JPH0677095A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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- JPH0677095A JPH0677095A JP4152635A JP15263592A JPH0677095A JP H0677095 A JPH0677095 A JP H0677095A JP 4152635 A JP4152635 A JP 4152635A JP 15263592 A JP15263592 A JP 15263592A JP H0677095 A JPH0677095 A JP H0677095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電解コンデンサ用Ａｌ箔をエッチングするにあ
たり、表面の溶解を防ぎ、エッチング溝を深く蝕刻し
て、容量を大きくする。 【構成】複数段のエッチング工程のうち、少なくとも１
つの段のエッチング液中にアミノ基および第四アンモニ
ウム基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分
子電解質を存在させ、化学的または電気化学的にＡｌ箔
をエッチングする。
たり、表面の溶解を防ぎ、エッチング溝を深く蝕刻し
て、容量を大きくする。 【構成】複数段のエッチング工程のうち、少なくとも１
つの段のエッチング液中にアミノ基および第四アンモニ
ウム基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分
子電解質を存在させ、化学的または電気化学的にＡｌ箔
をエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ用アルミニウム箔は、そ
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電圧を印加する電気化学
的（電解）または化学的エッチング処理が施される。
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電圧を印加する電気化学
的（電解）または化学的エッチング処理が施される。
【０００３】この種のコンデンサには、低、中、高圧用
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のエッチ
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの程度を増やしてもエッチング孔を深くすること
ができず、充分に期待されるような表面積の増大を得る
ことができないという欠点があった。例えば、中高圧コ
ンデンサの場合、静電容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ2
更に上げることは至難とされていた。
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの程度を増やしてもエッチング孔を深くすること
ができず、充分に期待されるような表面積の増大を得る
ことができないという欠点があった。例えば、中高圧コ
ンデンサの場合、静電容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ2
更に上げることは至難とされていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる欠点を解
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供する。本発明は、複数段のエッチング工程
よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法において、いずれか１つ以上の段のエ
ッチング工程では、エッチング液中にアミノ基および第
四アンモニウム基から選ばれるアニオン交換基を有する
可溶性高分子電解質を存在させ、化学的に、または電圧
を印加して電気化学的にアルミニウム箔をエッチングす
ることを特徴とする。
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供する。本発明は、複数段のエッチング工程
よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法において、いずれか１つ以上の段のエ
ッチング工程では、エッチング液中にアミノ基および第
四アンモニウム基から選ばれるアニオン交換基を有する
可溶性高分子電解質を存在させ、化学的に、または電圧
を印加して電気化学的にアルミニウム箔をエッチングす
ることを特徴とする。
【０００６】本発明でアミノ基および第四アンモニウム
基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電
解質とは、−ＮＨ2 、−ＮＨＲ1 または−ＮＲ1 Ｒ2 で
表されるアミノ基または−Ｎ+ Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 で表される
第四アンモニウム基を有する好ましくは架橋構造のない
線状高分子または架橋構造の非常に少ない高分子をい
う。上記の一般式で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、互いに同一
または異なる好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル基
をいう。
基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電
解質とは、−ＮＨ2 、−ＮＨＲ1 または−ＮＲ1 Ｒ2 で
表されるアミノ基または−Ｎ+ Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 で表される
第四アンモニウム基を有する好ましくは架橋構造のない
線状高分子または架橋構造の非常に少ない高分子をい
う。上記の一般式で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、互いに同一
または異なる好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル基
をいう。
【０００７】一般に、高分子の重合度が増加するとエッ
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するアニオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大
きい程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するアニオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大
きい程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
【０００８】本発明において、上記アニオン交換基の密
度、即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜
２０ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高
分子電解質である。
度、即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜
２０ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高
分子電解質である。
【０００９】本発明における上記アニオン交換基を有す
る可溶性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でアニオン交換基がほと
んどまたは一部解離して泳動または拡散によりエッチン
グされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の
溶解を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電
解質に特有なものである。
る可溶性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でアニオン交換基がほと
んどまたは一部解離して泳動または拡散によりエッチン
グされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の
溶解を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電
解質に特有なものである。
【００１０】本発明における可溶性高分子電解質として
は、上記アニオン交換基を有する可溶性高分子電解質が
使用されるが、なかでも第四アンモニウム基を有するも
のが好ましい。また、これらは当然のことながらエッチ
ング液中でアニオン交換基に転化するその前駆体基を有
する可溶性高分子電解質も使用される。それらの好まし
い例としては、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミ
ン、ポリビニルピリジン、ポリアリルアミン、ポリビニ
ルアニリン、またはそれらの塩等が挙げられる。
は、上記アニオン交換基を有する可溶性高分子電解質が
使用されるが、なかでも第四アンモニウム基を有するも
のが好ましい。また、これらは当然のことながらエッチ
ング液中でアニオン交換基に転化するその前駆体基を有
する可溶性高分子電解質も使用される。それらの好まし
い例としては、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミ
ン、ポリビニルピリジン、ポリアリルアミン、ポリビニ
ルアニリン、またはそれらの塩等が挙げられる。
【００１１】以上述べた可溶性高分子電解質は、上記し
たもののほかにも上記アニオン交換基を有するモノマー
と、これらの基を有しないモノマーを共重合したもの
や、上記アニオン交換基を有しない高分子化合物に上記
アニオン交換基を導入したものでも充分に目的を達成す
ることができる。
たもののほかにも上記アニオン交換基を有するモノマー
と、これらの基を有しないモノマーを共重合したもの
や、上記アニオン交換基を有しない高分子化合物に上記
アニオン交換基を導入したものでも充分に目的を達成す
ることができる。
【００１２】また、上記アニオン交換基を有する可溶性
高分子電解質のエッチング液中への添加量としては、可
溶性高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３
〜１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リ
ットルが適当である。また、可溶性高分子電解質の分子
量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
高分子電解質のエッチング液中への添加量としては、可
溶性高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３
〜１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リ
ットルが適当である。また、可溶性高分子電解質の分子
量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
【００１３】エッチングに用いられるエッチング液とし
ては、塩酸、硝酸などの種々公知のものが用いられる
が、濃度が好ましくは１〜３０重量％の塩酸水溶液を使
用するのが好ましい。エッチング液の各段は、既知のよ
うに同じエッチング液も使用でき、また異なったエッチ
ング液も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の電
解エッチングの場合、第１段では塩酸水溶液、第２段で
は塩酸または硝酸水溶液が使用される。そして各段のエ
ッチング液には、箔の過度の溶解を防ぐために、酸化ア
ルミニウム皮膜形成性の硫酸、リン酸、シュウ酸等をエ
ッチング液の全量に対し好ましくは０．５〜４０重量％
程度添加したものが好適である。
ては、塩酸、硝酸などの種々公知のものが用いられる
が、濃度が好ましくは１〜３０重量％の塩酸水溶液を使
用するのが好ましい。エッチング液の各段は、既知のよ
うに同じエッチング液も使用でき、また異なったエッチ
ング液も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の電
解エッチングの場合、第１段では塩酸水溶液、第２段で
は塩酸または硝酸水溶液が使用される。そして各段のエ
ッチング液には、箔の過度の溶解を防ぐために、酸化ア
ルミニウム皮膜形成性の硫酸、リン酸、シュウ酸等をエ
ッチング液の全量に対し好ましくは０．５〜４０重量％
程度添加したものが好適である。
【００１４】本発明の場合、エッチング処理は複数段を
採用するのが必要である。そして電解エッチングの場
合、そのいずれか１つまたは２つ以上の段のエッチング
液に可溶性高分子電解質を添加する。中高圧用エッチン
グには２段目に添加するのが好ましく、また低圧用エッ
チングには各段にそれぞれ添加するのが好ましい。
採用するのが必要である。そして電解エッチングの場
合、そのいずれか１つまたは２つ以上の段のエッチング
液に可溶性高分子電解質を添加する。中高圧用エッチン
グには２段目に添加するのが好ましく、また低圧用エッ
チングには各段にそれぞれ添加するのが好ましい。
【００１５】また、電圧を印加しない化学エッチングの
場合においては、１段目で電解エッチングを行ってエッ
チングピットを形成した後、２段目以降で上記した可溶
性高分子電解質を添加して化学エッチングを行い、エッ
チングピットを拡大するのが好ましい。
場合においては、１段目で電解エッチングを行ってエッ
チングピットを形成した後、２段目以降で上記した可溶
性高分子電解質を添加して化学エッチングを行い、エッ
チングピットを拡大するのが好ましい。
【００１６】エッチング手段としては、中高圧用の電解
エッチングについては、液温５０〜１１０℃のエッチン
グ液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ2 で
１〜５０分間程度で行われる。低圧用の電解エッチング
については、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電
圧を用いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量
１０００〜７０００クーロン／ｄｍ2 を採用して行うの
が好ましい。
エッチングについては、液温５０〜１１０℃のエッチン
グ液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ2 で
１〜５０分間程度で行われる。低圧用の電解エッチング
については、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電
圧を用いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量
１０００〜７０００クーロン／ｄｍ2 を採用して行うの
が好ましい。
【００１７】また、化学エッチングの場合には、中高圧
用の電解エッチングについては、液温５０〜１１０℃の
エッチング液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／
ｄｍ2 で１〜５０分間程度で行った後に、可溶性高分子
電解質を０．００３ｇ〜１０ｇ／リットル添加したエッ
チング液中で、１０〜１１０℃において、化学的に１〜
１２０分アルミニウム箔をエッチングするのが好まし
い。
用の電解エッチングについては、液温５０〜１１０℃の
エッチング液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／
ｄｍ2 で１〜５０分間程度で行った後に、可溶性高分子
電解質を０．００３ｇ〜１０ｇ／リットル添加したエッ
チング液中で、１０〜１１０℃において、化学的に１〜
１２０分アルミニウム箔をエッチングするのが好まし
い。
【００１８】また、低圧用エッチングについては、液温
５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用いて周波数
５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１０００〜７００
０クーロン／ｄｍ2 通電した後に、上記方法で化学エッ
チングするのが好ましい。
５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用いて周波数
５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１０００〜７００
０クーロン／ｄｍ2 通電した後に、上記方法で化学エッ
チングするのが好ましい。
【００１９】エッチングにおいて、上記液温が前記範囲
を逸脱すると箔に貫通孔が生じやすく、電流密度および
時間、または周波数および単位面積あたり電気量または
化学エッチング時間が前記範囲を逸脱すると箔が著しく
溶けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。な
お、ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正
弦波以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波
等であってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれ
る。
を逸脱すると箔に貫通孔が生じやすく、電流密度および
時間、または周波数および単位面積あたり電気量または
化学エッチング時間が前記範囲を逸脱すると箔が著しく
溶けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。な
お、ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正
弦波以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波
等であってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれ
る。
【００２０】また１段目の電解エッチングに際しては、
エッチングピットを均一に数多く形成するために、アル
ミニウム原箔をフッ酸、塩酸、水酸化ナトリウム水溶液
中で必要に応じて電圧を印加した前処理を行ってもよ
い。
エッチングピットを均一に数多く形成するために、アル
ミニウム原箔をフッ酸、塩酸、水酸化ナトリウム水溶液
中で必要に応じて電圧を印加した前処理を行ってもよ
い。
【００２１】本発明で上記可溶性高分子電解質をエッチ
ング液に添加してアルミニウム箔をエッチングすると、
前記可溶性高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸着し
てアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、また、
前記可溶性高分子電解質の分子量が大きいために、エッ
チング孔に入れないか、またはエッチング孔内への拡散
が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに比べ
て格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制され
ず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、充分に表面積
の増大を得ることができ、コンデンサの陽極用および／
または陰極用箔として使用される。
ング液に添加してアルミニウム箔をエッチングすると、
前記可溶性高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸着し
てアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、また、
前記可溶性高分子電解質の分子量が大きいために、エッ
チング孔に入れないか、またはエッチング孔内への拡散
が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに比べ
て格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制され
ず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、充分に表面積
の増大を得ることができ、コンデンサの陽極用および／
または陰極用箔として使用される。
【００２２】一方、上記によりエッチングされたアルミ
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は好
ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好ましく
は５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５０
Ｖの範囲の所定の電圧になるように通電下に浸漬処理さ
れる。上記ホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤
としてアンモニアなどを添加することができる。
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は好
ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好ましく
は５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５０
Ｖの範囲の所定の電圧になるように通電下に浸漬処理さ
れる。上記ホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤
としてアンモニアなどを添加することができる。
【００２３】かくして、化成処理され、表面に誘電被膜
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
【００２４】
比較例１ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後に水洗し、第１段エッチング液
として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされ
た液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液を用い、電流密度１０Ａ
／ｄｍ2 で直流電流を３８０秒印加して第２段エッチン
グを行った。第１段および第２段のエッチング後、３１
０Ｖの直流電圧をかけて純水１リットル中にホウ酸１０
０ｇと２８重量％アンモニア水４ｃｃを加えた水溶液中
で化成処理した。
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後に水洗し、第１段エッチング液
として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされ
た液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液を用い、電流密度１０Ａ
／ｄｍ2 で直流電流を３８０秒印加して第２段エッチン
グを行った。第１段および第２段のエッチング後、３１
０Ｖの直流電圧をかけて純水１リットル中にホウ酸１０
０ｇと２８重量％アンモニア水４ｃｃを加えた水溶液中
で化成処理した。
【００２５】かくして得られた化成処理箔について、下
記のようにしてテスト用コンデンサを製作し、その静電
容量を測定した。長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記のよう
にして得られたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニ
ウム製陰極箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃ
ｍ）とをセパレータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２
１１５３に記載の方法でコンデンサを試作した。このコ
ンデンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ｋＨ
ｚ、温度２０℃）を用いて測定し、単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ2 であった。
記のようにしてテスト用コンデンサを製作し、その静電
容量を測定した。長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記のよう
にして得られたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニ
ウム製陰極箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃ
ｍ）とをセパレータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２
１１５３に記載の方法でコンデンサを試作した。このコ
ンデンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ｋＨ
ｚ、温度２０℃）を用いて測定し、単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２６】実施例１ 比較例１で用いた第２段エッチング液にポリビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を１．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
２μＦ／ｃｍ2 であった。
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を１．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２７】実施例２ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．５６μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．５６μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２８】実施例３ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリビニルピ
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を３ｇ／リットルの割合で溶解して比較例２
と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測定
したところ１．４０μＦ／ｃｍ2 であった。
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を３ｇ／リットルの割合で溶解して比較例２
と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測定
したところ１．４０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２９】実施例４ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリエチレン
イミン（イオン交換容量２３ミリ当量／ｇ、平均分子量
１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測
定したところ１．４５μＦ／ｃｍ2 であった。
イミン（イオン交換容量２３ミリ当量／ｇ、平均分子量
１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測
定したところ１．４５μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３０】比較例２ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。なお、箔の
前処理を比較例１と同様に行った。 エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ3 ＰＯ4 １重量
％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ3 １重量％を含む
水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ2 。
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。なお、箔の
前処理を比較例１と同様に行った。 エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ3 ＰＯ4 １重量
％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ3 １重量％を含む
水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ2 。
【００３１】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１６．０μＦ／ｃｍ2 であった。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１６．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３２】実施例５ 比較例２で用いた第３段エッチング液に、ポリビニルベ
ンジルメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容量
５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ／
リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチング
および化成処理して静電容量を測定したところ２１．０
μＦ／ｃｍ2 であった。
ンジルメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容量
５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ／
リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチング
および化成処理して静電容量を測定したところ２１．０
μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３３】実施例６ 比較例２で用いた第１段〜第３段のいずれのエッチング
液にもポリビニルアミン（イオン交換容量２３ミリ当量
／ｇ、平均分子量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合
で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化成処理
して静電容量を測定したところ２３．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
液にもポリビニルアミン（イオン交換容量２３ミリ当量
／ｇ、平均分子量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合
で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化成処理
して静電容量を測定したところ２３．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
【００３４】実施例７ 比較例２で用いた第１段〜第３段のいずれのエッチング
液にも、ポリビニルアニリン（イオン交換容量８．４ミ
リ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットル
の割合で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化
成処理して静電容量を測定したところ２４．８μＦ／ｃ
ｍ2 であった。
液にも、ポリビニルアニリン（イオン交換容量８．４ミ
リ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットル
の割合で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化
成処理して静電容量を測定したところ２４．８μＦ／ｃ
ｍ2 であった。
【００３５】比較例３ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後水洗し、第１段エッチング液と
して塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされた
液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2 で
直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液中に前記アルミニウム箔
を１０分間浸漬して、第２段エッチングを行った。第１
段および第２段のエッチング後、比較例１と同様の方法
で化成処理した。
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後水洗し、第１段エッチング液と
して塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされた
液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2 で
直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液中に前記アルミニウム箔
を１０分間浸漬して、第２段エッチングを行った。第１
段および第２段のエッチング後、比較例１と同様の方法
で化成処理した。
【００３６】かくして得られた化成処理箔について、比
較例１と同様にしてテスト用コンデンサを試作し、その
静電容量を測定した。その結果は１．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
較例１と同様にしてテスト用コンデンサを試作し、その
静電容量を測定した。その結果は１．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
【００３７】実施例８ 比較例３で用いた第２段エッチング液にポリビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を２．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例３と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
０μＦ／ｃｍ2 であった。
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を２．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例３と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３８】実施例９ 比較例３で用いた第２段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．４２μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．４２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３９】比較例４ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを第３段目で行った。なお、
箔の前処理を比較例１と同様に行った。 第１段および第２段エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、
Ｈ3 ＰＯ4 １重量％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ
3 １重量％を含む水溶液。 第３段エッチング液：塩酸５重量％を含む水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温８０℃、１０分浸漬（化学エッチング）。
ニウム箔の交流エッチングを第３段目で行った。なお、
箔の前処理を比較例１と同様に行った。 第１段および第２段エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、
Ｈ3 ＰＯ4 １重量％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ
3 １重量％を含む水溶液。 第３段エッチング液：塩酸５重量％を含む水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温８０℃、１０分浸漬（化学エッチング）。
【００４０】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１２．０μＦ／ｃｍ2 であった。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１２．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４１】実施例１０比較例４で用いた第３段エッチ
ング液に、ポリビニルピリジン（イオン交換容 量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ２０．
０μＦ／ｃｍ2 であった。
ング液に、ポリビニルピリジン（イオン交換容 量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ２０．
０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４２】実施例１１ 比較例４で用いた第３段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量約２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解して比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量
を測定したところ１９．５μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量約２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解して比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量
を測定したところ１９．５μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４３】実施例１２ 比較例４で用いた第３段エッチング液に、ポリビニルア
ミン（イオン交換容量２３．０ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２５．０μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量２３．０ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２５．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４４】
【発明の効果】本発明方法を採用すると、エッチング孔
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデ
ンサを得ることができる。
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデ
ンサを得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ用アルミニウム箔は、そ
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電圧を印加する電気化学
的（電解）または化学的エッチング処理が施される。
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電圧を印加する電気化学
的（電解）または化学的エッチング処理が施される。
【０００３】この種のコンデンサには、低、中、高圧用
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のエッチ
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの程度を増やしてもエッチング孔を深くすること
ができず、充分に期待されるような表面積の増大を得る
ことができないという欠点があった。例えば、中高圧コ
ンデンサの場合、静電容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ2
更に上げることは至難とされていた。
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの程度を増やしてもエッチング孔を深くすること
ができず、充分に期待されるような表面積の増大を得る
ことができないという欠点があった。例えば、中高圧コ
ンデンサの場合、静電容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ2
更に上げることは至難とされていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる欠点を解
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供する。本発明は、複数段のエッチング工程
よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法において、いずれか１つ以上の段のエ
ッチング工程では、エッチング液中にアミノ基および第
四アンモニウム基から選ばれるアニオン交換基を有する
可溶性高分子電解質を存在させ、化学的に、または電圧
を印加して電気化学的にアルミニウム箔をエッチングす
ることを特徴とする。
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供する。本発明は、複数段のエッチング工程
よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法において、いずれか１つ以上の段のエ
ッチング工程では、エッチング液中にアミノ基および第
四アンモニウム基から選ばれるアニオン交換基を有する
可溶性高分子電解質を存在させ、化学的に、または電圧
を印加して電気化学的にアルミニウム箔をエッチングす
ることを特徴とする。
【０００６】本発明でアミノ基および第四アンモニウム
基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電
解質とは、−ＮＨ2 、−ＮＨＲ1 または−ＮＲ1 Ｒ2 で
表されるアミノ基または−Ｎ+ Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 で表される
第四アンモニウム基を有する好ましくは架橋構造のない
線状高分子または架橋構造の非常に少ない高分子をい
う。上記の一般式で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、互いに同一
または異なる好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル基
をいう。
基から選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電
解質とは、−ＮＨ2 、−ＮＨＲ1 または−ＮＲ1 Ｒ2 で
表されるアミノ基または−Ｎ+ Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 で表される
第四アンモニウム基を有する好ましくは架橋構造のない
線状高分子または架橋構造の非常に少ない高分子をい
う。上記の一般式で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、互いに同一
または異なる好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル基
をいう。
【０００７】一般に、高分子の重合度が増加するとエッ
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するアニオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大
きい程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するアニオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大
きい程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
【０００８】本発明において、上記アニオン交換基の密
度、即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜
２０ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高
分子電解質である。
度、即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜
２０ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高
分子電解質である。
【０００９】本発明における上記アニオン交換基を有す
る可溶性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でアニオン交換基がほと
んどまたは一部解離して泳動または拡散によりエッチン
グされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の
溶解を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電
解質に特有なものである。
る可溶性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でアニオン交換基がほと
んどまたは一部解離して泳動または拡散によりエッチン
グされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の
溶解を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電
解質に特有なものである。
【００１０】本発明における可溶性高分子電解質として
は、上記アニオン交換基を有する可溶性高分子電解質が
使用されるが、なかでも第四アンモニウム基を有するも
のが好ましい。また、これらは当然のことながらエッチ
ング液中でアニオン交換基に転化するその前駆体基を有
する可溶性高分子電解質も使用される。それらの好まし
い例としては、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミ
ン、ポリビニルピリジン、ポリアリルアミン、ポリビニ
ルアニリン、またはそれらの塩等が挙げられる。
は、上記アニオン交換基を有する可溶性高分子電解質が
使用されるが、なかでも第四アンモニウム基を有するも
のが好ましい。また、これらは当然のことながらエッチ
ング液中でアニオン交換基に転化するその前駆体基を有
する可溶性高分子電解質も使用される。それらの好まし
い例としては、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミ
ン、ポリビニルピリジン、ポリアリルアミン、ポリビニ
ルアニリン、またはそれらの塩等が挙げられる。
【００１１】以上述べた可溶性高分子電解質は、上記し
たもののほかにも上記アニオン交換基を有するモノマー
と、これらの基を有しないモノマーを共重合したもの
や、上記アニオン交換基を有しない高分子化合物に上記
アニオン交換基を導入したものでも充分に目的を達成す
ることができる。
たもののほかにも上記アニオン交換基を有するモノマー
と、これらの基を有しないモノマーを共重合したもの
や、上記アニオン交換基を有しない高分子化合物に上記
アニオン交換基を導入したものでも充分に目的を達成す
ることができる。
【００１２】また、上記アニオン交換基を有する可溶性
高分子電解質のエッチング液中への添加量としては、可
溶性高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３
〜１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リ
ットルが適当である。また、可溶性高分子電解質の分子
量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
高分子電解質のエッチング液中への添加量としては、可
溶性高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３
〜１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リ
ットルが適当である。また、可溶性高分子電解質の分子
量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
【００１３】エッチングに用いられるエッチング液とし
ては、塩酸、硝酸などの種々公知のものが用いられる
が、濃度が好ましくは１〜３０重量％の塩酸水溶液を使
用するのが好ましい。エッチング液の各段は、既知のよ
うに同じエッチング液も使用でき、また異なったエッチ
ング液も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の電
解エッチングの場合、第１段では塩酸水溶液、第２段で
は塩酸または硝酸水溶液が使用される。そして各段のエ
ッチング液には、箔の過度の溶解を防ぐために、酸化ア
ルミニウム皮膜形成性の硫酸、リン酸、シュウ酸等をエ
ッチング液の全量に対し好ましくは０．５〜４０重量％
程度添加したものが好適である。
ては、塩酸、硝酸などの種々公知のものが用いられる
が、濃度が好ましくは１〜３０重量％の塩酸水溶液を使
用するのが好ましい。エッチング液の各段は、既知のよ
うに同じエッチング液も使用でき、また異なったエッチ
ング液も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の電
解エッチングの場合、第１段では塩酸水溶液、第２段で
は塩酸または硝酸水溶液が使用される。そして各段のエ
ッチング液には、箔の過度の溶解を防ぐために、酸化ア
ルミニウム皮膜形成性の硫酸、リン酸、シュウ酸等をエ
ッチング液の全量に対し好ましくは０．５〜４０重量％
程度添加したものが好適である。
【００１４】本発明の場合、エッチング処理は複数段を
採用するのが必要である。そして電解エッチングの場
合、そのいずれか１つまたは２つ以上の段のエッチング
液に可溶性高分子電解質を添加する。中高圧用エッチン
グには２段目に添加するのが好ましく、また低圧用エッ
チングには各段にそれぞれ添加するのが好ましい。
採用するのが必要である。そして電解エッチングの場
合、そのいずれか１つまたは２つ以上の段のエッチング
液に可溶性高分子電解質を添加する。中高圧用エッチン
グには２段目に添加するのが好ましく、また低圧用エッ
チングには各段にそれぞれ添加するのが好ましい。
【００１５】また、電圧を印加しない化学エッチングの
場合においては、１段目で電解エッチングを行ってエッ
チングピットを形成した後、２段目以降で上記した可溶
性高分子電解質を添加して化学エッチングを行い、エッ
チングピットを拡大するのが好ましい。
場合においては、１段目で電解エッチングを行ってエッ
チングピットを形成した後、２段目以降で上記した可溶
性高分子電解質を添加して化学エッチングを行い、エッ
チングピットを拡大するのが好ましい。
【００１６】エッチング手段としては、中高圧用の電解
エッチングについては、液温５０〜１１０℃のエッチン
グ液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ2 で
１〜５０分間程度で行われる。低圧用の電解エッチング
については、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電
圧を用いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量
１０００〜７０００クーロン／ｄｍ2 を採用して行うの
が好ましい。
エッチングについては、液温５０〜１１０℃のエッチン
グ液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ2 で
１〜５０分間程度で行われる。低圧用の電解エッチング
については、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電
圧を用いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量
１０００〜７０００クーロン／ｄｍ2 を採用して行うの
が好ましい。
【００１７】また、化学エッチングの場合には、中高圧
用の電解エッチングについては、液温５０〜１１０℃の
エッチング液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／
ｄｍ2 で１〜５０分間程度で行った後に、可溶性高分子
電解質を０．００３ｇ〜１０ｇ／リットル添加したエッ
チング液中で、１０〜１１０℃において、化学的に１〜
１２０分アルミニウム箔をエッチングするのが好まし
い。
用の電解エッチングについては、液温５０〜１１０℃の
エッチング液に直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／
ｄｍ2 で１〜５０分間程度で行った後に、可溶性高分子
電解質を０．００３ｇ〜１０ｇ／リットル添加したエッ
チング液中で、１０〜１１０℃において、化学的に１〜
１２０分アルミニウム箔をエッチングするのが好まし
い。
【００１８】また、低圧用エッチングについては、液温
５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用いて周波数
５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１０００〜７００
０クーロン／ｄｍ2 通電した後に、上記方法で化学エッ
チングするのが好ましい。
５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用いて周波数
５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１０００〜７００
０クーロン／ｄｍ2 通電した後に、上記方法で化学エッ
チングするのが好ましい。
【００１９】エッチングにおいて、上記液温が前記範囲
を逸脱すると箔に貫通孔が生じやすく、電流密度および
時間、または周波数および単位面積あたり電気量または
化学エッチング時間が前記範囲を逸脱すると箔が著しく
溶けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。な
お、ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正
弦波以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波
等であってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれ
る。
を逸脱すると箔に貫通孔が生じやすく、電流密度および
時間、または周波数および単位面積あたり電気量または
化学エッチング時間が前記範囲を逸脱すると箔が著しく
溶けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。な
お、ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正
弦波以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波
等であってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれ
る。
【００２０】また１段目の電解エッチングに際しては、
エッチングピットを均一に数多く形成するために、アル
ミニウム原箔をフッ酸、塩酸、水酸化ナトリウム水溶液
中で必要に応じて電圧を印加した前処理を行ってもよ
い。
エッチングピットを均一に数多く形成するために、アル
ミニウム原箔をフッ酸、塩酸、水酸化ナトリウム水溶液
中で必要に応じて電圧を印加した前処理を行ってもよ
い。
【００２１】本発明で上記可溶性高分子電解質をエッチ
ング液に添加してアルミニウム箔をエッチングすると、
前記可溶性高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸着し
てアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、また、
前記可溶性高分子電解質の分子量が大きいために、エッ
チング孔に入れないか、またはエッチング孔内への拡散
が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに比べ
て格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制され
ず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、充分に表面積
の増大を得ることができ、コンデンサの陽極用および／
または陰極用箔として使用される。
ング液に添加してアルミニウム箔をエッチングすると、
前記可溶性高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸着し
てアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、また、
前記可溶性高分子電解質の分子量が大きいために、エッ
チング孔に入れないか、またはエッチング孔内への拡散
が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに比べ
て格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制され
ず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、充分に表面積
の増大を得ることができ、コンデンサの陽極用および／
または陰極用箔として使用される。
【００２２】一方、上記によりエッチングされたアルミ
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は好
ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好ましく
は５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５０
Ｖの範囲の所定の電圧になるように通電下に浸漬処理さ
れる。上記ホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤
としてアンモニアなどを添加することができる。
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は好
ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好ましく
は５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５０
Ｖの範囲の所定の電圧になるように通電下に浸漬処理さ
れる。上記ホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤
としてアンモニアなどを添加することができる。
【００２３】かくして、化成処理され、表面に誘電被膜
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
【００２４】
【実施例】 比較例１ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後に水洗し、第１段エッチング液
として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされ
た液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液を用い、電流密度１０Ａ
／ｄｍ2 で直流電流を３８０秒印加して第２段エッチン
グを行った。第１段および第２段のエッチング後、３１
０Ｖの直流電圧をかけて純水１リットル中にホウ酸１０
０ｇと２８重量％アンモニア水４ｃｃを加えた水溶液中
で化成処理した。
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後に水洗し、第１段エッチング液
として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされ
た液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液を用い、電流密度１０Ａ
／ｄｍ2 で直流電流を３８０秒印加して第２段エッチン
グを行った。第１段および第２段のエッチング後、３１
０Ｖの直流電圧をかけて純水１リットル中にホウ酸１０
０ｇと２８重量％アンモニア水４ｃｃを加えた水溶液中
で化成処理した。
【００２５】かくして得られた化成処理箔について、下
記のようにしてテスト用コンデンサを製作し、その静電
容量を測定した。長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記のよう
にして得られたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニ
ウム製陰極箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃ
ｍ）とをセパレータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２
１１５３に記載の方法でコンデンサを試作した。このコ
ンデンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ｋＨ
ｚ、温度２０℃）を用いて測定し、単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ2 であった。
記のようにしてテスト用コンデンサを製作し、その静電
容量を測定した。長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記のよう
にして得られたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニ
ウム製陰極箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃ
ｍ）とをセパレータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２
１１５３に記載の方法でコンデンサを試作した。このコ
ンデンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ｋＨ
ｚ、温度２０℃）を用いて測定し、単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２６】実施例１ 比較例１で用いた第２段エッチング液にポリビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を１．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
２μＦ／ｃｍ2 であった。
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を１．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２７】実施例２ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．５６μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．５６μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２８】実施例３ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリビニルピ
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を３ｇ／リットルの割合で溶解して比較例２
と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測定
したところ１．４０μＦ／ｃｍ2 であった。
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を３ｇ／リットルの割合で溶解して比較例２
と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測定
したところ１．４０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００２９】実施例４ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリエチレン
イミン（イオン交換容量２３ミリ当量／ｇ、平均分子量
１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測
定したところ１．４５μＦ／ｃｍ2 であった。
イミン（イオン交換容量２３ミリ当量／ｇ、平均分子量
１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を測
定したところ１．４５μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３０】比較例２ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。なお、箔の
前処理を比較例１と同様に行った。 エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ3 ＰＯ4 １重量
％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ3 １重量％を含む
水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ2 。
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。なお、箔の
前処理を比較例１と同様に行った。 エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ3 ＰＯ4 １重量
％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ3 １重量％を含む
水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ2 。
【００３１】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１６．０μＦ／ｃｍ2 であった。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１６．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３２】実施例５ 比較例２で用いた第３段エッチング液に、ポリビニルベ
ンジルメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容量
５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ／
リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチング
および化成処理して静電容量を測定したところ２１．０
μＦ／ｃｍ2 であった。
ンジルメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容量
５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．５ｇ／
リットルの割合で溶解して比較例１と同様にエッチング
および化成処理して静電容量を測定したところ２１．０
μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３３】実施例６ 比較例２で用いた第１段〜第３段のいずれのエッチング
液にもポリビニルアミン（イオン交換容量２３ミリ当量
／ｇ、平均分子量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合
で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化成処理
して静電容量を測定したところ２３．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
液にもポリビニルアミン（イオン交換容量２３ミリ当量
／ｇ、平均分子量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合
で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化成処理
して静電容量を測定したところ２３．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
【００３４】実施例７ 比較例２で用いた第１段〜第３段のいずれのエッチング
液にも、ポリビニルアニリン（イオン交換容量８．４ミ
リ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットル
の割合で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化
成処理して静電容量を測定したところ２４．８μＦ／ｃ
ｍ2 であった。
液にも、ポリビニルアニリン（イオン交換容量８．４ミ
リ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットル
の割合で溶解して比較例１と同様にエッチングおよび化
成処理して静電容量を測定したところ２４．８μＦ／ｃ
ｍ2 であった。
【００３５】比較例３ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後水洗し、第１段エッチング液と
して塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされた
液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2 で
直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液中に前記アルミニウム箔
を１０分間浸漬して、第２段エッチングを行った。第１
段および第２段のエッチング後、比較例１と同様の方法
で化成処理した。
４０℃に保った０．２規定のＮａＯＨ溶液中に３０秒浸
漬して前処理を行った後水洗し、第１段エッチング液と
して塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃度２５重量％とされた
液温８０℃の水溶液を用い、電流密度３０Ａ／ｄｍ2 で
直流電流を１２０秒印加して第１段エッチングを行っ
た。ついで、第２段エッチング液として塩酸濃度７重量
％とされた液温９０℃の水溶液中に前記アルミニウム箔
を１０分間浸漬して、第２段エッチングを行った。第１
段および第２段のエッチング後、比較例１と同様の方法
で化成処理した。
【００３６】かくして得られた化成処理箔について、比
較例１と同様にしてテスト用コンデンサを試作し、その
静電容量を測定した。その結果は１．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
較例１と同様にしてテスト用コンデンサを試作し、その
静電容量を測定した。その結果は１．０μＦ／ｃｍ2 で
あった。
【００３７】実施例８ 比較例３で用いた第２段エッチング液にポリビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を２．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例３と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
０μＦ／ｃｍ2 であった。
ジルトリメチルアンモニウムクロライド（イオン交換容
量５．６ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を２．０ｇ
／リットルの割合で溶解して比較例３と同様にエッチン
グおよび化成処理して静電容量を測定したところ１．５
０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３８】実施例９ 比較例３で用いた第２段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．４２μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ１．４２μＦ／ｃｍ2 であった。
【００３９】比較例４ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを第３段目で行った。なお、
箔の前処理を比較例１と同様に行った。 第１段および第２段エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、
Ｈ3 ＰＯ4 １重量％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ
3 １重量％を含む水溶液。 第３段エッチング液：塩酸５重量％を含む水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温８０℃、１０分浸漬（化学エッチング）。
ニウム箔の交流エッチングを第３段目で行った。なお、
箔の前処理を比較例１と同様に行った。 第１段および第２段エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、
Ｈ3 ＰＯ4 １重量％、ＡｌＣｌ3 １重量％、ＨＮＯ
3 １重量％を含む水溶液。 第３段エッチング液：塩酸５重量％を含む水溶液。 第１段：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ2 。 第２段：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ2 。 第３段：液温８０℃、１０分浸漬（化学エッチング）。
【００４０】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１２．０μＦ／ｃｍ2 であった。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。かくして得られた
化成処理箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コン
デンサを試作し、その静電容量を測定した。その結果は
１２．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４１】実施例１０ 比較例４で用いた第３段エッチング液に、ポリビニルピ
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２０．０μＦ／ｃｍ2 であった。
リジン（イオン交換容量９．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２０．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４２】実施例１１ 比較例４で用いた第３段エッチング液に、ポリアリルア
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量約２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解して比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量
を測定したところ１９．５μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量１７．５ミリ当量／ｇ、平均分子
量約２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解して比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量
を測定したところ１９．５μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４３】実施例１２ 比較例４で用いた第３段エッチング液に、ポリビニルア
ミン（イオン交換容量２３．０ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２５．０μＦ／ｃｍ2 であった。
ミン（イオン交換容量２３．０ミリ当量／ｇ、平均分子
量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解して比較
例１と同様にエッチングおよび化成処理して静電容量を
測定したところ２５．０μＦ／ｃｍ2 であった。
【００４４】
【発明の効果】本発明方法を採用すると、エッチング孔
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデ
ンサを得ることができる。
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデ
ンサを得ることができる。
Claims (6)
- 【請求項１】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で、
エッチング液中にアミノ基および第四アンモニウム基か
ら選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電解質
を存在させてアルミニウム箔をエッチングすることを特
徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング
方法。 - 【請求項２】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で、
エッチング液中にアミノ基および第四アンモニウム基か
ら選ばれるアニオン交換基を有する可溶性高分子電解質
を存在させ、かつ電圧を印加してアルミニウム箔をエッ
チングすることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔のエッチング方法。 - 【請求項３】可溶性高分子電解質が、エッチング液中に
０．００３〜１０ｇ／リットル存在する請求項１または
２の電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方
法。 - 【請求項４】可溶性高分子電解質が、ポリビニルベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ポリエチレンイ
ミン、ポリビニルアミン、ポリビニルピリジン、ポリア
リルアミン、ポリビニルアニリン、またはこれらの塩で
ある請求項１〜３のいずれか１の電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項５】エッチング液は、濃度が１〜３０重量％の
塩酸水溶液である請求項１〜４のいずれか１の電解コン
デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項６】塩酸水溶液が硫酸、リン酸、硝酸またはシ
ュウ酸を含有する請求項１〜５のいずれか１の電解コン
デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152635A JPH0677095A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152635A JPH0677095A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677095A true JPH0677095A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=15544709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152635A Withdrawn JPH0677095A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677095A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855454A1 (en) * | 1995-08-01 | 1998-07-29 | MEC CO., Ltd. | Microetching composition for copper or copper alloy |
| JPH11283881A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Nichicon Corp | 電解コンデンサの駆動用電解液 |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP4152635A patent/JPH0677095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855454A1 (en) * | 1995-08-01 | 1998-07-29 | MEC CO., Ltd. | Microetching composition for copper or copper alloy |
| US5965036A (en) * | 1995-08-01 | 1999-10-12 | Mec Co., Ltd. | Microetching composition for copper or copper alloy |
| JPH11283881A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Nichicon Corp | 電解コンデンサの駆動用電解液 |
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