JPH0680781B2

JPH0680781B2 - 混成集積回路装置

Info

Publication number: JPH0680781B2
Application number: JP12390389A
Authority: JP
Inventors: 浩二長浜; 明風見; 永清水; 修中本; 克実大川; 保広小池; 正雄金子; 聖和上野; 保雄斎藤
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1989-05-17
Filing date: 1989-05-17
Publication date: 1994-10-12
Anticipated expiration: 2009-10-12
Also published as: JPH02303061A

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は集積回路基板に樹脂封止型の不揮発性メモリ、
例えばEPROM（紫外線消去形プログラマブル・リード・
オンリ・メモリー）を実装してなるEPROM内蔵型の混成
集積回路装置に関する。

（ロ）従来の技術紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M素子は、各種電子機器に好んで用いられている。このE
PROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されており、一旦書込
んだ情報をその後書き直すために通常、着脱容易なプリ
ント配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量
化が要求されている機器は、チップ・オン・ボートと称
される技法によってプリント配線板に半導体集積回路
（IC）チップが直接搭載され、所要の配線が施された後
この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって
被覆され、極めて小形軽量化が達成されている。

一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、この照
射窓がネックとなり未だサーディップ型パッケージに組
込まれて製造され、プリント配線板に実装されているた
め小型軽量化が図れない。

かかる従来のEPROM素子の実装構造を第13図に従って説
明すると、第13図は従来のEPROM素子の一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン（4
1）が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板（42）のスルーホール（43）にサーディ
ッブ型パッケージに組込まれEPROM素子（44）が搭載さ
れている。このEPROM素子（44）はヘッダー（45）およ
びキャップ（46）を有し、前記ヘッダー（45）はセラミ
ック基材（47）に外部導出リード（48）から低融点ガラ
ス材で接着されている。又このヘッダー（45）はガラス
に金粉が多量に混入したいわゆる金ペーストを焼結した
素子搭載部（50）が前記低融点ガラス材上或はセラミッ
ク基材（47）上に接着されており、この素子搭載部（5
0）にEPROMチップ（51）が紫外線照射面を上にして装着
され、このチップ（51）の電極と前記外部導出リード
（48）とが金属細線（52）によって接続されている。前
記キャップ（46）は蓄部材であって、前記EPROMチップ
（51）の紫外線照射面と対抗する部分に窓（53）を有す
るセラミック基材（54）を含み、このキャップ（46）は
低融点ガラスによってヘッダー（45）に配置されたEPRO
Mチップ（51）を密封している。この様にEPROMチップ
（51）を密封したEPROM素子（44）は、前記絶縁性基板
（42）のスルーホール（43）に外部導出リード（48）を
挿通させ半田によって固定される。このスルーホール
（43）は導電性配線パターン（41）によって所要の配線
引回しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄
型コネクタ端子部（55）から図示しない雌型コネクタへ
と接続される。

さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EPROMチッ
プ（51）に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占
有率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高
さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスル
ーホール（43）に外部導出リードを挿通した後、半田な
どで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM素子を一旦パ
ッケージに組立てることである。EPROM素子は紫外線照
射用の窓を有するが故、そのパッケージは、セラミック
スを基材としたサーディップ型パッケージに組立てられ
るが、このパッケージは低融点ガラスにより封止される
為、高温（400〜500℃）シールとなり、EPROMチップの
電極（アルニミウム）と外部導出リードとを接続する金
属細線を同種材料で構成しないとアロイ化が起り配線抵
抗の増加を来したり、断線を生じたりする。この様な事
態を回避する目的で通常アルミニウム細線が用いられる
が、このEPROMチップはサブストレートを接地電位にす
る必要上、EPROMチップの接地電極を金ペーストで形成
されたチップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金
ペースト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウ
ムとで二次或は多元合金反応が進むことから、グランド
ダイスと呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリ
コン小片をEPROMチップと別個に前記金ペーストより成
るチップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部と
EPROMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑
な作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価
格のいずれも不満足なものである。

斯る問題を解決するために第14図に示したEPROM実装構
造がある。

以下に第14図に示したEPROM実装構造について説明す
る。

主表面（60a）に導電性配線パターン（60b）が形成され
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板（60）は、
EPROMチップ（61）を載置するチップ搭載エリヤ（60c）
を有し、前記配線パターン（60b）は、このエリヤ近傍
から主表面（60a）上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリヤ（60c）に
は、EPROMチップ（61）が搭載され、このチップ（61）
の表面電極と前記配線パターン（60b）とが金属細線（6
2）により接続されている。勿論金属細線（62）の１本
は前記チップ（61）のサブストレートと接続する為に、
このチップ（61）が搭載された配線パターン（60b）と
ワイヤリングされている。前記EPROMチップ（61）の紫
外線照射面（61a）上には紫外線透過性樹脂（63）（例
えば東レ社製、型名TX−978）を介して、紫外線透過性
窓材（64）が固着されている。この窓材（64）は、石
英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材料である。
そして、前記窓材（64）の頂部面（64a）は、EPROMチッ
プ（61）の紫外線照射面に光を導入する面であるから、
この頂部面（64a）を除いた残余の窓材（64）部分と、
金属細線（62）と、この金属細線（62）と前記配線パタ
ーン（60b）との接続部分とが合成樹脂（65）（例えば
日東電工社製、型名MP−10）で被覆されている。もし、
絶縁性基板（60）と、EPROMチップ（61）と窓材（64）
とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、
前記基板（60）のチップ搭載エリヤ（60c）をザグリ穴
としてこの基板（60）の厚さの半分程度握れば良い。又
この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂（65）の流れ
止めダムが形成され湿気などの浸入に対して有効に作用
する。

第13図および第14図で示したEPROM実装構造は特開昭60
−83393号公報（H05K 1/18）に記載されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題第14図で示したEPROM実装構造ではEPROMのチップをプリ
ント基板上にダイボンディングしているため、小型化と
なることはいうまでもない。しかしながら、ここでいう
小型化はあくまでEPROM自体の小型化である。即ち、第1
4図からは明らかにされていないがEPROMの周辺に固着さ
れているマイクロコンピュータおよびその周辺回路素子
はディスクリート等の電子部品で構成されているため
に、EPROMを搭載したプリント基板用の集積回路として
のシステム全体を見た場合なんら小型化とはならず従来
通りプリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化
になる問題がある。更に第14図に示したEPROM構造ではE
PROMのプログラムデータを消去する場合、プリント基板
上に紫外線を照射し消去した後、EPROMから延在された
引回し線の導電パターン上にプローブ等の書込み用の端
子を当接して再書込みを行わなければならず、従来の一
般的なROMライターを使用することができずEPROMの再書
込みという点で煩雑となる問題がある。

また、第13図に示したEPROM実装構造では消去後の再書
込みという点ではEPROMをプリント基板から着脱するこ
とが可能であるために、一般的なROMライターを用いて
書込みが行えるために比較的容易に行える。しかしなが
ら、第13図に示した実装構造においても第13図と同様に
EPROMの周辺の回路、即ち、マイクコンピュータやその
周辺LSI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子部品
で構成されているため、プリント基板の大型化、即ちシ
ステム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄短小
のEPROM搭載の集積回路を提供することができない大き
な問題がある。

更に第13図および第14図で示したEPROM実装構造では、
上述した様にシステム全体が大型化になると共にEPROM
およびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パター
ンが露出されているため信頼性が低下する問題がある。

更に第13図および第14図で示したEPROM実装構造ではEPR
OMと、その周辺のマイクロコンピュータおよびIC,LSI等
の回路素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生
じて取扱いにくく作業性が低下する問題がある。

（ニ）課題を解決するための手段本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にシングルインライン型の樹脂封止型のEPROMを搭
載すると共にそのEPROMと接続されるマイクロコンピュ
ータおよびその周辺の回路素子を搭載し、且つ、ケース
材と基板とで形成された封止空間にマイクロコンピュー
タ及びその周辺素子全てが密封封止されてシングルイン
ライン型のEPROMのみがケース材の周辺の所定位置より
突出した基板上に設けられた構造を有することを特徴と
する。

従ってEPROMを搭載した混成集積回路を小型化に且つEPR
OMの挿脱が自由自在に行えるEPROM内蔵の混成集積回路
装置を提供することができる。

（ホ）作用この様に本発明に依れば、ケース材の周辺に拡張した一
方の基板上にシングルインライン型のEPROMを接続して
いるのでEPROMの載置位置をケース材の周辺の任意に設
定できるので、内蔵するマイクロコンピュータとの電気
的接続を考慮して、効率良くEPROMとマイクロコンピュ
ータとを接続することができ、信号線即ち導電路の引回
し線を不要にすることができる。

更にEPROMの隣接する基板の周辺に最も関連の深いマイ
クロコンピュータを配置でき、EPROMとマイクロコンピ
ュータ間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離
あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回しによる
実装密度のロスを最小限に制御することになり、高密度
の実装が行える。

更に本発明ではシングルインライン型EPROM以外の全て
の素子がチップ状で且つケース材と両基板で形成された
封止空間内に収納されるため小型化でしかも取扱い性の
優れた混成集積回路装置を提供することができる。

（ヘ）実施例以下に第１図乃至第12図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。

第１図および第２図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置（１）が示されている。この混成集積回路装置
（１）は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。

この混成集積回路装置（１）は第１図および第２図に示
す様に、二枚の集積回路基板（２）（３）と、二枚の集
積回路基板（２）（３）上に形成された所望形状の導電
路（４）と、一方の基板（２）より延在しケース材
（５）より突出した突出基板（2a）上の導電路（４）と
接続されたシングルインライン型樹脂モールドされた不
揮発性メモリー（５）と、メモリー（５）からデータを
供給され且つ一方の基板（２）上の導電路（４）と接続
されたマイクロコンピュータ（６）および一方あるいは
他方の基板（３）上の導電路（４）と接続されたその周
辺回路素子（７）と、両基板（２）（３）に一体化され
且つ突出基板（2a）を露出するケース材（８）とをから
構成されている。

二枚の集積回路基板（２）（３）はセラミックス、ガラ
スエポキシあるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実
施例では放熱性および機械的強度に優れた金属基板を用
いるものとする。

金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミニウム基
板を用いる。その基板（２）（３）の表面には第３図に
示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜
（９）（アルマイト層）が形成され、その一主面側に10
〜70μ厚のポリイミド等のフレキシブル性を有した絶縁
樹脂層（10）が貼着される。更に絶縁樹脂層（10）上に
は10〜70μ厚の銅箔（11）が絶縁樹脂層（10）と同時に
ローラーあるいはホットプレス等の手段により貼着され
ている。ところで二枚の基板（２）（３）はフレキシブ
ル性を有する絶縁樹脂層（９）によって所定の間隔離間
されて連結された状態になっている。

両基板（２）（３）の一主面上に設けられた銅箔（11）
表面上にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を
露出してレジストでマスクされ、貴金属（金、銀、白
金）メッキ層が銅箔（11）表面にメッキされる。然る
後、レジストを除去して貴金属メッキ層をマスクとして
銅箔（11）のエッチングを行い所望の導電路（４）が形
成される。ここでスクリーン印刷による導電路（４）の
細さは0.5mmが限界であるため、極細配線パターンを必
要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約２μまでの
極細導電路（４）の形成が可能となる。

一方の基板（２）より延在された突出基板（2a）の導電
路（４）上の所定の位置にはシングルインライン型樹脂
モールドされた不揮発性メモリー（５）とメモリー
（５）からデータを供給されるマイクロコンピュータ
（６）とその周辺の回路素子（７）が搭載され導電路
（４）と接続されている。フィルム状の樹脂層（９）で
連結された他方の基板（３）上にも回路素子（７）が搭
載された導電路（４）と接続されている。導電路（４）
は両基板（２）（３）の略全面に延在形成され、両基板
（２）（３）の周端部に延在される導電路（４）の先端
部はリード固着パッドが形成され、そのパッドには外部
リード端子（12）（13）が固着されている。その外部リ
ード（12）（13）は取付け基板に取付けるために略直角
に折曲げ形成されている。また両基板（２）（３）上に
形成されている導電路（４）はフレキシブル樹脂層
（９）上に形成されているので二枚の基板（２）（３）
を股がる様にパターニングされ両基板（２）（３）の接
続が所定の位置でしかも任意に行えることができる。

不揮発性メモリー（５）としてEPROM（Erasable Progra
mable Read Only Memory）が用いられる（以下不揮発性
メモリー（５）をEPROMという）。このEPROM（５）は周
知の如く、EPROM（５）のペレットに形成されているフ
ローティングゲートに蓄積されている電子（プログラム
・データ）を光を照射して励起させて未記憶状態のペレ
ットに戻し再書込みして利用できる素子である。

一般的なEPROM（５）の構造は第５図および第６図に示
す様にSIP（シングル・イン・ライン）型であり、大別
すると樹脂モールド型パッケージタイプとセラミックス
型パッケージタイプとがある。樹脂モールド型あるいは
セラミックス型のいずれのタイプにおいてもペレット
（14）のメモリーを消去するために光を照射する必要が
あるため、ペレット（14）の上面にあたる部分で樹脂モ
ールドの側面にはエネルギーの高い光（紫外線）を透過
する透過部材（15）が配置されている。本実施例ではSI
P型のEPROM（５）であれば樹脂モールド型あるいはセラ
ミックス型のどちらのタイプのパッケージを用いてもよ
い。この様なEPROM装置は特開昭53−74358号公報および
特開昭62−290160号公報に開示されている。

EPROM（５）のプログラム・データを選択して供給され
るマイクロコンピュータ（６）およびその周辺の回路素
子（７）のIC、トランジスタ、チップ抵抗およびチップ
コンデンサー等はチップ状態で所望の導電路（４）上に
半田付けあるいはAgペースト等のろう材によって付着さ
れ、マイクロコンピュータ（６）および回路素子（７）
は近傍の導電路（４）にボンディングされている。更に
導電路（４）間にはスクリーン印刷によるカーボン抵抗
体およびニッケルメッキによるニッケルメッキ抵抗体が
夫々抵抗素子として形成されている。

一方ケース材（８）は絶縁部材の熱可塑性樹脂から形成
され、第４図に示す如く、二枚の基板（２）（３）を所
間隔離間して封止空間（15）を形成するために枠状に形
成されている。またケース材（８）の一側辺は両基板
（２）（３）を配置したときにフィルム樹脂層（10）が
容易に折曲げされる様に円弧状に形成されている。

ケース材（８）と二枚の基板（２）（３）との接着は接
着シートによって行われ、フィルム樹脂層（10）によっ
て連結された両基板（２）（３）でケース材（８）を挟
挾む様に且つ搭載された回路素子（７）を対向させる様
にして固着される。このとき両基板（２）（３）を連結
するフィルム樹脂層（10）は上述したケース材（８）に
設けられた円弧状部と当接されて折曲げされるために折
曲げ部分の導電路（４）が折曲時に切断する恐れはな
い。樹脂層（10）の折曲げ部分には蓋体（16）が固着一
体化される。蓋体（16）はケース材（８）と同一材料で
形成されその接着は上述した接着シートの手段で行われ
る。この結果、両基板（２）（３）とケース材（８）間
に所定の封止空間部（15）が形成されることになる。更
に本実施例のケース材（８）からは一方の基板（２）か
ら延在される突出基板（2a）が露出し、この突出基板
（2a）はSIP型EPROM（５）が載置できる大きさに形成さ
れている。なおこの突出基板（2a）は一方の基板（２）
の４辺のどの位置にも設けらることができ、マイクロコ
ンピュータ（６）との関係でその位置が決定される。

一方の基板（２）から延在されケース材（８）から露出
した突出基板（2a）上にはソケット（17）の電極と固着
接続される複数の導電路（４）の一端が形成され、その
導電路（４）の先端部にSIP型EPROM（５）を挿入するソ
ケット（17）が固着される。ソケット（17）が固着され
た導電路（４）の他端はマイクロコンピュータ（６）の
近傍に効率よく引回しされチップ状のマイクロコンピュ
ータ（６）とボンディングワイヤで電気に接続される。

ここでEPROM（５）とマイクロコンピュータ（６）との
位置関係について述べる。第７図はEPROM（５）とマイ
クロコンピュータ（６）とを一方の基板（２）上に配置
したときの要部拡大図であり、EPROM（５）とチップ状
のマイクロコンピュータ（６）とは第７図に示す如く、
多数本の導電路（４）を介して接続されるため、その導
電路（４）の引回しを短くするためにSIP型EPROM（５）
とマイクロコンピュータ（６）は夫々、隣接する位置か
あるいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従
ってSIP型EPROM（５）とマイクロコンピュータ（６）と
の導電路（４）の引回しは最短距離で形成でき基板上の
実装面積を有効に使用することができる。SIP型EPROM
（５）とその近傍あるいは隣接した位置に配置されたチ
ップ状のマイクロコンピュータ（６）は第７図の如く、
マイクロコンピュータ（６）の近傍に延在された導電路
（４）の先端部とワイヤ線によってボンディング接続さ
れEPROM（５）と電気的に接続される。

ところで、EPROM（５）はソケット（17）に挿入されて
一方の基板（２）の突出基板（2a）上に搭載されること
になり、EPROM（５）はケース材（８）に隣接して配置
される。このとき、EPROM（５）の上面と他方の基板
（３）の上面とは略一致した状態であることが好まし
い。この結果、SIP型EPROM（５）だけが露出し、他のマ
イクロコンピュータ（６）およびその周辺の回路素子
（７）は封止空間（15）内に配置されることになる。ま
たEPROM（５）の側面に設けた透過部材（15）はケース
材（８）とほぼ当接しているので、EPROM（５）をソケ
ット（17）に挿入するだけで遮光できる。

上述の如く、EPROM（５）と接続されるマイクロコンピ
ュータ（６）およびその周辺の回路素子は両基板（２）
（３）とケース材（８）で形成された封止空間部（15）
に配置する様に設定されている。即ち、チップ状の電子
部品および印刷抵抗、メッキ抵抗等の抵抗素子の全ての
素子が封止空間部（15）内に設けられている。

本実施例でEPROM（５）のデータ消去を行う場合はソケ
ット（17）からEPROM（５）を離脱して紫外線を照射す
るケースがある。また、再書込みの場合はEPROM（５）
をソケットから離脱して一般的なROMライターを使用し
て電気的に書込みを行い、書込み後、ソケット（17）に
挿入すればよい。

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。

先ず、モデム（MODEM）とはパーソナルコンピュータな
どのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電話回
線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行うデ
ータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能はデ
ジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波数を
使って、データによる変調を行いアナログ信号にして電
話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデータ
で変調されるアナログ信号を復調してデジタル化したデ
ータに戻す機能を持つ。

第８図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。

第８図は両集積回路基板（２）（３）上にモデムを搭載
したときのブロック図である。

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインターフ
ェース（21）と、DTEインターフェース（21）より出力
されたデータに基づいて所定の出力信号を出力するマイ
クロコンピュータ（６）と、マイクロコンピュータ
（６）からアドレスされるデータを内蔵したEPROM
（５）と、マイクロコンピュータ（６）からの出力信号
を変復調しNCU（NETWORK CNTROL UNIT）に出力する第
１および第２の変復調回路（22）（23）と、マイクロコ
ンピュータ（６）からの出力信号に応じて所望のDTMF信
号（トーン信号）を発生するDTMF発生器（24）とをから
構成されている。

DTEインターフェースは例えばSTC9610（セイコーエプソ
ン）等のICより成り、第９図の如く、パソコンの出力信
号を供給し、その出力信号を内蔵メモリー内に蓄積して
マイクロコンピュータ（６）へ出力する送信メモリー部
（25）と、マイクロコンピュータ（６）からの出力信号
が供給される信号を内蔵メモリー内に蓄積してパソコン
へ出力する受信メモリー部（36）と、送信メモリー部
（25）および受信メモリー部（26）を介して入出力され
る夫々の信号を切替える制御部（27）とからなり、パソ
コン（28）とマイクロコンピュータ（６）とを接続する
ための所定の機能を有するものである。

マイクロコンピュータ（６）は例えばSTC9620（セイコ
ーエプソン）等のICより成り、第10図の如く、DTEイン
ターフェース（21）から出力される出力信号を認識する
コマンド認識部と、コマンド認識部によって認識された
出力信号を解読するコマンド解読部と、コマンド解読部
で解読された信号に基づいてメモリー部のデータと比較
し変復調回路へデータを供給するコマンド実行部と、コ
マンド解読部のデータとメモリー部内のデータとの比較
結果、誤ったデータがコマンド実行部に供給された際に
DTEインターフェース（21）に出力信号を出力する応答
コード生成部とからなる。

変復調回路（28）はマイクロコンピュータ（６）から送
信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNCU部
に送信する。また反対にNCU部から送信されたアナログ
信号をデジタル信号に変換したマイクロコンピュータ
（６）へ送信するものであり、低速および中速夫々のタ
イプの回路を備えている。第１の変復調回路（22）は30
0bpsの低速変復調回路であり、第２の変復調回路（23）
は1200bpsの中速変復調回路である。夫々の第１および
第２の変復調回路（22）（23）はマイクロコンピュータ
（６）により、いずれか一方の変復調回路が選択され
る。

DTMF発生器（24）はマイクロコンピュータ（６）のコマ
ンド実行部より出力されたデータをCOL,ROW夫々の入力
端子に入力することで所定のDTMF信号を発生し送信MAP
（29a）に出力して電話回線へ信号を供給する。

EPROM（５）内にはモデムの各種のモードを設定するた
めのプログラムデータがメモリーされており、マイクロ
コンピュータ（６）のアドレスに基づいてマイクロコン
ピュータ（６）に供給される。

次にモデムの動作について簡単に説明する。

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ（６）からの読出し信号に基づいて制御スイッチ
（29d）が動作し、所定のアドレスデータがEPROM（５）
に供給され、そのアドレスに基づいたEPROM（５）のプ
ログラム・データがマイクロコンピュータ（６）に供給
され、通信を行う夫々のモデムの通信規格（BELL/CCITT
規格）、通信速度（300/1200bps）、データファーマッ
トの一致、デップスイッチモードの切替等の各種のモー
ドが一致しているかが確認される。

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー入力する。その電話番号は
パソコンとインターフェース用のDTEインターフェース
（21）に入力され、電話番号を解読する為にマイクロコ
ンピュータ（６）に転送される。その解読した結果をDT
MF発生器（24）に送信し、DTMF発生器（24）からDTMF信
号が発信されその信号は送信MAP（29a）、ライントラン
ス（29c）を介して一般電話回線へ転送される。

転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出し信
号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信して自
動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為のア
ンサートーンを起呼側のモデムに対して送出する。

起呼側のモデムはライントランス（29c）、受信アンプ
（29d）を通り低速変復調回路（22）でそのアンサート
ーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサートーンで
あるか否かを検出する。所定のアンサートーンであれば
通信状態に入る。

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー入力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをDTEインターフェース（21）に入力し、その
データをマイクロコンピュータ（６）に転送する。ここ
でパラレルデータをシリアルデータに変換する。シリア
ルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回路
（22）に送信される。ここでデジタル信号はアナログ信
号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて周波
数変調FSKされ、送信AMP（29）、ライントランス（32）
を介して応答側のモデムに送信される。

一方、応答側のパソコンのキー入力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス（29c）、受信AMP（29b）を介して
低速変復調回路（22）に入力される。ここでアナログ信
号はデジタル信号に変換されDTEインターフェース（2
1）に入力され、シリアルデジタル信号からパラレルデ
ジタル信号に変換されて起呼側のパソコンに入力され
る。その結果起呼側へパソコンと応答側のパソコンは全
二重通信ができる様になりパソコン通信が実現する。

第11図は第８図で示したモデム回路を本実施例で用いた
一方の基板（２）上に実装した場合の平面図であり、実
装される回路素子の図符号は同一番号とする。EPROM
（５）とマイクロコンピュータ（６）との接続はバスラ
インで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は煩
雑のため省略する。

第11図に示す如く、一方の基板（２）の対向する周端部
には外部リード端子（12）（13）が固着される複数の固
着用パッド（4a）が設けられている。固着パッド（4a）
から延在される導電路（４）上封止空間（15）の位置に
は複数の回路素子が、突出基板（2a）上にはSIP型EPROM
（５）を搭載するソケット（17）が固着される。斯る一
方の基板（２）上にはSIP型EPROM（５）以外のマイクロ
コンピュータ（６）を含む複数の回路素子（７）が固着
されており、（21）はDETインターフェース、（22）（2
3）は第１および第２の変復調回路、（24）はDTMF発生
回路、（29a）はEPROM（５）を制御する制御スイッチ、
（６）はマイクロコンピュータ、（７）はコンデンサー
等のチップ部品である。なお、他方の基板（３）にはポ
リイミド等のフィルム樹脂層（10）を介して基板（２）
より複数の導電路（４）が延在されており、他方の基板
（３）上にはオプション用回路あるいはモデムに必要な
一部の回路が配置されている。

第11図に示す如く、マイクロコンピュータ（６）の近傍
あるいは隣接する一方の基板（２）より延在されケース
材（８）より露出した突出基板（2a）にSIP型EPROM
（５）が搭載されるソケット（17）が固着される。マイ
クロコンピュータ（６）の近傍あるいは隣接する位置に
ソケット（17）を固着することで、マイクロコンピュー
タ（６）とEPROM（５）との信号線、即ち導電路（４）
の引回し線の距離を最短でしかも最小の距離で引回すこ
とができ、他の実装パターンを有効に使用できると共に
高密度実装が行える。このときソケット（17）はケース
材（８）から露出し一方の基板（２）の任意の周端部に
設けた突出基板（2a）に設けられる。尚、一点鎖線で囲
まれた領域は接着シートでケース材（８）が固着される
領域を示す。

第12図は第11図で示した一方の基板（２）上にケース材
（８）を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の
完成品の平面図であり、ケース材（８）の周端辺の突出
基板（2a）上にはSIP型EPROM（５）が露出された状態と
なる。即ち、SIP型EPROM（５）以外の他の素子は全てケ
ース材（８）と両基板（２）（３）とで形成された封止
空間（15）内に封止され且つEPROM（５）のみが露出さ
れるのでEPROM（５）の挿脱が必要に応じて自由自在に
行うことができる。

以上に詳述したモデム用の混成集積回路装置のEPROM
（５）には製品仕様の多様化に備え、仕向地、OEM、自
社販売等セットメーカ（ユーザ）が要望する仕様変更に
対して容易に対応することができる。即ち、EPROM
（５）以外の回路構成はあらかじめ各種の仕様変更に対
応する様に設計されていたが、特定のユーザの仕様に基
づいて混成集積回路を設計すると、他のユーザ仕様と一
致しないことがあった場合、従来では混成集積回路自体
の設計を見なおす必要があった。

しかし本発明の混成集積回路装置ではSIP型EPROM（５）
がソケット（17）を介して突出基板（2a）上に搭載され
且つケース材（８）から露出された状態であるため、SI
P型EPROM（５）の離脱が行えるのでユーザ側でEPROMを
選択して実装するだけで１つの混成集積回路装置で多機
種の混成集積回路装置の実現が行える。

斯る本発明に依れば、一方の基板（２）の所望位置に突
出基板（2a）を設け、その突出基板（2a）上の導電路
（４）にソケット（17）を介して樹脂モールドされたSI
P型EPROM（５）を接続し、両基板（２）（３）とケース
材（８）とで形成された封止空間（15）にマイクロコン
ピュータ（６）および他の回路素子（７）を固着するこ
とにより、混成集積回路とEPROMとの一体化した装置が
でき且つ必要性に応じて容易にEPROMの挿脱が行なえる
大きな特徴を有する。

（ト）発明の効果以上の詳述した如く、本発明に依れば、第１に一方の基
板（２）の任意の周端辺に突出基板（2a）を設け、その
突出基板（2a）上の導電路（４）に樹脂モールドされた
SIP型EPROM（５）を接続しているので、SIP型EPROM
（５）の載置位置の周辺の任意に選定できる利点を有す
る。このため内蔵するマイクロコンピュータとの電気的
接続を考慮して、効率良くEPROM（５）とマイクロコン
ピュータ（６）とを接続できデータ線の引回しを不要に
できる。更に詳述すると、EPROM（５）の隣接する位置
に最も関連の深いマイクロコンピュータ（６）を配置で
き、その結果EPROM（５）とマイクロコンピュータ
（６）間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離
あるいは最も設計容易なレイアウトで実現でき、データ
線の引回しによる実装密度のロスを最小に抑制できる。

第２に一方の基板（２）の周端部にけた突出基板（2a）
にSIP型EPROM（５）を配置しているので、一体化した小
型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有する。
更に両集積回路基板（２）（３）上の組込むマイクロコ
ンピュータおよびその周辺回路素子の実装密度を向上す
ることにより、従来必要とされたプリント基板を廃止で
き、１つの小型化されたSIP型EPROM（５）を着脱自在に
内蔵する混成集積回路装置を実現できる。

第３に両集積回路基板（２）（３）として金属基板を用
いることにより、その放熱効果をプリント基板に比べて
大幅に向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。ま
た導電路（４）として銅箔（11）を用いることにより、
導電路（４）の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減で
き、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張で
きる。

第４にEPROM（５）としてシングルインライン型を用い
ることができるので、混成集積回路装置へのEPROM
（５）の実装が極めて容易に実現でき且つEPROM（５）
の透過部材（15）を挿入のみで遮光できる利点を有す
る。

第５にEPROM（５）と接続されるマイクロコンピュータ
およびその周辺回路素子（６）はケース材（８）と両集
積回路基板（２）（３）とで形成される封止空間（15）
にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれるので、従
来のプリント基板の様に樹脂モールドしものに比較して
極めて占有面積が小さくなり、実装密度の大幅に向上で
きる利点を有する。

第６にケース材（８）と両集積回路基板（２）（３）の
周端を実質的に一致させることにより、両集積回路基板
（２）（３）のほぼ全面を封止空間（15）として利用で
き、実装密度の向上と相まって極めてコンパクトな混成
集積回路装置を実現できる。

第７に一方の基板（２）に突出基板（2a）上にソケット
（17）を設けることにより、SIP型EPROM（５）の着脱を
自在に行え、EPROM（５）の交換や消去および再書込み
を自由に行える利点を有する。

第８に他方の基板（３）とSIP型EPROM（５）の上面を一
致させることにより、平坦な上面を有する混成集積回路
装置を実現できる利点を有する。

第９に両集積回路基板（２）（３）の一辺あるいは相対
向する辺から外部リード（12）（13）を導出でき、極め
て多ピンの混成集積回路装置を実現できる利点を有す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例を示す斜視図、第２図は第１図のＩ−
Ｉ断面図、第３図は本実施例で用いる基板の断面図、第
４図は本実施例で用いるケース材を示す斜視図、第５図
は本実施例で用いるSIP型EPROMの斜視図、第６図は第５
図の断面図、第７図は基板上のSIP型EPROM周辺を示す要
部拡大斜視図、第８図は本実施例で用いたモデムを示す
ブロック図、第９図は第８図で示したモデムのDTEイン
ターフェースを示すブロック図、第10図は第８図で示し
たモデムのマイクロコンピュータを示すブロック図、第
11図は第８図で示したブロック図を基板上に実装したと
きの平面図、第12図は第11図に示した基板上にケース材
を固着したときの平面図、第13図および第14図の従来の
EPROM実装構造を示す断面図である。（１）……混成集積回路装置、（２）（３）……集積回
路基板、（2a）……突出基板、（４）……導電路、
（５）……SIP型EPROM、（６）……マイクロコンピュー
タ、（７）……回路素子、（８）……ケース材、（17）
……ソケット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中本修大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者大川克実大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者小池保広大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者金子正雄大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者上野聖和大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者斎藤保雄群馬県山田郡大間々町大間々414―１東京アイシー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二枚の相対向して配置された集積回路基板
と、前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
と、前記導電路に接続されたシングルインライン型樹脂モー
ルドされた不揮発性メモリーと、前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、前記基板間に一体化されたケース材とを具備し、前記ケース材より突出した一方の前記基板上の前記導電
路に前記不揮発性メモリーを接続し、前記不揮発性メモ
リーの透過部材を前記ケース材と当接させて遮光し、前
記両基板と前記ケース材で形成された封止空間に前記マ
イクロコンピュータおよびその周辺回路素子を配置した
ことを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】前記集積回路基板として表面を絶縁した金
属基板を用いたことを特徴とする請求項１記載の混成集
積回路装置。
【請求項３】前記導電路として銅箔を用いたことを特徴
とする請求項１記載の混成集積回路装置。
【請求項４】前記マイクロコンピュータは前記導電路上
にダイ形状で組み込まれることを特徴とする請求項１記
載の混成集積回路装置。
【請求項５】前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チッ
プコンデンサーを用いることを特徴とする請求項１記載
の混成集積回路装置。
【請求項６】前記ケース材の周端部を前記両基板の周端
部とほぼ一致させたことを特徴とする請求項１記載の混
成集積回路装置。
【請求項７】前記ケース材より突出した前記一方の基板
上に前記導電路と接続されたソケットを設け、前記ソケ
ットに前記不揮発性メモリーを挿入することを特徴とす
る請求項１記載の混成集積回路装置。
【請求項８】前記不揮発性メモリーの上面と前記他方の
基板の上面とを実質的に一致させたことを特徴とする請
求項７記載の混成集積回路装置。