JPH0685145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0685145A JPH0685145A JP23497492A JP23497492A JPH0685145A JP H0685145 A JPH0685145 A JP H0685145A JP 23497492 A JP23497492 A JP 23497492A JP 23497492 A JP23497492 A JP 23497492A JP H0685145 A JPH0685145 A JP H0685145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- chip
- semiconductor device
- lead group
- round shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、チップが発する熱をパッケ−ジ
外部へ逃がし易い構造を実現し、チップの熱放散性の良
い半導体装置を提供しようとするものである。 【構成】 ラウンド形状（６）を有するリ−ド群（１）
と、このリ−ド群（１）から離間しているアイランド
（２）と、このアイランド（２）上に載置された半導体
チップ（４）と、を具備する。そして、アイランド
（４）の外郭形状を、ラウンド形状（６）に略合致させ
るようにしたことを主要な特徴としている。このような
装置であると、アイランド（２）とリ−ド（１）との平
均離間距離が小さくなり、チップ（４）が発する熱をア
イランド（２）からリ−ド（１）へと効率良く伝えるこ
とができるようになる。従って、チップ（４）の熱放散
性が良好となる。
外部へ逃がし易い構造を実現し、チップの熱放散性の良
い半導体装置を提供しようとするものである。 【構成】 ラウンド形状（６）を有するリ−ド群（１）
と、このリ−ド群（１）から離間しているアイランド
（２）と、このアイランド（２）上に載置された半導体
チップ（４）と、を具備する。そして、アイランド
（４）の外郭形状を、ラウンド形状（６）に略合致させ
るようにしたことを主要な特徴としている。このような
装置であると、アイランド（２）とリ−ド（１）との平
均離間距離が小さくなり、チップ（４）が発する熱をア
イランド（２）からリ−ド（１）へと効率良く伝えるこ
とができるようになる。従って、チップ（４）の熱放散
性が良好となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に係わり、
特に高い熱を発する半導体チップを搭載する半導体装置
に関する。
特に高い熱を発する半導体チップを搭載する半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップはアイランド上に載置され
ている。チップの内部には半導体素子が多数形成されて
おり、これらの素子は、動作時、発熱する。この熱の量
は、集積素子数が増加するに連れ、増加傾向にある。こ
の熱の量が増し、チップの温度が半導体の物理的な性質
により決定される、ある値を超えると、チップ内の素子
が誤動作したり、あるいは破壊される、という問題を起
こす。
ている。チップの内部には半導体素子が多数形成されて
おり、これらの素子は、動作時、発熱する。この熱の量
は、集積素子数が増加するに連れ、増加傾向にある。こ
の熱の量が増し、チップの温度が半導体の物理的な性質
により決定される、ある値を超えると、チップ内の素子
が誤動作したり、あるいは破壊される、という問題を起
こす。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来か
らチップはアイランドに載置され、このアイランドはそ
の他の部材、例えばリ−ド等と離間して設けられてい
る。このため、チップはパッケ−ジ内で孤立しているよ
うな形となり、チップが発する熱を、パッケ−ジ外部へ
と逃がすことが難しい構造となっている。
らチップはアイランドに載置され、このアイランドはそ
の他の部材、例えばリ−ド等と離間して設けられてい
る。このため、チップはパッケ−ジ内で孤立しているよ
うな形となり、チップが発する熱を、パッケ−ジ外部へ
と逃がすことが難しい構造となっている。
【０００４】この発明は、上記のような点に鑑みてなさ
れたもので、その目的は、チップが発する熱をパッケ−
ジ外部へ逃がし易い構造を実現し、チップの熱放散性の
良い半導体装置を提供することにある。
れたもので、その目的は、チップが発する熱をパッケ−
ジ外部へ逃がし易い構造を実現し、チップの熱放散性の
良い半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
装置は、ラウンド形状を有するリ−ド群と、このリ−ド
群から離間しているアイランドと、このアイランド上に
載置された半導体チップと、を具備する。そして、アイ
ランドの外郭形状を、ラウンド形状に略合致させるよう
にしたことを特徴としている。
装置は、ラウンド形状を有するリ−ド群と、このリ−ド
群から離間しているアイランドと、このアイランド上に
載置された半導体チップと、を具備する。そして、アイ
ランドの外郭形状を、ラウンド形状に略合致させるよう
にしたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】上記のような半導体装置にあっては、アイラン
ドの外郭形状を、リ−ド群が有するラウンド形状に略合
致させるようにしたことにより、アイランドとリ−ドと
の平均離間距離を小さくすることができる。このため、
チップが発する熱をアイランドからリ−ドへと効率良く
伝えることができるようになり、熱がパッケ−ジ外部へ
逃げ易い構造となる。従って、チップの熱放散性が良好
となる。
ドの外郭形状を、リ−ド群が有するラウンド形状に略合
致させるようにしたことにより、アイランドとリ−ドと
の平均離間距離を小さくすることができる。このため、
チップが発する熱をアイランドからリ−ドへと効率良く
伝えることができるようになり、熱がパッケ−ジ外部へ
逃げ易い構造となる。従って、チップの熱放散性が良好
となる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例に係わる
半導体装置の要部の平面図である。
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例に係わる
半導体装置の要部の平面図である。
【０００８】図１に示すように、リ−ド群（インナ−リ
−ド群）１…と、リ−ド群１…から離間しているアイラ
ンド２とがある。リ−ド１とアイランド２とはそれぞ
れ、１枚の金属板をエッチングすることにより形成され
ており、半導体装置の製造段階ではリ−ドフレ−ムとし
てそれぞれ一体化されている。参照符号３は、アイラン
ド２をリ−ドフレ−ムに繋いでおくための吊りピンであ
る。パッケ−ジングが施され、半導体装置として完成し
た時には、リ−ドフレ−ムから、アイランド２とリ−ド
群１とが切り離され、アイランド２は、実質的にその他
の部品から孤立する。アイランド２上には、半導体素子
を集積形成した半導体チップ４が載置されている。半導
体チップ４では、装置の多端子化に伴ってボンディング
パッド５…の数が増加しつつある。このため、リ−ド１
…の先端部が直線状態であると、リ−ド１…のボンディ
ング部とパッド５…との距離が、特にチップ４の端部と
その中央部とでずれるようになり、ワイヤボンディング
によるリ−ド１…とパッド５…との電気的な接続が困難
となってしまう。この問題を解決するために、一点鎖線
６により示されるように、リ−ド１…の先端部をチップ
４の中央部付近で、チップ４から遠くなるように平面的
に凹ませ、ボンディングワイヤの長さが、チップ４の端
部からでも中央部からでも均一となるように配慮してい
る。このような形状を、ラウンド形状と呼ぶ。図１に示
す装置では、ラウンド形状が八角形となっている。アイ
ランド２はその外郭の形状が、八角形のラウンド形状に
略合致するように、八角形に形成されている。
−ド群）１…と、リ−ド群１…から離間しているアイラ
ンド２とがある。リ−ド１とアイランド２とはそれぞ
れ、１枚の金属板をエッチングすることにより形成され
ており、半導体装置の製造段階ではリ−ドフレ−ムとし
てそれぞれ一体化されている。参照符号３は、アイラン
ド２をリ−ドフレ−ムに繋いでおくための吊りピンであ
る。パッケ−ジングが施され、半導体装置として完成し
た時には、リ−ドフレ−ムから、アイランド２とリ−ド
群１とが切り離され、アイランド２は、実質的にその他
の部品から孤立する。アイランド２上には、半導体素子
を集積形成した半導体チップ４が載置されている。半導
体チップ４では、装置の多端子化に伴ってボンディング
パッド５…の数が増加しつつある。このため、リ−ド１
…の先端部が直線状態であると、リ−ド１…のボンディ
ング部とパッド５…との距離が、特にチップ４の端部と
その中央部とでずれるようになり、ワイヤボンディング
によるリ−ド１…とパッド５…との電気的な接続が困難
となってしまう。この問題を解決するために、一点鎖線
６により示されるように、リ−ド１…の先端部をチップ
４の中央部付近で、チップ４から遠くなるように平面的
に凹ませ、ボンディングワイヤの長さが、チップ４の端
部からでも中央部からでも均一となるように配慮してい
る。このような形状を、ラウンド形状と呼ぶ。図１に示
す装置では、ラウンド形状が八角形となっている。アイ
ランド２はその外郭の形状が、八角形のラウンド形状に
略合致するように、八角形に形成されている。
【０００９】上記構成の半導体装置であると、アイラン
