JPH07123099B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07123099B2 JPH07123099B2 JP3233860A JP23386091A JPH07123099B2 JP H07123099 B2 JPH07123099 B2 JP H07123099B2 JP 3233860 A JP3233860 A JP 3233860A JP 23386091 A JP23386091 A JP 23386091A JP H07123099 B2 JPH07123099 B2 JP H07123099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum foil
- sulfonic acid
- electrolytic capacitor
- steps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ用アルミニウム箔は、そ
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大させるため、電気化学的または化学
的エッチング処理が施される。
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大させるため、電気化学的または化学
的エッチング処理が施される。
【０００３】この種のコンデンサには、低、中、高圧用
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のエッチ
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの電気量を増やしてもエッチング孔を深くするこ
とができず、十分に期待されるような表面積の増大を得
ることができないという欠点があった。
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの電気量を増やしてもエッチング孔を深くするこ
とができず、十分に期待されるような表面積の増大を得
ることができないという欠点があった。
【０００５】例えば、中高圧用コンデンサの場合、静電
容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ 2 更に上げることは至難
とされている。
容量をわずか０．１μＦ／ｃｍ 2 更に上げることは至難
とされている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる欠点を解
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供するものである。本発明では、複数段のエ
ッチング工程よりなるアルミニウム電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法において、いずれか１つ
以上の段のエッチング工程では、エッチング液中にスル
ホン酸基を有する可溶性高分子電解質を存在させかつ直
流電圧または交流電圧を印加してアルミニウム箔をエッ
チングする、ことを特徴とする。
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供するものである。本発明では、複数段のエ
ッチング工程よりなるアルミニウム電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法において、いずれか１つ
以上の段のエッチング工程では、エッチング液中にスル
ホン酸基を有する可溶性高分子電解質を存在させかつ直
流電圧または交流電圧を印加してアルミニウム箔をエッ
チングする、ことを特徴とする。
【０００７】本発明において、スルホン酸基を有する可
溶性高分子電解質は、スルホン酸基を有することが必要
であり、架橋構造のない線状高分子または架橋構造の非
常に少ない高分子が好ましい。
溶性高分子電解質は、スルホン酸基を有することが必要
であり、架橋構造のない線状高分子または架橋構造の非
常に少ない高分子が好ましい。
【０００８】一般に、高分子の重合度が増加するとエッ
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するスルホン酸基の密度、即ちイオン交換容量が大き
い程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
チング液に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の
有するスルホン酸基の密度、即ちイオン交換容量が大き
い程、分子量が大きくなっても溶解しやすくなる。
【０００９】本発明において、スルホン酸基の密度、即
ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜２０ミ
リ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に好まし
い範囲は、０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子
電解質である。
ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜２０ミ
リ当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質であり、更に好まし
い範囲は、０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性高分子
電解質である。
【００１０】本発明におけるスルホン酸基を有する可溶
性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではないが、該電
解質はエッチング液中でカチオン交換基がほとんどまた
は一部解離して電気泳動または拡散によりエッチングさ
れるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の溶解
を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電解質
に特有なものである。
性高分子電解質の作用は必ずしも明確ではないが、該電
解質はエッチング液中でカチオン交換基がほとんどまた
は一部解離して電気泳動または拡散によりエッチングさ
れるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表面の溶解
を抑制するものと思われる。これはかかる高分子電解質
に特有なものである。
【００１１】本発明では、スルホン酸基を有する可溶性
高分子電解質が使用されるが、当然のことながらエッチ
ング液中でスルホン酸基に転化するその前駆体基を有す
る可溶性高分子電解質も使用される。それらの好ましい
例としては、ポリスチレンスルホン酸、フェノールスル
ホン酸ホルムアルデヒド縮合体、ポリエチレンスルホン
酸、またはそれらの塩などが挙げられる。
高分子電解質が使用されるが、当然のことながらエッチ
ング液中でスルホン酸基に転化するその前駆体基を有す
る可溶性高分子電解質も使用される。それらの好ましい
例としては、ポリスチレンスルホン酸、フェノールスル
ホン酸ホルムアルデヒド縮合体、ポリエチレンスルホン
酸、またはそれらの塩などが挙げられる。
【００１２】以上述べたスルホン酸基を有する可溶性高
分子電解質以外にも、化１に示すパーフルオロスルホン
酸ポリマーのようにスルホン酸基を有するモノマーとス
ルホン酸基を有しないモノマーを共重合したものや、ス
ルホン酸基を有しない高分子化合物にスルホン化等によ
りスルホン酸基を導入したものでも十分に目的を達成す
ることができる。なお、化１において、ｘ、ｙ、ｎはい
ずれも前述したイオン交換容量および分子量を満足する
ように選ばれる。
分子電解質以外にも、化１に示すパーフルオロスルホン
酸ポリマーのようにスルホン酸基を有するモノマーとス
ルホン酸基を有しないモノマーを共重合したものや、ス
ルホン酸基を有しない高分子化合物にスルホン化等によ
りスルホン酸基を導入したものでも十分に目的を達成す
ることができる。なお、化１において、ｘ、ｙ、ｎはい
ずれも前述したイオン交換容量および分子量を満足する
ように選ばれる。
【００１３】
【化１】
【００１４】また、スルホン酸基を有する可溶性高分子
電解質のエッチング液中への添加量は、可溶性高分子電
解質にもよるが、好ましくは、０．００３〜１０ｇ／リ
ットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リットルが適当
である。また、可溶性高分子電解質の分子量が大きいほ
ど、物質移動速度が遅くなるため好ましく、分子量とし
ては５００以上、特に５０００以上、更には１００００
以上が好ましい。
電解質のエッチング液中への添加量は、可溶性高分子電
解質にもよるが、好ましくは、０．００３〜１０ｇ／リ
ットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リットルが適当
である。また、可溶性高分子電解質の分子量が大きいほ
ど、物質移動速度が遅くなるため好ましく、分子量とし
ては５００以上、特に５０００以上、更には１００００
以上が好ましい。
【００１５】エッチングに用いられるエッチング液に
は、塩酸水溶液、硝酸水溶液などの種々公知のものが用
いられる。好ましくは、濃度１〜３０重量％の塩酸水溶
液を使用する。エッチングの各段は、既知のように同じ
エッチング液も使用でき、また異なるエッチング液も使
用できる。例えば、中高圧コンデンサ用箔の場合、第１
段では塩酸水溶液、第２段では塩酸または硝酸水溶液が
使用される。各段のエッチング液には、箔の過度の溶解
を防ぐために、酸化アルミニウム皮膜形成性の硫酸、リ
ン酸、シュウ酸等をエッチング液の全量に対し０．５〜
４０重量％、特には０．５〜２重量％程度添加するのが
好ましい。
は、塩酸水溶液、硝酸水溶液などの種々公知のものが用
いられる。好ましくは、濃度１〜３０重量％の塩酸水溶
液を使用する。エッチングの各段は、既知のように同じ
エッチング液も使用でき、また異なるエッチング液も使
用できる。例えば、中高圧コンデンサ用箔の場合、第１
段では塩酸水溶液、第２段では塩酸または硝酸水溶液が
使用される。各段のエッチング液には、箔の過度の溶解
を防ぐために、酸化アルミニウム皮膜形成性の硫酸、リ
ン酸、シュウ酸等をエッチング液の全量に対し０．５〜
４０重量％、特には０．５〜２重量％程度添加するのが
好ましい。
【００１６】本発明では、エッチング処理は複数段を採
用するのが必要である。そしてそのいずれか１つまたは
２つ以上の段のエッチング液に可溶性高分子電解質を添
加する。中高圧用エッチングには２段目に添加するのが
好ましく、また低圧用エッチングには各段にそれぞれ添
加するのが好ましい。
用するのが必要である。そしてそのいずれか１つまたは
２つ以上の段のエッチング液に可溶性高分子電解質を添
加する。中高圧用エッチングには２段目に添加するのが
好ましく、また低圧用エッチングには各段にそれぞれ添
加するのが好ましい。
【００１７】エッチング手段としては、中高圧用エッチ
ングについては、液温５０〜１１０℃のエッチング液に
直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５
０分間程度で行われる。また、低圧用エッチングについ
ては、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用
いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１００
０〜７０００クーロン／ｄｍ 2 を採用して行うことが好
ましい。液温が前記範囲を逸脱すると箔に貫通孔が生じ
やすく、電流密度および時間、または周波数および単位
面積あたり電気量が前記範囲を逸脱すると箔が著しく溶
けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。なお、
ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正弦波
以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波等で
あってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれる。
ングについては、液温５０〜１１０℃のエッチング液に
直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５
０分間程度で行われる。また、低圧用エッチングについ
ては、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用
いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１００
０〜７０００クーロン／ｄｍ 2 を採用して行うことが好
ましい。液温が前記範囲を逸脱すると箔に貫通孔が生じ
やすく、電流密度および時間、または周波数および単位
面積あたり電気量が前記範囲を逸脱すると箔が著しく溶
けたり、貫通孔が生じやすいので不適当である。なお、
ここでいう交流とは、電圧波形または電流波形が正弦波
以外にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波等で
あってもよく、またはこれらの組み合わせも含まれる。
【００１８】本発明のスルホン酸基を有する可溶性高分
子電解質をエッチング液に添加してアルミニウム箔をエ
ッチングすると、前記可溶性高分子電解質がアルミニウ
ム箔表面に吸着してアルミニウム箔表面の溶解を効果的
に抑制し、また、前記可溶性高分子電解質の分子量が大
きいために、エッチング孔に入れないか、またはエッチ
ング孔内への拡散が塩素イオン等のアルミニウムを溶解
するイオンに比べて格段に遅いため、エッチング孔内の
溶解は抑制されず、その結果エッチング孔内が選択的に
エッチングされ、エッチング孔を深くまた大きくでき、
アルミニウム箔の有する機械的強度を損なわず充分に表
面積の増大を得ることができる。
子電解質をエッチング液に添加してアルミニウム箔をエ
ッチングすると、前記可溶性高分子電解質がアルミニウ
ム箔表面に吸着してアルミニウム箔表面の溶解を効果的
に抑制し、また、前記可溶性高分子電解質の分子量が大
きいために、エッチング孔に入れないか、またはエッチ
ング孔内への拡散が塩素イオン等のアルミニウムを溶解
するイオンに比べて格段に遅いため、エッチング孔内の
溶解は抑制されず、その結果エッチング孔内が選択的に
エッチングされ、エッチング孔を深くまた大きくでき、
アルミニウム箔の有する機械的強度を損なわず充分に表
面積の増大を得ることができる。
【００１９】上記のようにしてエッチングされたアルミ
ニウム箔は、ついで、常法に従って化成処理が施され
る。化成処理は、好ましくは５〜２０重量％のホウ酸水
溶液にて、好ましくは５０〜１００℃にて、１０分〜２
０時間、１〜６５０Ｖの範囲の所定電圧での通電下に浸
漬処理される。このホウ酸水溶液には、既知のように必
要により導電性増加剤としてアンモニアなどを添加する
ことができる。
ニウム箔は、ついで、常法に従って化成処理が施され
る。化成処理は、好ましくは５〜２０重量％のホウ酸水
溶液にて、好ましくは５０〜１００℃にて、１０分〜２
０時間、１〜６５０Ｖの範囲の所定電圧での通電下に浸
漬処理される。このホウ酸水溶液には、既知のように必
要により導電性増加剤としてアンモニアなどを添加する
ことができる。
【００２０】かくして、化成処理され、表面に誘電被膜
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
【００２１】
【実施例】［中高圧用エッチング］ 比較例１ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
第１段エッチング液として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃
度２５重量％とされた液温８０℃の水溶液を用い、電流
密度３０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を１２０秒印加して第１
段エッチングを行った。ついで、第２段エッチング液と
して塩酸濃度７重量％とされた液温９０℃の水溶液を用
い、電流密度１０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を３８０秒印加
して第２段エッチングを行った。第１段および第２段の
エッチング後、３１０Ｖの直流電圧をかけて純水１リッ
トル中にホウ酸１００ｇと２８重量％アンモニア水４ｃ
ｃを加えた水溶液中で化成処理した。
第１段エッチング液として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃
度２５重量％とされた液温８０℃の水溶液を用い、電流
密度３０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を１２０秒印加して第１
段エッチングを行った。ついで、第２段エッチング液と
して塩酸濃度７重量％とされた液温９０℃の水溶液を用
い、電流密度１０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を３８０秒印加
して第２段エッチングを行った。第１段および第２段の
エッチング後、３１０Ｖの直流電圧をかけて純水１リッ
トル中にホウ酸１００ｇと２８重量％アンモニア水４ｃ
ｃを加えた水溶液中で化成処理した。
【００２２】長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記化成処理さ
れたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニウム製陰極
箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃｍ）とをセパ
レータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２１１５３に記
載の方法でテスト用コンデンサを試作した。このコンデ
ンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ＫＨｚ、
温度２０℃）にて測定し、陽極箔の単位面積あたりの静
電容量を算出したところ、１．２μＦ／ｃｍ 2 であっ
た。
れたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニウム製陰極
箔（厚さ２０μｍ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃｍ）とをセパ
レータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２１１５３に記
載の方法でテスト用コンデンサを試作した。このコンデ
ンサの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ＫＨｚ、
温度２０℃）にて測定し、陽極箔の単位面積あたりの静
電容量を算出したところ、１．２μＦ／ｃｍ 2 であっ
た。
【００２３】実施例１ 第２段エッチング液に、化１に示すパーフルオロスルホ
ン酸ポリマー（イオン交換容量２．０ミリ当量／ｇ、平
均分子量１０万）を１．０ｇ／リットルの割合で溶解し
た他は比較例１と同様にした。単位面積あたりの静電容
量は１．３５μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
ン酸ポリマー（イオン交換容量２．０ミリ当量／ｇ、平
均分子量１０万）を１．０ｇ／リットルの割合で溶解し
た他は比較例１と同様にした。単位面積あたりの静電容
量は１．３５μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００２４】実施例２ 第２段エッチング液に、フェノールスルホン酸ホルムア
ルデヒド縮合体（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、
平均分子量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解
した他は比較例１と同様にした。単位面積あたりの静電
容量は１．３８μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
ルデヒド縮合体（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、
平均分子量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解
した他は比較例１と同様にした。単位面積あたりの静電
容量は１．３８μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００２５】実施例３ 第２段エッチング液に、ポリエチレンスルホン酸（イオ
ン交換容量６．５ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を
３ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例１と同様に
した。単位面積あたりの静電容量は１．４０μＦ／ｃｍ
2 と算出された。
ン交換容量６．５ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を
３ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例１と同様に
した。単位面積あたりの静電容量は１．４０μＦ／ｃｍ
2 と算出された。
【００２６】実施例４ 第２段エッチング液に、ポリスチレンをスルホン化して
得られたポリスチレンスルホン酸（イオン交換容量２．
３ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リッ
トルの割合で溶解した他は比較例１と同様にした。単位
面積あたりの静電容量は１．３８μＦ／ｃｍ 2 と算出さ
れた。
得られたポリスチレンスルホン酸（イオン交換容量２．
３ミリ当量／ｇ、平均分子量１０万）を０．５ｇ／リッ
トルの割合で溶解した他は比較例１と同様にした。単位
面積あたりの静電容量は１．３８μＦ／ｃｍ 2 と算出さ
れた。
【００２７】実施例５ 第２段エッチング液に、化２に示すポリスチレンスルホ
ン酸（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
３０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比
較例１と同様にした。単位面積あたりの静電容量は１．
４１μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
ン酸（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
３０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比
較例１と同様にした。単位面積あたりの静電容量は１．
４１μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００２８】
【化２】
【００２９】［低圧用エッチング］ 比較例２ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。
【００３０】エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ 3 Ｐ
Ｏ 4 １重量％、ＡｌＣｌ 3 １重量％、ＨＮＯ 3 １重量％
を含む水溶液。 １段目：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００クーロン／ｄｍ 2 。 ２段目：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００クーロン／ｄｍ 2 。 ３段目：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００クーロン／ｄｍ 2 。
Ｏ 4 １重量％、ＡｌＣｌ 3 １重量％、ＨＮＯ 3 １重量％
を含む水溶液。 １段目：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００クーロン／ｄｍ 2 。 ２段目：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００クーロン／ｄｍ 2 。 ３段目：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００クーロン／ｄｍ 2 。
【００３１】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。得られた化成処理
箔を用いて比較例１と同様にテスト用コンデンサの試作
とその静電容量の測定をした。単位面積あたりの静電容
量は１６．０μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。得られた化成処理
箔を用いて比較例１と同様にテスト用コンデンサの試作
とその静電容量の測定をした。単位面積あたりの静電容
量は１６．０μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００３２】実施例６ ３段のいずれのエッチング液にも、ポリエチレンスルホ
ン酸（イオン交換容量９．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
約２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例２と同様にした。単位面積あたりの静電容量は２
１．０μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
ン酸（イオン交換容量９．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
約２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例２と同様にした。単位面積あたりの静電容量は２
１．０μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００３３】実施例７ ３段のいずれのエッチング液にも、ポリスチレンにスル
ホン酸基を導入して製造した高分子電解質（イオン交換
容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．２
ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例２と同様にし
た。単位面積あたりの静電容量は２２．６μＦ／ｃｍ 2
と算出された。
ホン酸基を導入して製造した高分子電解質（イオン交換
容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子量２０万）を０．２
ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例２と同様にし
た。単位面積あたりの静電容量は２２．６μＦ／ｃｍ 2
と算出された。
【００３４】実施例８ ３段のいずれのエッチング液にも、化２に示すポリスチ
レンスルホン酸（イオン交換容量５．４ミリ当量／ｇ、
平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解
した他は比較例２と同様にした。単位面積あたりの静電
容量は２４．８μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
レンスルホン酸（イオン交換容量５．４ミリ当量／ｇ、
平均分子量１０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解
した他は比較例２と同様にした。単位面積あたりの静電
容量は２４．８μＦ／ｃｍ 2 と算出された。
【００３５】
【発明の効果】本発明方法を採用すると、エッチング孔
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ静電容量の高いコンデン
サを得ることができる。
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。したがって、これを用いること
により、箔の強度を維持しつつ静電容量の高いコンデン
サを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−4890（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で
は、エッチング液中にスルホン酸基を有する可溶性高分
子電解質を存在させかつ電圧を印加してアルミニウム箔
をエッチングする、ことを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項２】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で
は、液温５０〜１１０℃のエッチング液中にスルホン酸
基を有する可溶性高分子電解質を存在させかつ直流電圧
を印加し、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５０分間
アルミニウム箔をエッチングする、ことを特徴とする電
解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項３】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で
は、液温５〜５０℃のエッチング液中にスルホン酸基を
有する可溶性高分子電解質を存在させかつ周波数５〜５
０Ｈｚの交流電圧を印加し、単位面積あたり電気量１０
００〜７０００クーロン／ｄｍ 2 にてアルミニウム箔を
エッチングする、ことを特徴とする電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項４】スルホン酸基を有する可溶性高分子電解質
が、エッチング液中に０．００３〜１０ｇ／リットル存
在する、請求項１〜３のいずれか一の電解コンデンサ用
アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項５】スルホン酸基を有する可溶性高分子電解質
が、ポリスチレンスルホン酸、フェノールスルホン酸ホ
ルムアルデヒド縮合体またはポリエチレンスルホン酸で
ある、請求項１〜３のいずれか一の電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項６】エッチング液が、塩酸水溶液に硫酸、リン
酸、硝酸またはシュウ酸を添加したものである、請求項
１〜５のいずれか一の電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233860A JPH07123099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1991-08-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
| TW81100425A TW198072B (ja) | 1991-08-21 | 1992-01-21 | |
| EP19920101100 EP0534044B1 (en) | 1991-08-21 | 1992-01-23 | Method for etching an aluminum foil for an electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21817090 | 1990-08-21 | ||
| JP2-218170 | 1990-08-21 | ||
| JP3233860A JPH07123099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1991-08-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04092124A Division JP3095518B2 (ja) | 1990-08-21 | 1992-03-18 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521285A JPH0521285A (ja) | 1993-01-29 |
| JPH07123099B2 true JPH07123099B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=26522433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233860A Expired - Fee Related JPH07123099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1991-08-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123099B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624890A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ用電極の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP3233860A patent/JPH07123099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521285A (ja) | 1993-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100532686B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서용 전극박, 그 제조방법 및 고체 전해콘덴서 | |
| JPH0235443B2 (ja) | ||
| JP3289734B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| US5194127A (en) | Method for etching an aluminum foil for an electrolytic capacitor | |
| US6562652B2 (en) | Edge formation process with anodizing for aluminum solid electrolytic capacitor | |
| JPH0797543B2 (ja) | アルミニウム箔からなるコンデンサ電極の製法 | |
| JPH03201522A (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法 | |
| US5143587A (en) | Method for etching an aluminum foil for an electrolytic capacitor | |
| US20100297340A1 (en) | Method for producing solid electrolytic capacitor | |
| JP3252313B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP3411237B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ | |
| EP0534044B1 (en) | Method for etching an aluminum foil for an electrolytic capacitor | |
| JPH07123099B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP3582451B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 | |
| JP3095518B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JPH0677095A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP2758040B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極のエッチング方法 | |
| JP3498349B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3248251B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP2638038B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH0513279A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP4660884B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH01212427A (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP2002246274A (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 | |
| JPH11354387A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960806 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |