JPH01212427A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術
アルミ電解コンデンサ用電極箔は、アルミ電解コンデン
サの小形化、低価格化のためにアルミニウム箔を電気的
あるいは化学的にエツチング処理してその実効表面積を
拡大したものが使用されており、この実効表面積を拡大
する研究が種々なされてきた。
サの小形化、低価格化のためにアルミニウム箔を電気的
あるいは化学的にエツチング処理してその実効表面積を
拡大したものが使用されており、この実効表面積を拡大
する研究が種々なされてきた。
発明が解決しようとする課題
従来の技術ではアルミニウム箔の表面積を拡大するため
にエツチング孔の数を増大させると、同時にアルミニウ
ム箔の表面溶解も進行して期待する和衷面積が拡大しな
いばかりか、アルミニウム箔の機械的強度も損われると
いう課題があった。
にエツチング孔の数を増大させると、同時にアルミニウ
ム箔の表面溶解も進行して期待する和衷面積が拡大しな
いばかりか、アルミニウム箔の機械的強度も損われると
いう課題があった。
また、特開昭５０−６３９１５号公報にアルミニウム電
極箔の電解エツチング方法が記載されているが１表面積
の拡大においては限度があり、更に拡大するためには新
たな改善が必要とされる。
極箔の電解エツチング方法が記載されているが１表面積
の拡大においては限度があり、更に拡大するためには新
たな改善が必要とされる。
本発明は上記の課題を解決するもので１機械的強度を保
持しながら表面積の拡大に非常に優れたアルミ電解コン
デンサ用電極箔を得ることを目的とする。
持しながら表面積の拡大に非常に優れたアルミ電解コン
デンサ用電極箔を得ることを目的とする。
課題を解決するための手段
そこで本発明は、塩酸２〜１５％、硫酸５〜３５％，ア
ルミニウムイオン０．６〜８％を含む液温５０〜１００
’Ｃの水溶液中で電流密度３〜７０ム／ｄｄの直流エツ
チングを行う第１段エツチングを有し、少なくとも２段
階に分けて行う多段階エツチングによりエツチング処理
を行うものである。
ルミニウムイオン０．６〜８％を含む液温５０〜１００
’Ｃの水溶液中で電流密度３〜７０ム／ｄｄの直流エツ
チングを行う第１段エツチングを有し、少なくとも２段
階に分けて行う多段階エツチングによりエツチング処理
を行うものである。
作用
機械的強度を保持しながら更に表面積を拡大させるには
、出来るだけ均一な分布で、出来るだけ多く、また以下
に記す範囲内で出来るだけ深く、かつ太くエツチング孔
を生成すれば良い。そのために本発明では、第１段エツ
チングにおいてエツチング孔を発生させ、第２段エツチ
ング以降においてその発生したエツチング孔を更に深く
、太く成長させている。故に、第２段エツチング以降に
おけるエツチング孔の成長過程でエツチング孔どうしが
結合して表面積拡大及び機械的強度の双方に悪影響を及
ぼさないよう、第１段エツチングでは出来るだけ均一な
分布で出来るだけ多くのエツチング孔が発生するように
、また第２段エツチング以降ではエツチング孔が結合し
ない範囲内で出来るだけ太くする必要がある。深さにつ
いては。
、出来るだけ均一な分布で、出来るだけ多く、また以下
に記す範囲内で出来るだけ深く、かつ太くエツチング孔
を生成すれば良い。そのために本発明では、第１段エツ
チングにおいてエツチング孔を発生させ、第２段エツチ
ング以降においてその発生したエツチング孔を更に深く
、太く成長させている。故に、第２段エツチング以降に
おけるエツチング孔の成長過程でエツチング孔どうしが
結合して表面積拡大及び機械的強度の双方に悪影響を及
ぼさないよう、第１段エツチングでは出来るだけ均一な
分布で出来るだけ多くのエツチング孔が発生するように
、また第２段エツチング以降ではエツチング孔が結合し
ない範囲内で出来るだけ太くする必要がある。深さにつ
いては。
機械的強度が劣らないようにエツチング孔がアルミニウ
ム箔を貫通しない範囲内で出来るだけ深くする必要があ
る。
ム箔を貫通しない範囲内で出来るだけ深くする必要があ
る。
そこで、第１段エツチングでは、出来るだけ多くかつ出
来るだけ均一な分布でエツチング孔を発生させるために
、前述の条件でエツチングを行う。
来るだけ均一な分布でエツチング孔を発生させるために
、前述の条件でエツチングを行う。
前述の条件が好適なのは適当な濃度の硫酸を含む液中で
アルミニウム箔をアノード分極させて箔表面に多孔質酸
化膜を生成し、その酸化膜表面の非常に多数の孔を塩素
イオンが侵食するので非常に多数のエツチング孔が箔表
面に発生するからである。しかし、出来るだけ均一な分
布でエツチング孔を発生させるには塩酸と硫酸以外に適
当な濃度のアルミニウムイオンの存在が必要である。そ
の存在によシ、塩素イオンが選択的にアルミニウム箔表
面を浸食することが出来るので、適当な濃度のアルミニ
ウムイオンの存在はアルミニウム箔表面の全面溶解を防
ぎながら均一な分布で非常に多数のエツチング孔の発生
を可能にする。以上の理由から前述の条件が好適となる
が、以下に詳しく説明する。
アルミニウム箔をアノード分極させて箔表面に多孔質酸
化膜を生成し、その酸化膜表面の非常に多数の孔を塩素
イオンが侵食するので非常に多数のエツチング孔が箔表
面に発生するからである。しかし、出来るだけ均一な分
布でエツチング孔を発生させるには塩酸と硫酸以外に適
当な濃度のアルミニウムイオンの存在が必要である。そ
の存在によシ、塩素イオンが選択的にアルミニウム箔表
面を浸食することが出来るので、適当な濃度のアルミニ
ウムイオンの存在はアルミニウム箔表面の全面溶解を防
ぎながら均一な分布で非常に多数のエツチング孔の発生
を可能にする。以上の理由から前述の条件が好適となる
が、以下に詳しく説明する。
塩酸濃度は、２％未満では塩素イオンの侵食能力が弱い
のでエツチング孔の数が少なく、１５％を超えると塩素
イオンの侵食効果が強いのでアルミニウム箔表面の全面
溶解が起こる。よって、２〜１５％の範囲が好適で特ｆ
ｔｃｔｓ〜８％の範囲が最適である。硫酸濃度は、６％
未満では多孔質酸化膜の生成が不十分のため、エツチン
グ孔の数が少なく、３６％を超えると多孔質酸化膜の生
成よりもアルミニウム箔表面の全面溶解を促進してしま
うため、６〜３６％の範囲が好適で特に１５〜２６％が
最適である。アルミニウムイオン濃度は、Ｑ、５％未満
では塩素イオンが選択的にアルミニウム箔を侵食する効
果に乏しいのでエツチング孔の分布が不均一になり、８
％を超えると塩素イオンの侵食能力が弱いのでエツチン
グ孔の数が少ない。
のでエツチング孔の数が少なく、１５％を超えると塩素
イオンの侵食効果が強いのでアルミニウム箔表面の全面
溶解が起こる。よって、２〜１５％の範囲が好適で特ｆ
ｔｃｔｓ〜８％の範囲が最適である。硫酸濃度は、６％
未満では多孔質酸化膜の生成が不十分のため、エツチン
グ孔の数が少なく、３６％を超えると多孔質酸化膜の生
成よりもアルミニウム箔表面の全面溶解を促進してしま
うため、６〜３６％の範囲が好適で特に１５〜２６％が
最適である。アルミニウムイオン濃度は、Ｑ、５％未満
では塩素イオンが選択的にアルミニウム箔を侵食する効
果に乏しいのでエツチング孔の分布が不均一になり、８
％を超えると塩素イオンの侵食能力が弱いのでエツチン
グ孔の数が少ない。
故に、０．６〜８％の範囲が好適で、特に２〜４％が適
している。温度及び電流密度の影響も大きい。
している。温度及び電流密度の影響も大きい。
温度は、５０℃未溝ではエツチング孔の数が少な（，１
００’Ｃを超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解が起
こるので５０〜１００℃の範囲内で。
００’Ｃを超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解が起
こるので５０〜１００℃の範囲内で。
特に７０〜９０’Ｃが適している。電流密度は。
３ム／Ｉｄ未満ではエツチング孔の数が少なく。
７０ム／ｄ−を超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解
が起こるので３〜７０ム／ｌｌｔ／の範囲内で特に２０
〜４０ム／ｄばが適している。
が起こるので３〜７０ム／ｌｌｔ／の範囲内で特に２０
〜４０ム／ｄばが適している。
上記の条件で第１段エツチングを行−ったのち。
第２段エツチング以降では、エツチング孔が結合しない
範囲内で出来るだけ太く、また、エツチング孔がアルミ
ニウム箔を貫通しない範囲内で出来るだけ深くエツチン
グ孔を成長させる。この目的を達成し得るエツチング条
件を説明する。
範囲内で出来るだけ太く、また、エツチング孔がアルミ
ニウム箔を貫通しない範囲内で出来るだけ深くエツチン
グ孔を成長させる。この目的を達成し得るエツチング条
件を説明する。
第１段エツチングで発生したエツチング孔を表面溶解を
抑制しながら成長させるために塩酸２〜１５％、蓚酸ｏ
、０１〜３％を含む５０〜１００’Ｃの水溶液中で電流
密度１〜１ｏム／ｄばの直流エッチングを行う。このよ
うな条件が好適なのは、適当な濃度の蓚酸を含んでいる
ためアルミニウム箔表面に表面の全面溶解を抑制する酸
化膜が生じ。
抑制しながら成長させるために塩酸２〜１５％、蓚酸ｏ
、０１〜３％を含む５０〜１００’Ｃの水溶液中で電流
密度１〜１ｏム／ｄばの直流エッチングを行う。このよ
うな条件が好適なのは、適当な濃度の蓚酸を含んでいる
ためアルミニウム箔表面に表面の全面溶解を抑制する酸
化膜が生じ。
第１段エツチングで発生したエツチング孔のみが効率良
く成長するからである。更に詳しく説明すると、塩酸濃
度は、第１段エツチングと同様の理由から２〜１５％の
範囲内で特に６〜８％が適している。蓚酸濃度は、０．
０１％未満では表面溶解抑制酸化膜の生成が不十分なた
め表面の全面溶解が起こり、３％を超えると逆に表面溶
解抑制の効果が強くエツチング孔の成長が阻害される。
く成長するからである。更に詳しく説明すると、塩酸濃
度は、第１段エツチングと同様の理由から２〜１５％の
範囲内で特に６〜８％が適している。蓚酸濃度は、０．
０１％未満では表面溶解抑制酸化膜の生成が不十分なた
め表面の全面溶解が起こり、３％を超えると逆に表面溶
解抑制の効果が強くエツチング孔の成長が阻害される。
故に、０．０１〜３％の範囲が好適で特に０６ＯＳ〜１
％が最適である。温度は、５０’Ｃ未満ではエツチング
孔の成長が乏しく、１００’Ｃを超えると、アルミニウ
ム箔表面の全面溶解が起こるので、５０〜１００’Ｃの
範囲内で、特に７０〜９０℃が適している。電流密度は
、１人／ａｗ１未満ではエツチング孔の成長が乏しく、
１０ム／ｅ１ｗｌを超えるとアルミニウム箔表面の全面
溶解が起こるので１〜１０ム／ｄＩＩ＋の範囲内で特に
３〜６ム／ｄ♂が適している。
％が最適である。温度は、５０’Ｃ未満ではエツチング
孔の成長が乏しく、１００’Ｃを超えると、アルミニウ
ム箔表面の全面溶解が起こるので、５０〜１００’Ｃの
範囲内で、特に７０〜９０℃が適している。電流密度は
、１人／ａｗ１未満ではエツチング孔の成長が乏しく、
１０ム／ｅ１ｗｌを超えるとアルミニウム箔表面の全面
溶解が起こるので１〜１０ム／ｄＩＩ＋の範囲内で特に
３〜６ム／ｄ♂が適している。
以上の条件以外でも第１段エツチングで発生したエツチ
ング孔を目的通り成長させることは可能である。例を挙
げると、液組成を変えたり、浸漬エツチングにしたり、
あるいは異なる方法で多段階にしたりしても構わない。
ング孔を目的通り成長させることは可能である。例を挙
げると、液組成を変えたり、浸漬エツチングにしたり、
あるいは異なる方法で多段階にしたりしても構わない。
本発明は、第１段エツチングにおいて均一な分布で非常
に多数のエツチング孔が発生することが最重要であり、
後は発生したエツチング孔が既述の範囲内で出来るだけ
深く、かつ太く成長すれば良いのである。
に多数のエツチング孔が発生することが最重要であり、
後は発生したエツチング孔が既述の範囲内で出来るだけ
深く、かつ太く成長すれば良いのである。
実施例
以下１本発明の実施例を比較例とともに説明する。但し
、試料は純度９９．９９％、厚さ１００μｍの焼鈍アル
ミニウム箔とする。第１表に本発明の実施例並びに比較
例のエツチング条件を示す。
、試料は純度９９．９９％、厚さ１００μｍの焼鈍アル
ミニウム箔とする。第１表に本発明の実施例並びに比較
例のエツチング条件を示す。
（以下余 白）
第１表に示す条件で得られた各エツチング箔を３７０Ｖ
化成した後の静電容量と折曲げ強度（１，ＯＲ，２００
５１荷重、折曲げ角９ｏ０により１往復で１回とする。
化成した後の静電容量と折曲げ強度（１，ＯＲ，２００
５１荷重、折曲げ角９ｏ０により１往復で１回とする。
）を測定した結果を第２表に示す。
第２表
発明の効果
以上のように本発明によれば、機械的強度を保持しなが
ら表面積の拡大、すなわち静電容量の非常に優れたアル
ミ電解コンデンサ用電極箔を得ることができる。
ら表面積の拡大、すなわち静電容量の非常に優れたアル
ミ電解コンデンサ用電極箔を得ることができる。
Claims (2)
- （１）エッチング液としてアルミニウムイオンを含む水
溶液中で直流エッチングを行う第１段エッチングを有し
、かつ少なくとも２段階に分けて行う多段階エッチング
によるエッチング処理を行うことを特徴とするアルミ電
解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （２）第１段エッチングは、塩酸２〜１５％，硫酸５〜
３５％，アルミニウムイオン０．５〜８％を含む５０〜
１００℃の水溶液中で電流密度３〜７０Ａ／ｄｍ＾２の
直流エッチングを行うことを特徴とする請求項１記載の
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63038140A JP2692108B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63038140A JP2692108B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212427A true JPH01212427A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2692108B2 JP2692108B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=12517113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63038140A Expired - Fee Related JP2692108B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692108B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0662700A1 (en) * | 1993-12-29 | 1995-07-12 | Showa Aluminum Corporation | Aluminium foil used as an electrolytic capacitor electrode, and method of etching same |
| JP2008258225A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Nippon Chemicon Corp | アルミニウムエッチング箔とその製造方法 |
| CN114164481A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-11 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPS61159600A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-07-19 | ノ−ス・アメリカン・フイリツプス・コ−ポレ−シヨン | 高圧アルミニウム陽極箔用２段階電気化学エツチング方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63038140A patent/JP2692108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPS61159600A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-07-19 | ノ−ス・アメリカン・フイリツプス・コ−ポレ−シヨン | 高圧アルミニウム陽極箔用２段階電気化学エツチング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5714271A (en) * | 1993-12-29 | 1998-02-03 | Showa Aluminum Corporation | Electrolytic condenser electrode and aluminum foil therefor |
| CN1039560C (zh) * | 1993-12-29 | 1998-08-19 | 昭和铝株式会社 | 电解电容的电极材料、该电极用的铝箔及其腐蚀方法 |
| JP2008258225A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Nippon Chemicon Corp | アルミニウムエッチング箔とその製造方法 |
| CN114164481A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-11 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692108B2 (ja) | 1997-12-17 |
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