JPH0680846B2 - 電歪効果素子 - Google Patents
電歪効果素子Info
- Publication number
- JPH0680846B2 JPH0680846B2 JP60230212A JP23021285A JPH0680846B2 JP H0680846 B2 JPH0680846 B2 JP H0680846B2 JP 60230212 A JP60230212 A JP 60230212A JP 23021285 A JP23021285 A JP 23021285A JP H0680846 B2 JPH0680846 B2 JP H0680846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic polymer
- silver
- sintered body
- polymer film
- electrode conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 22
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧電アクチュエータに用いられる電歪効果素子
の構造に関する。
の構造に関する。
最近、インパクト形ドットプリンタヘッドの印字ワイヤ
を駆動するアクチュエータは、従来の電磁力利用したも
のから圧電効果を利用するものへと移行が始まってい
る。この圧電アクチュエータは発熱が少なく、また小形
で高速駆動が可能なため、光または磁気ディスク・ヘッ
ド,各種光学装置,精密工作機械およびLSI用露光装置
等の精密位置決め装置、その他の機械的駆動素子として
もきわめて有望視されているものである。
を駆動するアクチュエータは、従来の電磁力利用したも
のから圧電効果を利用するものへと移行が始まってい
る。この圧電アクチュエータは発熱が少なく、また小形
で高速駆動が可能なため、光または磁気ディスク・ヘッ
ド,各種光学装置,精密工作機械およびLSI用露光装置
等の精密位置決め装置、その他の機械的駆動素子として
もきわめて有望視されているものである。
しかしながら、圧電効果による機械的変位は本質的にき
わめて小さいのでアクチュエータの駆動源となるべき電
歪効果素子には、例えば、昭和58年9月発行の「電子通
信学会誌」が開示するように、圧電セラミック部材と内
部電極導体とを超多重に積層して圧電の縦効果を高めた
構造のものが、通常用いられている。すなわち、この電
歪効果素子はペロブスカイト結晶構造をもつ多成分固容
体セラミック粉末に有機バインダを混合してグリーンシ
ート化し、その上に銀電極導体層をペースト状に塗布し
た後数十層(例えば72層)に積層して焼結したものであ
る。この焼結体は焼成された銀電極導体層を一層おきに
交互に接続して2つのくし歯形内部電極を形成し外部か
ら90V程度の直流電圧を与えると、約8μmの静的変位
を容易に発生する。従って、「てこ装置」との併用によ
って、本質的にきわめて小さい圧電効果の機械的変位の
問題点は一応解決されている。
わめて小さいのでアクチュエータの駆動源となるべき電
歪効果素子には、例えば、昭和58年9月発行の「電子通
信学会誌」が開示するように、圧電セラミック部材と内
部電極導体とを超多重に積層して圧電の縦効果を高めた
構造のものが、通常用いられている。すなわち、この電
歪効果素子はペロブスカイト結晶構造をもつ多成分固容
体セラミック粉末に有機バインダを混合してグリーンシ
ート化し、その上に銀電極導体層をペースト状に塗布し
た後数十層(例えば72層)に積層して焼結したものであ
る。この焼結体は焼成された銀電極導体層を一層おきに
交互に接続して2つのくし歯形内部電極を形成し外部か
ら90V程度の直流電圧を与えると、約8μmの静的変位
を容易に発生する。従って、「てこ装置」との併用によ
って、本質的にきわめて小さい圧電効果の機械的変位の
問題点は一応解決されている。
しかしこの焼結体からなる電歪効果素子は、内部電極を
形成する金属部材に銀が使用されているので湿性雰囲気
内においてマイグレーションを生じ圧電セラミック部材
の側面を著しく汚染する。すなわち、銀電極導体層の端
部は積層焼結体の側面に全て露出しているのでマイグレ
ーションを生じ易く、汚染された圧電セラミック部材の
側面はその絶縁特性を急激に低下せしめる。従って、耐
湿試験を行なうと側面または角隅で放電するものが続出
し、歩溜りおよび信頼性に大きな障害を与える。
形成する金属部材に銀が使用されているので湿性雰囲気
内においてマイグレーションを生じ圧電セラミック部材
の側面を著しく汚染する。すなわち、銀電極導体層の端
部は積層焼結体の側面に全て露出しているのでマイグレ
ーションを生じ易く、汚染された圧電セラミック部材の
側面はその絶縁特性を急激に低下せしめる。従って、耐
湿試験を行なうと側面または角隅で放電するものが続出
し、歩溜りおよび信頼性に大きな障害を与える。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、内部電極を形成す
る銀導体層端部のマイグレーションを防止した積層焼結
体からなる電歪効果素子を提供することである。
る銀導体層端部のマイグレーションを防止した積層焼結
体からなる電歪効果素子を提供することである。
本発明の電歪効果素子は、圧電セラミック部材と銀−パ
ラジウム電極導体層とを交互に重ね合わせた積層焼結体
と、積層焼結体の対向する側面にそれぞれ設けられた絶
縁層を介して銀−パラジウム電極体を一層おきに交互に
接続して2つのくし歯形内部電極を構成せしめる一対の
外部電極層と、積層焼結体の側面に被覆されナトリウム
や塩素などの不純物及び水分が少ない弾性を有する第1
の有機高分子膜とを有し、かつこの第1の有機高分子よ
りも膜密度が高く透水率が小さい第2の有機高分子膜で
第1の有機高分子膜を被覆したことを特徴とする。
ラジウム電極導体層とを交互に重ね合わせた積層焼結体
と、積層焼結体の対向する側面にそれぞれ設けられた絶
縁層を介して銀−パラジウム電極体を一層おきに交互に
接続して2つのくし歯形内部電極を構成せしめる一対の
外部電極層と、積層焼結体の側面に被覆されナトリウム
や塩素などの不純物及び水分が少ない弾性を有する第1
の有機高分子膜とを有し、かつこの第1の有機高分子よ
りも膜密度が高く透水率が小さい第2の有機高分子膜で
第1の有機高分子膜を被覆したことを特徴とする。
すなわち、本発明によれば積層焼結体の側面に露出する
銀−パラジウム電極導体層の端部は2層以上の有機高分
子膜で被覆される。これらの有機高分子膜のうち下地の
役割をはたす有機高分子膜はナトリウム,塩素などの不
純物及び水分を極端に減らし、さらに有機高分子膜が弾
性を有する天然ゴムやイソプレン,ブタジエン,シリコ
ーン,ウレタン,クロロプレン,アクリル,イソブチレ
ン,フッ素系などから選らばれた有機高分子を採用し、
上地の有機高分子膜は有機高分子の架橋を多くすること
により密度の高いポリイミド,エポキシ,フェノールな
どの有機高分子膜を採用した。
銀−パラジウム電極導体層の端部は2層以上の有機高分
子膜で被覆される。これらの有機高分子膜のうち下地の
役割をはたす有機高分子膜はナトリウム,塩素などの不
純物及び水分を極端に減らし、さらに有機高分子膜が弾
性を有する天然ゴムやイソプレン,ブタジエン,シリコ
ーン,ウレタン,クロロプレン,アクリル,イソブチレ
ン,フッ素系などから選らばれた有機高分子を採用し、
上地の有機高分子膜は有機高分子の架橋を多くすること
により密度の高いポリイミド,エポキシ,フェノールな
どの有機高分子膜を採用した。
この下地有機高分子膜は不純物を減らしてあるために銀
のマイグレーションを防止され、さらにセラミックの伸
縮時セラミックと有機高分子膜との間にセン断応力が加
わっても、弾性を有して応力に対して十分に伸びるた
め、セラミックと有機高分子膜との密着が維持され水分
子がセラミックと有機高分子膜の界面にトラップされる
ことがない。上地用の有機高分子膜は膜密度が高いため
に、透水率が小さく、下地用の有機高分子膜との効果が
合わされて銀のマイグレーションを防止出来る。
のマイグレーションを防止され、さらにセラミックの伸
縮時セラミックと有機高分子膜との間にセン断応力が加
わっても、弾性を有して応力に対して十分に伸びるた
め、セラミックと有機高分子膜との密着が維持され水分
子がセラミックと有機高分子膜の界面にトラップされる
ことがない。上地用の有機高分子膜は膜密度が高いため
に、透水率が小さく、下地用の有機高分子膜との効果が
合わされて銀のマイグレーションを防止出来る。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図で、電歪効果素
子100は2つの厚い圧電セラミック部材A1およびA2の間
に薄い圧電セラミック部材a1〜anと銀−パラジウム電極
導体層b1〜bn+1とを交互に重ね合わせた積層焼結体と、
絶縁層I1〜In+1を下地として銀−パラジウム電極導体層
b1〜bn+1の奇数番目および偶数番目をそれぞれ積層焼結
体の側面上で共通接続して2つのくし歯形内部電極を構
成せしめる一対の外部電極導体層1および2と、積層焼
結体の側面の全てに露出する銀−パラジウム電極導体層
b1〜bn+1の端部および外部電極導体層1および2の全露
出面をそれぞれ被覆する有機高分子膜3及び4とを含
む。
子100は2つの厚い圧電セラミック部材A1およびA2の間
に薄い圧電セラミック部材a1〜anと銀−パラジウム電極
導体層b1〜bn+1とを交互に重ね合わせた積層焼結体と、
絶縁層I1〜In+1を下地として銀−パラジウム電極導体層
b1〜bn+1の奇数番目および偶数番目をそれぞれ積層焼結
体の側面上で共通接続して2つのくし歯形内部電極を構
成せしめる一対の外部電極導体層1および2と、積層焼
結体の側面の全てに露出する銀−パラジウム電極導体層
b1〜bn+1の端部および外部電極導体層1および2の全露
出面をそれぞれ被覆する有機高分子膜3及び4とを含
む。
本実施例の電歪効果素子100は、まずペロブスカイト結
晶構造を多成分固溶体セラミックの粉末(例えばPb(Z
r,Ti)O3)に有機バインダー(例えばポリビニール・ブ
チラール樹脂)の粉末を混合してグリーンシートを作
り、この上に銀ペーストを印刷塗布した後、60〜80層に
積層して高温焼結(例えば1,000℃以上)を行なうこに
よって積層焼結体が形成される。この積層焼結技術によ
れば、厚さ約0.1mmの薄い圧電セラミック部材と膜厚約
0.005mmの銀電極導体層とを交互に重ね合わせた積層焼
結体の大きなブロックを容易に得ることができる。つい
でこのブロックの対向する側面には、銀ペーストの印刷
塗布および焼成により外部電極導体層の一対を含んでこ
れを小ブロックに分割する。この分割された積層焼結体
にまず下地用有機高分子膜としてアルカリ及びハロゲン
成分を5ppm以下におさえたウレタン樹脂を被覆する。積
層焼結体の上下面にテープをはりつけ、温度60℃に加温
した下地用ウレタン樹脂ワニス中に浸漬後取り出し、温
度150℃,時間30分間の条件で乾燥する。次に粉体塗装
法によりエポキシ樹脂を約0.3mm被覆して上地用有機高
分子膜を形成した。
晶構造を多成分固溶体セラミックの粉末(例えばPb(Z
r,Ti)O3)に有機バインダー(例えばポリビニール・ブ
チラール樹脂)の粉末を混合してグリーンシートを作
り、この上に銀ペーストを印刷塗布した後、60〜80層に
積層して高温焼結(例えば1,000℃以上)を行なうこに
よって積層焼結体が形成される。この積層焼結技術によ
れば、厚さ約0.1mmの薄い圧電セラミック部材と膜厚約
0.005mmの銀電極導体層とを交互に重ね合わせた積層焼
結体の大きなブロックを容易に得ることができる。つい
でこのブロックの対向する側面には、銀ペーストの印刷
塗布および焼成により外部電極導体層の一対を含んでこ
れを小ブロックに分割する。この分割された積層焼結体
にまず下地用有機高分子膜としてアルカリ及びハロゲン
成分を5ppm以下におさえたウレタン樹脂を被覆する。積
層焼結体の上下面にテープをはりつけ、温度60℃に加温
した下地用ウレタン樹脂ワニス中に浸漬後取り出し、温
度150℃,時間30分間の条件で乾燥する。次に粉体塗装
法によりエポキシ樹脂を約0.3mm被覆して上地用有機高
分子膜を形成した。
このようにして作成された電歪効果素子100に温度40
℃,湿度90〜95%RH,電圧100VDCを印加して試験を行っ
ても500時間まで絶縁不良は発生しなかた。以上は2槽
の有機高分子膜を被覆した場合を説明したが、3層以上
の有機高分子膜を被覆した場合も同様の効果がある。
℃,湿度90〜95%RH,電圧100VDCを印加して試験を行っ
ても500時間まで絶縁不良は発生しなかた。以上は2槽
の有機高分子膜を被覆した場合を説明したが、3層以上
の有機高分子膜を被覆した場合も同様の効果がある。
また本実施例では下地用有機高分子膜として、ウレタン
樹脂、上地用有機高分子膜としてエポキシ樹脂を用いた
が、これ以外にも下地用として天然ゴムやイソプレン,
ブタジエン,シリコーン,クロロプレン,アクリル,イ
ソブチレン,フッ素系などから選ばれた有機高分子、上
地用としてフェノールの有機高分子膜を用いても同様の
効果がある。
樹脂、上地用有機高分子膜としてエポキシ樹脂を用いた
が、これ以外にも下地用として天然ゴムやイソプレン,
ブタジエン,シリコーン,クロロプレン,アクリル,イ
ソブチレン,フッ素系などから選ばれた有機高分子、上
地用としてフェノールの有機高分子膜を用いても同様の
効果がある。
以上詳細に説明したように、本発明によればきわめて簡
単な手段により銀−パラジウム電極導体層の銀材による
マイグレーションを有効確実に防止し得るので圧電素子
の信頼性を著しく高めることができ、例えば圧電縦効果
を充分に活用した圧電アクチュエータを歩溜りよく生産
し得る顕著なる効果を有する。
単な手段により銀−パラジウム電極導体層の銀材による
マイグレーションを有効確実に防止し得るので圧電素子
の信頼性を著しく高めることができ、例えば圧電縦効果
を充分に活用した圧電アクチュエータを歩溜りよく生産
し得る顕著なる効果を有する。
第1図は本発明の一実施例の電歪効果素子の断面図であ
る。 100……電歪効果素子、1,2……外部電極導体層、3……
下地用有機高分子膜、4……上地用有機高分子膜、A1,A
2,a1,an……圧電セラミック部材、b1〜bn+1……銀−パ
ラジウム電極導体層(内部電極)、I1〜In+1……ガラス
絶縁層。
る。 100……電歪効果素子、1,2……外部電極導体層、3……
下地用有機高分子膜、4……上地用有機高分子膜、A1,A
2,a1,an……圧電セラミック部材、b1〜bn+1……銀−パ
ラジウム電極導体層(内部電極)、I1〜In+1……ガラス
絶縁層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−175176(JP,A) 特開 昭59−218784(JP,A) 特開 昭60−21578(JP,A) 実開 昭55−71571(JP,U) 実開 昭54−86688(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】圧電セラミック部材と銀−パラジウム電極
導体層とを交互に重ね合わせた積層焼結体と、前記積層
焼結体の対向する側面にそれぞれ設けられた絶縁層を介
して前記銀−パラジウム電極導体層を一層おきに、交互
に接続して2つのくし歯形内部電極を構成せしめる一対
の外部電極導体層と、前記積層焼結体の側面に被覆され
ナトリウムや塩素などの不純物及び水分が少ない弾性を
有する第1の有機高分子膜とを有し、かつ前記第1の有
機高分子よりも膜密度が高く透水率が小さい第2の有機
高分子膜で前記第1の有機高分子膜を被覆したことを特
徴とする電歪効果素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60230212A JPH0680846B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電歪効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60230212A JPH0680846B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電歪効果素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6288382A JPS6288382A (ja) | 1987-04-22 |
JPH0680846B2 true JPH0680846B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16904324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60230212A Expired - Lifetime JPH0680846B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電歪効果素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0680846B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1331313C (en) * | 1988-07-08 | 1994-08-09 | Akio Yano | Printing head of wire-dot impact printer |
JPH07112079B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1995-11-29 | 株式会社トーキン | 積層型圧電アクチュエータ |
JP2545639B2 (ja) * | 1990-07-30 | 1996-10-23 | 富士通株式会社 | 積層型圧電素子 |
US5305507A (en) * | 1990-10-29 | 1994-04-26 | Trw Inc. | Method for encapsulating a ceramic device for embedding in composite structures |
JP3267171B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
US6617762B2 (en) * | 2000-08-03 | 2003-09-09 | Nec Tokin Ceramics Corporation | Microactuator device with a countermeasure for particles on a cut face thereof |
JP2002203998A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Denso Corp | 圧電体素子及びその製造方法 |
JP2002319715A (ja) | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Denso Corp | 圧電体素子及びこれを用いたインジェクタ |
EP1858092B1 (en) * | 2005-11-02 | 2013-01-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric element |
DE102007016871A1 (de) * | 2007-04-10 | 2008-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Piezoelektrischer Aktor |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5486688U (ja) * | 1977-12-02 | 1979-06-19 | ||
JPS5571571U (ja) * | 1978-11-09 | 1980-05-16 | ||
JPS59175176A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Nec Corp | 電歪効果素子の製造方法 |
JPS59218784A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Nippon Soken Inc | 積層セラミツク圧電体 |
JPS6021578A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Omron Tateisi Electronics Co | 圧電バイモルフ |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230212A patent/JPH0680846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6288382A (ja) | 1987-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1930962B1 (en) | Layered piezoelectric element and injection device using the same | |
JPH0412678A (ja) | 圧電/電歪膜型アクチュエータの製造方法 | |
JP2002203999A (ja) | 積層型圧電体素子とその製造方法 | |
JPH0680846B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
JPH04159785A (ja) | 電歪効果素子 | |
JP2986706B2 (ja) | 圧電素子及びそれを用いた圧電アクチュエータ | |
US5144528A (en) | Laminate displacement device | |
JP2005072370A (ja) | 積層セラミックス電子部品及び製造方法 | |
JPS63153870A (ja) | 電歪効果素子 | |
WO2012132661A1 (ja) | セラミックスデバイス、及び圧電デバイス | |
JP2000340849A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JPS6262571A (ja) | 電歪効果素子 | |
JPS6316685A (ja) | 電歪効果素子 | |
JP4593911B2 (ja) | 積層型圧電素子及び噴射装置 | |
JPH0774410A (ja) | 電歪積層板の製造方法 | |
JPH06181343A (ja) | 積層型変位素子及びその製造方法 | |
JPH1174576A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JP2921310B2 (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
US20100308693A1 (en) | Piezoelectric Stack Actuator Assembly | |
JP2826078B2 (ja) | 圧電/電歪膜型アクチュエータ | |
JPH11238918A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JPS63128778A (ja) | 電歪効果素子 | |
JPH1126828A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JP3017784B2 (ja) | 積層型変位素子 | |
US20090271963A1 (en) | Piezoelectric actuator and manufacturing method thereof, magnetic disk apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |