JPH0684838A - 半導体基板ドライエッチング装置 - Google Patents
半導体基板ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0684838A JPH0684838A JP23446492A JP23446492A JPH0684838A JP H0684838 A JPH0684838 A JP H0684838A JP 23446492 A JP23446492 A JP 23446492A JP 23446492 A JP23446492 A JP 23446492A JP H0684838 A JPH0684838 A JP H0684838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- end point
- light
- plasma light
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板ドライエッチング装置において、エ
ッチング終点検出の際エッチング処理室から導出するプ
ラズマ光量を常に一定にして、エッチング終点検出を安
定化させる。 【構成】エッチング処理室１より発生するプラズマ光を
遮光板３を透過してエッチング終点検出器４に到達させ
る。プラズマ光は光／電気変換器５で電気信号にし、位
置制御部６に取り入れ、駆動機構部７を制御して遮光板
３を上下方向に駆動させる。これにより最適なプラズマ
光がエッチング終点検出器４に到達し、エッチング終点
検出を安定化させる。
ッチング終点検出の際エッチング処理室から導出するプ
ラズマ光量を常に一定にして、エッチング終点検出を安
定化させる。 【構成】エッチング処理室１より発生するプラズマ光を
遮光板３を透過してエッチング終点検出器４に到達させ
る。プラズマ光は光／電気変換器５で電気信号にし、位
置制御部６に取り入れ、駆動機構部７を制御して遮光板
３を上下方向に駆動させる。これにより最適なプラズマ
光がエッチング終点検出器４に到達し、エッチング終点
検出を安定化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板ドライエッチ
ング装置に関し、特にエッチング終点検出手段を備えた
ドライエッチング装置に関する。
ング装置に関し、特にエッチング終点検出手段を備えた
ドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板ドライエッチング装置
におけるエッチング終点検出方法は、半導体基板エッチ
ング時のエッチング処理室内のプラズマ光を直接、エッ
チング終点検出器にとり込み、それを電気信号に変換し
て電気的処理を行ない、エッチング終点となる予め設定
された条件かどうかの判断により、エッチング処理室で
の半導体基板のエッチングが終点に達したかどうかの検
出を行なっていた。
におけるエッチング終点検出方法は、半導体基板エッチ
ング時のエッチング処理室内のプラズマ光を直接、エッ
チング終点検出器にとり込み、それを電気信号に変換し
て電気的処理を行ない、エッチング終点となる予め設定
された条件かどうかの判断により、エッチング処理室で
の半導体基板のエッチングが終点に達したかどうかの検
出を行なっていた。
【０００３】また、この従来の半導体基板ドライエッチ
ング装置では、エッチング処理室において処理ガス及び
エッチングされた物質の反応生成物がエッチング処理室
内壁や窓に付着し、経時的にプラズマ光の透過率が低下
する対策として、プラズマ光を電気信号に変換した後に
経時的に変化しない様に常に信号レベルが一定となる様
な増幅処理を行なっていた。
ング装置では、エッチング処理室において処理ガス及び
エッチングされた物質の反応生成物がエッチング処理室
内壁や窓に付着し、経時的にプラズマ光の透過率が低下
する対策として、プラズマ光を電気信号に変換した後に
経時的に変化しない様に常に信号レベルが一定となる様
な増幅処理を行なっていた。
【０００４】同様に、半導体基板上のエッチングを行な
う部分とエッチングを行なわない部分の面積比や処理ガ
ス成分の違いなどに伴なうプラズマ光の変化も、プラズ
マ光を電気信号に変換した後に、被エッチング物の面積
比や処理ガス成分等の影響を受けない様に、常に信号レ
ベルが一定となる様な増幅処理を行なっていた。
う部分とエッチングを行なわない部分の面積比や処理ガ
ス成分の違いなどに伴なうプラズマ光の変化も、プラズ
マ光を電気信号に変換した後に、被エッチング物の面積
比や処理ガス成分等の影響を受けない様に、常に信号レ
ベルが一定となる様な増幅処理を行なっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体基板
ドライエッチング装置では、プラズマ光の変化を電気信
号に変換した後に増幅処理を行っていた為に、外部ノイ
ズの影響を受けやすく、また制御できる範囲以上にプラ
ズマ光が変化した場合、対応がとれなくなり、エッチン
グの終点検出が出来なくなるという問題点があった。
ドライエッチング装置では、プラズマ光の変化を電気信
号に変換した後に増幅処理を行っていた為に、外部ノイ
ズの影響を受けやすく、また制御できる範囲以上にプラ
ズマ光が変化した場合、対応がとれなくなり、エッチン
グの終点検出が出来なくなるという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板ドラ
イエッチング装置は、エッチング処理室とエッチング終
点検出器との間に常にプラズマ光量が一定となる遮光手
段を有している。
イエッチング装置は、エッチング処理室とエッチング終
点検出器との間に常にプラズマ光量が一定となる遮光手
段を有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のブロック図である。エッ
チング処理室１に置かれた半導体基板表面の被エッチン
グ物と処理ガスにより決まるプラズマ光は、エッチング
処理室１の窓２を通して導き出される。このプラズマ光
は遮光板３を透過してエッチング終点検出器４に到達す
る。このプラズマ光を光／電気変換器５により電気信号
に変換する。この信号をエッチング処理中のある任意の
時間で位置制御部６に取り入れ、駆動機構部７を制御し
て遮光板３を上下方向に駆動させる。遮光板３の構造
は、図２の様に上下方向に駆動させる。遮光板３の構造
は、図２の様に上下方向に光の透過できる量が異なる開
口を有する構造となっているので、遮光板３を上下方向
に駆動させることにより常に一定の最適なプラズマ光が
エッチング終点検出器４に到達することができる。
る。図１は本発明の一実施例のブロック図である。エッ
チング処理室１に置かれた半導体基板表面の被エッチン
グ物と処理ガスにより決まるプラズマ光は、エッチング
処理室１の窓２を通して導き出される。このプラズマ光
は遮光板３を透過してエッチング終点検出器４に到達す
る。このプラズマ光を光／電気変換器５により電気信号
に変換する。この信号をエッチング処理中のある任意の
時間で位置制御部６に取り入れ、駆動機構部７を制御し
て遮光板３を上下方向に駆動させる。遮光板３の構造
は、図２の様に上下方向に駆動させる。遮光板３の構造
は、図２の様に上下方向に光の透過できる量が異なる開
口を有する構造となっているので、遮光板３を上下方向
に駆動させることにより常に一定の最適なプラズマ光が
エッチング終点検出器４に到達することができる。
【０００８】次に、光／電気変換器５により変換された
電気信号は電気処理部８により信号処理が施され、終点
判定部９によりエッチング終点となる予め設定された条
件かどうかの判断を行ない最終的にエッチング処理判定
部１０で半導体基板のエッチング処理を実施する。
電気信号は電気処理部８により信号処理が施され、終点
判定部９によりエッチング終点となる予め設定された条
件かどうかの判断を行ない最終的にエッチング処理判定
部１０で半導体基板のエッチング処理を実施する。
【０００９】エッチング処理室１において、処理ガス及
びエッチングされた物質の反応生成物がエッチング処理
室１の内壁及び窓２の内壁に付着し、経時的にプラズマ
光の透過率が低下するという問題点に対しては、窓２に
反応生成物が付着していない透過率の最も良い状態の時
に、あらかじめ遮光板３をプラズマ光を遮光する割合が
大きい状態の位置にしておき、反応生成物の付着する経
時変化に合わせて位置制御部６を変化させ、常にプラズ
マ光の光量が一定となる様にすることができる。
びエッチングされた物質の反応生成物がエッチング処理
室１の内壁及び窓２の内壁に付着し、経時的にプラズマ
光の透過率が低下するという問題点に対しては、窓２に
反応生成物が付着していない透過率の最も良い状態の時
に、あらかじめ遮光板３をプラズマ光を遮光する割合が
大きい状態の位置にしておき、反応生成物の付着する経
時変化に合わせて位置制御部６を変化させ、常にプラズ
マ光の光量が一定となる様にすることができる。
【００１０】また、被エッチング物の面積比や処理ガス
成分の違いなどに伴なうプラズマ光の変化という問題点
に対しては、被エッチング物の面積比、処理ガス成分等
のデータをあらかじめエッチング処理制御部１０に初期
値として持たせ、位置制御部６に位置の情報として与え
る方法も考えられる。
成分の違いなどに伴なうプラズマ光の変化という問題点
に対しては、被エッチング物の面積比、処理ガス成分等
のデータをあらかじめエッチング処理制御部１０に初期
値として持たせ、位置制御部６に位置の情報として与え
る方法も考えられる。
【００１１】図３，図４は上下方向に駆動する遮光板の
他の構造例を示す正面図である。特に図３に示す遮光板
は製造上の簡略化が計れる。
他の構造例を示す正面図である。特に図３に示す遮光板
は製造上の簡略化が計れる。
【００１２】ここで、図２〜４に示した遮光板は上下方
向に駆動すると説明したが、水平方向であっても何ら問
題はない。また、図５は回転駆動する遮光筒の構造例
で、同図（ａ）は斜視図，同図（ｂ）は正面図である。
この場合、デッドスペースがないという特長がある。図
６は複数の羽根を上下左右に動かすことにより光量の絞
りを行なう方式の正面図である。ここでの図では羽根は
４枚の例を示したが、枚数を制限するものではない。
向に駆動すると説明したが、水平方向であっても何ら問
題はない。また、図５は回転駆動する遮光筒の構造例
で、同図（ａ）は斜視図，同図（ｂ）は正面図である。
この場合、デッドスペースがないという特長がある。図
６は複数の羽根を上下左右に動かすことにより光量の絞
りを行なう方式の正面図である。ここでの図では羽根は
４枚の例を示したが、枚数を制限するものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グ処理室とエッチング終点検出器との間に常にプラズマ
光量が一定となる遮光手段を有することにより、プラズ
マ光を電気信号に変換した後の電気処理を軽減できる
為、外部ノイズの影響も受けにくくすることができる。
また、遮光板と電気処理部の２段階の制御がある為、プ
ラズマ光の変化に対して制御できる範囲が拡大するとい
う効果を有する。
グ処理室とエッチング終点検出器との間に常にプラズマ
光量が一定となる遮光手段を有することにより、プラズ
マ光を電気信号に変換した後の電気処理を軽減できる
為、外部ノイズの影響も受けにくくすることができる。
また、遮光板と電気処理部の２段階の制御がある為、プ
ラズマ光の変化に対して制御できる範囲が拡大するとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】図１に用いる遮光板の構造図である。
【図３】図１に用いる遮光板の他の構造図である。
【図４】図１に用いる遮光板の他の構造図である。
【図５】図１に用いる遮光筒の構造図で、同図（ａ）は
斜視図，同図（ｂ）は正面図である。
斜視図，同図（ｂ）は正面図である。
【図６】図１に用いる遮光板の構造図である。
【符号の説明】 １ エッチング処理室 ２ 窓 ３ 遮光板 ４ エッチング終点検出器 ５ 光／電気変換器 ６ 位置制御部 ７ 駆動機構部 ８ 電気処理部 ９ 終点判定部 １０ エッチング処理制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマを励起させ半導体基板をエッチ
ングする半導体基板ドライエッチング装置において、エ
ッチング処理室とエッチング終点検出器との間に常にプ
ラズマ光量が一定となる遮光手段を有することを特徴と
する半導体基板ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446492A JPH0684838A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体基板ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446492A JPH0684838A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体基板ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684838A true JPH0684838A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16971417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23446492A Pending JPH0684838A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 半導体基板ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734983B2 (en) | 2000-08-22 | 2004-05-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End point detector for etching equipment |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23446492A patent/JPH0684838A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734983B2 (en) | 2000-08-22 | 2004-05-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End point detector for etching equipment |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |