JPH0686655B2 - 複合導電層の製造方法 - Google Patents
複合導電層の製造方法Info
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- JPH0686655B2 JPH0686655B2 JP59501346A JP50134684A JPH0686655B2 JP H0686655 B2 JPH0686655 B2 JP H0686655B2 JP 59501346 A JP59501346 A JP 59501346A JP 50134684 A JP50134684 A JP 50134684A JP H0686655 B2 JPH0686655 B2 JP H0686655B2
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- composite conductive
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は複合層の製造方法および装置に関するものであ
る。本発明はとくに液状媒質ディスプレイセル用電極の
製作および例えば窓ガラスの除霜を可能にする透明加熱
部材の製作に関する。
る。本発明はとくに液状媒質ディスプレイセル用電極の
製作および例えば窓ガラスの除霜を可能にする透明加熱
部材の製作に関する。
背景技術 例えばガラス基板上に沈着されたスズドープされたイン
ジウム酸化物からなる第１層、および該第１層上に沈着
されたフッ素またはアンチモンドープされたスズ酸化物
からなる第２層によって構成される複合層を製造する方
法は公知である。
ジウム酸化物からなる第１層、および該第１層上に沈着
されたフッ素またはアンチモンドープされたスズ酸化物
からなる第２層によって構成される複合層を製造する方
法は公知である。
第１の方法は高周波陰極スパッタリングにより第１層を
沈着し、次にこの第１層の真空焼きなましを行ない、そ
れから高周波陰極スパッタリングにより同様に第２層を
沈着することからなる。
沈着し、次にこの第１層の真空焼きなましを行ない、そ
れから高周波陰極スパッタリングにより同様に第２層を
沈着することからなる。
この第１の方法には、第１層の沈着の次に熱処理（真空
焼なまし）が必要であるという不利があり、このことは
複合層のために考えられる用途と矛盾しない値にこの層
の強度を低下させるものである。この熱的真空焼きなま
しの目的はこれら酸化の導電度の主成分の化学量論の偏
差を大きくすることである。
焼なまし）が必要であるという不利があり、このことは
複合層のために考えられる用途と矛盾しない値にこの層
の強度を低下させるものである。この熱的真空焼きなま
しの目的はこれら酸化の導電度の主成分の化学量論の偏
差を大きくすることである。
第２の方法は、このための公知の装置内でかつ約20℃の
周囲温度５より高い温度で、基板上に超音波または空気
圧式方法によって得られるエアゾールの化学反応スプレ
ーイングによって第１層を沈着し、次に基板および第１
層からなる構成体を装置から取り出し、該構成体を戸外
に持ち来たし、周囲温度にまで冷却する。次いで前記構
成体を装置内に戻し、そして前記基板と前記第１層を予
め再加熱した後、超音波または空気圧式方法で得られる
エアゾールの化学反応スプレーイングによって第２層を
沈着する。
周囲温度５より高い温度で、基板上に超音波または空気
圧式方法によって得られるエアゾールの化学反応スプレ
ーイングによって第１層を沈着し、次に基板および第１
層からなる構成体を装置から取り出し、該構成体を戸外
に持ち来たし、周囲温度にまで冷却する。次いで前記構
成体を装置内に戻し、そして前記基板と前記第１層を予
め再加熱した後、超音波または空気圧式方法で得られる
エアゾールの化学反応スプレーイングによって第２層を
沈着する。
この第２の方法は、その実施のために使用される公知の
装置により、第１層を蒸着した後、大気温度（周囲温度
で）に戻し、２つの層を別個に蒸着させることを必要と
するという不利がある。従って、小さい電気抵抗の、す
なわち多くても2.5×10-4Ω・cmに等しい電気抵抗のスズ
ドープされたインジウム酸化物層を得ることができな
い。従って、第１層の電気的特性は第２層の蒸着に先立
つ第１層の冷却または予備加熱の間に第１層の空気酸化
によって引き起されるインジウム酸化物の化学量論の偏
差の減少に影響される。
装置により、第１層を蒸着した後、大気温度（周囲温度
で）に戻し、２つの層を別個に蒸着させることを必要と
するという不利がある。従って、小さい電気抵抗の、す
なわち多くても2.5×10-4Ω・cmに等しい電気抵抗のスズ
ドープされたインジウム酸化物層を得ることができな
い。従って、第１層の電気的特性は第２層の蒸着に先立
つ第１層の冷却または予備加熱の間に第１層の空気酸化
によって引き起されるインジウム酸化物の化学量論の偏
差の減少に影響される。
発明の開示 本発明の目的は、熱処理を行わずに小さな電気抵抗の導
電性複合層を製造する方法および装置を提供することに
より前述の欠点を排除することにある。更に、一般的に
は、本発明の目的は、電気抵抗のごとき幾つかの物理的
特性が例えば酸化により前記層の製造の間に変性され
る、複合層の公知の製造方法の欠点を排除することにあ
る。
電性複合層を製造する方法および装置を提供することに
より前述の欠点を排除することにある。更に、一般的に
は、本発明の目的は、電気抵抗のごとき幾つかの物理的
特性が例えば酸化により前記層の製造の間に変性され
る、複合層の公知の製造方法の欠点を排除することにあ
る。
更に特に、本発明は、化合物から製造される第１層およ
び少なくとも１つの他の層によって構成され、これらの
層が重畳され、これらの層を順次一方を他方の上に蒸着
し、第１層が基板上に蒸着される方法において、各層が
先行する層に続いて直ちに蒸着され、そして前記層の蒸
着は化学反応スプレーイングによりかつ蒸着すべき化合
物によってきまる温度で行なわれ、化学的に不活性な雰
囲気が各蒸着工程の間で維持されることを特徴とする複
合層の製造方法に関する。
び少なくとも１つの他の層によって構成され、これらの
層が重畳され、これらの層を順次一方を他方の上に蒸着
し、第１層が基板上に蒸着される方法において、各層が
先行する層に続いて直ちに蒸着され、そして前記層の蒸
着は化学反応スプレーイングによりかつ蒸着すべき化合
物によってきまる温度で行なわれ、化学的に不活性な雰
囲気が各蒸着工程の間で維持されることを特徴とする複
合層の製造方法に関する。
層の各蒸着工程の間で化学的に不活性な媒質を保持する
ことにより、このようにして蒸着される層の物理的特性
の変化がすべて回避される。
ことにより、このようにして蒸着される層の物理的特性
の変化がすべて回避される。
「化学的に不活性な雰囲気または媒質」の語は、例えば
チッ素または希ガス雰囲気を意味する。「きまる温度」
の語は、反応性化学スプレーイング操作が実施されなけ
ればならずそして蒸着すべき化合物および基質ならびに
先に蒸着された層の性質の関数である温度を意味する。
「反応性化学スプレーイング」の語は、塩類溶液をスプ
レーして微細化し、基板表面に沈着または被覆を形成す
ることを意味する。
チッ素または希ガス雰囲気を意味する。「きまる温度」
の語は、反応性化学スプレーイング操作が実施されなけ
ればならずそして蒸着すべき化合物および基質ならびに
先に蒸着された層の性質の関数である温度を意味する。
「反応性化学スプレーイング」の語は、塩類溶液をスプ
レーして微細化し、基板表面に沈着または被覆を形成す
ることを意味する。
最後の層の沈着は得られた複合層は周囲空気中で冷却さ
れ、この最後の層はその前に蒸着された他のすべての層
の保護壁として作用する。
れ、この最後の層はその前に蒸着された他のすべての層
の保護壁として作用する。
基板は例えばガラスのごとき電気絶縁材料から作られ
る。
る。
本発明の方法の特別な特徴によれば、少なくとも第１層
は導電性材料から作られる。
は導電性材料から作られる。
他の特別な特徴によれば、層は２個であり、他の層は第
２層を形成し、第１層はスズドープされたインジウム酸
化物から作られ、かつ第２層は２つの元素、フッ素また
はアンチモンのうちの１つによりドープされたスズ酸化
物から作られる。得られた複合層は非常に僅かな抵抗お
よび高い光伝送性を有する。
２層を形成し、第１層はスズドープされたインジウム酸
化物から作られ、かつ第２層は２つの元素、フッ素また
はアンチモンのうちの１つによりドープされたスズ酸化
物から作られる。得られた複合層は非常に僅かな抵抗お
よび高い光伝送性を有する。
他の特別な特徴によれば、前記化学反応スプレーイング
は超音波スプレーイングである。
は超音波スプレーイングである。
他の特別な特徴によれば、前記化学反応スプレーイング
は空気式スプレーイングである。
は空気式スプレーイングである。
本発明はまた、第１層および少なくとも１つの他の層か
ら構成され、これらの層が化合物から合成されかつ順次
一方が他方の上に配置され、第１層が基板上に配置され
るものにおいて、第１層の沈着のための第１室および他
の層の沈着のための少なくとも１つの他の室からなり、
各室は化学的に不活性な雰囲気で充填された熱伝達手段
を介して次の室と連通し、１つの室から次の室へ基板を
移動する手段が前記熱伝達手段と協働し、各室はそれに
対応する層を化学反応スプレーイングにより沈着するた
めの手段を備え、前記室と前記熱伝達手段が沈着すべき
化合物によってきまる温度に維持されてなる、複合層の
製造装置に関する。
ら構成され、これらの層が化合物から合成されかつ順次
一方が他方の上に配置され、第１層が基板上に配置され
るものにおいて、第１層の沈着のための第１室および他
の層の沈着のための少なくとも１つの他の室からなり、
各室は化学的に不活性な雰囲気で充填された熱伝達手段
を介して次の室と連通し、１つの室から次の室へ基板を
移動する手段が前記熱伝達手段と協働し、各室はそれに
対応する層を化学反応スプレーイングにより沈着するた
めの手段を備え、前記室と前記熱伝達手段が沈着すべき
化合物によってきまる温度に維持されてなる、複合層の
製造装置に関する。
本発明により製造装置は沈着すべき各化合物に適合する
温度で複数の層を順次に直ちに沈着させることができ、
そして各層をその沈着の後で次の層の沈着の時まで、熱
伝達手段内を通過する間に前の層の特性の変化を防止す
るように、化学的に不活性な媒質中に維持することがで
きる。
温度で複数の層を順次に直ちに沈着させることができ、
そして各層をその沈着の後で次の層の沈着の時まで、熱
伝達手段内を通過する間に前の層の特性の変化を防止す
るように、化学的に不活性な媒質中に維持することがで
きる。
本発明は添付図面を参照して以下の実施例の説明からよ
り良く理解されよう。
り良く理解されよう。
図面の簡単な説明 第１図は本発明の製造装置の特別な実施例の概略図、 第２図は第１図に示された装置に使用される超音波スプ
レーイング手段の特別な実施例の概略図である。
レーイング手段の特別な実施例の概略図である。
第１図には、例えばスズドープされたインジウム酸化物
で作られかつガラス板のような電気的絶縁基板３上に沈
着された導電性の第１層２、およびフッ素またはアンチ
モンドープされたスズ酸化物から作られかつ第１層２上
に沈着される導電性の第２層４によって構成される複合
層を製造することのできる本発明の製造装置の特別な実
施例が示されている。
で作られかつガラス板のような電気的絶縁基板３上に沈
着された導電性の第１層２、およびフッ素またはアンチ
モンドープされたスズ酸化物から作られかつ第１層２上
に沈着される導電性の第２層４によって構成される複合
層を製造することのできる本発明の製造装置の特別な実
施例が示されている。
第１図に示した装置は実質的に、第１層２の沈着のため
の第１室5a、第２層４の沈着のための第２室5b、前記２
つの室5aおよび5bを連通する熱伝達手段６、および該熱
伝達手段６を介して第１室5aから第２室5bへ基板３を移
動させる手段７からなっている。各室5aまたは5bは対応
する層２または４をスプレーイングにより沈着するため
の手段8aまたは8bを備えている。
の第１室5a、第２層４の沈着のための第２室5b、前記２
つの室5aおよび5bを連通する熱伝達手段６、および該熱
伝達手段６を介して第１室5aから第２室5bへ基板３を移
動させる手段７からなっている。各室5aまたは5bは対応
する層２または４をスプレーイングにより沈着するため
の手段8aまたは8bを備えている。
第１図に示した装置は、水平に配置されたいわゆる進行
オーブン９によって実施されることができ、このオーブ
ン９上には垂直に順々に２つの室5aおよび5bが取り付け
られていて、これらは進行オーブン９と連通するように
なっている。前記熱伝達手段６は２つの室5aと5bとの間
で配列オーブン９の一部分によって構成される。進行オ
ーブン９はこのオーブン９内へ基板３を導入するため、
および一度そこに形成された層２および４を備えた基板
３の回収のために設けられた入口10および出口11を含ん
でいる。さらに、進行オーブン９は前記移動手段７を構
成するベルトコンベヤを含んでいる。
オーブン９によって実施されることができ、このオーブ
ン９上には垂直に順々に２つの室5aおよび5bが取り付け
られていて、これらは進行オーブン９と連通するように
なっている。前記熱伝達手段６は２つの室5aと5bとの間
で配列オーブン９の一部分によって構成される。進行オ
ーブン９はこのオーブン９内へ基板３を導入するため、
および一度そこに形成された層２および４を備えた基板
３の回収のために設けられた入口10および出口11を含ん
でいる。さらに、進行オーブン９は前記移動手段７を構
成するベルトコンベヤを含んでいる。
進行オーブン９は、基板上に２層以上を蒸着したいなら
ば、連通し順次に配置された２つ以上の室を含むことが
できる。
ば、連通し順次に配置された２つ以上の室を含むことが
できる。
進行オーブン９および室5aと5bは、公知の加熱手段、例
えば電気抵抗体を備えており、従って室およびオーブ
ン、とくにこれらの室の間の部分６が所定の温度に維持
される。
えば電気抵抗体を備えており、従って室およびオーブ
ン、とくにこれらの室の間の部分６が所定の温度に維持
される。
さらに、熱伝達手段６は、例えばチッ素によって構成さ
れる不活性雰囲気で充填される。これを行なうため、熱
伝達手段６は該熱伝達手段内へのチッ素を導入する導管
13を備えている。伝達手段６の内部には邪魔板14が配置
されており、したがって層は連続する２つの室の間のチ
ッ素雰囲気中に絶えず浸される。
れる不活性雰囲気で充填される。これを行なうため、熱
伝達手段６は該熱伝達手段内へのチッ素を導入する導管
13を備えている。伝達手段６の内部には邪魔板14が配置
されており、したがって層は連続する２つの室の間のチ
ッ素雰囲気中に絶えず浸される。
各室5aまたは5bは、例えば平行六面体の形状を有し、そ
して導管16によって排出される反応ガスおよびチッ素の
回収に向けられるダクトを形成する２重の仕切り壁15a
および15bが横方向にあり前記導管16は各室の一方およ
び他方から出てかつ図示してないポンプ手段に接続され
る。この導管16は後述のごとく本発明において使用する
ことができる他のガスを排出することもできる。各室5a
または5bはその下方部分により進行オーブン９に接続さ
れ、かつその上方部分でプラグ17aまたは17bによって閉
止され、該プラグは対応する室5aまたは5b内の温度を制
御する熱電対18aまたは18bを備え、かつ室5aまたは5b内
に通されるものを観察することができる丸窓19aまたは1
9bを備えている。
して導管16によって排出される反応ガスおよびチッ素の
回収に向けられるダクトを形成する２重の仕切り壁15a
および15bが横方向にあり前記導管16は各室の一方およ
び他方から出てかつ図示してないポンプ手段に接続され
る。この導管16は後述のごとく本発明において使用する
ことができる他のガスを排出することもできる。各室5a
または5bはその下方部分により進行オーブン９に接続さ
れ、かつその上方部分でプラグ17aまたは17bによって閉
止され、該プラグは対応する室5aまたは5b内の温度を制
御する熱電対18aまたは18bを備え、かつ室5aまたは5b内
に通されるものを観察することができる丸窓19aまたは1
9bを備えている。
手段8aおよび8bは層２および４を別個に沈着することが
でき、例えば、同じ型の超音波スプレーイング手段によ
って構成される。指摘されることは、超音波スプレーイ
ング方法は「ピロゾル（PYROSOL）」の名で従来技術に
おいて公知であり、かつとくに原子力委員会により1970
年10月25日に出願されたフランス特許出願第2,110,622
号（特開昭47-8758号）の対象をなしていることであ
る。スプレーイング手段8aまたは8bは、それらの２つの
端部で閉止されたチューブによって構成され対応する室
5aまたは5bの内部に水平にその頂部に向ってかつベルト
コンベヤ７の移動方向に対して垂直に配置されたノズル
20aまたは20bを有している。このチューブには、該チュ
ーブの頂部で、該チューブに沿って整列させられた複数
の孔21（第２図）が穿設されている。図示してない超音
波発生器は、ノズル20aまたは20bの母線に沿って配置さ
れた孔21の列に設けられた、ノズル20aまたは20b内にキ
ャリヤガスによって搬送されるエアゾールを発生する。
このエアゾールは管路24によってノズル20aまたは20bに
導入され、かつ孔21を通って出る。
でき、例えば、同じ型の超音波スプレーイング手段によ
って構成される。指摘されることは、超音波スプレーイ
ング方法は「ピロゾル（PYROSOL）」の名で従来技術に
おいて公知であり、かつとくに原子力委員会により1970
年10月25日に出願されたフランス特許出願第2,110,622
号（特開昭47-8758号）の対象をなしていることであ
る。スプレーイング手段8aまたは8bは、それらの２つの
端部で閉止されたチューブによって構成され対応する室
5aまたは5bの内部に水平にその頂部に向ってかつベルト
コンベヤ７の移動方向に対して垂直に配置されたノズル
20aまたは20bを有している。このチューブには、該チュ
ーブの頂部で、該チューブに沿って整列させられた複数
の孔21（第２図）が穿設されている。図示してない超音
波発生器は、ノズル20aまたは20bの母線に沿って配置さ
れた孔21の列に設けられた、ノズル20aまたは20b内にキ
ャリヤガスによって搬送されるエアゾールを発生する。
このエアゾールは管路24によってノズル20aまたは20bに
導入され、かつ孔21を通って出る。
第１図および第２図は、さらに、スプレーイング手段8a
または8bが部分的に熱遮蔽27aまたは27bによって囲まれ
ることを示す。
または8bが部分的に熱遮蔽27aまたは27bによって囲まれ
ることを示す。
説明のためのものであってそれに限定されない実施例に
おいて、インジウムアセチルアセトネートは溶液0.1Nを
与えるようにしてアセチルアセトンに溶解される。この
溶液は（周波数800KHzの）超音波発生器によってエアゾ
ールに変えられる。このエアゾールは室5aのノズル20a
内に空気流（約10リットル／分の流量で）によって導か
れる。蒸着温度は約500℃である。使用するインジウム
アセチルアセトネート溶液はSn/In比が2.5原子％に等し
くなるようにスズでドープされる。更に、メタノール中
の0.1N4塩化スズ溶液は超音波発生器（周波数800KHz）
によって前記のようにしてエアゾールに変えられる。こ
のエアゾールは室5bのノズル20b内に空気流（約10リッ
トル／分の流量で）によって搬送される。操作温度はこ
この場合は約450℃である。使用する４塩化スズ溶液はF
/Sn比が５原子％に等しくなるようにフッ素によってド
ープされる。コンベヤベルト７の速度は、この実施例に
おいて、約1cm/分である。
おいて、インジウムアセチルアセトネートは溶液0.1Nを
与えるようにしてアセチルアセトンに溶解される。この
溶液は（周波数800KHzの）超音波発生器によってエアゾ
ールに変えられる。このエアゾールは室5aのノズル20a
内に空気流（約10リットル／分の流量で）によって導か
れる。蒸着温度は約500℃である。使用するインジウム
アセチルアセトネート溶液はSn/In比が2.5原子％に等し
くなるようにスズでドープされる。更に、メタノール中
の0.1N4塩化スズ溶液は超音波発生器（周波数800KHz）
によって前記のようにしてエアゾールに変えられる。こ
のエアゾールは室5bのノズル20b内に空気流（約10リッ
トル／分の流量で）によって搬送される。操作温度はこ
この場合は約450℃である。使用する４塩化スズ溶液はF
/Sn比が５原子％に等しくなるようにフッ素によってド
ープされる。コンベヤベルト７の速度は、この実施例に
おいて、約1cm/分である。
複合層の製造は、再び第１図を参照しながら、以下の方
法によって行なわれる。すなわち、基板３はその入口10
を通って進行オーブン９内に導入され、ベルトコンベヤ
７によって第１室5aに供給され、そこで第２層で被覆さ
れ、次いでコンベヤベルト７によって、２つの室の間に
あるオーブン９の部分６を通って第２室5bに搬送され、
第１層２はこの場合に、約450℃で行なわれる第２層４
の沈着の時まで、それが製造される温度（約500℃）の
近傍の温度に保持される。第１層２を備えた基板３は、
第２室5b内の通る間に第２層で被覆され、それが回収さ
れる出口11にコンベヤベルト７によって次いで排出され
る。得られた複合層の冷却は大気中で行われ、周囲温度
まで下げられる。第２層は第１層の保護層の役目をし、
かつ冷却のとき発生し得る第１層の酸化を回避する。
法によって行なわれる。すなわち、基板３はその入口10
を通って進行オーブン９内に導入され、ベルトコンベヤ
７によって第１室5aに供給され、そこで第２層で被覆さ
れ、次いでコンベヤベルト７によって、２つの室の間に
あるオーブン９の部分６を通って第２室5bに搬送され、
第１層２はこの場合に、約450℃で行なわれる第２層４
の沈着の時まで、それが製造される温度（約500℃）の
近傍の温度に保持される。第１層２を備えた基板３は、
第２室5b内の通る間に第２層で被覆され、それが回収さ
れる出口11にコンベヤベルト７によって次いで排出され
る。得られた複合層の冷却は大気中で行われ、周囲温度
まで下げられる。第２層は第１層の保護層の役目をし、
かつ冷却のとき発生し得る第１層の酸化を回避する。
それぞれの層の厚さは、２つの室の各々で前記層を得る
ためにスパッタリングされる生成物の量によって、かつ
コンベヤベルト７の進行速度によって決定される。
ためにスパッタリングされる生成物の量によって、かつ
コンベヤベルト７の進行速度によって決定される。
もちろん、超音波スプレーイング手段8aおよび8bに代え
て、従来公知の空気式スプレーイング手段を利用するこ
ともできる。例として、インジウムアセチルアセトネー
トおよび４塩化スズのスプレーイングのための前述の条
件において、以下の特性を有する複合層を得た。
て、従来公知の空気式スプレーイング手段を利用するこ
ともできる。例として、インジウムアセチルアセトネー
トおよび４塩化スズのスプレーイングのための前述の条
件において、以下の特性を有する複合層を得た。
ガラス基板上に蒸着された0.2μｍの厚さのスズドープ
されたインジウム酸化物の層は、約25Ωの面積抵抗（正
方形の２つの対向側部間に流れる電流に対する正方形層
部分の抵抗）および約5・10-4Ωcmの固有抵抗を有する。
先行する層上に0.2μｍの長さのフッ素ドープされたス
ズ酸化物層を本発明により蒸着することにより、約7.5
Ωの全体の正方形抵抗、すなわち約3.5Ωcmの全固有抵
抗を有する複合層を得る。フッ素ドープされたスズ酸化
物層に対して現在得られる6・10-4Ωcmの値をとるとき、
スズドープされたインジウム酸化物の層に関して2・10-4
Ωcmの値が得られる。従って、第１の場合に、スズドー
プされたインジウム酸化物層はその蒸着後大気中で冷却
されるとき酸化され、そしてその固有抵抗は化学量論の
偏差の減少の結果増大する。これに反して、第２の場合
において、フッ素ドープされたスズ酸化物層は大気中で
この酸化を防げ、そして保護された層の固有抵抗は低く
保たれている。
されたインジウム酸化物の層は、約25Ωの面積抵抗（正
方形の２つの対向側部間に流れる電流に対する正方形層
部分の抵抗）および約5・10-4Ωcmの固有抵抗を有する。
先行する層上に0.2μｍの長さのフッ素ドープされたス
ズ酸化物層を本発明により蒸着することにより、約7.5
Ωの全体の正方形抵抗、すなわち約3.5Ωcmの全固有抵
抗を有する複合層を得る。フッ素ドープされたスズ酸化
物層に対して現在得られる6・10-4Ωcmの値をとるとき、
スズドープされたインジウム酸化物の層に関して2・10-4
Ωcmの値が得られる。従って、第１の場合に、スズドー
プされたインジウム酸化物層はその蒸着後大気中で冷却
されるとき酸化され、そしてその固有抵抗は化学量論の
偏差の減少の結果増大する。これに反して、第２の場合
において、フッ素ドープされたスズ酸化物層は大気中で
この酸化を防げ、そして保護された層の固有抵抗は低く
保たれている。
従って本発明は、被覆された材料の劣化を防止すること
ができるので、複合層の公知の製造方法と比較して優れ
た利点を有する。例えばインジウム酸化物層上に沈着さ
れたスズ酸化物層はインジウム酸化物層をすべての酸化
から保護する。本発明はこのような保護作用によって幾
つかの物理的特性を保持せしめる。例えば、スズ酸化物
層によって、インジウム酸化物層の固有抵抗は一定でか
つ小さく保持される。最後に、層の重畳することによ
り、テクノロジによって課せられるインターフェースを
製造することができる。例えば、或統の液状媒質ディジ
タル表示セルの領域において、インジウム酸化物層上に
スズ酸化物層を沈着することが必要である。
ができるので、複合層の公知の製造方法と比較して優れ
た利点を有する。例えばインジウム酸化物層上に沈着さ
れたスズ酸化物層はインジウム酸化物層をすべての酸化
から保護する。本発明はこのような保護作用によって幾
つかの物理的特性を保持せしめる。例えば、スズ酸化物
層によって、インジウム酸化物層の固有抵抗は一定でか
つ小さく保持される。最後に、層の重畳することによ
り、テクノロジによって課せられるインターフェースを
製造することができる。例えば、或統の液状媒質ディジ
タル表示セルの領域において、インジウム酸化物層上に
スズ酸化物層を沈着することが必要である。
得られた生成物は種々の用途、例えば、表示セル、熱透
過部材、窓ガラスの絶縁（赤外線の反射）などの用途が
ある。
過部材、窓ガラスの絶縁（赤外線の反射）などの用途が
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 Ａ 7244−5Ｇ (56)参考文献 特開 昭53−100978（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−116896（ＪＰ，Ａ) 実公 昭52−3418（ＪＰ，Ｙ２)
Claims (3)
- 【請求項１】化合物からなる第１層(2)及び第２層(4)を
積層して構成される複合導電層の製造方法であって、該
製造方法は基板(3)上に前記第１層(2)を次いで該第１層
(2)上に前記第２層(4)を蒸着する工程から構成され、前
記第１層(2)はスズでドープされたインジウム酸化物か
らなり、前記第２層(4)はフッ素またはアンチモンのう
ちの１つによりドープされたスズ酸化物からなるととも
に、前記各層を蒸着される前記化合物によって決定され
る温度で反応性化学スプレーイングにより蒸着する方法
において、前記第１層(2)の最終電気抵抗率が最大2.5×
10-4Ω・cmに等しくなるように、前記第２層(4)を前記第
１層(2)の上に蒸着するとともに、各蒸着工程間におい
て、化学的に不活性な雰囲気並びに略前記第１層(2)の
蒸着温度を維持することを特徴とする複合導電層の製造
方法。 - 【請求項２】前記反応性化学スプレーイングが、超音波
スプレーイングであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の複合導電層の製造方法。 - 【請求項３】前記反応性化学スプレーイングが、空気圧
式スプレーイングであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の複合導電層の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8304565A FR2543165B1 (fr) | 1983-03-21 | 1983-03-21 | Procede et dispositif d'elaboration de couches composites, par superposition, en continu et en atmosphere controlee |
| FR8304565 | 1983-03-21 | ||
| PCT/FR1984/000073 WO1984003720A1 (fr) | 1983-03-21 | 1984-03-21 | Procede et dispositif d'elaboration de couches composites |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60501115A JPS60501115A (ja) | 1985-07-18 |
| JPH0686655B2 true JPH0686655B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=9287050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59501346A Expired - Lifetime JPH0686655B2 (ja) | 1983-03-21 | 1984-03-21 | 複合導電層の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4618508A (ja) |
| EP (1) | EP0145722B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0686655B2 (ja) |
| DE (1) | DE3475210D1 (ja) |
| FR (1) | FR2543165B1 (ja) |
| WO (1) | WO1984003720A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
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| FR2661623B1 (fr) * | 1989-04-04 | 1992-07-17 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'injection d'aerosol pour elaboration de couches composites par pyrolyse. |
| US5190592A (en) * | 1990-05-02 | 1993-03-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Aerosol injection system for producing composite layers by pyrolysis |
| US5920455A (en) | 1997-05-01 | 1999-07-06 | Wilson Greatbatch Ltd. | One step ultrasonically coated substrate for use in a capacitor |
| US20030070920A1 (en) * | 1997-05-01 | 2003-04-17 | Ashish Shah | Electrode for use in a capacitor |
| KR100477717B1 (ko) * | 1997-07-02 | 2005-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화인듐 입자의 제조방법 |
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Family Cites Families (8)
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| GB2068935B (en) * | 1980-01-31 | 1983-11-30 | Bfg Glassgroup | Coating hot glass with metals or metal compounds especially oxides |
| JPH05259888A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | エミッタフォロア出力回路 |
-
1983
- 1983-03-21 US US06/682,352 patent/US4618508A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-03-21 FR FR8304565A patent/FR2543165B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-03-21 EP EP84901357A patent/EP0145722B1/fr not_active Expired
- 1984-03-21 JP JP59501346A patent/JPH0686655B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-21 WO PCT/FR1984/000073 patent/WO1984003720A1/fr active IP Right Grant
- 1984-03-21 DE DE8484901357T patent/DE3475210D1/de not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523418U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | ||
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS53100978A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming tin oxide thin film coating layer on supporting body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3475210D1 (en) | 1988-12-22 |
| FR2543165A1 (fr) | 1984-09-28 |
| WO1984003720A1 (fr) | 1984-09-27 |
| FR2543165B1 (fr) | 1987-08-14 |
| EP0145722B1 (fr) | 1988-11-17 |
| EP0145722A1 (fr) | 1985-06-26 |
| JPS60501115A (ja) | 1985-07-18 |
| US4618508A (en) | 1986-10-21 |
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