JP3095518B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
ニウム箔のエッチング方法、特には、エッチングされた
アルミニウム箔の表面積の増大を通じて得られる電解コ
ンデンサの静電容量を格段に大きくできるエッチング方
法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ用アルミニウム箔は、そ
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電気化学的または化学的
エッチング処理が施される。
の実効面積の拡大を通じてこれを使用した電解コンデン
サの静電容量を増大するため、電気化学的または化学的
エッチング処理が施される。
【０００３】この種のコンデンサには、低、中、高圧用
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
がある。低圧用コンデンサのためのアルミニウム箔のエ
ッチング（以下単に低圧用エッチングという）では交流
を用い、通常２段、３段のエッチングを行っている（特
開昭６３−２６８２３７号公報参照）。また、中、高圧
用コンデンサのためのアルミニウム箔のエッチング（以
下単に中高圧用エッチングという）では直流を用い、通
常２段、３段のエッチングを行っている（特開平１−２
１２４２７号、同１−２１２４２８号各公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のエッチ
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの電気量を増やしてもエッチング孔を深くするこ
とができず、期待されるほど十分には表面積を増大でき
ないという欠点があった。
ング技術においては、エッチングの進行にともない、エ
ッチング孔の成長よりもアルミニウム箔表面の溶解が優
先的に進行してしまう傾向がみられる。このため、エッ
チングの電気量を増やしてもエッチング孔を深くするこ
とができず、期待されるほど十分には表面積を増大でき
ないという欠点があった。
【０００５】例えば、中高圧コンデンサの場合、静電容
量をわずか０．１μＦ／ｃｍ 2 更に上げることは至難と
されていた。
量をわずか０．１μＦ／ｃｍ 2 更に上げることは至難と
されていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる欠点を解
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供するものである。本発明は、複数段のエッ
チング工程よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法において、いずれか１つ以
上の段のエッチング工程では、エッチング液中にカルボ
ン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、リン酸基、ヒ
酸基およびセレン酸基から選ばれるカチオン交換基を有
する可溶性有機高分子電解質を存在させかつ直流電圧ま
たは交流電圧を印加してアルミニウム箔をエッチングす
る、ことを特徴とする。
決して、アルミニウム箔の表面溶解を抑え、有効にエッ
チングを行い得る電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法を提供するものである。本発明は、複数段のエッ
チング工程よりなるアルミニウム電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法において、いずれか１つ以
上の段のエッチング工程では、エッチング液中にカルボ
ン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、リン酸基、ヒ
酸基およびセレン酸基から選ばれるカチオン交換基を有
する可溶性有機高分子電解質を存在させかつ直流電圧ま
たは交流電圧を印加してアルミニウム箔をエッチングす
る、ことを特徴とする。
【０００７】本発明でカチオン交換基を有する可溶性有
機高分子電解質とは、カルボン酸基、ホスホン酸基、ホ
スフィン酸基、リン酸基、ヒ酸基およびセレン酸基から
選ばれるカチオン交換基を有する好ましくは架橋構造の
ない線状高分子または架橋構造の非常に少ない有機高分
子物質をいう。
機高分子電解質とは、カルボン酸基、ホスホン酸基、ホ
スフィン酸基、リン酸基、ヒ酸基およびセレン酸基から
選ばれるカチオン交換基を有する好ましくは架橋構造の
ない線状高分子または架橋構造の非常に少ない有機高分
子物質をいう。
【０００８】一般に、高分子の重合度が増加すると溶媒
に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の有するカ
チオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大きい程、
分子量が大きくなっても溶解しやすく、またカチオン交
換基が強電解質であればより溶解しやすくなる。また、
本発明において、有機高分子電解質のかわりに無機高分
子電解質を使用すると、有機高分子電解質に比べて達成
される静電容量の値が十分でなく適当でない。
に溶解しにくくなるが、可溶性高分子電解質の有するカ
チオン交換基の密度、即ちイオン交換容量が大きい程、
分子量が大きくなっても溶解しやすく、またカチオン交
換基が強電解質であればより溶解しやすくなる。また、
本発明において、有機高分子電解質のかわりに無機高分
子電解質を使用すると、有機高分子電解質に比べて達成
される静電容量の値が十分でなく適当でない。
【０００９】本発明において、カチオン交換基の密度、
即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜２０
ミリ当量／ｇ乾燥可溶性有機高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は、０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性
有機高分子電解質である。
即ちイオン交換容量の好ましい範囲は０．００１〜２０
ミリ当量／ｇ乾燥可溶性有機高分子電解質であり、更に
好ましい範囲は、０．１〜１８ミリ当量／ｇ乾燥可溶性
有機高分子電解質である。
【００１０】本発明におけるカチオン交換基を有する可
溶性有機高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でカチオン交換基がほと
んどまたは一部解離して電気泳動または拡散によりエッ
チングされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表
面の溶解を抑制するものと思われる。これはかかる有機
高分子電解質に特有なものである。
溶性有機高分子電解質の作用は必ずしも明確ではない
が、該電解質はエッチング液中でカチオン交換基がほと
んどまたは一部解離して電気泳動または拡散によりエッ
チングされるアルミニウム上に吸着し、アルミニウム表
面の溶解を抑制するものと思われる。これはかかる有機
高分子電解質に特有なものである。
【００１１】本発明で用いられる可溶性有機高分子電解
質の好ましい具体例としては、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリスチレンホスフィン酸、ポリスチレン
ホスホン酸、ポリエチレンホスフィン酸、ポリビニルホ
スホン酸等が挙げられる。
質の好ましい具体例としては、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリスチレンホスフィン酸、ポリスチレン
ホスホン酸、ポリエチレンホスフィン酸、ポリビニルホ
スホン酸等が挙げられる。
【００１２】以上述べた可溶性有機高分子電解質は、あ
らかじめカチオン交換基をもったモノマーを単独重合し
たものであるが、それ以外にも化１に示すようにカチオ
ン交換基を有するモノマーとカチオン交換基を有しない
モノマーを共重合したものや、カチオン交換基を有しな
い有機高分子化合物にカチオン交換基を導入したもので
も十分に目的を達成することができる。なお、化１にお
いて、ｘ、ｙ、ｎはいずれも前述したイオン交換容量お
よび分子を満足するように選ばれる。
らかじめカチオン交換基をもったモノマーを単独重合し
たものであるが、それ以外にも化１に示すようにカチオ
ン交換基を有するモノマーとカチオン交換基を有しない
モノマーを共重合したものや、カチオン交換基を有しな
い有機高分子化合物にカチオン交換基を導入したもので
も十分に目的を達成することができる。なお、化１にお
いて、ｘ、ｙ、ｎはいずれも前述したイオン交換容量お
よび分子を満足するように選ばれる。
【００１３】
【化１】
【００１４】カチオン交換基を有する可溶性有機高分子
電解質のエッチング液中への添加量としては、可溶性有
機高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３〜
１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リッ
トルが適当である。また、可溶性有機高分子電解質の分
子量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
電解質のエッチング液中への添加量としては、可溶性有
機高分子電解質にもよるが、好ましくは、０．００３〜
１０ｇ／リットル程度、特には０．００５〜５ｇ／リッ
トルが適当である。また、可溶性有機高分子電解質の分
子量が大きいほど、物質移動速度が遅くなるため好まし
く、分子量としては５００以上、特に５０００以上、更
には１００００以上が好ましい。
【００１５】エッチングに用いられるエッチング液とし
ては、塩酸水溶液、硝酸水溶液などの種々公知のものが
用いられる。好ましくは濃度１〜３０重量％の塩酸水溶
液を使用する。エッチング液の各段は、既知のように同
じエッチング液を使用できるが、異なったエッチング液
も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の場合、第
１段では塩酸水溶液、第２段では塩酸または硝酸水溶液
が使用される。各段のエッチング液には箔の過度の溶解
を防ぐために、酸化アルミニウム皮膜形成性の硫酸、リ
ン酸、シュウ酸等をエッチング液の全量に対し０．５〜
４０重量％、特には０．５〜２重量％程度添加するのが
好ましい。
ては、塩酸水溶液、硝酸水溶液などの種々公知のものが
用いられる。好ましくは濃度１〜３０重量％の塩酸水溶
液を使用する。エッチング液の各段は、既知のように同
じエッチング液を使用できるが、異なったエッチング液
も使用できる。例えば中高圧コンデンサ用箔の場合、第
１段では塩酸水溶液、第２段では塩酸または硝酸水溶液
が使用される。各段のエッチング液には箔の過度の溶解
を防ぐために、酸化アルミニウム皮膜形成性の硫酸、リ
ン酸、シュウ酸等をエッチング液の全量に対し０．５〜
４０重量％、特には０．５〜２重量％程度添加するのが
好ましい。
【００１６】本発明の場合、エッチング処理は複数段を
採用するのが必要である。そしてそのいずれか１つまた
は２つ以上の段のエッチング液に可溶性有機高分子電解
質を添加する。中高圧用エッチングには２段目に添加す
るのが好ましく、また低圧用エッチングには各段にそれ
ぞれ添加するのが好ましい。
採用するのが必要である。そしてそのいずれか１つまた
は２つ以上の段のエッチング液に可溶性有機高分子電解
質を添加する。中高圧用エッチングには２段目に添加す
るのが好ましく、また低圧用エッチングには各段にそれ
ぞれ添加するのが好ましい。
【００１７】エッチング手段としては、中高圧用エッチ
ングについては、液温５０〜１１０℃のエッチング液に
直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５
０分間程度で行われる。また、低圧用エッチングについ
ては、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用
いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１００
０〜７０００クーロン／ｄｍ 2 にて行うことが好まし
い。液温が前記範囲を逸脱すると箔に貫通孔が生じやす
く、電流密度および時間、または周波数および単位面積
あたり電気量が前記範囲を逸脱すると箔が著しく溶けた
り、貫通孔が生じやすいので不適当である。なお、ここ
でいう交流とは、電圧波形または電流波形が正弦波以外
にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波等であっ
てもよく、またこれらの組み合わせも含まれる。
ングについては、液温５０〜１１０℃のエッチング液に
直流電圧を用い、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５
０分間程度で行われる。また、低圧用エッチングについ
ては、液温５〜５０℃のエッチング液に、交流電圧を用
いて周波数５〜５０Ｈｚ、単位面積あたり電気量１００
０〜７０００クーロン／ｄｍ 2 にて行うことが好まし
い。液温が前記範囲を逸脱すると箔に貫通孔が生じやす
く、電流密度および時間、または周波数および単位面積
あたり電気量が前記範囲を逸脱すると箔が著しく溶けた
り、貫通孔が生じやすいので不適当である。なお、ここ
でいう交流とは、電圧波形または電流波形が正弦波以外
にも、波形が周期的に変化する三角波、矩形波等であっ
てもよく、またこれらの組み合わせも含まれる。
【００１８】本発明で上記可溶性有機高分子電解質をエ
ッチング液に添加してアルミニウム箔をエッチングする
と、可溶性有機高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸
着してアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、ま
た、可溶性有機高分子電解質の分子量が大きいために、
エッチング孔に入れないか、またはエッチング孔内への
拡散が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに
比べて格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制さ
れず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、十分に表面積
を増大することができ、コンデンサの陽極用および／ま
たは陰極用箔として使用される。
ッチング液に添加してアルミニウム箔をエッチングする
と、可溶性有機高分子電解質がアルミニウム箔表面に吸
着してアルミニウム箔表面の溶解を効果的に抑制し、ま
た、可溶性有機高分子電解質の分子量が大きいために、
エッチング孔に入れないか、またはエッチング孔内への
拡散が塩素イオン等のアルミニウムを溶解するイオンに
比べて格段に遅いため、エッチング孔内の溶解は抑制さ
れず、その結果エッチング孔内が選択的にエッチングさ
れ、エッチング孔を深くまた大きくでき、十分に表面積
を増大することができ、コンデンサの陽極用および／ま
たは陰極用箔として使用される。
【００１９】上記のようにしてエッチングされたアルミ
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は、
好ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好まし
くは５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５
０Ｖの範囲の所定電圧での通電下に浸漬処理される。こ
のホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤としてア
ンモニアなどを添加することができる。
ニウム箔は、ついで化成処理が施される。化成処理は、
好ましくは５〜２０重量％のホウ酸水溶液にて、好まし
くは５０〜１００℃にて、１０分〜２０時間、１〜６５
０Ｖの範囲の所定電圧での通電下に浸漬処理される。こ
のホウ酸水溶液には、必要により導電性増加剤としてア
ンモニアなどを添加することができる。
【００２０】かくして、化成処理され、表面に誘電被膜
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
が形成され、アルミニウム電解コンデンサの箔として供
される。アルミニウム箔を使用する電解コンデンサは常
法に従って、例えば、ＵＳＰ４７３４８２１およびＵＳ
Ｐ４８２１１５３等に記載される方法で製造される。
【００２１】
【実施例】［中高圧用エッチング］ 比較例１ 純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミニウム箔を、
第１段エッチング液として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃
度２５重量％とされた液温８０℃の水溶液を用い、電流
密度３０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を１２０秒印加して第１
段エッチングを行った。ついで、第２段エッチング液と
して塩酸濃度７重量％とされた液温９０℃の水溶液を用
い、電流密度１０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を３８０秒印加
して第２段エッチングを行った。第１段および第２段の
エッチング後、３１０Ｖの直流電圧をかけて純水１リッ
トル中にホウ酸１００ｇと２８重量％アンモニア水４ｃ
ｃを加えた水溶液中で化成処理した。
第１段エッチング液として塩酸濃度５重量％かつ硫酸濃
度２５重量％とされた液温８０℃の水溶液を用い、電流
密度３０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を１２０秒印加して第１
段エッチングを行った。ついで、第２段エッチング液と
して塩酸濃度７重量％とされた液温９０℃の水溶液を用
い、電流密度１０Ａ／ｄｍ 2 で直流電圧を３８０秒印加
して第２段エッチングを行った。第１段および第２段の
エッチング後、３１０Ｖの直流電圧をかけて純水１リッ
トル中にホウ酸１００ｇと２８重量％アンモニア水４ｃ
ｃを加えた水溶液中で化成処理した。
【００２２】長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍの上記化成処理さ
れたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニウム製陰極
箔（厚さ２０μ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃｍ）とをセパレ
ータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２１１５３に記載
の方法でテスト用コンデンサを試作した。このコンデン
サの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ＫＨｚ、温
度２０℃を用いて測定し、陽極箔の単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ 2 であった。
れたアルミニウム陽極箔と、市販のアルミニウム製陰極
箔（厚さ２０μ、長さ１１ｃｍ、幅１ｃｍ）とをセパレ
ータ液をはさんで巻回し、ＵＳＰ４８２１１５３に記載
の方法でテスト用コンデンサを試作した。このコンデン
サの静電容量をＬＣＲメータ（周波数１２０ＫＨｚ、温
度２０℃を用いて測定し、陽極箔の単位面積あたりの静
電容量を算出したところ１．２μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００２３】実施例１ 比較例１で用いた第２段エッチング液にポリアクリル酸
ナトリウム（イオン交換容量１０．６ミリ当量／ｇ、平
均分子量１０万）を１．０ｇ／リットルの割合で溶解し
た他は比較例１と同様にエッチングおよび化成処理して
容量を求めたところ、１．３１μＦ／ｃｍ 2 であった。
ナトリウム（イオン交換容量１０．６ミリ当量／ｇ、平
均分子量１０万）を１．０ｇ／リットルの割合で溶解し
た他は比較例１と同様にエッチングおよび化成処理して
容量を求めたところ、１．３１μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００２４】実施例２ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリスチレン
ホスホン酸（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を
求めたところ、１．４０μＦ／ｃｍ 2 であった。
ホスホン酸（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、分子
量２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を
求めたところ、１．４０μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００２５】実施例３ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、化１に示すパ
ーフルオロカルボン酸ポリマー（イオン交換容量１．５
ミリ当量／ｇ、分子量２０万）を３ｇ／リットルの割合
で溶解した他は比較例１と同様にエッチングおよび化成
処理して容量を求めたところ、１．４０μＦ／ｃｍ 2 で
あった。
ーフルオロカルボン酸ポリマー（イオン交換容量１．５
ミリ当量／ｇ、分子量２０万）を３ｇ／リットルの割合
で溶解した他は比較例１と同様にエッチングおよび化成
処理して容量を求めたところ、１．４０μＦ／ｃｍ 2 で
あった。
【００２６】実施例４ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリスチレン
にホスフィン酸基を導入して製造された高分子電解質
（イオン交換容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子量２０
万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を求めた
ところ、１．３８μＦ／ｃｍ 2 であった。
にホスフィン酸基を導入して製造された高分子電解質
（イオン交換容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子量２０
万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を求めた
ところ、１．３８μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００２７】実施例５ 比較例１で用いた第２段エッチング液に、ポリスチレン
をホスホン化したポリスチレンホスホン酸（ホスホン化
率５０％、イオン交換容量２．１ミリ当量／ｇ、分子量
２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を求
めたところ、１．４１μＦ／ｃｍ 2 であった。
をホスホン化したポリスチレンホスホン酸（ホスホン化
率５０％、イオン交換容量２．１ミリ当量／ｇ、分子量
２０万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比
較例１と同様にエッチングおよび化成処理して容量を求
めたところ、１．４１μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００２８】［低圧用エッチング］ 比較例２ 以下の条件で純度９９．９％、厚み１００μｍのアルミ
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。
ニウム箔の交流エッチングを３段で行った。
【００２９】エッチング液：ＨＣｌ ７重量％、Ｈ 3 Ｐ
Ｏ 4 １重量％、ＡｌＣｌ 3 １重量％、ＨＮＯ 3 １重量％
を含む水溶液。 １段目：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ 2 。 ２段目：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ 2 。 ３段目：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ 2 。
Ｏ 4 １重量％、ＡｌＣｌ 3 １重量％、ＨＮＯ 3 １重量％
を含む水溶液。 １段目：液温３０℃、周波数３０Ｈｚ、電気量４８００
クーロン／ｄｍ 2 。 ２段目：液温２５℃、周波数２５Ｈｚ、電気量５４００
クーロン／ｄｍ 2 。 ３段目：液温２０℃、周波数２０Ｈｚ、電気量３６００
クーロン／ｄｍ 2 。
【００３０】その後５０Ｖの直流電圧をかけて、純水１
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。得られた化成処理
箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コンデンサを
試作し、その静電容量を測定した。その結果は１６．０
μＦ／ｃｍ 2 であった。
リットル中にホウ酸１００ｇと２８％アンモニア水を４
ｃｃ加えた水溶液中で化成処理した。得られた化成処理
箔につき、比較例１と同様にしてテスト用コンデンサを
試作し、その静電容量を測定した。その結果は１６．０
μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００３１】実施例６ 比較例２で示した３段のいずれのエッチング液にも、ポ
リアクリル酸ナトリウム（イオン交換容量１０．６ミリ
当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質、平均分子量約１０
万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
２と同様にエッチングと化成処理して容量を求めたとこ
ろ、２３．０μＦ／ｃｍ 2 であった。
リアクリル酸ナトリウム（イオン交換容量１０．６ミリ
当量／ｇ乾燥可溶性高分子電解質、平均分子量約１０
万）を０．５ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
２と同様にエッチングと化成処理して容量を求めたとこ
ろ、２３．０μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００３２】実施例７ 比較例２で示した３段のいずれのエッチング液にも、ポ
リスチレンにホスホン酸基を導入して製造した高分子電
解質（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
２０万）を１ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
２と同様にエッチングと化成処理して容量を求めたとこ
ろ、２５．２μＦ／ｃｍ 2 であった。
リスチレンにホスホン酸基を導入して製造した高分子電
解質（イオン交換容量５．０ミリ当量／ｇ、平均分子量
２０万）を１ｇ／リットルの割合で溶解した他は比較例
２と同様にエッチングと化成処理して容量を求めたとこ
ろ、２５．２μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００３３】実施例８ 比較例２で示した３段のいずれのエッチング液にも、ポ
リスチレンにホスフィン酸基を導入して製造した高分子
電解質（イオン交換容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例２と同様にエッチングと化成処理して容量を求め
たところ、２４．６μＦ／ｃｍ 2 であった。
リスチレンにホスフィン酸基を導入して製造した高分子
電解質（イオン交換容量２．７ミリ当量／ｇ、平均分子
量２０万）を０．２ｇ／リットルの割合で溶解した他は
比較例２と同様にエッチングと化成処理して容量を求め
たところ、２４．６μＦ／ｃｍ 2 であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明方法を採用すると、エッチング孔
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。従って、これを用いることによ
り、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデンサ
を得ることができる。
が深く、大きく蝕刻され、しかもアルミニウム箔の表面
層の侵蝕は抑えられる。従って、これを用いることによ
り、箔の強度を維持しつつ、静電容量の高いコンデンサ
を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神保 晴男 神奈川県藤沢市辻堂新町２−２−１ (56)参考文献 特開 昭63−79311（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−11364（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/04 304
Claims (6)
- 【請求項１】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で、
エッチング液中にカルボン酸基、ホスホン酸基、ホスフ
ィン酸基、リン酸基、ヒ酸基およびセレン酸基から選ば
れるカチオン交換基を有する可溶性有機高分子電解質を
存在させかつ電圧を印加してアルミニウム箔をエッチン
グする、ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔のエッチング方法。 - 【請求項２】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で、
液温５０〜１１０℃のエッチング液中にカルボン酸基、
ホスホン酸基、ホスフィン酸基、リン酸基、ヒ酸基およ
びセレン酸基から選ばれるカチオン交換基を有する可溶
性有機高分子電解質を存在させかつ直流電圧を印加し、
電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ 2 で１〜５０分間アルミニウ
ム箔をエッチングする、ことを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項３】複数段のエッチング工程よりなるアルミニ
ウム電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
において、いずれか１つ以上の段のエッチング工程で、
液温５〜５０℃のエッチング液中にカルボン酸基、ホス
ホン酸基、ホスフィン酸基、リン酸基、ヒ酸基およびセ
レン酸基から選ばれるカチオン交換基を有する可溶性有
機高分子電解質を存在させかつ周波数５〜５０Ｈｚの交
流電圧を印加し、単位面積あたり電気量１０００〜７０
００クーロン／ｄｍ 2 にてアルミニウム箔をエッチング
する、ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム
箔のエッチング方法。 - 【請求項４】可溶性有機高分子電解質が、エッチング液
中に０．００３〜１０ｇ／リットル存在する、請求項
１、２または３記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法。 - 【請求項５】エッチング液が、塩酸水溶液に硫酸、リン
酸、硝酸またはシュウ酸を添加したものである、請求項
１、２、３または４記載の電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔のエッチング方法。 - 【請求項６】塩酸水溶液は、塩酸濃度が１〜３０重量％
である、請求項５記載の電解コンデンサ用アルミニウム
箔のエッチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21817090 | 1990-08-21 | ||
| JP2-218170 | 1990-08-21 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233860A Division JPH07123099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1991-08-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121276A JPH05121276A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3095518B2 true JP3095518B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=16715725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04092124A Expired - Fee Related JP3095518B2 (ja) | 1990-08-21 | 1992-03-18 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095518B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP04092124A patent/JP3095518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121276A (ja) | 1993-05-18 |
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