ド２とラウンド形状を有するリ−ド群１…との平均的な
離間距離を、アイランド２の外郭の形状を前記ラウンド
形状に略合致させることにより、アイランド２が例えば
四角形である従来装置に比べ、短くすることができる。
このため、チップ２で発生した熱が、金属性のアイラン
ド２からリ−ド群１…へと伝わり易くなり、熱がパッケ
−ジ外部へ逃げ易い構造となる。従って、チップ２の熱
放散性を向上できる。以下、熱放散性実験の結果につい
て説明する。モチ−フは、当社製品番号ＱＦＰ１８４−
Ｐ−３２３２である。リ−ドフレ−、ムは、銅（Ｃｕ）
製で、チップサイズは１０ｍｍ2 である。
ド２とラウンド形状を有するリ−ド群１…との平均的な
離間距離を、アイランド２の外郭の形状を前記ラウンド
形状に略合致させることにより、アイランド２が例えば
四角形である従来装置に比べ、短くすることができる。
このため、チップ２で発生した熱が、金属性のアイラン
ド２からリ−ド群１…へと伝わり易くなり、熱がパッケ
−ジ外部へ逃げ易い構造となる。従って、チップ２の熱
放散性を向上できる。以下、熱放散性実験の結果につい
て説明する。モチ−フは、当社製品番号ＱＦＰ１８４−
Ｐ−３２３２である。リ−ドフレ−、ムは、銅（Ｃｕ）
製で、チップサイズは１０ｍｍ2 である。
【００１０】アイランド２の形状が四角形の場合、アイ
ランド２とリ−ド群１…の先端との平均離間距離は０．
８ｍｍとなったが、アイランド２の形状を上記実施例の
ようにラウンド形状に合わせ八角形とした場合には、平
均離間距離が０．３ｍｍとなった。このような寸法測定
を経て、パッケ−ジ熱抵抗を計測したところ、アイラン
ド２の形状が四角形の場合には４２℃／Ｗであった熱抵
抗が、八角形の場合には３２℃／Ｗまで低減されるよう
になった。このように熱放散性実験の結果からも、アイ
ランド２の外郭形状をラウンド形状に合わせることによ
って平均離間距離が小さくなる構造であれば、熱放散性
が向上することが裏付けることができる。図２は、この
発明の第２の実施例に係わる半導体装置の要部の平面図
である。
ランド２とリ−ド群１…の先端との平均離間距離は０．
８ｍｍとなったが、アイランド２の形状を上記実施例の
ようにラウンド形状に合わせ八角形とした場合には、平
均離間距離が０．３ｍｍとなった。このような寸法測定
を経て、パッケ−ジ熱抵抗を計測したところ、アイラン
ド２の形状が四角形の場合には４２℃／Ｗであった熱抵
抗が、八角形の場合には３２℃／Ｗまで低減されるよう
になった。このように熱放散性実験の結果からも、アイ
ランド２の外郭形状をラウンド形状に合わせることによ
って平均離間距離が小さくなる構造であれば、熱放散性
が向上することが裏付けることができる。図２は、この
発明の第２の実施例に係わる半導体装置の要部の平面図
である。
【００１１】図２に示すように、ラウンド形状は八角形
でなくとも、一点鎖線７に示されるように円弧を描くよ
うな形状となっていても良い。この場合にも、アイラン
ド２の外郭形状は、そのラウンド形状に略合致するよう
に、円弧を描くような形状とする。図３は、この発明の
第３の実施例に係わる半導体装置の要部の平面図であ
る。
でなくとも、一点鎖線７に示されるように円弧を描くよ
うな形状となっていても良い。この場合にも、アイラン
ド２の外郭形状は、そのラウンド形状に略合致するよう
に、円弧を描くような形状とする。図３は、この発明の
第３の実施例に係わる半導体装置の要部の平面図であ
る。
【００１２】図３に示すように、吊りピン３とアイラン
ド２との接続強度を充分に保てるように吊りピン３の形
状を考慮して、アイランド２のうち、吊りピン３の根元
部が太くなるようにしても良い。この場合には逆に、そ
の太くされた形状に合わせて、ラウンド形状が一点鎖線
８に示されるように調整される。結果からすれば、第３
の実施例に係わる装置も、アイランド２の外郭形状はラ
ウンド形状に略合致しており、リ−ド群１…の先端とア
イランド２との平均離間距離を第１、第２の実施例と同
様に小さくでき、熱放散性が向上する、という効果を得
ることができる。その他、この発明はその主旨を逸脱し
ない範囲で、様々に変形実施することができることは勿
論である。
ド２との接続強度を充分に保てるように吊りピン３の形
状を考慮して、アイランド２のうち、吊りピン３の根元
部が太くなるようにしても良い。この場合には逆に、そ
の太くされた形状に合わせて、ラウンド形状が一点鎖線
８に示されるように調整される。結果からすれば、第３
の実施例に係わる装置も、アイランド２の外郭形状はラ
ウンド形状に略合致しており、リ−ド群１…の先端とア
イランド２との平均離間距離を第１、第２の実施例と同
様に小さくでき、熱放散性が向上する、という効果を得
ることができる。その他、この発明はその主旨を逸脱し
ない範囲で、様々に変形実施することができることは勿
