ）に示すように前記Ｓｉ露出
部分１１ａ，１２ａのエッチングが行われる。（１１
１）面のエッチング速度は（１００）面及び（１１０）
面のエッチング速度の０．３〜０．４％とはるかに遅い
ため、Ｓｉ露出部分１１ａ（１００）面に対して約５４
°の角度を持つ（１１１）面を形成してエッチングされ
る。
ａ，１２ａが形成された接合基板１４をＫＯＨ水溶液等
のアルカリ系水溶液中に浸して異方性エッチングを行
う。これにより、図１（ｃ）に示すように前記Ｓｉ露出
部分１１ａ，１２ａのエッチングが行われる。（１１
１）面のエッチング速度は（１００）面及び（１１０）
面のエッチング速度の０．３〜０．４％とはるかに遅い
ため、Ｓｉ露出部分１１ａ（１００）面に対して約５４
°の角度を持つ（１１１）面を形成してエッチングされ
る。
【００１９】Ｓｉ露出部分１２ａは、（１１０）面に対
し９０°の角度を持つ２つの面と約３５°の傾斜角を持
つ２つの面を形成してエッチングされる。本例では、Ｓ
ｉ（１００）単結晶基板１１の厚さが８０μｍでＳｉ
（１１０）単結晶基板１２の厚さ２００μｍより薄いた
め、Ｓｉ露出部分１１ａ側からのエッチング面がＳｉ露
出部分１２ａ側からのそれより先にＳｉＯ2 膜１３に達
する。
し９０°の角度を持つ２つの面と約３５°の傾斜角を持
つ２つの面を形成してエッチングされる。本例では、Ｓ
ｉ（１００）単結晶基板１１の厚さが８０μｍでＳｉ
（１１０）単結晶基板１２の厚さ２００μｍより薄いた
め、Ｓｉ露出部分１１ａ側からのエッチング面がＳｉ露
出部分１２ａ側からのそれより先にＳｉＯ2 膜１３に達
する。
【００２０】さらに接合基板１４の異方性エッチングを
続けると、ＳｉＯ2 膜１３はアルカリ系水溶液にはエッ
チングされず、また（１１１）面のエッチング速度は他
の面と比べ非常に遅いため、Ｓｉ露出部分１１ａはエッ
チングされないと考えて良い。このため、Ｓｉ露出部分
１２ａのみがエッチングされてＳｉＯ2 膜１３に達す
る。以上の異方性エッチングが終了した後、ＨＦ水溶液
で露出したＳｉＯ2 膜１３及び両エッチングパターン１
５ａ，１５ｂを取り除く。図１（Ｄ）はこの状態を示し
ている。
続けると、ＳｉＯ2 膜１３はアルカリ系水溶液にはエッ
チングされず、また（１１１）面のエッチング速度は他
の面と比べ非常に遅いため、Ｓｉ露出部分１１ａはエッ
チングされないと考えて良い。このため、Ｓｉ露出部分
１２ａのみがエッチングされてＳｉＯ2 膜１３に達す
る。以上の異方性エッチングが終了した後、ＨＦ水溶液
で露出したＳｉＯ2 膜１３及び両エッチングパターン１
５ａ，１５ｂを取り除く。図１（Ｄ）はこの状態を示し
ている。
【００２１】上記工程により、上側に圧力室，インク供
給路が、下側にノズルがそれぞれ形成されたヘッド基板
１７が得られる。このヘッド基板１７の上面に、図１
（Ｅ）に示すように、振動板となる他の基板１８を接合
する。基板１８の材料としては、ガラス，樹脂，Ｓｉ等
が考えられ、接合方法としては、接着剤による接合、静
電接合（例；特開昭５４−１４６３３）等が考えられる
が、本例では、基板１８の材料にＳｉ（１００）単結晶
板を用い、これをヘッド基板１７に直接接合した。
給路が、下側にノズルがそれぞれ形成されたヘッド基板
１７が得られる。このヘッド基板１７の上面に、図１
（Ｅ）に示すように、振動板となる他の基板１８を接合
する。基板１８の材料としては、ガラス，樹脂，Ｓｉ等
が考えられ、接合方法としては、接着剤による接合、静
電接合（例；特開昭５４−１４６３３）等が考えられる
が、本例では、基板１８の材料にＳｉ（１００）単結晶
板を用い、これをヘッド基板１７に直接接合した。
【００２２】その後、基板１８を設定の厚さに研磨し、
最後に、ノズル，圧力室，インク供給路を構成する壁面
の耐インク性及びインクとの濡れを良くするため、熱酸
化法によりＳｉＯ2 膜１９を形成する。２０は圧力室、
２１はノズルである。
最後に、ノズル，圧力室，インク供給路を構成する壁面
の耐インク性及びインクとの濡れを良くするため、熱酸
化法によりＳｉＯ2 膜１９を形成する。２０は圧力室、
２１はノズルである。
【００２３】インクジェットヘッドは、基板１８上の各
圧力室２０と対向する位置に圧電素子を接合することに
より得られる。
圧力室２０と対向する位置に圧電素子を接合することに
より得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
の各種の優れた効果を得ることができる。 （１）異方性エッチング法で、各面異なったエッチング
形状の形成が容易となる。 （２）厚さの異なる二枚の単結晶基板の接合面のＳｉＯ
2 膜と（１１１）面のエッチング速度が他の面と比較し
て大変遅いことを利用することにより、一回の両面エッ
チングで深さ方向及び基板面に沿った方向に高い精度の
エッチングができる。 （３）上記（２）項の理由により、エッチング精度のエ
ッチング時間による影響を小さくできる。 （４）接合面のＳｉＯ2 膜をエッチング停止膜とするこ
とにより、エッチング深さの深い選択性エッチングが可
能となる。
の各種の優れた効果を得ることができる。 （１）異方性エッチング法で、各面異なったエッチング
形状の形成が容易となる。 （２）厚さの異なる二枚の単結晶基板の接合面のＳｉＯ
2 膜と（１１１）面のエッチング速度が他の面と比較し
て大変遅いことを利用することにより、一回の両面エッ
チングで深さ方向及び基板面に沿った方向に高い精度の
エッチングができる。 （３）上記（２）項の理由により、エッチング精度のエ
ッチング時間による影響を小さくできる。 （４）接合面のＳｉＯ2 膜をエッチング停止膜とするこ
とにより、エッチング深さの深い選択性エッチングが可
能となる。
【図１】本発明の実施例のインクジェットヘッドの製造
方法説明図で、図１（Ａ）は接合基板形成工程図、図１
（Ｂ）はエッチングパターン形成工程図、図１（Ｃ）は
第１のエッチング工程図、図１（Ｄ）は第２のエッチン
グ工程図、をそれぞれ示し、図１（Ｅ）は完成したイン
クジェットヘッド（圧電素子未取付）を示す。
方法説明図で、図１（Ａ）は接合基板形成工程図、図１
（Ｂ）はエッチングパターン形成工程図、図１（Ｃ）は
第１のエッチング工程図、図１（Ｄ）は第２のエッチン
グ工程図、をそれぞれ示し、図１（Ｅ）は完成したイン
クジェットヘッド（圧電素子未取付）を示す。
【図２】図１（Ｂ）の工程のエッチングパターン説明図
で、図２（Ａ）は上面のものを、図２（Ｂ）は下面のも
のをそれぞれ示す。
で、図２（Ａ）は上面のものを、図２（Ｂ）は下面のも
のをそれぞれ示す。
【図３】従来のインクジェットヘッドの構造を示す側面
図である。
図である。
【符号の説明】 １１ Ｓｉ（１００）単結晶基板 １１ａ，１２ａ Ｓｉ露出部分 １２ Ｓｉ（１１０）単結晶基板 １３，１６，１９ ＳｉＯ2 膜 １４ 接合基板 １７ ヘッド基板 １８ 基板（振動板）
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｂ 21/306 Ｂ 9278−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 圧力室と、該圧力室にインクを供給する
インク供給路と、前記圧力室に連絡するノズルとを備え
たヘッド基板を有するインクジェットヘッドの製造方法
において、 厚さの異なる二枚の単結晶基板をシリコン酸化膜を介し
接合して接合基板を形成し、 該接合基板の片面には前記インク供給路，前記圧力室形
成用のエッチングパターンを、他面には前記ノズル形成
用のエッチングパターンをそれぞれ形成した後、前記シ
リコン酸化膜をエッチング停止膜として両面同時の異方
性エッチングを行い、 その後、前記両エッチングパターン及びエッチング部分
の前記シリコン酸化膜を除去し、両面のエッチング部分
を連絡させてヘッド基板を形成することを特徴とするイ
ンクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 二枚の単結晶基板として、表面の持つ結
晶方向が異なるものを用いたことを特徴とする請求項１
記載のインクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 接合基板が、両単結晶基板の加熱による
直接接合により形成されたことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載のインクジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3915592A JP3239274B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3915592A JP3239274B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687217A true JPH0687217A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3239274B2 JP3239274B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=12545224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3915592A Expired - Fee Related JP3239274B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239274B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6126279A (en) * | 1995-11-24 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Ink jet printing head for improving resolution and decreasing crosstalk |
| US6214245B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-04-10 | Eastman Kodak Company | Forming-ink jet nozzle plate layer on a base |
| US6238584B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-05-29 | Eastman Kodak Company | Method of forming ink jet nozzle plates |
| US6258286B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-07-10 | Eastman Kodak Company | Making ink jet nozzle plates using bore liners |
| US6270202B1 (en) | 1997-04-24 | 2001-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid jetting apparatus having a piezoelectric drive element directly bonded to a casing |
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