論である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、チップが発する熱をパッケ−ジ外部へ逃がし易い構
造が実現され、チップの熱放散性の良い半導体装置を提
供できる。
ば、チップが発する熱をパッケ−ジ外部へ逃がし易い構
造が実現され、チップの熱放散性の良い半導体装置を提
供できる。
【図１】図１はこの発明の第１の実施例に係わる半導体
装置の要部の平面図である。
装置の要部の平面図である。
【図２】図２はこの発明の第２の実施例に係わる半導体
装置の要部の平面図である。
装置の要部の平面図である。
【図３】図３はこの発明の第３の実施例に係わる半導体
装置の要部の平面図である。
装置の要部の平面図である。
１…リ−ド群、２…アイランド、３…吊りピン、４…半
導体チップ、５…パッド、６，７，８…ラウンド形状を
示す線。
導体チップ、５…パッド、６，７，８…ラウンド形状を
示す線。
Claims (1)
- 【請求項１】 ラウンド形状を有するリ−ド群と、 前記リ−ド群から離間しているアイランドと、 前記アイランド上に載置された半導体チップと、を具備
し、 前記アイランドの外郭形状が、前記ラウンド形状と略合
致していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23497492A JPH0685145A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23497492A JPH0685145A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685145A true JPH0685145A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16979171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23497492A Pending JPH0685145A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19506958A1 (de) * | 1995-02-28 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem termischen Verhalten |
| DE19639181A1 (de) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Zuleitungsrahmen für ein mikroelektronisches Bauelement |
| EP1207554A1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-05-22 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23497492A patent/JPH0685145A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19506958A1 (de) * | 1995-02-28 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem termischen Verhalten |
| DE19506958C2 (de) * | 1995-02-28 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem thermischen Verhalten |
| US5982028A (en) * | 1995-02-28 | 1999-11-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor device with good thermal behavior |
| DE19639181A1 (de) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Zuleitungsrahmen für ein mikroelektronisches Bauelement |
| EP1207554A1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-05-22 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| EP1207554A4 (en) * | 1999-07-02 | 2008-07-02 | Rohm Co Ltd | ELECTRONIC COMPONENT |
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